1 光刻胶是什么?

光刻胶是影响光刻效果的核心要素之一，在电子产业中占据重要地位，是我国重点发展的电子产业关键材料之一。光刻胶具有光化学敏感性，是一类混合液体，光刻胶利用光化学反应，通过光刻工艺（曝光、显影等），将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上，是用于微细加工技术的关键性电子化学品。

2 光刻胶的主要成分

(1)溶剂：溶液是容量最大的成分，由于光引发剂和添加剂都是固态物质，为了方便均匀的涂抹在器件表面，要将它们加入溶剂进行溶解，形成液态物质，且使之具有良好的流动性

(2)光引发剂：光引发剂是核心部分，在特定波长光形式的辐射能下会产生光化学反应，改变成膜树脂在显影液中的溶解度

(3)成膜树脂;树脂是一种惰性的聚合物基质，是用来将其它材料聚合在一起的粘合剂，决定曝光后光刻胶的基本性能

(4)添加剂：单体对光引发剂的光化学反应有调节作用;助剂是根据不同用途添加的颜料、分散剂等，用于调节光刻胶整体性能

3 光刻胶的分类

(1)从光刻胶的发展历程看，光刻技术经历了紫外全谱(300-340nm)，G 线(436nm)，I 线(365nm)，深紫外(Deep Ultraviolet，DUV，248nm 和 193nm)，以及目前最引人注目的极紫外(EUV，13.5nm)光刻，电子束光刻等六个阶段.

(2)根据反应机理和显影原理，光刻胶分为正性光刻胶和负性光刻胶。正性光刻胶形成的图形与掩膜版(光罩)相同，负性光刻胶显影时形成的图形与掩膜版相反。

(3)根据感光树脂的化学结构，光刻胶可分为光聚合型，光分解型和光交联型和化学放大型。

(4)根据应用领域的不同，光刻胶可分为 PCB 光刻胶、LCD 光刻胶和半导体光刻胶。PCB 光刻胶主要包括干膜光刻胶、湿膜光刻胶、光成像阻焊油墨。LCD 领域光刻胶主要包括彩色光刻胶和黑色光刻胶、触摸屏光刻胶、TFT-LCD 光刻胶。半导体光刻胶包括普通宽普光刻胶、g 线(436nm)、i 线(365nm)、KrF(248nm)、ArF(193nm)及最先进的 EUV(<13.5nm)光刻胶，级越往上其极限分辨率越高，同一面积的硅晶圆布线密度越大，性能越好

4 如何评价光刻胶的核心性能特性

可从灵敏度、对比度、分辨能力、曝光宽容度、工艺宽容度、热流动性、膨胀效应、黏度、保证期限等几个方面评价光刻胶的核心性能特性

5 光刻胶应用领域

光刻工艺是微图形加工中最核心的技术之一，显示面板、晶圆、PCB 板、MEMS 微机电装置的制造过程中有广泛的应用。

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