CMP发展历程 原图定位 CMP 紧随集成电路制造工艺的进步而不断发展。李思等的《化学机械抛光技术发展及其应用》一文中,根据集成电路主节点与 CMP 的发展之间的对应关系,将 CMP 分为 3 个阶段:1)研发期:从1965 年到 1988 年为 CMP 工艺的研发阶段,主要用于氧化物及金属钨等;2)成熟期:从 1988 年到2000 年,CMP 工艺逐渐成长为 IC 制造过程中必不可少的关键工艺技术。主要应用领域包括氧化物、金属钨以及金属铜等;3)领域延伸期:从 2000 年至今,随着 IC 制造技术节点的不断延伸,CMP 工艺逐渐朝着低 K 介质、低压力、钴互连技术、钌阻挡层等方面发展。