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1、证券研究报告证券研究报告 内生外延实力雄厚,国产化持续放量内生外延实力雄厚,国产化持续放量 中微公司(中微公司(688012.SH688012.SH)系列跟踪报告之七)系列跟踪报告之七 2023年05月29日 作者:作者:光大证券电子通信组首席光大证券电子通信组首席 刘凯,执业证书编号:刘凯,执业证书编号:S0930517100002S0930517100002 光大证券电子通信分析师光大证券电子通信分析师 杨德珩,执业证书编号:杨德珩,执业证书编号:S0930522110003S0930522110003 请务必参阅正文之后的重要声明 核心观点核心观点 1 招商基金BViX3UiYcV5Xg
2、VYZjZ8ZaQdNaQnPpPpNoNiNrRnQlOsRoP9PmMxOMYpMsQvPrMrN请务必参阅正文之后的重要声明 目目 录录 中微公司概况中微公司概况 半导体设备行业发展趋势半导体设备行业发展趋势 公司核心竞争力公司核心竞争力 盈利预测与估值分析盈利预测与估值分析 2 投资建议投资建议 风险分析风险分析 请务必参阅正文之后的重要声明 3 一、中微公司概况一、中微公司概况 请务必参阅正文之后的重要声明 4 1.1.11.1.1、公司业务概况、公司业务概况 中微公司(688012.SH)是一家以中国为基地、面向全球的高端半导体微观加工设备公司,深耕芯片制造刻蚀领域,研制出了国内第
3、一台电介质刻蚀机,核心产品包括:(1)用于IC集成电路领域的等离子体刻蚀设备(CCP&ICP)、深硅刻蚀设备(TSV);(2)用于LED芯片领域的MOCVD设备。目前公司等离子体刻蚀设备已被广泛应用于国际一线客户从65纳米到14纳米、7纳米和5纳米的集成电路加工制造及先进封装,MOCVD设备在行业领先客户的生产线上大规模投入量产,已成为世界排名前列、国内占主导地位的氮化镓基LED设备制造商。此外,公司正在积极扩展薄膜沉积类设备,例如LPCVD、EPI、ALD等。请务必参阅正文之后的重要声明 5 1.1.21.1.2、公司业务分布及发展历程、公司业务分布及发展历程 请务必参阅正文之后的重要声明
4、6 1.2.11.2.1、公司股权结构及主要子公司情况、公司股权结构及主要子公司情况 请务必参阅正文之后的重要声明 7 1.2.21.2.2、公司核心技术人员、公司核心技术人员 姓名职务 介绍1944年生,美国国籍,中国科学技术大学学士,加州大学洛杉矶分校博士。1984年至1986年,就职于英特尔中心技术开发部,担任工艺工程师;1986年至1991年,就职于泛林半导体,历任研发部资深工程师、研发部资深经理;1991年至2004年,就职于应用材料,历任等离子体刻蚀设备产品总部首席技术官、总公司副总裁及等离子体刻蚀事业群总经理、亚洲总部首席技术官;2004年至今,担任中微公司董事长及总经理。董事(
5、离任)、副总经理 1959年生,美国国籍,上海交通大学学士,美国麻省理工学院硕士、博士。1990年至1999年,历任PraxairInc.高级工程师、经理、董事总经理等;1999年至2001年,担任应用材料全球供应管理经理;2001年至2004年,担任梅特勒-托利多上海子公司总经理;2004年至今,历任中微公司副总裁、资深副总裁、首席运营官。现任中微公司副总经理。倪图强 1962年生,美国国籍,中国科学技术大学学士、硕士,美国德州大学博士、博士后。1995年至2004年,担任泛林半导体技术总监;2004年8月至今,历任中微公司执行总监、副总裁,现任中微公司副总经理。核心技术人员 1947年生,
6、美国国籍,台湾大学学士、美国马里兰大学博士。1985年至1989年,担任英特尔资深工程师;1989年至2003年,担任应用材料资深总监;2004年1月至2004年6月,担任英特尔项目经理;2004年8月至2020年3月,任中微公司副总裁。现任中微公司核心技术人员。核心技术人员 1966年生,美国国籍,西安交通大学学士、硕士。1993年至1995年,担任智群科技股份有限公司项目经理;1995年至2004年,担任应用材料软件部资深总监;2004年至今,担任中微公司核心技术人员。核心技术人员 1958年生,美国国籍,复旦大学学士、美国韦恩大学硕士、美国纽约大学硕士。1990年至1995年,担任美国索
7、尼资深电气工程师;1995年至2004年,担任应用材料亚太项目经理;2004年9月至今,担任中微公司核心技术人员。请务必参阅正文之后的重要声明 8 1.3.11.3.1、公司年度财务分析、公司年度财务分析-营收与净利润营收与净利润 公司2022年实现营业收入47.40亿元,同比增长52.50%,持续快速增长;净利润为11.70亿元,同比增长15.66%;扣非净利润为9.19亿元,同比增长183.44%。2022年专用设备(刻蚀机、MOCVD设备)占比达81.17%,备品备件占比17.62%,半导体设备是公司的核心业务。请务必参阅正文之后的重要声明 9 1.3.21.3.2、公司年度财务分析、公
8、司年度财务分析 公司2022年的毛利率为45.74%,净利率为24.64%,扣非净利率为19.40%。分业务情况:公司2022年刻蚀设备收入31.47亿元,同比+57.1%,毛利率达47.0%,MOCVD设备收入7.0亿元,同比+39.2%,毛利率达37.0%;备品备件收入为8.35亿元,同比+50.3%,毛利率为46.88%。订单情况:公司2022年新签订单为63.20亿元,同比+53.03%。请务必参阅正文之后的重要声明 10 1.3.31.3.3、公司季度财务分析、公司季度财务分析 公司2023Q1营业收入约12.23亿元,同比+28.86%;归母净利润为2.75亿元,同比+134.98
9、%;扣非归母净利润为2.28亿元,同比+22.22%;毛利率为45.9%,净利率为22.5%,扣非净利率为18.6%。分业务情况:公司23Q1刻蚀设备收入为8.14亿元,同比+13.94%,毛利率达到47.29%;MOCVD设备收入1.67亿元,同比+300.48%,毛利率达到40.09%。公司23Q1合同负债为23.20亿元,相比22Q4增长5.7%;存货为37.05亿元,相比22Q4增长8.9%。请务必参阅正文之后的重要声明 11 二、半导体设备行业发展趋势二、半导体设备行业发展趋势 请务必参阅正文之后的重要声明 12 根据SEMI最新预测数据(2022年12月),原设备制造商的半导体制造
10、设备全球总销售额预计将在2022年创下1085亿美元的新高,连续三年创纪录,较2021创下的1025亿美元行业纪录增长5.9%。预计2023年全球半导体制造设备市场总额将收缩至912亿美元,2024年将在前端和后端市场的推动下反弹。2.1.12.1.1、全球半导体设备销售额预测、全球半导体设备销售额预测 请务必参阅正文之后的重要声明 13 22Q4中国大陆半导体设备季度销售额为63.6亿美金,同比-22.2%,在全球半导设备市场中的占比约23%;2021-2022年中国大陆半导体设备季度销售额在全球半导体设备市场中的占比在20%-33%之间;2.1.22.1.2、中国大陆半导体设备季度销售额及
11、全球占比、中国大陆半导体设备季度销售额及全球占比 请务必参阅正文之后的重要声明 14 2.1.32.1.3、2020-2626年年1010种主要半导体设备的市场趋势种主要半导体设备的市场趋势 根据Gartner数据统计及预测,2022年光刻设备、薄膜沉积设备、刻蚀设备和前道检测设备的市场规模分别为1160亿元、1540亿元、1550亿元和825亿元,其中中微公司已全面覆盖刻蚀设备及部分薄膜沉积设备,并投资布局了前道检测设备;根据Gartner数据统计,2011-2021年前道设备年均增速干法刻蚀和化学薄膜沉积设备分别为16.4%和13.4%,排名前二;请务必参阅正文之后的重要声明 15 2.2
12、.12.2.1、刻蚀技术简介、刻蚀技术简介 目前湿法刻蚀占比10%,干法刻蚀市场占比90%,湿法刻蚀一般适用于尺寸较大的情况下(大于3微米)以及用来腐蚀硅片上某些层或用来去除干法刻蚀后的残留物。10%CCP 90%ICP 请务必参阅正文之后的重要声明 16 CCP属于中密度等离子体,ICP则属于高密度等离子体。CCP技术的发明早于ICP,但由于其特点的不同,两类技术并非相互取代,而是相互补充的关系。刻蚀通过与光刻、沉积等工艺多次配合可以形成完整的底层电路、栅极、绝缘层以及金属通路等。从难度上讲,硅刻蚀最难,其次介质刻蚀,最简单的是金属刻蚀。ICP 48%CCP 49%ECR 3%2.2.22.
13、2.2、干法刻蚀技术简介、干法刻蚀技术简介 CCP 40-50%ICP 50-60%请务必参阅正文之后的重要声明 17 2.2.32.2.3、刻蚀设备市场概况、刻蚀设备市场概况 根据Gartner数据统计,22年刻蚀设备、光刻机、薄膜沉积设备和工艺控制设备在半导体设备中的占比分别为22%、17%、22%和12%;22年刻蚀设备市场规模为1550亿元,其中CCP和ICP刻蚀机占比分比为47.5%和47.9%;请务必参阅正文之后的重要声明 18 2.3.12.3.1、MOCVDMOCVD设备技术简介设备技术简介 MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术,不同于
14、传统的硅半导体,这些半导体可以包含的组合III族和V族,II族和VI族,IV族或第IV族,V和VI族的元素。MOCVD是目前半导体化台物材料制备的关键技术之一,广泛应用于包括半导体器件、光学器件、气敏元件、超导薄膜材料、铁电/铁磁薄膜、高介电材料等多种薄膜材料的制备。MOCVD设备可用于LED、功率器件等多个领域,是LED芯片生产过程中最为关键的设备,其工艺、技术极为复杂,也是LED芯片制造环节中最为昂贵的设备,占据LED外延芯片几乎一半的成本。请务必参阅正文之后的重要声明 19 2.3.22.3.2、LPCVDLPCVD设备技术简介设备技术简介 低压化学气相淀积(LPCVD)是指系统工作在较
15、低的压强下的一种化学气相淀积的方法。这种技术淀积出来的薄膜均匀性和台阶覆盖性较好,且具有较低的淀积速率和较高的淀积温度。LPCVD采用最高温度来沉积薄膜,通常在600以上,压力在10-1,000Pa之间,温度决定薄膜的厚度和纯度,温度越高,薄膜越厚,纯度越高。LPCVD技术不仅用于制备硅外延层,还广泛用于各种无定形钝化膜及多晶硅薄膜的淀积,是一种重要的薄膜淀积技术。常见的沉积薄膜:多晶硅薄膜、掺杂&未掺杂的氧化物薄膜、氮化物薄膜。请务必参阅正文之后的重要声明 20 2.3.32.3.3、EPIEPI设备技术简介设备技术简介 外延(EPI)工艺是指在单晶衬底上生长单晶材料层,新生长的单晶层的晶向
16、通常与衬底的晶向相同,生长有外延层的衬底片叫做外延片。常用的外延技术包括气相、液相和分子束外延等,其中CVD外延是集成电路工艺中应用最为广泛;外延层可以是同质外延层(Si/Si),也可以是异质外延层(SiGe/Si或SiC/Si等)。用于CVD生长硅外延层的反应剂主要有4种:四氯化硅、二氯硅烷、三氯氢硅和硅烷,其中硅烷外延温度较低,可以减少自掺杂效应和扩散效应等,近年来应用较多。另外,通过在反应气体中增加氢化物杂质掺杂源(如磷烷)得到掺杂的外延层。请务必参阅正文之后的重要声明 21 2.3.42.3.4、ALDALD设备技术简介设备技术简介 ALD设备是一种可以将反应材料以单原子膜形式通过循环
17、反应逐层沉积在硅片表面,形成对复杂形貌的基底表面全覆盖成膜的专用设备,可以实现高深宽比、极窄沟槽开口的优异台阶覆盖率及精确薄膜厚度控制。PE-ALD是利用等离子体增强反应活性,提高反应速率,具有相对较快的薄膜沉积速度、较低的沉积温度等特点,适用于沉积硅基介质薄膜材料;Thermal-ALD是利用热能使反应物分子吸附在基底表面,再进行化学反应,生成薄膜,具有相对较高的反应温度、优越的台阶覆盖率、高薄膜质量等特点,适用于金属、金属氧化物、金属氮化物等薄膜沉积;请务必参阅正文之后的重要声明 22 2.3.52.3.5、薄膜沉积设备的市场概况、薄膜沉积设备的市场概况 2022年薄膜沉积设备在半导体设备
18、中的占比约22%,全球市场规模229亿美金,其中ALD、LPCVD、EPI和MOCVD设备市场规模分别为30亿、22亿、16亿和5亿美金,这四种设备中微公司均有涉足。请务必参阅正文之后的重要声明 23 三、公司核心竞争力三、公司核心竞争力 请务必参阅正文之后的重要声明 24 公司的产品矩阵公司的产品矩阵 公司在刻蚀设备、MOCVD设备等设备产品研发、市场布局、新业务投资拓展等诸多方面取得了较大的突破和进展,产品不断获得海内外客户的认可;公司在聚焦核心业务集成电路设备的同时积极探索布局包括健康领域在内的新业绩增长点,子公司中微惠创、中微汇链、芯汇康及公司参与投资的标的公司在各自细分领域取得了卓有
19、成效的进展;请务必参阅正文之后的重要声明 25 3.1.13.1.1、公司等离子体刻蚀设备产品系列、公司等离子体刻蚀设备产品系列 CCP刻蚀机:Primo AD-RIE、Primo SSCAD-RIE、Primo HD-RIE等产品已广泛应用于国内外一线客户的集成电路加工制造生产线。在先进逻辑器件方面,在国际最先进的5nm芯片生产线及下一代更先进的生产线上均实现了多次批量销售;在存储器件方面,不仅在3DNAND的生产线被广泛应用,还成功通过了多个DRAM的工艺验证,并取得了重复订单。ICP刻蚀机:在原有的单台机Nanov SE的基础上,推出了用于高深宽比结构刻蚀的Nanova VE和用于高均匀
20、性刻蚀的Nanova UE两种设备,在全面满足55nm、40nm和28nm逻辑芯片制造中的刻蚀工艺的基础上,拓展了在DRAM、3DNAND存储芯片和特色器件等芯片制造中的可刻蚀应用范围。在原有的双台机Primo Twin-Star的基础上,推出了Twin-Star SE产品,不仅扩展了在功率器件、Micro-LED、Meta Lens等特色器件的刻蚀市场,也让客户在不同芯片种类的各种刻蚀应用上有了高产出、高性价比的双台机可供选择。请务必参阅正文之后的重要声明 26 3.1.23.1.2、公司大马士革和极高深宽比刻蚀机进展顺利、公司大马士革和极高深宽比刻蚀机进展顺利 CCP刻蚀机:2022年针对
21、逻辑器件的一体化大马士革刻蚀工艺和存储器件的极高深宽比刻蚀技术(60:1)取得良好进展。请务必参阅正文之后的重要声明 27 3.1.33.1.3、公司、公司ICPICP刻蚀机出货量高速增长刻蚀机出货量高速增长 ICP刻蚀机:在超过20个客户的逻辑、DRAM和3DNAND等器件的生产线上进行超过100多个工艺的量产,截止22年底Primo Nanova系列产品在客户端安装腔体数已达到297台,Primo Twin-Star在海内外多个客户的产线上实现量产,并取得重复订单;8英寸和12英寸深硅刻蚀设备Primo TSV200E、Primo TSV300E在晶圆级先进封装、2.5维封装和微机电系统芯
22、片生产线等成熟刻蚀市场继续获得重复订单的同时,在300mm的3D芯片的硅通孔刻蚀工艺上得到成功验证,并在欧洲客户300mm微机电系统芯片的生产线上获得认证机台的机会;请务必参阅正文之后的重要声明 28 3.23.2、公司、公司PrismoPrismo MOCVDMOCVD产品系列及发展路线产品系列及发展路线 MOCVD设备:截止2022年,公司累计MOCVD产品出货量超过500腔,持续保持国际氮化镓基MOCVD设备市场领先地位。其中PrismoUniMax产品自2021年6月正式发布以来累计出货量已超过120腔,在Mini-LED显示外延片生产设备领域处于国际领先;公司用于蓝光照明的Prism
23、oA7、用于深紫外LED的PrismoHiT3、用于Mini-LED显示的Prismo UniMax等产品持续服务客户,针对Micro-LED应用的专用MOCVD设备正开发中;公司推出了用于氮化镓功率器件生产的PrismoPD5,目前已交付国内外领先客户进行生产验证,并取得了重复订单;请务必参阅正文之后的重要声明 29 3.33.3、公司薄膜沉积类设备进展顺利、公司薄膜沉积类设备进展顺利 2022年公司首台CVD钨设备关键存储客户验证中,持续开发新型号CVD钨和ALD钨设备,ALD氮化钛设备进入实验室测试阶段,锗硅外延EPI设备处于调试阶段。请务必参阅正文之后的重要声明 30 3.4.13.4
24、.1、公司布局环保设备、公司布局环保设备 子公司中微惠开发了工业用大型 VOC 净化设备、本地尾气处理设备(Local Scrubber)等环保设备,被广泛应用于国内半导体和集成电路、泛半导体、面板显示等行业生产制造过程中产生的废气处理。请务必参阅正文之后的重要声明 31 3.4.23.4.2、增资控股前道检测设备厂商睿励仪器、增资控股前道检测设备厂商睿励仪器 2022年公司增资前道设备厂商睿励仪器1.08亿元,并以0.43亿元受让睿励仪器老股东部分股权,目前累计投资约2.51亿元并持有34.75%的股份,尹志尧出任睿励仪器的董事长;睿励仪器成立于2005年6月27日,致力于集成电路生产前道工
25、艺检测领域设备研发和生产,是国内少数几家进入国际领先的12英寸生产线的高端装备企业之一,并且是国内唯一进入某韩国领先芯片生产企业的国产集成电路设备企业;睿励仪器主营的产品为光学膜厚测量设备和光学缺陷检测设备,以及硅片厚度及翘曲测量设备等。睿励仪器自主研发的12英寸光学测量设备TFX3000系列产品,已应用在65/55/40/28纳米芯片生产线并在进行了14纳米工艺验证,在3D存储芯片产线支持64层3DNAND芯片的生产,并正在验证96层3DNAND芯片的测量性能;请务必参阅正文之后的重要声明 32 四、盈利预测与估值分析四、盈利预测与估值分析 请务必参阅正文之后的重要声明 33 4 4、盈利预
26、测与估值分析、盈利预测与估值分析 指标 2021 2022 2023E 2024E 2025E 营业收入(百万元)3,108 4,740 5,790 7,061 8,621 营业收入增长率 36.72%52.50%22.16%21.95%22.09%净利润(百万元)1,011 1,170 1,356 1,632 1,988 净利润增长率 105.49%15.66%15.94%20.35%21.80%EPS(元)1.64 1.90 2.20 2.65 3.23 ROE(归属母公司)(摊薄)7.26%7.55%8.05%8.84%9.72%P/E 100 87 75 62 51 P/B 7.3 6
27、.5 6.0 5.5 5.0 预计2023-2025年公司的总营业收入分别为57.90、70.61和86.21亿元,同比增长22.16%、21.95%和22.09%;维持归母净利润为13.56、16.32和19.88亿元,同比增长15.94%、20.35%和21.80%,当前市值对应的PE值为75x/62x/51x。请务必参阅正文之后的重要声明 34 五、投资建议五、投资建议 请务必参阅正文之后的重要声明 35 公司是国内刻蚀设备和MOCVD设备的领军企业,CCP&ICP刻蚀机在头部晶圆厂份额的提升比较明显,另外薄膜沉积类设备进展顺利,目前正处于国产化带来的增量的高速增长前期,我们看好公司雄厚
28、的内生外延实力,中长期重点推荐,维持“买入”评级。5 5、投资建议、投资建议 请务必参阅正文之后的重要声明 风险提示风险提示 国产化进度不及预期国产化进度不及预期 36 晶圆厂扩张不及预期晶圆厂扩张不及预期 技术研发不及预期技术研发不及预期 通信电子研究团队 刘凯刘凯 执业证书编号:S0930517100002 电话: 邮件: 杨德珩杨德珩 邮件: 电话: 执业证书编号:S0930522110003 分析师声明分析师声明 本报告署名分析师具有中国证券业协会授予的证券投资咨询执业资格并注册为证券分析师,以勤勉的职业态度、专业审慎的研究方法,使用合法
29、合规的信息,独立、客观地出具本报告,并对本报告的内容和观点负责。负责准备以及撰写本报告的所有研究人员在此保证,本研究报告中任何关于发行商或证券所发表的观点均如实反映研究人员的个人观点。研究人员获取报酬的评判因素包括研究的质量和准确性、客户反馈、竞争性因素以及光大证券股份有限公司的整体收益。所有研究人员保证他们报酬的任何一部分不曾与,不与,也将不会与本报告中具体的推荐意见或观点有直接或间接的联系。行业及公司评级体系行业及公司评级体系 买入未来6-12个月的投资收益率领先市场基准指数15%以上;增持未来6-12个月的投资收益率领先市场基准指数5%至15%;中性未来6-12个月的投资收益率与市场基准
30、指数的变动幅度相差-5%至5%;减持未来6-12个月的投资收益率落后市场基准指数5%至15%;卖出未来6-12个月的投资收益率落后市场基准指数15%以上;无评级因无法获取必要的资料,或者公司面临无法预见结果的重大不确定性事件,或者其他原因,致使无法给出明确的投资评级。基准指数说明:A股市场基准为沪深300指数;香港市场基准为恒生指数;美国市场基准为纳斯达克综合指数或标普500指数。特别声明特别声明 光大证券股份有限公司(以下简称“本公司”)成立于1996年,是中国证监会批准的首批三家创新试点证券公司之一,也是世界500强企业中国光大集团股份公司的核心金融服务平台之一。根据中国证监会核发的经营证
31、券期货业务许可,本公司的经营范围包括证券投资咨询业务。本公司经营范围:证券经纪;证券投资咨询;与证券交易、证券投资活动有关的财务顾问;证券承销与保荐;证券自营;为期货公司提供中间介绍业务;证券投资基金代销;融资融券业务;中国证监会批准的其他业务。此外,本公司还通过全资或控股子公司开展资产管理、直接投资、期货、基金管理以及香港证券业务。本报告由光大证券股份有限公司研究所(以下简称“光大证券研究所”)编写,以合法获得的我们相信为可靠、准确、完整的信息为基础,但不保证我们所获得的原始信息以及报告所载信息之准确性和完整性。光大证券研究所可能将不时补充、修订或更新有关信息,但不保证及时发布该等更新。本报
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