图表6SiC三种制备方法优缺点对比 原图定位 PVT 原理:将高纯度碳粉与硅粉,按特定比例混合,形成高纯度 SiC 微粉与籽晶分别放置生长炉内坩埚下部,顶部后,温度升高至 2000℃以上,通过控制坩埚下部温度略高于顶部,形成温度差。SiC 微粉升华成气态 Si2C、SiC2、Si 等,后由于温度差在温度较低籽晶处形成 SiC 晶锭。