MOSFET结构及SiO2与High-K栅介电层比较 原图定位 High-K栅介电层厚度往往小于 10nm,所需的膜层很薄(通常在数纳米量级内),因此 ALD 是一种较好的可以制备 High-K 电介质材料的技术,目前其沉积的High-K材料主要包括 Al2O3、HfO2、TiO2、ZrO2、Ta2O5,稀土元素氧化物以及一些硅酸盐混合的纳米层状结构材料。