CMP工艺中抛光液成本占比最高(%) 原图定位 抛光液是 CMP 工艺核心原材料,配方和纳米磨料是核心技术壁垒。抛光液作为 CMP工艺中的核心原材料之一,是整个 CMP工艺中成本占比最高的部分,达到49%。而 CMP抛光液由研磨颗粒、PH调节剂、分散剂、氧化剂和表面活性剂组成,其中,配方和研磨颗粒是 CMP抛光液生产的核心技术壁垒。就配方而言,由于抛光液中各个组分的比例、顺序、速度和时间等都会影响到最终的产品性能,需要企业不断优化研究来找出最合适的方案,因此产品配方和生产工艺流程是每家企业的核心竞争力。同时,抛光液种类多样,根据应用的不同工艺环节,可以将抛光液分为硅抛光液、铜及铜阻挡层抛光液、钨抛光液、介质层抛光液、浅槽隔离(STI)抛光液以及用于先进封装的硅通孔(TSV)抛光液等,即使是同一技术节点的不同客户,其工艺技术也要求不同的配方。研磨颗粒方面,由于纳米磨料种类较多(主要包括硅溶胶、气相二氧化硅和二氧化铈等品类)且制备技术难度较高,目前依旧被国外企业所垄断,国产化率提升势在必行。