图表19公司IGBT生产工艺流程 原图定位 IGBT生产流程较为复杂,具有很高的生产工艺壁垒。与普通 IC芯片相比,功率半导体在减薄工艺、背面工艺等方面都更加复杂。其中减薄工艺是指为达到特定的耐压指标,需要将硅片磨至特定厚度,如 100~200um 的工艺。当硅片磨至 200um量级之后,继续磨薄将导致硅片破碎的概率极大增高。背面工艺则包括背面离子注入、退火激活、背面金属化等工艺步骤,受到金属熔点的限制,背面工艺均需要在低于 450℃的条件下进行。