第三代半导体是啥

第三代半导体发展于20世纪90年代，它也被叫做宽禁带半导体材料又或者是高温半导体材料，主要是以碳化硅(SiC)、氮化镓( GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为代表，从当前第三代半导体的材料和器件的研究来看，比较成熟的是SiC和GaN半导体材料，而氧化锌、金刚石、氮化铝等材料的研究还是处在正在起步阶段。

碳化硅和氮化镓并称为第三代半导体材料的双雄。

第三代半导体材料能够实现更好的电子浓度和运动控制，更适用于制作高温、高频、抗辐射和大功率电子器件，在光电子和微电子领域具有重要的应用价值，就当前来说，5G基站、新能源汽车和快充等都是第三代半导体的重要应用领域。

第三代半导体产业现状

近几年来，随着材料器件和工艺以及应用方面等一系列技术的创新和突破，碳化硅和氮化镓器件的制备工艺也是在逐渐的成熟，并且生产成本也是在不断的降低，就目前来说，国际上第三代半导体材料、器件已经实现了从研发到规模性量产的成功跨越，并且开始进入了产业化快速发展阶段，并且也在新能源汽车、高速轨道交通、5G通信、光伏并网、消费类电子等多个重点领域实现了应用突破。

第三代半导体未来的前景

未来五年将会是第三代半导体产业发展的关键期，全球资本加速进入第三代半导体材料、器件领域，产能大幅度提升，企业并购频发，正处于产业爆发前的抢跑阶段，总的来看，第三代半导体材料有着巨大的发展空间和良好的市场前景，催生着上万亿元的潜在市场，有望引领新一轮产业革命。

当前美国、日本等世界科技强国纷纷制定相关的战略规划，大力发展第三代半导体产业，我国也在抓紧第三代半导体材料发展的机会，加快第三代半导体材料的应用开发。

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