图表24.CMP抛光与机械、化学抛光速率对比 原图定位 CMP 抛光相较于机械抛光、化学抛光能够提高生产效率。CMP 的主要工作原理是磨损中的“软磨硬”原理。根据燕禾等《化学机械抛光技术研究现状及发展趋势》,在 CMP 工作过程中,通过对抛光头施加一定压力使其与抛光垫充分接触,同时将抛光液通过加液系统、电机旋转产生的离心力均匀分布到整个抛光垫上,并发生氧化作用形成氧化层,然后再通过机械摩擦去除氧化层。CMP 技术将化学抛光、机械抛光有机结合,使被抛光的晶圆表面达到高度平坦化,最终制备出具有超精密表面的材料。此外,相较于化学抛光和机械抛光,CMP 抛光能够明显提高生产效率。