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1、 苏州锴威特半导体苏州锴威特半导体股份有限公司股份有限公司 (Suzhou Convert Semiconductor CO.,LTD.)(张家港市杨舍镇华昌路 10 号沙洲湖科创园 B2 幢 01 室)首次公开发行股票并在科创板上市首次公开发行股票并在科创板上市 招股说明书招股说明书 保荐人(主承销商)(深圳市前海深港合作区南山街道桂湾五路128号前海深港基金小镇B7栋401)本次股票发行后拟在科创板市场上市,该市场具有较高的投资风险。科创板公司具有研发投入大、经营风险高、业绩不稳定、退市风险高等特点,投资者面临较大的市场风险。投资者应充分了解科创板市场的投资风险及本公司所披露的风险因素,审
2、慎作出投资决定。科创板风险提示 苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-1 发发 行行 人人 声声 明明 中国证监会、交易所对本次发行所作的任何决定或意见,均不表明其对发行人注册申请文件及所披露信息的真实性、准确性、完整性作出保证,也不表明其对发行人的盈利能力、投资价值或者对投资者的收益作出实质性判断或保证。任何与之相反的声明均属虚假不实陈述。根据证券法规定,股票依法发行后,发行人经营与收益的变化,由发行人自行负责;投资者自主判断发行人的投资价值,自主作出投资决策,自行承担股票依法发行后因发行人经营与收益变化或者股票价格变动引致的投资风险。苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1
3、-1-2 发行概况发行概况 发行股票类型发行股票类型 人民币普通股(A股)发行股数发行股数 本次公开发行股票数量为 1,842.1053 万股,占发行后总股份的比例为 25.00%。本次发行全部为新股发行,不涉及股东公开发售股份的情形且不采用超额配售选择权。每股面值每股面值 人民币 1.00元 每股发行价格每股发行价格 人民币 40.83元 发行日期发行日期 2023 年 8 月 8 日 拟上市的证券交易所和拟上市的证券交易所和板块板块 上海证券交易所科创板 发行后总股本发行后总股本 7,368.4211 万股 保荐人(主承销商)保荐人(主承销商)华泰联合证券有限责任公司 招股说明书招股说明书
4、签署日期签署日期 2023 年 8 月 14 日 苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-3 目录目录 声声 明明.1 发行概况发行概况.2 目录目录.3 第一节第一节 释义释义.7 第二节第二节 概览概览.14 一、重大风险提示.14 二、发行人基本情况及本次发行的中介机构.16 三、本次发行概况.17 四、发行人的主营业务经营情况.19 五、发行人符合科创板定位的说明.22 六、发行人主要财务数据及财务指标.26 七、财务报告审计截止日后主要财务信息及经营状况.26 八、发行人选择的具体上市标准.30 九、发行人公司治理特殊安排等重要事项.30 十、募集资金用途与未来发展规划.3
5、0 十一、其他对发行人有重大影响的事项.32 第三节第三节 风险因素风险因素.33 一、与发行人相关的风险.33 二、与行业相关的风险.39 三、其他风险.41 第四节第四节 发行人基本情况发行人基本情况.43 一、发行人基本情况.43 二、发行人设立情况和报告期内的股本和股东变化情况.43 三、发行人报告期内的重大资产重组情况.51 四、发行人在其他证券市场上市、挂牌情况.51 五、发行人的股权结构.51 六、发行人控股公司、分公司及参股公司情况.52 七、持有发行人 5%以上股份或表决权的主要股东及实际控制人情况.54 苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-4 八、特别表决权股
6、份或类似安排的情况.59 九、协议控制架构的情况.59 十、控股股东、实际控制人报告期内是否存在贪污、贿赂、侵占财产、挪用财产或者破坏社会主义市场经济秩序的刑事犯罪,是否存在欺诈发行、重大信息披露违法或者其他涉及国家安全、公共安全、生态安全、生产安全、公众健康安全等领域的重大违法行为.59 十一、发行人股本情况.60 十二、董事、监事、高级管理人员及核心技术人员的简要情况.70 十三、发行人与董事、监事、高级管理人员及核心技术人员签署的重大协议及履行情况.78 十四、董事、监事、高级管理人员及核心技术人员最近两年变动情况.78 十五、董事、监事、高级管理人员及核心技术人员及其近亲属直接或间接持
7、有发行人股份的情况.79 十六、董事、监事、高级管理人员及核心技术人员对外投资情况.80 十七、董事、监事、高级管理人员及核心技术人员薪酬情况.80 十八、已经制定或实施的股权激励及相关安排.82 十九、员工及其社会保障情况.86 第五节第五节 业务和技术业务和技术.89 一、发行人主营业务、主要产品或服务的情况.89 二、发行人所处行业的基本情况和竞争状况.108 三、销售情况和主要客户.159 四、采购情况和主要供应商.166 五、对主要业务有重大影响的主要固定资产、无形资产.170 六、发行人的核心技术及研发情况.174 七、发行人保持技术创新的机制、技术储备及技术创新的安排.185 八
8、、发行人环境保护和安全生产情况.186 九、发行人的境外经营及境外资产情况.187 第六节第六节 财务会计信息财务会计信息与管理层分析与管理层分析.188 一、财务报表.188 二、审计意见和关键审计事项.192 苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-5 三、影响公司经营业绩的重要因素以及对业绩变动具有较强预示作用的财务指标和非财务指标分析.194 四、分部信息.197 五、合并财务报表的编制基础、合并范围及变化情况.197 六、主要会计政策和会计估计.198 七、非经常性损益情况.214 八、主要税收政策、缴纳的主要税种及其法定税率.215 九、主要财务指标.217 十、经营成果
9、分析.219 十一、资产质量分析.250 十二、偿债能力、流动性与持续经营能力分析.274 十三、报告期的重大资本性支出与资产业务重组.286 十四、资产负债表日后事项、或有事项及其他重要事项.287 十五、盈利预测报告.287 第七节第七节 募集资金运用与未来发展规划募集资金运用与未来发展规划.293 一、募集资金运用基本情况.293 二、未来发展与规划.295 第八节第八节 公司治理与独立性公司治理与独立性.299 一、报告期内发行人公司治理存在的缺陷及改进情况.299 二、发行人内部控制情况.299 三、报告期内发行人违法违规情况.300 四、发行人资金占用和对外担保情况.300 五、发
10、行人直接面向市场独立持续经营的能力.301 六、同业竞争.302 七、关联方及关联交易.302 第九节第九节 投资者保护投资者保护.319 一、本次发行前后股利分配政策的差异情况.319 二、本次发行前滚存利润的分配安排.319 三、现金分红的股利分配政策、决策程序及监督机制.319 四、摊薄即期回报分析.319 苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-6 第十节第十节 其他重要事项其他重要事项.322 一、重要合同.322 二、对外担保情况.326 三、诉讼或仲裁事项.326 四、控股股东、实际控制人报告期内的重大违法行为.326 第十一节第十一节 声明声明.327 一、发行人全体
11、董事、监事、高级管理人员声明.327 二、发行人控股股东、实际控制人声明.328 三、保荐人(主承销商)声明.329 四、发行人律师声明.331 五、会计师事务所声明.332 六、资产评估机构声明.333 七、验资机构声明.335 八、验资复核机构声明.336 第十二节第十二节 附件附件.337 一、备查文件.337 二、文件查阅地址和时间.338 三、落实投资者关系管理相关规定的安排、股利分配决策程序、股东投票机制建立情况.338 四、与投资者保护相关的承诺.343 五、发行人及其他责任主体作出的与发行人本次发行上市相关的其他承诺事项.384 六、股东大会、董事会、监事会、独立董事、董事会秘
12、书制度的建立健全及运行情况说明.387 七、审计委员会及其他专门委员会的设置情况说明.389 八、募集资金具体运用情况.390 九、无形资产相关证书.398 苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-7 第一节第一节 释义释义 在本招股说明书中,除非文中另有所指,下列词语或简称具有如下特定含义:(一)一般释义 锴威特、发行人、公司、本公司、股份有限公司 指 苏州锴威特半导体股份有限公司 锴威特有限 指 苏州锴威特半导体有限公司,系发行人前身 港晨芯 指 苏州港晨芯企业管理合伙企业(有限合伙),系发行人员工持股平台 西安锴威 指 西安锴威半导体有限公司,系发行人全资子公司 大唐汇金 指
13、大唐汇金(苏州)产业投资基金合伙企业(有限合伙),系发行人股东 港鹰实业 指 张家港市港鹰实业有限公司,系发行人股东 光荣联盟 指 北京光荣联盟半导体照明产业投资中心(有限合伙),系发行人历史股东 金城创融 指 张家港市金城创融创业投资有限公司,曾用名“张家港市金城融创创业投资有限公司”,系发行人的历史股东 金茂创投 指 张家港市金茂创业投资有限公司,系发行人股东 甘化科工 指 江门甘蔗化工(集团)股份有限公司(现更名为广东甘化科工股份有限公司,深交所上市公司,股票代码 000576),系发行人股东 国经众明 指 无锡国经众明投资企业(有限合伙),系发行人股东 招港投资 指 张家港市招港股权投
14、资合伙企业(有限合伙),系发行人历史股东 招港共赢 指 张家港市招港共赢企业管理合伙企业(有限合伙),系发行人股东 新工邦盛 指 江苏疌泉新工邦盛创业投资基金合伙企业(有限合伙),系发行人股东 邦盛聚泓 指 徐州邦盛聚泓股权投资合伙企业(有限合伙),系发行人股东 邦盛聚源 指 南京邦盛聚源投资管理合伙企业(有限合伙),系发行人股东 禾望投资 指 深圳市禾望投资有限公司,系深圳市禾望电气股份有限公司(上交所上市公司,股票代码 603063)全资子公司,系发行人股东 悦丰金创 指 张家港市悦丰金创投资有限公司,系发行人股东 邦盛投资 指 南京邦盛投资管理有限公司 汉磊科技 指 汉磊科技股份有限公司
15、(中国台湾证券交易所上市公司,股票代码 3707),系业内知名晶圆代工企业 上海汉磊 指 上海汉磊电子贸易有限公司,系汉磊科技股份有限公司(中国台湾证券交易所上市公司,股票代码:3707)的三级全资子公司 升华电源 指 四川升华电源科技有限公司,发行人关联方 苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-8 甘华电源 指 四川甘华电源科技有限公司,发行人关联方 德芯源 指 四川德芯源电子科技有限公司,发行人关联方 泰州海天 指 泰州海天电子科技股份有限公司 中芯国际 指 中芯国际集成电路制造有限公司(上交所上市公司,股票代码688981)苏州同冠 指 苏州同冠微电子有限公司 晶丰明源 指
16、上海晶丰明源半导体股份有限公司(上交所上市公司,股票代码688368)必易微 指 深圳市必易微电子股份有限公司(上交所上市公司,股票代码688045),深圳市必易微电子有限公司于 2020 年 7 月更名为深圳市必易微电子股份有限公司。华微电子 指 吉林华微电子股份有限公司(上交所上市公司,股票代码600360)东微半导 指 苏州东微半导体股份有限公司(上交所上市公司,股票代码688261)西安微晶微 指 西安微晶微电子有限公司 浙江金瑞泓 指 浙江金瑞泓科技股份有限公司 无锡众享 指 无锡众享科技有限公司 紫光国微 指 紫光国芯微电子股份有限公司(深交所上市公司,股票代码002049)振华风
17、光 指 贵州振华风光半导体股份有限公司(上交所上市公司,股票代码688439)臻镭科技 指 浙江臻镭科技股份有限公司(上交所上市公司,股票代码688270)成都华微 指 成都华微电子科技股份有限公司 越加红 指 深圳市越加红电子有限公司 天河星 指 深圳市天河星供应链有限公司南山分公司 文亮电子 指 佛山市顺德区文亮电子科技有限公司 瑞凯鸿辰 指 深圳市瑞凯鸿辰科技有限公司 国王科技 指 深圳市国王科技有限公司 华虹半导体 指 华虹半导体有限公司(香港联交所上市公司,股票代码 01347)华天科技 指 天水华天科技股份有限公司(深交所上市公司,股票代码002185)长电科技 指 江苏长电科技股
18、份有限公司(上交所上市公司,股票代码600584)芯朋微 指 无锡芯朋微电子股份有限公司(上交所上市公司,股票代码688508)英飞凌 指 Infineon Technologies AG(英飞凌科技股份公司)安森美 指 ON Semiconductor Corporation(安森美半导体公司)东芝 指 Toshiba Corporation(东芝公司)意法半导体 指 STMicroelectronics N.V.(意法半导体公司)苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-9 瑞萨 指 Renesas Electronics Corporation(瑞萨电子有限公司)Alpha&Om
19、ega 指 Alpha and Omega Semiconductor Limited(万代半导体有限公司)威世半导体 指 Vishay Intertechnology,Inc.(威世半导体有限公司)安世半导体 指 Nexperia B.V.(安世半导体公司)Littelfuse、力特 指 Littelfuse,Inc.(美国力特公司),是电路保护、电源控制和传感器领域技术领先的制造商 TI、德州仪器 指 Texas Instruments,Inc.(美国德州仪器有限公司)深爱半导体 指 深圳深爱半导体股份有限公司(新三板挂牌公司,股票代码833378)华润微 指 华润微电子有限公司(上交所上
20、市公司,股票代码 688396)灿瑞科技 指 上海灿瑞科技股份有限公司(上交所上市公司,股票代码688061)小米 指 小米集团(香港联交所上市公司,股票代码 01810)美的 指 美的集团股份有限公司(深交所上市公司,股票代码 000333)雷士照明 指 雷士国际控股有限公司(香港联交所上市公司,股票代码02222)佛山照明 指 佛山电器照明股份有限公司(深交所上市公司,股票代码000541)振华科技 指 中国振华(集团)科技股份有限公司(深交所上市公司,股票代码 000733)闻泰科技 指 闻泰科技股份有限公司(上交所上市公司,股票代码 600745)新洁能 指 无锡新洁能股份有限公司(上
21、交所上市公司,股票代码605111)士兰微 指 杭州士兰微电子股份有限公司(上交所上市公司,股票代码600460)硅动力 指 无锡硅动力微电子股份有限公司 南麟电子 指 上海南麟电子股份有限公司(新三板挂牌公司,股票代码831394)麦肯桥 指 北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司 高可靠领域 指 对功率半导体可靠性和参数一致性要求较高的领域,该领域配套产品质量标准高于同类型民用产品,一般需具有全温区、长寿命、耐腐蚀、抗辐照、抗冲击等特点,对配套供应商的研发能力、技术水平、工艺水平、供货稳定性等要求更高。国务院 指 中华人民共和国国务院 中共中央办公厅 指 中国共产党中央委员会办公厅 国家发
22、改委 指 中华人民共和国国家发展和改革委员会 工信部 指 中华人民共和国工业和信息化部 科技部 指 中华人民共和国科学技术部 财政部 指 中华人民共和国财政部 上交所 指 上海证券交易所 深交所 指 深圳证券交易所 苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-10 联交所 指 香港联合交易所 中国证监会 指 中国证券监督管理委员会 华泰联合证券、保荐机构、保荐人、主承销商 指 华泰联合证券有限责任公司 发行人会计师、大华会计师 指 大华会计师事务所(特殊普通合伙)发行人律师、植德 指 北京植德律师事务所 中企华 指 江苏中企华中天资产评估有限公司 报告期 指 2020 年度、2021 年
23、度及 2022 年度 报告期各期末 指 2020 年 12月 31 日、2021 年 12 月 31 日及 2022年 12 月 31日 报告期末 指 2022 年 12月 31 日 元、万元、亿元 指 人民币元、人民币万元、人民币亿元 公司法 指 中华人民共和国公司法 证券法 指 中华人民共和国证券法 证券投资基金法 指 中华人民共和国证券投资基金法(二)专业释义 半导体 指 常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。常见的半导体材料有硅、锗、碳化硅、氮化镓、砷化镓等。硅是各种半导体材料中,在商业应用上最具有影响力的一种 IC、集成电路、芯片 指 一种微型电子器件或部件。具体指采用半导体制备
24、工艺,把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连在一起,制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上,然后封装在一个管壳内,成为具有所需电路功能的微型结构 分立器件、半导体分立器件 指 半导体分立器件。与集成电路相对的,采用特殊的半导体制备工艺,实现特定单一功能的半导体器件,且该功能往往无法在集成电路中实现或在集成电路中实现难度较大、成本较高。分立器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等 功率器件、半导体功率器件 指 又称电力电子功率器件,主要用于电力设备的电能变换和电路控制,是进行电能(功率)处理的核心器件,弱电控制和强电运行间的桥梁。半导体功率器件
25、是半导体分立器件中的主要组成部分 二极管 指 全称为半导体二极管,是一种具有正向导通、反向截止功能特性的半导体分立器件 三极管 指 全称为半导体三极管,包括双极晶体管、场效应晶体管等 MOSFET、功 率MOSFET 或 MOS 指 MOS 管,是 金 属(Metal)氧 化 物(Oxid)半 导 体(Semiconductor)场效应晶体管,属于电压控制型器件 平面 MOSFET 指 以平面工艺为技术路线的 MOSFET产品 SOI 指 Silicon-On-Insulator,绝缘体上硅,该技术是在顶层硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层,SOI 材料具有了体硅所无法比拟的优点:可以实现集成电
26、路中元器件的介质隔离,彻底消除了体硅苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-11 CMOS 电路中的寄生闩锁效应;采用这种材料制成的集成电路具有寄生电容小、集成密度高、速度快、漏电小等优势 SBD 指 Schottky Barrier Diode,肖特基势垒二极管 BCD工艺 指 一种结合了 BJT、CMOS和 DMOS的单片 IC 制造工艺 模拟芯片 指 处理模拟电子信号的集成电路。模拟信号在时间和幅度上都是连续变化的(连续的含义是在某个取值范围内可以取无穷多个数值),通常与“数字信号”相对 沟槽型功率MOSFET、沟槽型MOSFET 指 MOSFET 栅极结构通过沟槽工艺制备,具
27、有高元胞密度、低导通损耗等特点 超级结功率MOSFET、超级结MOSFET、超 结MOSFET、超结功率 MOSFET 指 基于电荷平衡技术理论,在传统的功率 MOSFET 中加入 p-n 柱相互耗尽来提高耐压和降低导通电阻的器件结构,具有工作频率高、导通损耗小、开关损耗低、芯片面积小等特点 屏蔽栅沟槽MOSFET、屏蔽栅沟槽功率MOSFET、SGT MOSFET、SGT MOS 指 Shield Gate Trench MOSFET 的缩写,屏蔽栅沟槽型场效应晶体管 增强型器件 指 又称为“常关”(Normally Off)器件。当栅极-源极电压VGS=0V 时,其导电沟道尚未形成,器件处于
28、关断状态;当 VGS达到开启电压时,漏源极之间才开始形成导电沟道。耗尽型器件 指 又称为“常开”(Normally On)器件。当栅极-源极电压VGS=0V 时,其导电沟道即已存在,器件处于开通状态。当 VGS达到关断电压时,其导电沟道因耗尽而消失,器件处于关断状态。IGBT 指 绝缘栅双极型晶体管,同时具备 MOSFET 和双极性晶体管的优点,如输入阻抗高、易于驱动、电流能力强、功率控制能力高等特点,适用于 600V-6500V 高压大电流领域。与功率 MOSFET相比,更侧重于大电流、低频应用领域 IP 指 Intellectual Property 的缩写,即知识产权 IP核 指 知识产
29、权模块,在芯片设计中指可重复使用的具有成熟设计的功能模块 VDMOS 指 垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管,其电流流通路径为芯片的表面至芯片底部的纵向流通,大多数功率 MOSFET 为VDMOS FRMOS、集 成 快恢 复 高 压 功 率MOSFET 指 在平面 MOSFET 中集成快恢复功率二极管的一种功率器件,可大幅改善器件的反向恢复时间、反向恢复电荷等参数特性,属于平面 MOSFET的一种细分产品 PWM 指 Pulse Width Modulation,脉宽调制,是一种模拟控制方式,根据相应载荷的变化来调制晶体管基极或 MOS 管栅极的偏置,来实现晶体管或 MOS 管导通时间
30、的改变,从而实现开关稳压电源输出的改变 AC-DC 指 将交流电转换成直流电的一种技术和方法 BJT 指 Bipolar Junction Transistor,双极结型晶体管 IPM 指 Intelligent Power Module 的缩写,即智能功率模块,通常由功率苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-12 器件、优化的门极驱动电路和快速的保护电路以及逻辑控制电路构成 LLC 指 谐振电路(Resonant Converters),由开关网络(全桥或半桥)、电感(以字母 L 表示)、电容(以字母 C 表示)等元器件构成,LLC 由于实现了软开关,有效降低了开关损耗,提高了电
31、源效率,适用于高频、高功率密度设计 PIM 指 Power Integrated Module,是将三相变频器电路、二极管桥接电路、制动电路集成到 1个模块上的产品,能够紧凑地设计主电路 DC-DC 指 直流变换器,可将一个固定的直流电压变换为可变的直流电压 GDS文件 指 指 Graphic Data System格式的文件,半导体芯片设计中一般指用于芯片流片的工业标准数据文件,其中记录了芯片的各图层、图层内的平面几何形状、文本标签等用于制作光掩膜版的文件数据 逆变器 指 把直流电能(电池、蓄电瓶)转变成定频定压或调频调压交流电(一般为 220V,50Hz 正弦波)的转换器,由逆变桥、控制逻
32、辑和滤波电路组成 功率模块 指 将分立器件或分立器件和集成电路按一定的电路拓扑封装在一起,形成整体模块化产品。该类产品集成度高、功率密度高、功率控制能力强,往往应用于大功率或小体积的电力电子产品。流片 指 像流水线一样通过一系列半导体制备工艺步骤制造芯片 IDM 指 指垂直一体化模式,半导体行业中从芯片设计、加工制造、封装测试到销售自有品牌都一手包办的垂直整合型公司 Fabless 指 无晶圆生产的经营模式,指企业只从事芯片设计研发和销售,而将晶圆制造、封装和测试环节分别委托给专业厂商完成 Foundry 指 半导体行业中专门负责生产、制造芯片的厂家,其依据设计企业提供的方案,提供芯片代工服务
33、 封装 指 将芯片转配为最终产品的过程,即把晶圆上的半导体集成电路,用导线及各种连接方式,加工成含外壳和管脚的可使用的芯片成品,起着安放、固定、密封、保护芯片和增强电热性能的作用 测试 指 集成电路晶圆测试及成品测试 SiC 指 碳化硅,是第三代宽禁带半导体材料的代表之一,具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和迁移速率高和击穿电场高等性质,特别适用于高压、大功率半导体功率器件领域 GaN 指 氮化镓,是第三代宽禁带半导体材料的代表之一,具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和迁移速率高、直接带隙、击穿电场高等性质 CP测试、中测 指 Chip Probing,也称为晶圆测试或中测,是对晶圆级集成电路的各
34、种性能指标和功能指标的测试 晶圆,wafer 指 在硅片上加工电路结构后形成的产品 裸芯 指 中测后晶圆经切割后尚未封装的独立芯片单元 封装成品 指 芯片经封装测试后形成的器件 整流 指 用二极管将周期变化的交流电变成单向脉动直流电的过程 开关 指 利用半导体分立器件模拟机械开关,起导通和截止的作用 稳压 指 利用二极管反向击穿特性来稳定电子线路电压的过程 光刻 指 一种利用光照、感光剂(光刻胶)、掩膜版(其上有设计好的图形)配合的复印技术,可以将掩膜版上的图形转移到晶圆上 苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-13 WSTS 指 World Semiconductor Trade
35、 Statistics,世界半导体贸易统计组织 Yole 指 Yole D veloppement SA,一家法国市场研究与战略咨询公司,专注于功率半导体与 MEMS 传感器等领域 CIC 指 China Insights Consultancy,一家行业咨询公司 GfK 指 GfK SE,一家全球性市场调研机构,总部位于德国 GMI 指 Global Market Insights Inc.,一家全球性市场调研机构 Omdia 指 一家以研究科技、媒体和电信业务为核心的全球性调查公司 Strategy Analytics 指 一家全球著名的信息技术,通信行业和消费科技市场研究机构 Frost
36、&Sullivan 指 弗若斯特沙利文咨询公司,一家全球行业咨询公司 QYResearch 指 一家细分行业调查、咨询服务公司 CCID 指 中国电子信息产业发展研究院,是工业和信息化部直属单位,又称赛迪研究院 特别说明:特别说明:本招股说明书部分表格中单项数据加总数与表格合计数可能存在微小差异,均因计算过程中的四舍五入所形成。苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-14 第二节第二节 概览概览 本概览仅对招股说明书全文作扼要提示。投资者作出投资决策前,应认真阅读招股说明书全文。一、重大风险提示 本公司特别提请投资者注意,在作出投资决策之前,务必仔细阅读本招股说明书正文内容,并特别关
37、注以下重要事项。本公司提醒投资者认真阅读本招股说明书的“风险因素”部分,并特别注意下列事项:(一)收入增长可持续性的风险 2022 年二季度以来,受全球通货膨胀等因素影响,以智能手机、PC、家电为代表的消费电子市场需求持续疲软,消费电子领域客户自身存在去库存压力。公司功率器件主要面向消费电子领域,受此影响,2022年度公司平面 MOSFET销量和价格下降明显:销量方面,平面 MOSFET 中测后晶圆销售数量相比2021 年下降 38.48%,平面 MOSFET 封装成品(剔除 DN906 型号后)的销售数量相比 2021年下降 12.35%;价格方面,以 2022年度平面 MOSFET中测后晶
38、圆五款主要销售型号的平均销售单价为例,2022 年各季度其平均销售单价分别环比下降 6.45%、11.09%、30.41%和 2.06%,对发行人功率器件收入产生不利影响。截至 2023 年 3 月 23 日,公司功率器件的在手订单为 2,828.81 万元,其中消费电子领域占 53.69%。若未来半导体行业景气度持续下滑导致市场需求出现重大不利变化,下游客户抗周期波动能力不足或出现经营风险,或者市场竞争加剧导致公司不能保持产品的核心竞争力和市场竞争优势,则会对公司产品售价、销量造成进一步负面影响,并可能导致客户订单执行延缓或出现违约、主要客户流失,从而使公司面临收入增长可持续性的风险。此外,
39、公司功率 IC 业务报告期各期主营业务收入金额分别为 322.32 万元、1,169.49 万元和 5,692.38 万元,规模相对较小;公司功率 IC 产品主要面向高可靠领域,客户集中度较高,且该领域客户订单在一定程度上会受到年度预算和终端需求等因素的影响。若未来客户订单延迟或取消、公司未能准确把握行业苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-15 技术发展趋势或下游市场需求发生重大不利变化等,可能导致公司功率 IC 业务出现新客户拓展不达预期、现有客户流失等情形,从而使公司面临收入增长可持续性的风险。(二)存货滞销及减值的风险 报告期各期末,公司存货的账面价值分别为 3,012.0
40、6 万元、6,694.00 万元和 11,673.77 万元,公司存货账面价值随着业务规模的增长及采购模式和产品销售形态的变化有所增加;存货周转率分别为 3.79、2.57 和 1.33,呈逐年下降的趋势。公司存货的可变现净值受到下游市场情况变动的影响,2022 年二季度以来,受全球通货膨胀等因素影响,以智能手机、PC、家电为代表的消费电子市场需求持续疲软,相关产业链整体呈现去库存压力。受此影响,发行人 2022 年末存货订单覆盖率及期后结转/销售率较低,存货消化存在一定的压力。同时由于发行人功率器件主要面向消费电子领域,产品的销售价格呈现一定程度的下滑,存货减值风险有所上升。若未来消费电子领
41、域需求端持续低迷或市场环境发生其他不利变化、客户临时改变需求、竞争加剧或技术升级,或者公司不能有效拓宽销售渠道、优化库存管理,导致产品滞销、周转天数延长、存货积压,公司可能面临存货滞销及减值的风险,进而会对公司的盈利能力产生不利影响。(三)市场竞争风险 目前,我国的功率半导体行业正经历快速发展阶段,行业内厂商积极进行市场拓展,市场竞争逐渐加剧。因发行人成立时间较短、规模尚小且部分类型产品的研发起步时间较晚,存在一定的竞争劣势,具体表现在:第一,公司产品以平面 MOSFET 为主,占主营业务收入的比例分别为 88.39%、83.07%和56.99%,且报告期内收入集中于 500V-650V 电压
42、段产品,报告期内公司超高压平面 MOSFET 以及超结 MOSFET、沟槽型 MOSFET、FRMOS、SiC 功率器件目前销售收入较少,新产品研发及产业化程度存在差距;第二,发行人功率 IC产品主要面向高可靠应用领域,如未来高可靠领域内新进入者持续增加,该领域市场竞争将可能加剧。前述因素均可能对公司经营业绩带来不利影响;第三,发行人所处行业的竞争对手较多,既包括英飞凌、安森美等国际一流功率半导体厂商,也包括华润微、士兰微等国内的知名功率半导体厂商。与前述竞争对手相比,发行人相关产品的研发及市场推广起步时间较晚,在沟槽型 MOSFET、苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-16 超
43、结 MOSFET、FRMOS、SiC 功率器件等其他类型 MOSFET 的产品丰富度、技术积累和经营规模方面均与前述竞争对手存在一定差距。发行人需要持续投入大量资金用于核心技术及新产品的研发,以缩小与竞争对手的差距并保持自身竞争力。若公司不能正确把握市场动态和行业发展趋势,不能根据客户需求及时推出新产品、不断优化产品性能与提高服务质量,则可能导致公司竞争能力下降,公司的行业地位、市场份额、经营业绩等可能受到不利影响。(四)毛利率及盈利能力下降的风险 2022 年二季度以来,受全球通货膨胀等因素影响,消费电子市场需求持续疲软。公司主要产品平面 MOSFET 来自消费电子领域的收入占比较高,自20
44、21 年度至 2022 年度,公司平面 MOSFET 产品的毛利率分别为 35.63%和24.37%,呈现持续下行态势。随着市场需求的变化和行业技术的发展,若公司未能正确判断市场需求变化、技术水平停滞不前、未能有效控制产品成本或市场竞争格局发生不利变化,将会导致公司产品售价和成本出现预期外的波动,公司产品毛利率及盈利能力未来存在下降的风险。(五)技术迭代的风险 发行人主要经营的产品包括功率器件和功率 IC,两者均属于功率半导体。功率半导体行业属于技术密集型行业,不追求先进制程,产品生命周期长,较数字芯片相比迭代速度更慢。从技术发展层面来看,一方面,下游客户的个性化需求不断丰富,下游应用领域对产
45、品技术参数的要求亦不断提升,如发行人无法顺应行业技术发展趋势,在产品研发中紧跟下游客户应用需求的变动方向,则有可能导致公司产品被赶超或替代;另一方面,发行人报告期内销售产品以平面 MOSFET 为主,在 300V 以下电压段和 400V-1,000V 电压段分别与沟槽型MOSFET 和超结 MOSFET 存在一定程度竞争,如因新技术的发展使沟槽型MOSFET 和超结 MOSFET 的电压覆盖更宽且相关量产工艺成熟,则平面MOSFET 与两类 MOSFET 的市场竞争可能加剧,存在市场空间被挤压的风险。前述风险将导致发行人竞争力减弱,给业务开展造成不利影响。二、发行人基本情况及本次发行的中介机构
46、(一)发行人基本情况(一)发行人基本情况 苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-17 发行人名称发行人名称 苏州锴威特半导体股份有限公司 成立日期成立日期 2015 年 1 月 22 日 注册资本注册资本 人民币 5,526.3158 万元 法定代表人法定代表人 罗寅 注册地址注册地址 张家港市杨舍镇华昌路 10号沙洲湖科创园 B2 幢 01室 主要生产经营主要生产经营地址地址 张家港市杨舍镇华昌路 10号沙洲湖科创园 B2 幢 控股股东控股股东 丁国华 实际控制人实际控制人 丁国华 行业分类行业分类 计算机、通信和其他电子设备 制 造 业(行 业 代 码“C39”)在其他交易场在
47、其他交易场所(申请)挂所(申请)挂牌或上市的情牌或上市的情况况 无(二)本次发行的有关中介机构(二)本次发行的有关中介机构 保荐人保荐人 华泰联合证券有限责任公司 主承销商主承销商 华泰联合证券有限责任公司 发行人律师发行人律师 北京植德律师事务所 其他承销机构其他承销机构 无 审计机构审计机构 大华会计师事务所(特殊普通合伙)评估机构评估机构 江苏中企华中天资产评估有限公司 发行人与本次发行有关的保荐人、承销机构、证券服务机构及其负责人、高级管理人员、经办人员之间存在的直接或间接的股权关系或其他利益关系 根据上海证券交易所首次公开发行证券发行与承销业务实施细则等相关法律、法规的规定,本次发行
48、中,保荐人安排其相关子公司华泰创新投资有限公司(以下简称“华泰创新”)参与本次发行战略配售,华泰创新获配股数为 921,052 股,获配股数对应金额为 37,606,553.16 元,最终跟投比例为本次公开发行股份数量的 5.00%,华泰创新本次跟投获配股票限售期为自发行人首次公开发行并上市之日起 24 个月。除此之外,截至本招股说明书签署日,公司与本次发行有关的保荐人、承销机构、证券服务机构及其负责人、高级管理人员、经办人员之间均不存在其他直接或间接的股权关系或其他权益关系的情形。(三)本次发行其他有关机构(三)本次发行其他有关机构 股票登记机构 中国证券登记结算有限责任 收款银行公司上海分
49、公司 收款银行 中国工商银行股份有限公司深圳分行振华支行 其他与本次发行有关的机构 无 三、本次发行概况(一)本次发行概况(一)本次发行的基本情况(一)本次发行的基本情况 股票种类股票种类 人民币普通股(A股)每股面值每股面值 1.00 元 发行股数发行股数 1,842.1053 万股 占发行后总占发行后总股本比例股本比例 25%其中:发行新股数量其中:发行新股数量 1,842.1053 万股 占发行后总占发行后总25%苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-18 股本比例股本比例 股东公开发售股份数量股东公开发售股份数量 不适用 占发行后总占发行后总股本比例股本比例 不适用 发行后
50、总股本发行后总股本 7,368.4211 万股 每股发行价格每股发行价格 40.83 元 发行市盈率发行市盈率 60.69 倍(发行价格除以每股收益,每股收益按照 2022年度经审计的扣除非经常性损益前后孰低的归属于母公司的净利润除以本次发行后总股本计算)发行前每股净资产发行前每股净资产 6.15 元/股(按照2022 年 12 月 31日经审计的归属于母公司所有者的净资产除以本次发行前的总股本计算)发行前每股收益发行前每股收益 0.90 元/股(按 2022 年度经审计的扣除非经常性损益前后孰低的归属于母公司所有者的净利润除以本次发行前总股本计算)发行后每股净资产发行后每股净资产 13.63
51、 元/股(按照2022 年 12 月 31日经审计的归属于母公司所有者权益加本次发行募集资金净额之和除以本次发行后总股本计算)发行后每股收益发行后每股收益 0.67 元/股(按 照2022 年度经审计的扣除非经常性损益前后孰低的归属于母公司所有者的净利润除以发行后总股本计算)发行市净率发行市净率 2.99 倍(按每股发行价格除以发行后每股净资产计算)发行方式发行方式 本次发行采用向参与战略配售的投资者定向配售、网下向符合条件的投资者询价配售和网上向持有上海市场非限售 A 股股份和非限售存托凭证市值的社会公众投资者定价发行相结合的方式进行 发行对象发行对象 符合资格的参与战略配售的投资者、询价对
52、象以及已开立上海证券交易所股票账户并开通科创板交易的境内自然人、法人等科创板市场投资者,但法律、法规及上海证券交易所业务规则等禁止参与者除外 承销方式承销方式 余额包销 公开发售股份股东名称公开发售股份股东名称 本次发行股份均为新股,不进行老股转让 发行费用的分摊原则发行费用的分摊原则 本次发行不涉及股东公开发售股份,不适用发行费用分摊,发行费用全部由发行人承担 募集资金总额募集资金总额 75,213.16 万元 募集资金净额募集资金净额 66,479.89 万元 募集资金投资项目募集资金投资项目 智能功率半导体研发升级项目 SiC 功率器件研发升级项目 功率半导体研发工程中心升级项目 补充营
53、运资金 发行费用概算发行费用概算 本次发行费用总额为 8,733.27 万元,具体构成如下:1、保荐及承销费:6,066.63 万元 苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-19 2、审计验资费用:1,380.00 万元;3、律师费用:781.32 万元;4、用于本次发行的信息披露费用:443.40 万元;5、发行手续及材料制作费用:61.92 万元。注:本次发行各项费用及总额均为不含增值税金额。与前次披露的招股意向书中发行手续费及材料制作费用差异原因系根据发行情况将印花税纳入了发行手续费及材料制作费用。除上述调整外,发行费用不存在其他调整情况。合计数与各部分数直接相加之和在尾数存在
54、的差异系由四舍五入造成。高级管理人员、员工拟参高级管理人员、员工拟参与战略配售情况与战略配售情况 无 保荐人相关子公司拟参与保荐人相关子公司拟参与战略配售情况战略配售情况 保荐人相关子公司华泰创新参与本次发行战略配售,实际跟投比例为本次公开发行股票数量的 5.00%,实际跟投股数为921,052 股,获配金额为 37,606,553.16 元。华泰创新本次跟投获配股票限售期限为自发行人首次公开发行并上市之日起 24个月(二)本次发行上市的重要日期(二)本次发行上市的重要日期 刊登刊登初步询价初步询价公告日期公告日期 2023 年 7 月 31 日 初步询价初步询价日期日期 2023 年 8 月
55、 3 日 刊登刊登发行发行公告日期公告日期 2023 年 8 月 7 日 申购日期申购日期 2023 年 8 月 8 日 缴款日期缴款日期 2023 年 8 月 10 日 股票上市日期股票上市日期 本次股票发行结束后将尽快向上海证券交易所申请股票上市(二)战略配售相关安排 1、本次战略配售的总体安排、本次战略配售的总体安排 本次发行的战略配售仅为保荐人相关子公司跟投,跟投机构为华泰创新。本次保荐人相关子公司跟投的初始股份数量为本次公开发行股份的 5.00%,即 921,052 股;本次发行最终战略配售股数 921,052 股,占本次发行数量的5.00%,最终战略配售数量与初始战略配售数量相同。
56、参与本次战略配售的投资者已与发行人签署战略配售协议。参与战略配售的投资者不参加本次发行初步询价,并承诺按照发行人和主承销商确定的发行价格认购其承诺认购的股票数量。2、保荐人相关子公司跟投、保荐人相关子公司跟投(1)跟投主体 本次发行的保荐人(主承销商)华泰联合证券按照管理办法和实施苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-20 细则的相关规定参与本次发行的战略配售,跟投主体为华泰创新。(2)跟投数量 本次保荐人相关子公司跟投的最终股份数量为本次公开发行股份数量的 5%,即 921,052 股,最终获配金额为 37,606,553.16元。3、限售期限、限售期限 华泰创新承诺获得本次配售
57、的股票限售期限为自发行人首次公开发行并上市之日起 24 个月。限售期自本次公开发行的股票在上交所上市之日起开始计算。限售期届满后,参与战略配售的投资者对获配股份的减持适用中国证监会和上交所关于股份减持的有关规定。四、发行人的主营业务经营情况(一)公司主营业务情况 公司主营业务为功率半导体的设计、研发和销售,并提供相关技术服务。公司坚持“自主创芯,助力核心芯片国产化”的发展定位,主要产品包含功率器件及功率 IC 两大类。在功率器件方面,公司产品以高压平面 MOSFET 为主,并在平面 MOSFET 工艺平台基础上设计研发了集成快恢复高压功率 MOSFET(FRMOS)系列产品;在功率 IC 方面
58、,公司产品主要包括 PWM 控制 IC 和栅极驱动 IC。此外,在第三代半导体方面,公司的 SiC 功率器件已顺利实现产品布局并进入产业化阶段。报告期内,公司主营业务收入构成情况具体如下:单位:万元 产品类别产品类别 2022 年度年度 2021 年度年度 2020 年度年度 金额金额 比例比例 金额金额 比例比例 金额金额 比例比例 功率器件 14,379.26 63.33%17,780.54 87.51%12,131.61 90.65%功率 IC 5,692.38 25.07%1,169.49 5.76%322.32 2.41%技术服务 2,207.46 9.72%1,316.82 6.4
59、8%906.42 6.77%其他 426.54 1.88%51.29 0.25%23.14 0.17%合计合计 22,705.64 100.00%20,318.15 100.00%13,383.49 100.00%苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-21(二)公司主要经营模式 公司为采用 Fabless 经营模式的芯片设计企业,将晶圆制造和封测环节委外,该经营模式为半导体行业的常见模式。公司具有完善的外协供应商管理体系,对主要晶圆制造厂商及封测厂商均进行有效管理,以保证供应产品的质量符合要求。(三)主要原材料及重要供应商 公司采购的主要原材料及服务包括晶圆(及晶圆代工服务)、外延
60、片、掩膜版等。报告期内,公司的晶圆代工厂主要为西安微晶微、上海汉磊、公司 D等,公司的外延片供应商主要为南京国盛电子有限公司、浙江金瑞泓等,公司掩膜版供应商主要为无锡迪思微电子有限公司等。(四)销售模式及主要客户 发行人采取直销为主、经销为辅的销售模式,公司针对中测后晶圆主要采用直销模式销售,针对封装成品采用经销和直销相结合的模式销售。报告期内,公司直销收入占主营业务收入的比例分别为 97.84%、90.19%和 91.41%。公司主要直销客户包括必易微、晶丰明源、公司 A-1、公司 B 等,主要经销客户包括深圳市越加红电子有限公司、深圳市天河星供应链有限公司等。(五)行业竞争情况及发行人在行
61、业中的竞争地位 1、功率器件、功率器件 发行人功率器件产品以 MOSFET 为主,长期以来,以英飞凌、安森美、意法半导体、东芝、瑞萨为代表的国外品牌凭借先进制造优势、人才集聚优势、大规模研发投入和技术积累,目前占据全球 MOSFET 市场的主要份额。根据Omdia 数据,以销售额计,2020 年 MOSFET 市场前七大品牌的市场占有率合计达到 68.09%。市场竞争格局相对稳定。我国知名功率半导体企业华润微、士兰微分别位列第八位和第十位,安世半导体(已被闻泰科技收购)位列第九位,三家合计市场份额占比 10.26%,国产品牌经过多年发展已在国际竞争中崭露头角。各类 MOSFET 国内竞争格局详
62、见招股说明书第五节之“二、发行人所处行业的基本情况和竞争状况”相关内容。苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-22 结合 Omdia 数据,以发行人 2020 年 MOSFET 产品销售额测算,发行人全球 MOSFET 市场的市场份额约为 0.23%;结合芯谋研究和 Omdia 数据测算,发行人 2021 年平面 MOSFET 国内市场占有率约为 1.26%。根据江苏省半导体行业协会统计,以销售额计算,2021 年公司 FRMOS 市场份额位列本土企业第四位(前三位分别为华润微、士兰微、华微电子);SiC 功率器件方面,公司是国内为数不多的具备 650V-1700V SiCMOSF
63、ET 设计能力的企业之一,产品已覆盖业内主流电压段。2、功率、功率 IC 功率 IC方面,发行人产品主要包括 PWM 控制 IC和栅极驱动 IC。PWM 控制 IC 方面,根据 QYResearch 相关数据,国际巨头如 TI(德州仪器)、ADI(亚德诺半导体)、英飞凌、安森美、意法半导体等欧美公司在 PWM 控制 IC领域总体处于领先地位,2021 年度 PWM 控制 IC 中国市场收入前 10 大公司均为国外公司。栅极驱动 IC 方面,根据芯谋研究相关数据,栅极驱动 IC 市场集中度相对较高,2021 年度栅极驱动 IC 中国市场收入前 10 大公司市场占有率合计达到 74.4%,其中欧日
64、美公司总体处于领先地位,3 家中国大陆企业峰岹科技(688279.SH)、士兰微(600460.SH)和晶丰明源(688368.SH)市场占有率合计为 20.1%。功率 IC 方面,报告期内,发行人功率 IC 产品已向包括公司 A-1、公司 E、单位 H、公司 G 等在内的多家高可靠领域客户形成销售,部分客户向发行人采购的功率 IC 产品目前没有其他国内供应商可以替代,发行人在高可靠领域已取得一定的市场地位。五、发行人符合科创板定位的说明(一)发行人技术先进性 公司通过自主创新和技术沉淀,已同时具备功率器件和功率 IC 的设计、研发能力。公司掌握了功率半导体芯片的前端设计技术,自主搭建了多个功
65、率半导体细分产品的技术平台;公司与晶圆代工厂深度合作,可根据晶圆代工厂的标准工艺调整工艺参数和流程,进一步优化产品性能。截至 2023 年 7 月 13 日,公司已获授权专利 71 项(其中发明专利 28 项、实用新型专利 43 项,另有 2 项苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-23 发明专利已获授予专利通知书,待取得专利证书),集成电路布图设计专有权53 项。在功率器件方面,公司已同时具备硅基及 SiC 基功率器件的设计、研发能力,积累了多项具有原创性和先进性的核心技术,其中 3 项达到国际先进水平,1 项达到国内领先水平。在平面 MOSFET 方面,公司核心技术具体包括“高
66、可靠性元胞结构”“新型复合终端结构及实现工艺技术”等。其中,公司利用“高压 MOSFET 的少子寿命控制及工艺实现技术”研发并量产的 FRMOS 产品具有反向恢复时间短、漏电流小、高温特性好、反向恢复特性较软、低电磁干扰的优势特性;在第三代半导体器件方面,公司利用掌握的“短沟道碳化硅MOSFET 器件系列产品沟道控制及其制造技术”实现了 SiC MOSFET 稳定的性能和优良的良率控制。上述核心技术有效提升了公司产品性能指标,增强了产品市场竞争力。在功率 IC方面,公司基于晶圆代工厂 0.5m 600V SOI BCD 工艺和 0.18m 40V BCD 等工艺自主搭建了设计平台;公司与晶圆代
67、工厂深度合作,可根据晶圆代工厂的标准工艺调整工艺参数和流程,进一步优化产品性能。公司已形成80 余款1功率 IC 产品,并完成了多款功率 IC 所需的 IP 设计与验证;公司自主研发了“一种全电压范围多基准电压同步调整电路及高精准过压保护电路”“一种输入失调电压自动修正电路”等核心技术,有效提升了产品参数一致性,增强了产品可靠性。公司是国家级高新技术企业、国家鼓励的重点集成电路设计企业和软件企业、国家级专精特新“小巨人”企业,并荣获由中国电子信息发展研究院(赛迪研究院)评选的第十六届(2021 年度)和第十五届(2020 年度)“中国芯”优秀技术创新产品奖;由中国半导体行业协会、中国电子材料行
68、业协会等机构联合评选的第十四届(2019 年度)和第十二届(2017 年度)中国半导体创新产品和技术奖。公司还获得了汉磊科技“最佳合作伙伴”“最佳业绩成长”的合作商奖项,芯片设计和工艺调试能力得到业内知名晶圆代工厂的认可。1 基于产品参数、封装形式和产品形态的不同进行产品型号划分 苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-24(二)发行人技术的产业化水平 截至本招股说明书签署日,公司拥有包括平面 MOSFET、功率 IC等 700余款产品。凭借产品可靠性高、参数一致性好等特点,公司迅速在细分领域打开市场,产品广泛应用于消费电子、工业控制及高可靠领域,客户包括以晶丰明源、必易微、芯朋微、
69、灿瑞科技为代表的芯片设计公司及多家高可靠领域客户,并且产品已被小米、美的、雷士照明、佛山照明等终端客户所采用。公司坚持在高可靠领域芯片国产化替代的战略方向,洞察市场需求导向,进行自主研发和创新,将科技成果与产业深度融合。公司凭借其研发的高性能产品,已与多家高可靠领域客户建立合作关系;该特定应用领域对产品的性能有严格要求,公司产品得以进入该领域,表明了公司部分产品指标已达到国外竞品同等水平,并在其细分产品领域逐步实现国产化替代。(三)发行人符合科创板行业要求、满足科创属性指标的情况 1、发行人所属行业领域属于上海证券交易所科创板企业发行上市申报及、发行人所属行业领域属于上海证券交易所科创板企业发
70、行上市申报及推荐暂行规定(推荐暂行规定(2022 年年 12 月月修订)规定的新兴领域修订)规定的新兴领域 公司主营业务属于国家重点发展的战略性新兴产业之一。根据战略性新兴产业重点产品和服务指导目录(2016 版),公司主营产品属于“1 新一代信息技术产业”之“1.3 电子核心产业”之“1.3.3 新型元器件”中的“垂直双扩散金属-氧化物场效应晶体管(VDMOS)”“金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)”“中小功率智能模块”及“1.3.1 集成电路”中的“功率控制电路及半导体电力电子器件”。根据战略性新兴产业分类(2018),公司主营业务产品属于“1 新一代信息技术产业”之“1.2 电子核
71、心产业”之“1.2.1 新型电子元器件及设备制造”中的“半导体分立器件制造”。发行人主营产品平面 MOSFET 属于“垂直双扩散金属-氧化物场效应晶体管(VDMOS)”“金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)”,目前市场中多数平面 MOSFET 均属于 VDMOS;发行人主营产品 IPM 模块属于“中小功率智能模块”。因此,公司的功率半导体产品属于战略性新兴产业,属于“新一代信息技苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-25 术领域”中“半导体和集成电路”等产业领域,符合上海证券交易所科创板企业发行上市申报及推荐暂行规定(2022年 12月修订)相关规定。公司所属行业领域:“计算机
72、、通信和其他电子设备制造业”(C39)新一代信息技术 公司的功率半导体芯片属于战略性新兴产业,属于“新一代信息技术领域”中“半导体和集成电路”等产业领域。高端装备 新材料 新能源 节能环保 生物医药 符合科创板定位的其他领域 2、发行人符合科创属性要求的情况、发行人符合科创属性要求的情况(1)关于研发投入的情况)关于研发投入的情况 2020-2022 年,公司研发费用分别为 1,388.55 万元、1,886.27 万元和2,271.95 万元,最近三年研发投入为 5,546.77 万元。最近三年公司累计营业收入为 58,209.12 万元。据此测算累计研发投入占报告期累计营业收入的比例为9.
73、53%,符合上海证券交易所科创板企业发行上市申报及推荐暂行规定(2022 年 12月修订)第五条规定的“最近 3年累计研发投入占最近 3年累计营业收入比例 5%以上”。(2)关于研发人员占比的情况关于研发人员占比的情况 截至 2022 年 12 月 31 日,公司拥有研发人员 40 名,占员工总人数的42.11%,符合上海证券交易所科创板企业发行上市申报及推荐暂行规定(2022 年 12 月修订)第五条规定的“研发人员占当年员工总数的比例不低于 10%”。(3)关于发明专利的情况关于发明专利的情况 截至 2023 年 7 月 13 日,发行人应用于公司主营业务的授权发明专利 28 项,符合上海
74、证券交易所科创板企业发行上市申报及推荐暂行规定(2022 年 12月修订)第五条规定的“应用于公司主营业务的发明专利 5 项以上”。(4)关于营业收入的情况关于营业收入的情况 2020-2022 年,发行人的营业收入分别为 13,698.04 万元、20,972.89 万元和苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-26 23,538.19 万元,据此测算最近三年营业收入的复合增长率为 31.09%,符合上海证券交易所科创板企业发行上市申报及推荐暂行规定(2022 年 12 月修订)第五条规定的“最近 3 年营业收入复合增长率达到 20%,或者最近一年营业收入金额达到 3 亿元”。综上
75、,发行人符合上海证券交易所科创板企业发行上市申报及推荐暂行规定(2022 年 12 月修订)定位的行业领域和科创属性指标,符合科创板定位。六、发行人主要财务数据及财务指标 根据大华会计师出具的标准无保留意见审计报告(大华审字2023001877 号),报告期内发行人主要财务数据及财务指标如下:项目项目 2022.12.31/2022 年度年度 2021.12.31/2021 年度年度 2020.12.31/2020 年度年度 资产总额(万元)44,403.93 39,676.07 19,910.67 归属于母公司股东权益(万元)33,972.59 27,861.24 12,648.46 资产负
76、债率(母公司)23.59%29.76%36.28%营业收入(万元)23,538.19 20,972.89 13,698.04 净利润(万元)6,111.35 4,847.72-1,966.86 归属于母公司股东的净利润(万元)6,111.35 4,847.72-1,966.86 扣除非经常性损益后归属于母公司股东的净利润(万元)4,956.95 4,389.76-179.75 基本每股收益(元)1.11 0.94-0.47 稀释每股收益(元)1.11 0.94-0.47 加权平均净资产收益率 19.77%27.59%-30.49%经营活动产生的现金流量净额(万元)-1,115.78 5,065
77、.19-995.31 现金分红(万元)-200.00 研发投入占营业收入的比例 9.65%8.99%10.14%七、财务报告审计截止日后主要财务信息及经营状况 本招股说明书已披露财务报告的审计截止日为 2022 年 12 月 31 日。自财务报告审计截止日至本招股说明书签署日之间,公司经营状况良好,主营业务、经营模式未发生重大变化,主要客户、供应商、公司高级管理人员和核心技术人员均保持稳定,未出现对公司产生重大不利影响的事项,也未出现其他可能苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-27 影响投资者判断的重大事项。(一)2023 年一季度主要财务信息及经营情况 大华会计师事务所(特殊普
78、通合伙)对公司 2023 年 3 月 31 日的合并及母公司资产负债表,2023 年 1 至 3 月的合并及母公司利润表、合并及母公司现金流量表、合并及母公司股东权益变动表以及相关财务报表附注进行了审阅,并出具了审阅报告(大华核字20230012112 号)。公司已披露财务报告审计截止日后的主要财务信息及经营情况,具体内容详见本招股说明书“第六节 财务会计信息与管理层分析”之“十六、财务报告审计截止日后主要财务信息及经营状况”,请投资者参阅。经审阅,公司 2023 年一季度主要财务数据情况及变化具体情况如下:1、合并资产负债表主要数据、合并资产负债表主要数据 单位:万元 项目项目 2023 年
79、年 3 月月 31 日日 2022 年年 12 月月 31 日日 变动幅度变动幅度 资产总计 45,002.83 44,403.93 1.35%归属于母公司股东权益合计 35,206.82 33,972.59 3.63%股东权益合计 35,206.82 33,972.59 3.63%截至 2023 年 3 月 31 日,公司资产总额为 45,002.83 万元,较上年末增长1.35%;归属于母公司股东权益合计为 35,206.82万元,较上年末增长 3.63%。2、合并利润表主要数据、合并利润表主要数据 单位:万元 项目项目 2023 年年 1-3 月月 2022 年年 1-3 月月 变动幅度
80、变动幅度 营业收入 6,119.03 5,927.52 3.23%营业利润 1,338.71 1,968.34 -31.99%利润总额 1,338.71 1,968.22 -31.98%净利润 1,234.41 1,792.74 -31.14%归属于母公司所有者的净利润 1,234.41 1,792.74 -31.14%扣除非经常性损益后归属于母公司所有者的净利润 1,219.50 1,761.23 -30.76%2023 年一季度,公司实现的营业收入为 6,119.03 万元,较上年同期增长3.23%;归属于母公司股东的净利润为 1,234.41 万元,较上年同期下降 31.14%;苏州锴威
81、特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-28 扣除非经常性损益后归属于母公司股东的净利润为 1,219.50 万元,较上年同期下降 30.76%。2023 年一季度,公司的营业收入与 2022 年同期相比有小幅上涨,但利润水平较 2022 年同期有所下降,一方面是受消费电子需求疲软的影响,公司2023 年一季度功率器件产品的销售单价及毛利率相比 2022 年同期有所下降,导致其毛利额有所减少;另一方面是 2023 年一季度房产及扩产设备的折旧、工资薪酬等费用相比 2022 年同期有所增加。在公司构建的功率器件和功率 IC 双轮驱动的业务模式下,公司较早布局了工业控制及高可靠应用领域,2023
82、 年一季度,公司来自上述领域的收入及利润相比 2022 年同期增长明显。总体而言,2023 年一季度,公司经营状况良好,不存在重大异常变动情况。3、合并现金流量表主要数据、合并现金流量表主要数据 单位:万元 项目项目 2023 年年 1-3 月月 2022 年年 1-3 月月 变动金额变动金额 经营活动产生的现金流量净额 -2,547.92 -3,041.64 493.72 投资活动产生的现金流量净额 -419.52 558.80 -978.32 筹资活动产生的现金流量净额 1,267.68 -562.51 1,830.19 现金及现金等价物净增加额 -1,699.76 -3,045.35 1
83、,345.59 2023 年 1-3 月和 2022 年同期,公司经营活动产生的现金流量净额为负,主要因公司晶圆、外延片等采购支出较高,而公司高可靠领域的收入提升且该领域客户的回款期一般较长,并且部分消费电子领域的客户回款也有所延长,从而导致公司经营活动产生的现金流量净额为负。2023 年 1-3 月,公司投资活动现金流量净额为负,主要是公司购买电子设备等相关支出;2022 年 1-3 月,公司投资活动现金流量净额为正,主要是公司当期收回理财产品的金额大于购买理财产品的金额。2023 年 1-3 月,公司筹资活动产生的现金流量净额为正,主要是公司当期取得了银行借款,而未偿还银行借款;2022
84、年 1-3 月,公司筹资活动产生的现金流量为负,主要是公司当期偿还了银行借款,而未新增银行借款。苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-29(二)2023 上半年业绩预计情况 公司结合目前的经营状况,预计 2023 年上半年的业绩及与 2022 年同期的比较情况如下:单位:万元 项目项目 2023 年年 1-6 月月 2022 年年 1-6 月月 变动幅度变动幅度 营业收入 12,80013,800 11,932.42 7.27%至 15.65%净利润 2,5003,100 3,205.01 -22.00%至-3.28%扣除非经常性损益后归属于母公司所有者的净利润 2,1002,70
85、0 3,095.00 -32.15%至-12.76%注:上述 2023 年上半年的数据未经审计或审阅 公司预计 2023 年上半年的营业收入为 12,800 万元至 13,800 万元,与上年同期相比变动幅度为 7.27%至 15.65%;预计 2023 年上半年净利润为 2,500 万元至 3,100 万元,与上年同期相比变动幅度为-22.00%至-3.28%;预计 2023 年上半年扣除非经常性损益后归属于母公司股东的净利润为 2,100 万元至 2,700 万元,与上年同期相比变动幅度为-32.15%至-12.76%。2023 年上半年公司的营业收入与 2022 年同期相比有一定幅度上涨
86、,但利润水平较 2022 年同期有所下降。一方面是受消费电子需求疲软的影响,公司 2023 年上半年功率器件产品的销售单价及毛利率相比 2022 年同期有所下降,导致其毛利额有所减少;另一方面是2023 年上半年房产及扩产设备的折旧、工资薪酬等费用相比 2022 年同期有所增加。基于公司前期较早地布局了高可靠和工业控制应用领域,并且随着公司近年在上述领域的不断开拓,2022 年以来,公司功率 IC 和功率器件产品来自高可靠和工业控制(含汽车前装和后装、新能源)应用领域的销售起量明显,上述领域的客户数量明显增多。在高可靠领域,公司客户群已覆盖国内高可靠领域电源龙头企业及国家重点科研院所,并获得众
87、多高可靠领域客户的高度认可;在工业控制领域,公司持续深挖工业储能、光伏逆变、新能源汽车及充电桩、工业电源等细分应用领域的产品需求,超高压平面 MOSFET、高压超结MOSFET、SiC MOSFET 等细分产品的产品研发及市场开拓取得良好成效。因此,公司预计 2023 年度高可靠和工业控制领域的销售收入将持续提升。截至2023 年 3月 23日,公司产品类及项目类不含税在手订单为 9,547.42万元,其中,苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-30 来自高可靠及工业控制应用领域的在手订单占比为 83.83%,明显高于消费电子领域的占比 16.17%。高可靠及工业控制相关产品的销售
88、价格及毛利率相对较高,随着订单的相关产品实现收入以及新订单的持续增加,公司 2023 年的盈利水平将得到提升。半导体作为现代科技的支柱型产业,伴随着全球经济的波动呈现出兼具成长性和周期性;近 20 年来,全球半导体行业每隔 4-5 年经历一轮小周期,从历史数据来看,半导体市场存在周期性波动,但中长期而言,行业发展整体仍呈现上升趋势。因此,公司消费电子领域的经营短期受到了行业周期的影响,但是预计未来该领域的经营情况将得到改善。综上,公司预计 2023 年的营业收入和利润将保持增长态势,公司的盈利能力将得到进一步提升。上述 2023 年上半年业绩预计系公司初步测算的结果,未经申报会计师审计或审阅,
89、不构成公司的盈利预测或业绩承诺。八、发行人选择的具体上市标准 发行人符合并选择适用上海证券交易所科创板股票上市规则第 2.1.2 条第一项的上市标准:预计市值不低于人民币 10 亿元,最近两年净利润均为正且累计净利润不低于人民币 5,000 万元,或者预计市值不低于人民币 10 亿元,最近一年净利润为正且营业收入不低于人民币 1 亿元。发行人 2022 年度的营业收入为 23,538.19 万元,净利润为 6,111.35 万元,扣除非经常性损益后归属于母公司股东的净利润为 4,956.95 万元。结合市场估值情况,发行人预计市值不低于10 亿元。因此,发行人符合“预计市值不低于人民币 10
90、亿元,最近一年净利润为正且营业收入不低于人民币 1亿元”的上市标准。九、发行人公司治理特殊安排等重要事项 截至本招股说明书签署日,公司不存在红筹架构或表决权差异等特殊安排。十、募集资金用途与未来发展规划(一)募集资金用途 经公司 2022 年第一次临时股东大会审议通过,公司本次拟公开发行人民币苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-31 普通股不超过 1,842.1053 万股(不含采用超额配售选择权发行的股票数量),实际募集资金扣除发行等费用后拟投入以下项目:单位:万元 序号序号 项目名称项目名称 投资总额投资总额 拟使用募集资金拟使用募集资金 建设周期建设周期 1 智能功率半导体
91、研发升级项目 14,473.27 14,473.27 3 年 2 SiC 功率器件研发升级项目 8,727.85 8,727.85 3 年 3 功率半导体研发工程中心升级项目 16,807.16 16,807.16 3 年 4 补充营运资金 13,000.00 13,000.00 合计合计 53,008.28 53,008.28 上述项目实施后,公司不会新增同业竞争,对公司的独立性不会产生不利影响。在募集资金到位前,公司可以根据各募投项目的实际进度以自筹资金先期投入,募集资金到位后,将用于支付剩余款项及置换先期已经投入的自筹资金。若实际募集资金金额小于上述募投项目所需金额,缺口部分由公司以自有
92、资金、银行贷款等方式解决。若实际募集资金金额超过上述募投项目所需金额,超出部分将用于补充流动资金等其他用途。本次募集资金运用具体情况详见本招股说明书“第七节 募集资金运用与未来发展规划”。(二)未来发展规划 公司将继续专注于功率半导体的设计、研发与销售,坚持“自主创芯,助力核心芯片国产化”的发展定位,聚焦消费电子、工业控制和高可靠领域,在新能源汽车、光伏能源、轨道交通、智能电网等领域展开布局;在目前掌握的核心技术基础上,展开产品系列化及下游市场的进一步拓展、延伸,具体如下:在功率 MOSFET 方面,公司将开发适用于智能电网的超高压产品系列,进一步提升器件功率密度,降低开关损耗,不断拓展产品在
93、工业控制和高可靠领域的应用;在 SiC 功率器件方面,公司将在现有设计及工艺平台基础上,围绕新能源汽车、光伏发电应用领域等,展开产品系列化研发及可靠性改善提升的研究,不断丰富产品系列;在功率 IC 方面,公司将加强研发投入,基于积累的IP 核,在高可靠、安防等应用领域等实现产品系列化开发及规模化量产。同时,苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-32 公司还将加强对产品可靠性考核及测试筛选平台的建设投入,不断提升公司产品在高可靠领域国产化替代的竞争优势及服务能力。十一、其他对发行人有重大影响的事项 截至本招股说明书签署日,发行人不存在其他有重大影响的事项。苏州锴威特半导体股份有限公司
94、 招股说明书 1-1-33 第第三三节节 风险因素风险因素 投资者在评价判断本公司股票价值时,除仔细阅读本招股说明书提供的其他资料外,应该特别关注下述各项风险因素。下述各项风险按照不同类型进行归类,同类风险根据重要性原则或可能影响投资决策的程度大小排序,但该排序并不表示风险因素依次发生。以下风险因素可能直接或间接对发行人生产经营状况、财务状况和持续盈利能力产生不利影响。一、与发行人相关的风险(一)技术风险 1、新产品研发及产业化不及预期的风险、新产品研发及产业化不及预期的风险 半导体行业的研发存在周期较长、工艺复杂等特点,产品技术优化升级需要持续的资源投入。由于新品研发至实现规模销售需要一定的
95、时间周期,公司功率器件、功率 IC 新产品的研发进度及研发成果实现产业化都存在不确定性。报告期内,公司沟槽型 MOSFET、超结 MOSFET、SiC 功率器件的收入占比相对较小,与行业竞争对手在产品产业化程度、收入规模上均存在一定差距,短期内难以成为主要的业绩增长点。公司目前已进行沟槽型 MOSFET 和超结MOSFET 的研发工作,SiC 功率器件已小批量供货,尚需持续研发投入。如果新产品研发及产业化进度未达预期或无法在市场竞争中占据优势,公司将面临新产品研发及产业化失败的风险,前期的研发投入也将无法收回,给公司未来业务拓展带来不利影响。2、技术泄密的风险、技术泄密的风险 集成电路设计行业
96、为技术密集型行业,核心技术是行业内企业保持领先优势的重要保障,对企业发展具有重要作用。基于多年的技术积累和研发投入,公司在功率半导体领域已形成 10 项核心技术,并广泛应用于自有产品中,同时公司正致力于新技术和新产品的研发。如果公司核心技术人员流失或个别人员核心资料保管不善,则可能导致公司核心技术失密的风险。若公司核心技术泄密,并被竞争对手所获知和模仿,则可能会削弱公司的竞争优势,并对公司生产经营带来不利影响。苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-34(二)经营风险 1、晶圆委外加工及产能供应稳定性的风险、晶圆委外加工及产能供应稳定性的风险 目前,公司采用 Fabless 经营模式
97、,专注于芯片的设计、研发和销售环节,而将晶圆制造、封装测试等生产环节委托供应商进行。若晶圆代工、封装测试等委外加工价格大幅上涨,或因晶圆代工厂、封装测试厂产能紧缺或工艺波动等原因影响公司产品供给,将对公司供应稳定性、盈利能力造成不利影响。报告期内,在 2021 年度下游需求旺盛的情况下,发行人功率器件产能供应存在一定程度的受限,其中沟槽型 MOSFET、超结 MOSFET 部分新开拓晶圆供应商尚在流片验证中;功率 IC 的晶圆供应商相对单一。此外,报告期内公司晶圆供应商出现较大变动,一方面,2021 年度公司第一大晶圆供应商由上海汉磊变更为西安微晶微,且报告期各期公司前五大供应商亦有所变动;另
98、一方面,公司晶圆采购数量由 2020 年的 22.18 万片下降至 2021 年的 18.14 万片和 2022年的 18.52 万片,其中向上海汉磊采购晶圆数量由 2020 年的 10.73 万片下降至2021 年的 2.72 万片和 2022 年的 1.65 万片。若未来公司与主要晶圆供应商的合作关系发生不利变化,或主要供应商由于产能受限等原因而降低对公司的产能供给,而公司在短期内无法及时寻找新的晶圆供应商并快速获取产能形成稳定供应,将影响公司晶圆供应的稳定性,可能导致公司出现不能及时满足下游客户的需求、错失市场商机、丢失已有客户等情况,从而对公司生产经营造成不利影响。2、供应商集中度较高
99、的风险、供应商集中度较高的风险 目前,公司采用 Fabless 经营模式,专注于芯片的设计、研发和销售环节,而将晶圆制造、封装测试等生产环节委托供应商进行。由于资金、技术等壁垒,半导体行业内符合公司技术和工艺要求的晶圆代工厂数量较少。报告期内,公司向前五大供应商采购额占当期总采购额的占比分别为 91.41%、76.55%和80.09%,其中第一大供应商采购额占当期总采购额的占比分别为 42.40%、34.98%和 33.36%,供应商集中度较高。若未来公司主要供应商出现产能受限、自身生产经营或与公司合作情况发生不利变化等情况,公司在短时间内替换供应商存在较大困难,可能导致公司不能足量、及时出货
100、,从而对公司生产经营苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-35 造成不利影响。3、关于与西安微晶微的扩产合作风险、关于与西安微晶微的扩产合作风险 2021 年,公司与西安微晶微签署了扩产合作协议,公司购置价值7,377.06 万元(含税)的晶圆加工设备并投放于西安微晶微生产线,以锁定并进一步扩大晶圆产能供给。根据协议约定,扩产完成后,西安微晶微将保证向公司提供不低于 18,000 片/月的晶圆代工产能供给。如未来市场发生波动导致公司下游需求减小,导致公司向西安微晶微采购晶圆数量下降,产能无法完全消化,则该批设备的折旧费用将导致晶圆成本较目前有所上涨。扩产设备验收后将对公司总体的毛利
101、额和净利润造成一定影响,据测算,2022 年公司的毛利额与净利润分别下降 88.36 万元和 79.52 万元,如公司无法向下游转嫁成本上涨的压力,则可能导致公司功率器件的盈利水平下降。(三)管理及内控风险 1、关键技术人员流失的风险、关键技术人员流失的风险 目前国内半导体企业众多,对功率半导体关键技术人员需求缺口较大,运用高薪或者股权激励等方式吸引技术人员已逐渐成为行业内的常规手段,导致行业内人员流动愈发频繁。未来,如果公司薪酬水平与同行业竞争对手相比丧失竞争优势或人才发展及内部晋升受限,公司对关键技术人才的吸引力将减弱,甚至可能出现现有关键技术人员流失的情形,对公司生产经营产生不利影响。2
102、、控制权分散风险、控制权分散风险 本次发行前,实际控制人丁国华直接持有公司 20.26%的股份,并通过员工持股平台港晨芯控制公司 8.23%的表决权,根据已签署的一致行动协议,罗寅、港鹰实业、陈锴系丁国华的一致行动人。罗寅直接持有公司 17.09%股份,港鹰实业直接持有公司 10.11%股份,陈锴直接持有公司 7.24%股份。因此,丁国华直接和间接控制公司合计 62.93%的表决权。本次发行后,丁国华控制的股份表决权比例将被稀释,不排除未来因不可控的因素可能影响公司控制权的稳定性,进而可能对公司未来经营造成不利影响。如未来实际控制人或其一致行动人通过二级市场减持等方式降低持股比例,或其他股东之
103、间达成一致行动协议,或潜在的投资者收购公司股份导致公司其他股东持股比例增加从而超过丁苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-36 国华控制的股权表决权比例,公司可能发生控制权转移的情形,进而可能导致公司在经营管理团队、核心技术人员、发展战略等方面发生较大变化,从而导致公司未来经营发展的不确定性。3、人员规模相对较小的风险、人员规模相对较小的风险 发行人作为采用 Fabless 经营模式的企业,将晶圆制造、封装测试等生产环节委托给供应商,因此人员规模相对较小。报告期各期末,公司员工总人数分别为 71人、85 人和 95 人,研发人员数量分别为 28人、32人和 40人,相较 A股已上市
104、的同行业可比公司人数较少。若未来发生大规模人员流失的情况,将对发行人开展日常经营活动以及持续拓展业务规模带来不利影响。发行人研发人员数量较少,随着业务的发展,可能存在研发人才不足、研发进度不达预期的风险,进一步影响发行人新产品的推出、技术储备等方面,进而对公司未来业务发展造成不利影响。4、产品质量控制风险、产品质量控制风险 公司产品的主要生产环节需委托供应商进行,产品质量受到加工流程中诸多因素的影响,而客户对产品一致性、可靠性要求较高。公司产品向新能源汽车、光伏能源、轨道交通、智能电网等高端应用领域拓展时也需满足更高的质量要求。随着发行人经营规模的持续扩大及客户对产品质量要求的不断提高,如果公
105、司不能持续有效地完善、提升相关质量控制制度并严格执行质量控制措施,导致产品质量出现问题、产品质量不能达到客户需求,则产品不能满足下游客户的质量要求,影响公司的市场地位和品牌声誉,进而对公司经营业绩产生不利影响。(四)财务风险 1、收入增长可持续性的风险、收入增长可持续性的风险 2022 年二季度以来,受全球通货膨胀等因素影响,以智能手机、PC、家电为代表的消费电子市场需求持续疲软,消费电子领域客户自身存在去库存压力。公司功率器件主要面向消费电子领域,受此影响,2022年度公司平面 MOSFET销量和价格下降明显:销量方面,平面 MOSFET 中测后晶圆销售数量相比2021 年下降 38.48%
106、,平面 MOSFET 封装成品(剔除 DN906 型号后)的销售数苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-37 量相比 2021年下降 12.35%;价格方面,以 2022年度平面 MOSFET中测后晶圆五款主要销售型号的平均销售单价为例,2022 年各季度其平均销售单价分别环比下降 6.45%、11.09%、30.41%和 2.06%,对发行人功率器件收入产生不利影响。截至 2023 年 3 月 23 日,公司功率器件的在手订单为 2,828.81 万元,其中消费电子领域占 53.69%。若未来半导体行业景气度持续下滑导致市场需求出现重大不利变化,下游客户抗周期波动能力不足或出现经
107、营风险,或者市场竞争加剧导致公司不能保持产品的核心竞争力和市场竞争优势,则会对公司产品售价、销量造成进一步负面影响,并可能导致客户订单执行延缓或出现违约、主要客户流失,从而使公司面临收入增长可持续性的风险。此外,公司功率 IC 业务报告期各期主营业务收入金额分别为 322.32 万元、1,169.49 万元和 5,692.38 万元,规模相对较小;公司功率 IC 产品主要面向高可靠领域,客户集中度较高,且该领域客户订单在一定程度上会受到年度预算和终端需求等因素的影响。若未来客户订单延迟或取消、公司未能准确把握行业技术发展趋势或下游市场需求发生重大不利变化等,可能导致公司功率 IC 业务出现新客
108、户拓展不达预期、现有客户流失等情形,从而使公司面临收入增长可持续性的风险。2、存货滞销及减值的风险、存货滞销及减值的风险 报告期各期末,公司存货的账面价值分别为 3,012.06 万元、6,694.00 万元和 11,673.77 万元,公司存货账面价值随着业务规模的增长及采购模式和产品销售形态的变化有所增加;存货周转率分别为 3.79、2.57 和 1.33,呈逐年下降的趋势。公司存货的可变现净值受到下游市场情况变动的影响,2022 年二季度以来,受全球通货膨胀等因素影响,以智能手机、PC、家电为代表的消费电子市场需求持续疲软,相关产业链整体呈现去库存压力。受此影响,发行人 2022 年末存
109、货订单覆盖率及期后结转/销售率较低,存货消化存在一定的压力。同时由于发行人功率器件主要面向消费电子领域,产品的销售价格呈现一定程度的下滑,存货减值风险有所上升。若未来消费电子领域需求端持续低迷或市场环境发生其他不利变化、客户临时改变需求、竞争加剧或技术升级,或者公司不能有效拓宽销售渠道、优化库存管理,导致产品滞销、周转天数延长、存货积压,公司可能面临存货滞销及减值的风险,进而会对公司的盈利能力产生不利影响。苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-38 3、毛利率及盈利能力下降的风险、毛利率及盈利能力下降的风险 2022 年二季度以来,受全球通货膨胀等因素影响,消费电子市场需求持续疲软
110、。公司主要产品平面 MOSFET 来自消费电子领域的收入占比较高,自2021 年度至 2022 年度,公司平面 MOSFET 产品的毛利率分别为 35.63%和24.37%,呈现持续下行态势。随着市场需求的变化和行业技术的发展,若公司未能正确判断市场需求变化、技术水平停滞不前、未能有效控制产品成本或市场竞争格局发生不利变化,将会导致公司产品售价和成本出现预期外的波动,公司产品毛利率及盈利能力未来存在下降的风险。4、应收账款较高及发生坏账的风险、应收账款较高及发生坏账的风险 报告期各期末,公司应收账款的账面价值分别为 2,735.75 万元、2,143.10万元和 3,962.86 万元,202
111、2 年末应收账款增加较多。受预算拨款进度、经费支付计划、付款审批流程、终端客户付款进度等因素影响,公司高可靠领域客户销售回款周期普遍较长;同时,2022 年二季度以来消费电子市场需求持续疲软,在一定程度上会影响客户的回款。若未来消费电子领域需求端持续低迷、高可靠领域销售额持续增加或市场环境发生其他不利变化,公司不能有效加强应收账款的催收,导致应收账款较高,则公司可能面临发生坏账的风险,进而会对公司的盈利能力产生不利影响。5、无法持续取得税收优惠的风险、无法持续取得税收优惠的风险 报告期内,公司享受的税收优惠政策主要系“新办的集成电路设计企业”和“国家鼓励的重点集成电路设计企业”优惠税率税收优惠
112、政策。根据相关政策规定,公司 2020年享受按照 25%的法定税率减半计缴企业所得税的优惠政策,2021 年享受免缴企业所得税的优惠政策,接续年度享受按照 25%的法定税率减按 10%计缴企业所得税的优惠政策。报告期内公司享受的所得税税收优惠金额占同期利润总额的比例分别为 0.00%、15.44%和 12.44%。若未来国家税收优惠政策发生不利变化,或公司不符合税收优惠条件,将面临无法享受有关税收优惠政策的风险,将对公司的经营成果产生不利影响。6、与甘化科工及其子公司关联交易增加的风险、与甘化科工及其子公司关联交易增加的风险 甘化科工系公司第二大股东,与其一致行动人彭玫共持有公司20.05%的
113、股苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-39 权。报告期内,公司与甘化科工子公司甘华电源、升华电源、德芯源存在关联交易,关联交易金额合计分别为0万元、1.15万元和928.11万元,占公司营业收入比例分别为0.00%、0.01%及3.94%。由于甘化科工与公司在高可靠领域存在业务协同,随着双方合作的不断深入,预计甘化科工及其子公司将持续向公司采购产品和技术服务,公司存在关联交易规模和占比进一步扩大的风险。若公司未来关联交易未能有效履行相关决策程序或关联交易定价显失公允,将可能对公司经营业绩造成不利影响。(五)法律风险 1、知识产权相关风险、知识产权相关风险 公司拥有的知识产权是公司
114、核心竞争力的重要组成部分,未来如公司相关核心技术被竞争对手所获知并效仿,或者第三方侵犯公司知识产权的行为得不到及时防范和制止,将会对公司未来业务发展和生产经营产生负面影响。截至2023 年 7 月 13 日,发行人拥有授权发明专利 28 项,发明专利数量相较于同行业可比上市公司士兰微、新洁能等仍存在一定差距,不利于核心技术的保护。此外,不排除竞争对手或第三方采取恶意诉讼的策略,或公司因其他原因与竞争对手或第三方产生知识产权纠纷,公司通过法律途径寻求保护将付出额外的人力、物力及时间成本,亦会导致公司商业利益、品牌声誉受到一定程度的损失。2、房屋租赁风险、房屋租赁风险 因跨地区开展业务的需要,公司
115、及子公司、分公司在张家港市、无锡市、西安市、深圳市等多地租赁了办公、研发场所、员工宿舍等。租赁期限到期后,若上述房屋不能及时续租,公司子公司、分公司需重新选择经营场所并进行搬迁,可能短期内对经营的稳定性造成不利影响;公司承租的部分员工宿舍未办理租赁备案登记,可能存在被所在地房地产主管部门处罚的风险。二、与行业相关的风险(一)技术迭代的风险 发行人主要经营的产品包括功率器件和功率IC,两者均属于功率半导体。功率半导体行业属于技术密集型行业,不追求先进制程,产品生命周期长,较苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-40 数字芯片相比迭代速度更慢。从技术发展层面来看,一方面,下游客户的个性
116、化需求不断丰富,下游应用领域对产品技术参数的要求亦不断提升,如发行人无法顺应行业技术发展趋势,在产品研发中紧跟下游客户应用需求的变动方向,则有可能导致公司产品被赶超或替代;另一方面,发行人报告期内销售产品以平面MOSFET为主,在300V以下电压段和400V-1,000V电压段分别与沟槽型MOSFET和超结MOSFET存在一定程度竞争,如因新技术的发展使沟槽型MOSFET和超结MOSFET的电压覆盖更宽且相关量产工艺成熟,则平面MOSFET与两类MOSFET的市场竞争可能加剧,存在市场空间被挤压的风险。前述风险将导致发行人竞争力减弱,给业务开展造成不利影响。(二)市场竞争风险 目前,我国的功率
117、半导体行业正经历快速发展阶段,行业内厂商积极进行市场拓展,市场竞争逐渐加剧。因发行人成立时间较短、规模尚小且部分类型产品的研发起步时间较晚,存在一定的竞争劣势,具体表现在:第一,公司产品以平面 MOSFET 为主,占主营业务收入的比例分别为 88.39%、83.07%和56.99%,且报告期内收入集中于 500V-650V 电压段产品,报告期内公司超高压平面 MOSFET 以及超结 MOSFET、沟槽型 MOSFET、FRMOS、SiC 功率器件目前销售收入较少,新产品研发及产业化程度存在差距;第二,发行人功率 IC产品主要面向高可靠应用领域,如未来高可靠领域内新进入者持续增加,该领域市场竞争
118、将可能加剧。前述因素均可能对公司经营业绩带来不利影响;第三,发行人所处行业的竞争对手较多,既包括英飞凌、安森美等国际一流功率半导体厂商,也包括华润微、士兰微等国内的知名功率半导体厂商。与前述竞争对手相比,发行人相关产品的研发及市场推广起步时间较晚,在沟槽型 MOSFET、超结 MOSFET、FRMOS、SiC 功率器件等其他类型 MOSFET 的产品丰富度、技术积累和经营规模方面均与前述竞争对手存在一定差距。发行人需要持续投入大量资金用于核心技术及新产品的研发,以缩小与竞争对手的差距并保持自身竞争力。若公司不能正确把握市场动态和行业发展趋势,不能根据客户需求及时推出新产品、不断优化产品性能与提
119、高服务质量,则可能导致公司竞争能力下降,公司的行业地位、市场份额、经营业绩等可能受到不利影响。苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-41(三)国际贸易摩擦的风险 报告期内,公司存在向汉磊科技采购晶圆的情形。在经济全球化日益深化的背景之下,国际贸易关系的变化对于半导体行业景气度可能产生深远影响。一方面,近年来国际贸易摩擦不断,部分国家通过贸易保护的手段,试图制约中国相关产业的发展;尤其是随着中美贸易摩擦的加剧,美国政府已将多家中国企业和机构列入美国出口管制的“实体清单”。若美国将公司及公司主要客户、供应商列入“实体清单”名单或采取其他经济限制手段,可能导致公司业务受限、供应商无法供货
120、或者客户采购受到约束,公司的正常生产经营将受到不利影响。另一方面,在国际贸易环境紧张的情况下,半导体产业链上下游可能出现生产和采购受限的情形,从而对公司经营业绩造成不利影响。(四)产业政策变化的风险 半导体产业是国家战略性产业。近年来,国家出台了一系列鼓励政策以推动我国半导体产业的发展,增强了中国半导体产业的创新能力和国际竞争力,带动了整个产业的发展。但若未来国家相关产业政策支持力度减弱,可能导致下游市场需求下滑、税收优惠减少、政府补贴金额下降等,公司的经营业绩可能会因此受到不利影响。三、其他风险(一)本次发行失败的风险 根据上海证券交易所首次公开发行证券发行与承销业务实施细则的要求,若本次发
121、行时提供有效报价的投资者或网下申购的投资者数量不足法律规定要求,或者发行时总市值未能达到预计市值上市条件的,本次发行应当中止,若发行人中止发行上市审核程序超过上交所规定的时限或者中止发行注册程序超过 3 个月仍未恢复,或者存在其他影响发行的不利情形,或将会出现发行失败的风险。(二)与募集资金运用相关的风险 1、募集资金投资项目不能达到预期收益的风险募集资金投资项目不能达到预期收益的风险 本次募集资金投资项目包括智能功率半导体研发升级项目、SiC 功率器件研发升级项目、功率半导体研发工程中心升级项目以及补充营运资金,本次募苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-42 集资金投资项目与公
122、司现有主营业务和发展战略紧密联系,现有的可行性分析是基于当前的市场环境和技术发展趋势等因素做出的,未来可能因产业政策变化、市场环境变化、行业竞争加剧或研发过程中关键技术未能突破等原因导致项目延期、无法实施或不能达到预期收益,将对发行人经营产生不利影响。2、募投项目实施带来的净资产收益率及每股收益下降风险、募投项目实施带来的净资产收益率及每股收益下降风险 本次发行的募投项目投资金额较大且在短期内难以完全产生效益,募投项目实施后,公司将面临净资产收益率及每股收益下降的风险。本次募集资金投资项目建成后,公司将新增固定资产、无形资产、研发投入,导致相应的折旧、摊销及费用增加。如果因市场环境等因素发生变
123、化,募集资金投资项目投产后盈利水平不及预期,新增的折旧、摊销及费用支出将对公司的经营业绩产生不利影响。苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-43 第第四四节节 发行人基本情况发行人基本情况 一、发行人基本情况(一)中文名称:苏州锴威特半导体股份有限公司 英文名称:Suzhou Convert Semiconductor CO.,LTD.(二)注册资本:5,526.3158 万元(三)法定代表人:罗寅(四)有限公司成立日期:2015年 1月 22日 整体变更设立股份公司日期:2019年 7月 30日(五)住所:张家港市杨舍镇华昌路 10号沙洲湖科创园 B2幢 01 室(六)邮政编码:
124、215600(七)电话号码:;传真号码:(八)互联网网址:(九)电子信箱:(十)负责信息披露和投资者关系的部门:证券部 负责人:严泓 联系电话: 二、发行人设立情况和报告期内的股本和股东变化情况(一)发行人设立情况 1、有限责任公司设立情况、有限责任公司设立情况 发行人由前身锴威特有限整体变更设立。2015 年 1 月,罗寅、陈锴、陈国祥及港鹰实业共同以货币出资设立锴威特有限,注册资本为 500.00 万元,由罗寅认缴 150.00万元、陈锴认缴 145.00万元、陈国祥认缴 105.00 万元、港鹰实业认缴 100
125、.00万元。苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-44 锴威特有限的 500.00 万元注册资本共分三期实缴,第一期实缴 100.00 万元,全部由罗寅以货币实缴出资,2015 年 5 月 16日,天衡会计师事务所(特殊普通合伙)出具苏州锴威特半导体有限公司验资报告(天衡勤验字20150017号),确认本次货币出资均已经缴纳。第二期实缴 100.00 万元,全部由港鹰实业以货币实缴出资,2015 年 8 月 3 日,天衡会计师事务所(特殊普通合伙)出具苏州锴威特半导体有限公司验资报告(天衡勤验字20150025 号),确认本次货币出资均已经缴纳。第三期实缴 300.00 万元,其中
126、由罗寅以货币实缴出资 50.00 万元,由陈锴以货币实缴出资 145.00 万元,由陈国祥以货币实缴出资 105.00 万元,2016 年 3 月 3 日,苏州中信联合会计师事务所(普通合伙)出具苏州锴威特半导体有限公司验资报告(中信验2016001 号),确认本次货币出资均已经缴纳。2015 年 1 月 22 日,锴威特有限取得苏州市张家港工商行政管理局核发的营业执照(注册号:320582000348672)。锴威特有限成立时的股东及股权结构如下:单位:万元 序号序号 股东股东姓名姓名/名称名称 出资形式出资形式 出资出资金金额额 出资比例出资比例 1 罗寅 货币 150.00 30.00%
127、2 陈锴 货币 145.00 29.00%3 陈国祥 货币 105.00 21.00%4 港鹰实业 货币 100.00 20.00%合计合计/500.00 100.00%2、股份公司设立情况、股份公司设立情况 公司是由锴威特有限于 2019 年 7月 30日以整体变更方式设立。2019 年 4月 30 日,立信会计师事务所(特殊普通合伙)出具审计报告(信会师报字2019第 ZA51343 号),锴威特有限截至 2019 年 1 月 31 日经审计的净资产为 6,794.68 万元。2019 年 5 月 1 日,江苏中企华中天资产评估有限公司出具苏州锴威特半导体有限公司拟整体改制设立股份有限公司
128、涉及的净资产价值资产评估报告(苏中资评报字(2019)第 2023 号),锴威特有限截至 2019 年 1 月 31 日的股苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-45 东全部权益价值评估值为 6,891.16 万元。2019 年 5 月 31 日,锴威特有限召开股东会,同意以锴威特有限截至 2019年 1 月 31 日经审计的账面净资产 6,794.68 万元按 1:0.0896 的比例折为股份公司的 6,089,300 股,每股面值人民币 1 元;各股东持股比例不变;公司净资产折股后超出注册资本的部分人民币 6,185.75 万元计入股份公司的资本公积。同日,锴威特有限全体股东作
129、为发起人签署苏州锴威特半导体股份有限公司发起人协议书。2019 年 6 月 20 日,公司召开第一次股东大会,决议以锴威特有限截至2019 年 1月 31 日经审计的账面净资产折股整体变更设立苏州锴威特半导体股份有限公司。2019 年 6月 30 日,立信会计师事务所(特殊普通合伙)出具验资报告(信会师报字2019第 ZA52117 号),经审验,截至 2019 年 6 月 20 日止,公司已根据公司法有关规定及公司折股方案,将锴威特有限截至 2019 年 1 月31 日止经审计的所有者权益(净资产)人民币 6,794.68 万元,按 1:0.0896 的比例折合股份总额 6,089,300
130、股,每股 1 元,共计股本人民币 6,089,300 元,大于股本部分 6,185.75 万元计入资本公积。2019 年 7月 30 日,苏州市行政审批局向公司核发了营业执照(统一社会信用代码:9703256)。整体变更后,公司股本结构如下:单位:万股 序号序号 股东股东姓名姓名/名称名称 持股数量持股数量 持股比例持股比例 1 丁国华 170.60 28.02%2 罗寅 150.00 24.63%3 港鹰实业 100.00 16.42%4 陈锴 79.40 13.04%5 大唐汇金 35.71 5.86%6 光荣联盟 27.68 4.55%7 招港投资 18.45 3.
131、03%8 国经众明 9.23 1.52%9 金茂创投 8.93 1.47%苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-46 序号序号 股东股东姓名姓名/名称名称 持股数量持股数量 持股比例持股比例 10 金城创融 8.93 1.47%合计合计 608.93 100.00%2022 年 4月 20 日,大华会计师出具股改净资产专项复核报告(大华核字2022008211 号),经复核,公司于股份公司设立时截至 2019 年 1 月 31 日的净资产由 6,794.68 万元变更为人民币 6,378.49 万元,其中股本总额和股本结构不变,股本总额为人民币 608.93 万元,资本公积(股本溢
132、价)变更为5,769.56 万元,整体变更折股比例由 1:0.0896 调整为 1:0.0955。2022 年 4 月20 日,锴威特召开股东大会审议通过了关于调整公司整体变更为股份有限公司净资产及折股比例等事项的议案。(二)报告期内的股本和股东变化情况 1、2020 年年 9 月,月,股股份份转让转让 2020 年 9 月,陈锴、港鹰实业、大唐汇金、金茂创投、光荣联盟、金城创融分别与甘化科工签订股份转让合同,向甘化科工以 77.18 元/股的价格合计转让 81.62 万股。本次股份转让后,甘化科工持有锴威特 13.40%的股份,转让方光荣联盟、金城创融不再持有发行人的股份,具体转让情况如下:
133、序号序号 转让方转让方 受让方受让方 转让股份转让股份数量数量(万股)(万股)转让价转让价款款(万元)(万元)1 陈锴 甘化科工 19.81 1,528.9358 2 港鹰实业 9.00 694.6200 3 大唐汇金 12.96 1,000.2528 4 金茂创投 3.24 250.0632 5 光荣联盟 27.68 2,136.3424 6 金城创融 8.93 689.2174 本次股份转让完成后,公司的股东及股权结构如下:序号序号 股东姓名股东姓名/名称名称 持股数量(持股数量(万万股)股)持股比例持股比例 1 丁国华 170.60 28.02%2 罗寅 150.00 24.63%3 港
134、鹰实业 91.00 14.94%4 甘化科工 81.62 13.40%5 陈锴 59.59 9.79%苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-47 序号序号 股东姓名股东姓名/名称名称 持股数量(持股数量(万万股)股)持股比例持股比例 6 大唐汇金 22.75 3.74%7 招港投资 18.45 3.03%8 国经众明 9.23 1.52%9 金茂创投 5.69 0.93%合计合计 608.93 100.00%2、2020 年年 10 月,月,增资增资 2020 年 10 月 16 日,甘化科工与公司、公司当时其他股东签署增资扩股协议,各方一致同意并确认,公司注册资本由 608.93
135、 万元增加至 744.25 万元,由员工持股平台港晨芯以 967.54 万元货币资金认购 67.66 万股,价格 14.30 元/股;新增的注册资本由甘化科工以 4,700.34 万元货币资金认购 67.66 万股,价格 69.47 元/股。2020 年 10 月,公司先后召开 2020 年第三次、第四次临时股东大会,审议通过上述增资及实施股权激励事宜,并审议通过了修改公司章程的议案。2020 年 10 月 29 日,公司完成上述工商变更并取得苏州市行政审批局核发的营业执照(统一社会信用代码:9703256)。2021 年 2 月 4 日,大华会计师出具验资报告(大华验字
136、2021000147号),确认本次货币出资均已经缴纳。本次增资完成后,公司的股东及股权结构如下:单位:万股 序号序号 股东姓名股东姓名/名称名称 持股数量持股数量 持股比例持股比例 1 丁国华 170.60 22.92%2 罗寅 150.00 20.15%3 甘化科工 149.28 20.06%4 港鹰实业 91.00 12.23%5 港晨芯 67.66 9.09%6 陈锴 59.59 8.01%7 大唐汇金 22.75 3.06%8 招港投资 18.45 2.48%9 国经众明 9.23 1.24%苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-48 序号序号 股东姓名股东姓名/名称名称
137、持股数量持股数量 持股比例持股比例 10 金茂创投 5.69 0.76%合计合计 744.25 100.00%3、2020 年年 12 月,月,资本公积转增股本资本公积转增股本 2020 年 11 月 27日,公司召开 2020年第五次临时股东大会,同意公司注册资本由 744.25 万元增加至 5,000.00 万元,新增的注册资本以资本公积(股本溢价)按原股东持股比例向全体股东转增,每股面值 1 元,合计增加注册资本4,255.75 万元。2020 年 12 月 16 日,公司完成上述工商变更并取得苏州市行政审批局核发的营业执照(统一社会信用代码:9703256)。20
138、21 年 2 月 5 日,大华会计师出具验资报告(大华验字2021000148号),确认截至 2020 年 11 月 27 日止,公司变更后的注册资本为人民币5,000.00 万元。本次资本公积转增股本完成后,公司的股东及股权结构如下:单位:万股 序号序号 股东姓名股东姓名/名称名称 持股数量持股数量 持股比例持股比例 1 丁国华 1,146.1200 22.92%2 罗寅 1,007.7250 20.15%3 甘化科工 1,002.8900 20.06%4 港鹰实业 611.3550 12.23%5 港晨芯 454.5500 9.09%6 陈锴 400.3350 8.01%7 大唐汇金 15
139、2.8400 3.06%8 招港投资 123.9500 2.48%9 国经众明 62.0100 1.24%10 金茂创投 38.2250 0.76%合计合计 5,000.0000 100.00%4、2021 年年 8 月月,股份转让股份转让 2021 年 8月 10 日,招港投资与招港共赢签署股份转让协议,约定招港投资将其持有的 123.95 万股股份以 10.34 元/股的价格全部转让给其关联企业招苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-49 港共赢。本次股份转让完成后,转让方招港投资不再持有发行人的股份。本次股份转让完成后,公司的股东及股权结构如下:单位:万股 序号序号 股东姓名
140、股东姓名/名称名称 持股数量持股数量 持股比例持股比例 1 丁国华 1,146.1200 22.92%2 罗寅 1,007.7250 20.15%3 甘化科工 1,002.8900 20.06%4 港鹰实业 611.3550 12.23%5 港晨芯 454.5500 9.09%6 陈锴 400.3350 8.01%7 大唐汇金 152.8400 3.06%8 招港共赢 123.9500 2.48%9 国经众明 62.0100 1.24%10 金茂创投 38.2250 0.76%合计合计 5,000.0000 100.00%5、2021 年年 10 月月,股份转让及增资股份转让及增资 2021
141、年 9月 14 日,新工邦盛、邦盛聚泓、邦盛聚源、禾望投资、甘化科工、悦丰金创、赵建光、彭玫、陈涛与发行人及当时股东丁国华、罗寅、港鹰实业、港晨芯、陈锴、大唐汇金、招港共赢、国经众明、金茂创投签署股份转让及增资协议,各方一致同意并确认,由陈涛、邦盛聚源、赵建光、彭玫以受让部分原股东所持发行人股份的方式对发行人进行投资,价格 19.00 元/股,具体情况如下:序号序号 出让方出让方 受让方受让方 转让股份数转让股份数量量(万股)(万股)转让转让价款(万元)价款(万元)1 丁国华 陈涛 26.3158 500.00 2 罗寅 邦盛聚源 10.5263 200.00 赵建光 52.6316 1,00
142、0.00 3 港鹰实业 彭玫 52.6316 1,000.00 合计合计-142.1053 2,700.00 由新工邦盛、邦盛聚泓、禾望投资、甘化科工、悦丰金创认购发行人新增的 526.3158 万股股份的方式对发行人进行投资,价格 19.00 元/股,具体情况如下:苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-50 序号序号 增资人增资人 认购股份数(万股)认购股份数(万股)增资价款(万元)增资价款(万元)1 新工邦盛 157.8947 3,000.00 2 邦盛聚泓 105.2632 2,000.00 3 禾望投资 157.8947 3,000.00 4 甘化科工 52.6316 1,
143、000.00 5 悦丰金创(SS)52.6316 1,000.00 合计合计 526.3158 10,000.00 注:“SS”代表国有股东(State-owned Shareholder)的缩写 2021 年 9月,公司先后召开 2021年第二次、第三次临时股东大会,审议通过了上述增资事项,并审议通过了公司章程修正案。2021 年 10 月 13 日,公司完成上述工商变更并取得苏州市行政审批局核发的营业执照(统一社会信用代码:9703256)。2021 年 12 月 23 日,大华会计师出具验资报告(大华验字2021000925 号),确认本次货币出资均已经缴纳。本次股
144、份转让及增资完成后,公司的股东及股权结构如下:单位:万股 序号序号 股东姓名股东姓名/名称名称 持股数量持股数量 持股比例持股比例 1 丁国华 1,119.8042 20.26%2 甘化科工 1,055.5216 19.10%3 罗寅 944.5671 17.09%4 港鹰实业 558.7234 10.11%5 港晨芯 454.5500 8.23%6 陈锴 400.3350 7.24%7 新工邦盛 157.8947 2.86%8 禾望投资 157.8947 2.86%9 大唐汇金 152.8400 2.77%10 招港共赢 123.9500 2.24%11 邦盛聚泓 105.2632 1.91
145、%12 国经众明 62.0100 1.12%13 悦丰金创(SS)52.6316 0.95%14 赵建光 52.6316 0.95%15 彭玫 52.6316 0.95%苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-51 序号序号 股东姓名股东姓名/名称名称 持股数量持股数量 持股比例持股比例 16 金茂创投 38.2250 0.69%17 陈涛 26.3158 0.48%18 邦盛聚源 10.5263 0.19%合计合计 5,526.3158 100.00%(三)关于对赌协议及其解除的情况 截至 2021 年 12 月,发行人不存在现行有效的对赌条款。发行人历史上融资引入外部投资人股东时
146、,曾约定了股权转让限制、优先购买权、后续融资反稀释、股份回赎、业绩承诺与股权调整等股东特殊权利条款。2021 年 12 月,历次对赌协议的相关方签署了补充协议,约定上述特殊权利条款终止且自始无效,对任何一方均无法律约束力,并不因任何原因、条件重新恢复;相关各方确认协议约定的对赌触发条件未发生,该等特殊权利条款自始无效,对赌各方不存在纠纷或潜在纠纷,不存在严重影响公司持续经营能力或其他严重影响投资者权益的情形。三、发行人报告期内的重大资产重组情况 报告期内,发行人未发生重大资产重组行为。四、发行人在其他证券市场上市、挂牌情况 发行人自成立至今,未在其他证券市场上市或挂牌。五、发行人的股权结构(一
147、)股权结构图 截至本招股说明书签署日,公司股权结构如下图所示:苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-52 (二)组织架构图 截至本招股说明书签署日,公司的组织架构如下所示:六、发行人控股公司、分公司及参股公司情况 截至本招股说明书签署日,公司共有 1 家全资子公司,3 家分公司,无参股公司,具体情况如下:(一)子公司 1、基本情况、基本情况 公司名称公司名称 西安锴威半导体有限公司 统一社会信用代码统一社会信用代码 91610131MA6TX6HF1C 苏州锴威特半导体股份有限公司西安锴威半导体有限公司苏州锴威特半导体股份有限公司深圳分公司苏州锴威特半导体股份有限公司无锡分公司10
148、0%丁国华20.26%实际控制人丁国华所控制的62.93%表决权比例罗寅17.09%港鹰实业10.11%港晨芯20.26%陈锴7.24%甘化科工19.10%新工邦盛禾望投资大唐汇金招港共赢陈涛0.48%国经众明悦丰金创赵建光彭玫0.95%金茂创投0.69%邦盛聚泓邦盛聚源0.19%20.26%17.09%10.11%8.23%7.24%19.10%2.86%2.86%2.77%2.24%1.12%0.95%0.95%1.91%苏州锴威特半导体股份有限公司南京分公司苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-53 法定代表人法定代表人 丁国华 成立时间成立时间 2015 年 11月 13
149、日 注册资本注册资本 200 万元 实收资本实收资本 200 万元 注册地和主要生产经营地注册地和主要生产经营地 西安市高新区锦业路 69号创业研发园瞪羚谷 B303 室 经营范围经营范围 一般经营项目:半导体分立器件、集成电路和系统模块的设计、销售;货物与技术的进出口经营(国家限制和禁止进出口的货物和技术除外);软件设计、开发、销售。(以上经营范围除国家规定的专控及前置许可项目)在发行人业务板块中定位在发行人业务板块中定位 主要承担研发职能,为发行人业务的组成部分 股东构成及控制情况股东构成及控制情况 股东名称股东名称 持股比例持股比例 锴威特 100.00%2、最近一年财务数据、最近一年财
150、务数据 西安锴威最近一年经审计的简要财务数据如下:单位:万元 项目项目 2022 年年 12 月月 31 日日 总资产 145.62 负债 20.98 所有者权益 124.63 项目项目 2022 年度年度 营业收入 100.00 净利润 39.48 注:西安锴威已经包含在发行人合并报表的范围内,该合并财务报表已经大华会计师审计(二)分公司 1、苏州锴威特半导体股份有限公司无锡分公司、苏州锴威特半导体股份有限公司无锡分公司 统一社会信用代码统一社会信用代码 91320214MA1YN6WPXG 负责人负责人 谭在超 成立日期成立日期 2019 年 7 月 4 日 住所住所 无锡市新吴区震泽路
151、18-4 号软件园金牛座 B502、B503 室 经营范围经营范围 半导体分立器件、集成电路和系统模块的设计、测试、销售;自营和代理各类商品及技术的进出口业务;软件设计、开发、销售。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)在发行人业务板块在发行人业务板块中定位中定位 主要承担研发和销售职能 苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-54 2、苏州锴威特半导体股份有限公司深圳分公司、苏州锴威特半导体股份有限公司深圳分公司 统一社会信用代码统一社会信用代码 91440300MA5FUQH61F 负责人负责人 徐进 成立日期成立日期 2019 年 10月 15 日 住所住所
152、深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路 16 号深圳湾科技生态园11 栋 A座 2804A 经营范围经营范围 半导体分立器件、集成电路和系统模块的设计、测试、销售;自营和代理各类商品及技术的进出口业务;软件设计、开发、销售。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)在发行人业务板块在发行人业务板块中定位中定位 主要承担销售职能 3、苏州锴威特半导体股份有限公司南京分公司、苏州锴威特半导体股份有限公司南京分公司 统一社会信用代码统一社会信用代码 91320115MACJHJL982 负责人负责人 谭在超 成立日期成立日期 2023 年 6 月 1 日 住所住所 江苏省南京市江宁区胜
153、利路 89 号紫金研创中心 3 幢 4 号楼 701 室(江宁开发区)经营范围经营范围 一般项目:集成电路设计;集成电路销售;集成电路芯片及产品销售;集成电路芯片设计及服务;技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广;技术推广服务;科技推广和应用服务(除依法须经批准的项目外,凭营业执照依法自主开展经营活动)在发行人业务板块在发行人业务板块中定位中定位 主要承担研发职能 七、持有发行人 5%以上股份或表决权的主要股东及实际控制人情况(一)控股股东、实际控制人的基本情况 截至本招股说明书签署日,丁国华先生直接持有公司 20.26%股份,同时丁国华作为港晨芯的执行事务合伙人,通过港晨
154、芯间接控制公司 8.23%的表决权,根据 2019 年 2 月签署的一致行动协议,罗寅、港鹰实业、陈锴系丁国华的一致行动人,罗寅直接持有公司 17.09%的股份,港鹰实业直接持有公司 10.11%的股份,陈锴直接持有公司 7.24%的股份,因此丁国华先生直接和间接控制公司合计 62.93%的表决权,为公司的控股股东和实际控制人。其简历如下:丁国华先生,1963 年出生,中国国籍,无境外永久居留权,身份证号码为320211196310*。西安交通大学电子工程系半导体物理与器件专业学士,苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-55 东南大学半导体物理与器件专业硕士,高级工程师。1986
155、年 7 月至 1997 年 12月历任中国华晶电子集团公司双极电路总厂五分厂工程师、技术组长、技术副厂长等职,1998 年 1月至 2000 年 9月任集智达微电子(无锡)有限公司总经理,2000 年 9 月至 2003 年 4 月任无锡硅科动力技术有限公司副董事长,2003 年 6月至 2015 年 8 月历任无锡硅动力微电子股份有限公司副董事长、董事长、总经理、副总经理等职,2003 年 6 月至 2019年 1月任无锡硅动力微电子股份有限公司董事。2015 年 9 月至今历任公司总裁、董事长。曾获港城最美创新创业人才、姑苏创新创业领军人才、无锡市人民政府颁发的科学技术进步二等奖、无锡新区
156、软件企业优秀总经理、国家电子工业部(现更名为工业和信息化部)颁发的科学技术进步三等奖、江苏省科学技术厅和江苏省教育厅联合颁发的全省高校院所科技人员创新创业先进个人等奖项或荣誉称号。曾任东南大学专业学位研究生校外指导教师,现任第三代半导体产业技术创新战略联盟人才发展工作委员会副主任。(二)一致行动关系的有效期限及纠纷解决机制 2019 年 2 月,丁国华、罗寅、陈锴和港鹰实业签署一致行动协议,针对一致行动关系的有效期限及纠纷解决机制明确如下:事项事项 内容内容 一致行动关系的有效期限 在各方持有公司股权期间持续有效,若一方不再持有公司股权,则自该方不再持有公司股权发生之日起对该方不再发生法律效力
157、。纠纷解决机制 1、罗寅、陈锴和港鹰实业在收到公司召开股东会、董事会的会议通知之日 3 起日内、会议召开前,向丁国华确认表决意见,丁国华应于股东会、董事会会议召开前一天将表决意见通知其他方,由各方自己或委托其他方出席会议并按丁国华意见投票表决。2、任何与协议有关或因协议引起的争议事项,各方应当先通过友好协商方式解决。如不能协商解决,任何一方有权将争议事项提交至协议签署地有管辖权的人民法院,通过诉讼程序解决争议。3、争议未决期间,各方应继续行使和履行各自在协议项下的权利和义务。(三)其他股东不谋求控制权的承诺 除丁国华外,发行人其他股东均已出具不谋求控制权的承诺:本企业/本人认可丁国华在发行人的
158、实际控制人地位,不谋求发行人的实际控制人地位;本企业/本人未曾且将来亦不会以形成一致行动关系、委托、征集表决权、联合其他股东以及其他任何方式单独或共同谋求发行人的实际控制权,未曾且将来亦苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-56 不会协助或促使其他股东通过任何方式谋求发行人实际控制人地位。(四)控股股东和实际控制人直接或间接持有发行人的股份是否存在质押或其他有争议的情况 截至本招股说明书签署日,控股股东和实际控制人直接或间接持有发行人的股份不存在质押或其他有争议的情况。(五)其他持有发行人 5%以上股份或表决权的主要股东的基本情况 截至本招股说明书签署日,除丁国华外,其他直接持有发
159、行人 5%以上股份的主要股东有甘化科工、罗寅、港鹰实业、港晨芯、陈锴。1、甘化科工甘化科工 截至本招股说明书签署日,甘化科工直接持有公司 19.10%的股份,甘化科工系深交所上市公司(股票代码 000576),其基本情况如下:公司名称公司名称 广东甘化科工股份有限公司 统一社会信用代码统一社会信用代码 957288E 法定代表人法定代表人 黄克 成立时间成立时间 1993 年 4 月 15 日 注册资本注册资本 44,263.1734 万元 实收资本实收资本 44,263.1734 万元 注册地和主要生产经注册地和主要生产经营地营地 广东省江门市蓬江区甘化路 62 号 主
160、营业务及与发行人主营业务及与发行人主营业务的关系主营业务的关系 食糖贸易业务和预制破片、电源等军工产品的研发、生产、销售,与发行人主营业务不存在同业竞争 经营范围经营范围 经营本企业和本企业成员企业自产产品及相关技术的出口业务;经营本企业和本企业成员企业生产、科研所需的原辅材料、机械设备、仪器仪表、零配件及相关技术的进口业务(国家限定公司经营或禁止进出口的商品除外;不单列贸易方式);对外经济技术合作业务、停车场管理、物业管理。研发、生产、销售:电源变换器、电源模块、电子元器件、半导体集成电路及系统产品、计算机软硬件开发、有色金属合金、粉末冶金、食糖、纸浆、纸、酵母、酒精、建筑材料、金属材料(不
161、含金银)。机电及化工机械的制造加工,仪器仪表试验及修理;技术开发。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动。)前前五五大股东构成大股东构成(截(截至至 2023 年年 3 月末)月末)股东姓名股东姓名/名称名称 持股比例持股比例 德力西集团有限公司 41.77%冯骏 2.34%胡成中 1.43%苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-57 谢慧明 0.89%中华联合人寿保险股份有限公司-传统保险产品 0.86%合计合计 47.29%2、港鹰实业港鹰实业 截至本招股说明书签署日,港鹰实业直接持有公司 10.11%的股份,其基本情况如下:公司名称公司名称 张家港市港鹰实业有
162、限公司 统一社会信用代码统一社会信用代码 95970X0 法定代表人法定代表人 倪芬琴 成立时间成立时间 2001 年 3 月 22 日 注册资本注册资本 3,018.00 万元 实收资本实收资本 880.00 万元 注册地注册地 张家港市杨舍镇晨阳镇公园东路 28号 主要生产经营地主要生产经营地 张家港市杨舍镇晨阳街道晨中路 1号 主营业务及与发行人主营业务及与发行人主营业务的关系主营业务的关系 机械制造,与发行人主营业务不存在同业竞争 经营范围经营范围 化学纤维工业专用设备、纺织机械、机械及专用配件及器材、铸锻件、化学纤维制造、销售;皮革制品加工、销售;金属材料购销;
163、经营本企业自产产品及技术的出口业务;经营本企业生产、科研所需的原辅材料、仪器仪表、机械设备、零配件、五金电器、电线电缆、化工产品(除危险化学品)及技术的进出口业务;经营进料加工和“三来一补”业务;自营和代理各类商品及技术的进出口业务。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)许可项目:道路货物运输(不含危险货物);发电、输电、供电业务(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动,具体经营项目以审批结果为准)一般项目:产业用纺织制成品生产;产业用纺织制成品销售;汽车租赁(除依法须经批准的项目外,凭营业执照依法自主开展经营活动)股东构成股东构成 股东股东姓名姓名 持股比例持
164、股比例 倪芬琴 70.00%陈锴 30.00%合计合计 100.00%3、自然人股东、自然人股东 截至本招股说明书签署日,其他持有发行人 5%以上股份或表决权的自然人股东如下:苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-58 序号序号 股东股东姓名姓名 直接直接持股数持股数(万股)(万股)直接持股直接持股 比例比例 国籍国籍 是否拥有永久是否拥有永久境外居留权境外居留权 身份证号码身份证号码 1 罗寅 944.5671 17.09%中国 否 320582198611*2 陈锴 400.3350 7.24%中国 否 320582199106*4、港晨芯、港晨芯 港晨芯为公司员工持股平台,截
165、至本招股说明书签署日,港晨芯直接持有公司 8.23%的股份,其基本情况如下:公司名称公司名称 苏州港晨芯企业管理合伙企业(有限合伙)统一社会信用代码统一社会信用代码 91320582MA22AW24X8 执行事务合伙人执行事务合伙人 丁国华 成立时间成立时间 2020 年 8 月 28 日 住所住所 张家港市杨舍镇沙洲湖科创园 A1 幢 1231 室 主营业务及与发行人主营业务及与发行人主营业务的关系主营业务的关系 企业管理,与发行人主营业务不存在同业竞争 经营范围经营范围 一般项目:企业管理(除依法须经批准的项目外,凭营业执照依法自主开展经营活动)港晨芯的合伙人均为发行人员工,具体出资构成如
166、下:序号序号 出资人姓名出资人姓名 出资额(万元)出资额(万元)出资比例出资比例(%)出资人类型出资人类型 1 丁国华 200.0000 20.00 普通合伙人 2 罗寅 354.7025 35.47 有限合伙人 3 谭在超 200.0000 20.00 有限合伙人 4 张辉 59.3994 5.94 有限合伙人 5 叶昆 54.9995 5.50 有限合伙人 6 张胜 17.5998 1.76 有限合伙人 7 张瑰艳 13.1999 1.32 有限合伙人 8 朱国夫 10.9999 1.10 有限合伙人 9 徐进 10.9999 1.10 有限合伙人 10 张丽莎 8.7999 0.88 有
167、限合伙人 11 黄琦 7.6999 0.77 有限合伙人 12 李云涛 6.5999 0.66 有限合伙人 13 涂才根 6.5999 0.66 有限合伙人 14 邹望杰 4.3999 0.44 有限合伙人 15 刘娟娟 4.3999 0.44 有限合伙人 16 尹清秀 4.3999 0.44 有限合伙人 苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-59 序号序号 出资人姓名出资人姓名 出资额(万元)出资额(万元)出资比例出资比例(%)出资人类型出资人类型 17 江海波 4.3999 0.44 有限合伙人 18 张海滨 4.3999 0.44 有限合伙人 19 邵新慧 2.2000 0.
168、22 有限合伙人 20 冯洁 2.2000 0.22 有限合伙人 21 袁妤婷 2.2000 0.22 有限合伙人 22 黄怀宙 2.2000 0.22 有限合伙人 23 胥兰兰 2.2000 0.22 有限合伙人 24 史珺 2.2000 0.22 有限合伙人 25 陈朝勇 2.2000 0.22 有限合伙人 26 肖会明 2.2000 0.22 有限合伙人 27 盛康康 2.2000 0.22 有限合伙人 28 赵越 2.2000 0.22 有限合伙人 29 张超 2.2000 0.22 有限合伙人 30 钱文彬 2.2000 0.22 有限合伙人 合计合计 1,000.0000 100.
169、00-八、特别表决权股份或类似安排的情况 截至本招股说明书签署日,发行人不存在特别表决权股份或类似安排的情况。九、协议控制架构的情况 截至本招股说明书签署日,发行人不存在协议控制架构的情况。十、控股股东、实际控制人报告期内是否存在贪污、贿赂、侵占财产、挪用财产或者破坏社会主义市场经济秩序的刑事犯罪,是否存在欺诈发行、重大信息披露违法或者其他涉及国家安全、公共安全、生态安全、生产安全、公众健康安全等领域的重大违法行为 报告期内,发行人控股股东、实际控制人不存在贪污、贿赂、侵占财产、挪用财产或者破坏社会主义市场经济秩序的刑事犯罪,不存在欺诈发行、重大信息披露违法或者其他涉及国家安全、公共安全、生态
170、安全、生产安全、公众健康安全等领域的重大违法行为。苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-60 十一、发行人股本情况(一)本次发行前后公司股本情况 发行人本次发行前的总股本为 5,526.3158 万股,如本次公开发行股票数量为 1,842.1053 万股,占发行后总股本的 25.00%,本次发行前后股本结构预计如下:序号序号 股东姓名股东姓名/名称名称 发行前发行前 发行后发行后 持股数量持股数量(万股)(万股)比例(比例(%)持股数量持股数量(万股)(万股)比例(比例(%)1 丁国华 1,119.8042 20.26 1,119.8042 15.20 2 甘化科工 1,055.5
171、216 19.10 1,055.5216 14.32 3 罗寅 944.5671 17.09 944.5671 12.82 4 港鹰实业 558.7234 10.11 558.7234 7.58 5 港晨芯 454.5500 8.23 454.5500 6.17 6 陈锴 400.3350 7.24 400.3350 5.43 7 新工邦盛 157.8947 2.86 157.8947 2.14 8 禾望投资 157.8947 2.86 157.8947 2.14 9 大唐汇金 152.8400 2.77 152.8400 2.07 10 招港共赢 123.9500 2.24 123.9500
172、 1.68 11 邦盛聚泓 105.2632 1.91 105.2632 1.43 12 国经众明 62.0100 1.12 62.0100 0.84 13 悦丰金创(SS)52.6316 0.95 52.6316 0.71 14 赵建光 52.6316 0.95 52.6316 0.71 15 彭玫 52.6316 0.95 52.6316 0.71 16 金茂创投 38.2250 0.69 38.2250 0.52 17 陈涛 26.3158 0.48 26.3158 0.36 18 邦盛聚源 10.5263 0.19 10.5263 0.14 19 公司新股预计发行数量-1,842.10
173、53 25.00 合计合计 5,526.3158 100.00 7,368.4211 100.00(二)本次发行前的前十名股东情况 本次发行前,本公司前十名股东及持股情况如下:序号序号 股东姓名股东姓名 持股数量持股数量(万股)(万股)持股比例持股比例 苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-61 序号序号 股东姓名股东姓名 持股数量持股数量(万股)(万股)持股比例持股比例 1 丁国华 1,119.8042 20.26%2 甘化科工 1,055.5216 19.10%3 罗寅 944.5671 17.09%4 港鹰实业 558.7234 10.11%5 港晨芯 454.5500 8.
174、23%6 陈锴 400.3350 7.24%7 新工邦盛 157.8947 2.86%8 禾望投资 157.8947 2.86%9 大唐汇金 152.8400 2.77%10 招港共赢 123.9500 2.24%合计合计 5,126.0807 92.76%(三)本次发行前的前十名自然人股东及其在发行人处任职的情况 本次发行前,公司自然人股东共计 6 名,具体持股及其在本公司任职情况如下:序号序号 股东股东姓名姓名 持股数持股数量量(万股)(万股)比例比例 在本公司任职在本公司任职 1 丁国华 1,119.8042 20.26%董事长 2 罗寅 944.5671 17.09%董事、总经理 3
175、陈锴 400.3350 7.24%董事 4 赵建光 52.6316 0.95%-5 彭玫 52.6316 0.95%-6 陈涛 26.3158 0.48%-合计合计 2,596.2853 46.97%(四)发行人股本中国有股份或外资股份情况 1、国有股份、国有股份 截至本招股说明书签署日,发行人现有股东中有 1 名应标注“SS”(国有股东)标识,具体如下:序号序号 股东名称股东名称 持股数持股数量量(万万股)股)持股比例持股比例 批复文件批复文件 1 悦丰金创(SS)52.6316 0.95%已取得 合计合计 52.6316 0.95%-根据江苏省政府国有资产监督管理委员会于 2022 年 6
176、 月 13 日出具的江苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-62 苏省国资委关于苏州锴威特半导体股份有限公司国有股东标识管理事项的批复,发行人如在境内发行股票并上市,悦丰金创在中国证券登记结算有限责任公司登记的证券账户标注“SS”。2、外资外资股份股份 本次发行前,发行人股本中无外资股份。(五)发行人申报前十二个月新增股东的情况 1、增资方式、增资方式 发行人申报前十二个月以增资方式新增股东的情况如下:序序号号 股东名称股东名称 认缴注册资本认缴注册资本(万元)(万元)增资价格增资价格(元(元/股)股)定价依据定价依据 入股原因入股原因 取得股取得股份份时间时间 1 新工邦盛 15
177、7.8947 19.00 基于发行人发展情况与市场价格协商确定 看好发行人所处行业及发行人未来成长性 2021 年10 月 2 邦盛聚泓 105.2632 19.00 3 禾望投资 157.8947 19.00 4 悦丰金创(SS)52.6316 19.00 注:上表取得股份时间为完成工商变更登记之日 2、股份转让方式、股份转让方式 发行人申报前十二个月以股份转让方式新增股东的情况如下:序序号号 受让方受让方 转让方转让方 转让出资额转让出资额(万元)(万元)转让价格转让价格(元(元/股)股)定价依据定价依据 入股原因入股原因 取得股取得股份份时间时间 1 招港共赢 招港投资 123.9500
178、 10.34 基 于 前 次外 部 融 资定价确定 招港内部持股 安 排 调整,变更投资主体 2021 年8 月 2 陈涛 丁国华 26.3158 19.00 基 于 发 行人 发 展 情况 与 市 场价 格 协 商确定 看好发行人所处行业及发行人未来成长性 2021 年9 月 3 邦盛聚源 罗寅 10.5263 19.00 4 赵建光 52.6316 19.00 5 彭玫 港鹰实业 52.6316 19.00 注:上表取得股份时间为股份转让款支付日 3、新增股东基本情况、新增股东基本情况(1)禾望投资基本情况 禾望投资为上交所上市公司禾望电气(股票代码 603063)的全资子公司,截至本招股
179、说明书签署日,禾望投资直接持有公司 2.86%的股份,其基本情况苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-63 如下:名称名称 深圳市禾望投资有限公司 统一社会信用代码统一社会信用代码 91440300MA5GJY293U 注册资本注册资本 100 万元 企业类型企业类型 有限责任公司(法人独资)住所住所 深圳市南山区西丽街道新围社区官龙第二工业区 11 栋三层 法定代表人法定代表人 刘济洲 成立日期成立日期 2020 年 12月 29 日 经营范围经营范围 一般经营项目是:投资咨询(不含限制项目);投资顾问(不含限制项目)。许可经营项目是:无 实际控制人实际控制人 韩玉 股东构成股东
180、构成 股东名称股东名称 出资出资比例(比例(%)深圳市禾望电气股份有限公司 100.00 合计合计 100.00(2)悦丰金创基本情况 截至本招股说明书签署日,悦丰金创直接持有公司 0.95%的股份,其基本情况如下:名称名称 张家港市悦丰金创投资有限公司 统一社会信用代码统一社会信用代码 91320582MA1R9Q2Y46 注册资本注册资本 270,000.00 万元 企业类型企业类型 有限责任公司 住所住所 张家港市杨舍镇国泰南路 9 号主楼 2010 室 法定代表人法定代表人 席国平 成立日期成立日期 2017 年 10月 11 日 经营范围经营范围 利用自有资金从事股权投资,投资管理、
181、投资咨询。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)实际控制人实际控制人 张家港经济技术开发区管理委员会 股东构成股东构成 股东名称股东名称 出资出资比例(比例(%)张家港经开区控股集团有限公司 72.22 张家港市悦丰投资开发建设有限公司 27.78 合计合计 100.00(3)招港共赢基本情况 截至本招股说明书签署日,招港共赢直接持有公司 2.24%的股份,其基本苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-64 情况如下:企业名称企业名称 张家港市招港共赢企业管理合伙企业(有限合伙)注册资本注册资本 10,010.00 万元 统一社会信用代码统一社会信用代码 91320
182、582MA213WF51K 执行事务合伙人执行事务合伙人(基金管理人)(基金管理人)深圳市招商国协壹号股权投资基金管理有限公司 成立时间成立时间 2020 年 3 月 27 日 企业类型企业类型 有限合伙企业 住所住所 张家港市杨舍镇暨阳湖商业街 1 幢 B1-063 号 经营范围经营范围 一般项目:企业管理;信息咨询服务(不含许可类信息咨询服务)(除依法须经批准的项目外,凭营业执照依法自主开展经营活动)权益结构权益结构 合伙人名称合伙人名称 出资额(万元)出资额(万元)权益占比(权益占比(%)张家港市招商产业资本投资管理有限公司 10,000.00 99.90 深圳市招商国协壹号股权投资基金
183、管理有限公司 10.00 0.10 合计合计 10,010.00 100.00 招港共赢的普通合伙人为深圳市招商国协壹号股权投资基金管理有限公司,该普通合伙人的基本情况如下:公司名称公司名称 深圳市招商国协壹号股权投资基金管理有限公司 法定代表人法定代表人 王一岗 成立时间成立时间 2016 年 10月 31 日 注册资本注册资本 1,000.00 万元 注册地址注册地址 深圳市前海深港合作区前湾一路 1 号 A 栋 201 室(入驻深圳市前海商务秘书有限公司)经营范围经营范围 一般经营项目是:受托资产管理、投资管理(不得从事信托、金融资产管理、证券资产管理及其他限制项目);受托管理股权投资基
184、金(不得从事证券投资活动;不得以公开方式募集资金开展投资活动;不得从事公开募集基金管理业务);股权投资;投资兴办实业(具体项目另行申报);投资咨询(不含限制项目)。(以上各项涉及法律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外,限制的项目须取得许可后方可经营)股东构成股东构成 招商局资本管理有限责任公司持股 100%(4)邦盛聚源基本情况 截至本招股说明书签署日,邦盛聚源直接持有公司 0.19%的股份,其基本情况如下:企业名称企业名称 南京邦盛聚源投资管理合伙企业(有限合伙)注册资本注册资本 300.10 万元 统一社会信用代码统一社会信用代码 930224C 执行事务合伙人执行
185、事务合伙人(基金管理人)(基金管理人)南京邦盛投资管理有限公司 成立时间成立时间 2014 年 9 月 12 日 企业类型企业类型 有限合伙企业 苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-65 住所住所 南京市建邺区白龙江东街 9 号 B2 幢北楼 19 层 经营范围经营范围 实业投资;投资管理。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)权益结构权益结构 合伙人姓名合伙人姓名/名称名称 出资额(万元)出资额(万元)权益占比(权益占比(%)南京邦盛聚鸿创业投资合伙企业(有限合伙)200.00 66.64 陈林 10.00 3.33 徐涵 10.00 3.33 赵楷 10.0
186、0 3.33 彭玉萍 10.00 3.33 郜翀 10.00 3.33 姬磊 10.00 3.33 丁炜鉴 10.00 3.33 凌明圣 10.00 3.33 王传禄 10.00 3.33 郭小鹏 10.00 3.33 南京邦盛投资管理有限公司 0.10 0.03 合计合计 300.10 100.00 邦盛聚源的普通合伙人为南京邦盛投资管理有限公司,该普通合伙人的基本情况如下:公司名称公司名称 南京邦盛投资管理有限公司 法定代表人法定代表人 郜翀 成立时间成立时间 2014 年 1 月 29 日 注册资本注册资本 1,000.00 万元 注册地址注册地址 南京市建邺区白龙江东街 9 号 B2
187、幢北楼 19 层 经营范围经营范围 投资管理。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)股东构成股东构成 郜翀持股 44.62%,凌明圣持股 33.85%,郭小鹏持股 21.53%(5)新工邦盛基本情况 截至本招股说明书签署日,新工邦盛直接持有公司 2.86%的股份,其基本情况如下:企业名称企业名称 江苏疌泉新工邦盛创业投资基金合伙企业(有限合伙)注册资本注册资本 40,415.00 万元 统一社会信用代码统一社会信用代码 91320100MA1P2EEJ50 执行事务合伙人执行事务合伙人(基金管理人)(基金管理人)南京邦盛新工股权投资基金管理有限公司 苏州锴威特半导体股份有限公
188、司 招股说明书 1-1-66 成立时间成立时间 2017 年 5 月 23 日 企业类型企业类型 有限合伙企业 住所住所 南京市建邺区河西大街 198 号三单元 1001 室 经营范围经营范围 创业投资;股权投资。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)权益结构权益结构 合伙人名称合伙人名称 出资额(万元)出资额(万元)权益占比(权益占比(%)南京邦盛聚信创业投资基金合伙企业(有限合伙)15,010.00 37.14 南京新工投资集团有限责任公司 15,000.00 37.11 江苏省政府投资基金(有限合伙)10,000.00 24.74 南京邦盛新工股权投资基金管理有限公司
189、405.00 1.00 合计合计 40,415.00 100.00 新工邦盛的普通合伙人为南京邦盛新工股权投资基金管理有限公司,该普通合伙人的基本情况如下:公司名称公司名称 南京邦盛新工股权投资基金管理有限公司 法定代表人法定代表人 郜翀 成立时间成立时间 2016 年 10月 18 日 注册资本注册资本 500.00 万元 注册地址注册地址 南京市建邺区河西大街 198 号三单元 10 层 1001 室 经营范围经营范围 投资与资本管理;受托管理私募股权投资基金。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)股东构成股东构成 南京邦盛投资管理有限公司持股 65.00%,南京新工新兴
190、产业投资管理有限公司持股 35.00%(6)邦盛聚泓基本情况 截至本招股说明书签署日,邦盛聚泓直接持有公司 1.91%的股份,其基本情况如下:企业名称企业名称 徐州邦盛聚泓股权投资合伙企业(有限合伙)注册资本注册资本 20,000.00 万元 统一社会信用代码统一社会信用代码 91320301MA25GA755T 执行事务合伙人执行事务合伙人(基金管理人)(基金管理人)南京邦盛投资管理有限公司 成立时间成立时间 2021 年 3 月 22 日 企业类型企业类型 有限合伙企业 住所住所 徐州经济技术开发区金龙湖科技金融广场 A座 10 楼 1010 室 经营范围经营范围 一般项目:股权投资;以私
191、募基金从事股权投资、投资管理、资产管理等活动(须在中国证券投资基金业协会完成登记备案后方可从事经营活动)(除依法须经批准的项目外,凭营业执照依法自主开展经营活动)权益结构权益结构 合伙人姓名合伙人姓名/名称名称 出资额(万元)出资额(万元)权益占比(权益占比(%)苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-67 徐州臻心创业投资有限公司 6,000.00 30.00 邳州经开产业投资基金合伙企业(有限合伙)6,000.00 30.00 江苏徐州老工业基地产业发展基金(有限合伙)3,800.00 19.00 许为民 2,000.00 10.00 南京邦盛投资管理合伙企业(有限合伙)2,00
192、0.00 10.00 南京邦盛投资管理有限公司 200.00 1.00 合计合计 20,000.00 100.00 邦盛聚泓的普通合伙人为南京邦盛投资管理有限公司,该普通合伙人的基本情况如下:公司名称公司名称 南京邦盛投资管理有限公司 法定代表人法定代表人 郜翀 成立时间成立时间 2014 年 1 月 29 日 注册资本注册资本 1,000.00 万元 注册地址注册地址 南京市建邺区白龙江东街 9 号 B2 幢北楼 19 层 经营范围经营范围 投资管理。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)股东构成股东构成 郜翀持股 44.62%,凌明圣持股 33.85%,郭小鹏持股 21.
193、53%(7)自然人股东基本情况 发行人申报前十二个月新增自然人股东基本情况如下:序号序号 股东股东姓名姓名 持股数持股数量量(万股)(万股)持股持股 比例比例 国籍国籍 是否拥有永久是否拥有永久境外居留权境外居留权 身份证号码身份证号码 1 赵建光 52.6316 0.95%中国 否 330323197104*2 彭玫 52.6316 0.95%中国 否 5*3 陈涛 26.3158 0.48%中国 否 340103197110*4、新增股东与发行人其他股东、董事、监事、高级管理人员的关联关系、新增股东与发行人其他股东、董事、监事、高级管理人员的关联关系 发行人申报前十二
194、个月新增股东与发行人其他股东、董事、监事、高级管理人员的关联关系如下:(1)招港共赢的员工戴明亮担任发行人监事;(2)邦盛聚泓、邦盛聚源的执行事务合伙人均为南京邦盛投资管理有限公司,该公司为新工邦盛执行事务合伙人的控股股东;邦盛聚泓、邦盛聚源、新苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-68 工邦盛共同提名的姬磊担任发行人的董事;(3)彭玫为甘化科工董事冯骏的配偶,且冯骏持有甘化科工 2.34%的股份,按照上市公司收购管理办法第八十三条规定,甘化科工和彭玫为一致行动人;(4)大唐汇金的执行事务合伙人南京大唐泰科投资管理有限公司与悦丰金创、金茂创投共同投资设立张家港悦金产业投资基金合伙企
195、业(有限合伙),南京大唐泰科投资管理有限公司担任执行事务合伙人;(5)悦丰金创的控股股东张家港经开区控股集团有限公司同时为发行人股东大唐汇金的有限合伙人,持有大唐汇金 19%的合伙份额。5、新增股东与本次发行的中介机构及其负责人、高级管理人员、经办人员、新增股东与本次发行的中介机构及其负责人、高级管理人员、经办人员的关联关系的关联关系 截至本招股说明书签署日,新增股东与本次发行的中介机构及其负责人、高级管理人员、经办人员均不存在关联关系。6、新增股东是否存在股份代持情形、新增股东是否存在股份代持情形 截至本招股说明书签署日,新增股东不存在股份代持情形。(六)本次发行前各股东之间的关联关系 截至
196、本招股说明书签署日,本次发行前发行人各直接股东间的关联关系及关联股东的各自直接持有发行人的股权比例如下:单位:万股 序号序号 股东股东姓名姓名/名称名称 持股数量持股数量 直接直接持股持股比例比例 关联关系关联关系 1 丁国华 1,119.8042 20.26%罗寅、港鹰实业、陈锴系丁国华的一致行动人;丁国华担任港晨芯的执行事务合伙人并持有20%合伙份额,罗寅为港晨芯有限合伙人并持有 35.47%合伙份额;陈锴持有港鹰实业 30%的股权并担任副总经理、监事。港晨芯 454.5500 8.23%罗寅 944.5671 17.09%港鹰实业 558.7234 10.11%陈锴 400.3350 7
197、.24%合计合计 3,477.9797 62.93%2 新工邦盛 157.8947 2.86%邦盛聚泓、邦盛聚源的执行事务合伙人均为南京邦盛投资管理有限公司,同时南京邦盛投资邦盛聚泓 105.2632 1.91%苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-69 序号序号 股东股东姓名姓名/名称名称 持股数量持股数量 直接直接持股持股比例比例 关联关系关联关系 邦盛聚源 10.5263 0.19%管理有限公司为新工邦盛的执行事务合伙人的控股股东,三者系一致行动人。合计合计 273.6842 4.96%3 甘化科工 1,055.5216 19.10%彭玫为甘化科工董事冯骏的配偶,且冯骏持有甘
198、化科工 2.34%的股份,按照上市公司收购管理办法第八十三条规定,甘化科工和彭玫为一致行动人。彭玫 52.6316 0.95%合计合计 1,108.1532 20.05%4 大唐汇金 152.8400 2.77%大唐汇金的执行事务合伙人南京大唐泰科投资管理有限公司、悦丰金创、金茂创投共同投资设立张家港悦金产业投资基金合伙企业(有限合伙),南京大唐泰科投资管理有限公司担任执行事务合伙人;大唐汇金的有限合伙人张家港创新投资集团有限公司同时也持有金茂创投 10%的股权;悦丰金创的控股股东张家港经开区控股集团有限公司同时为发行人股东大唐汇金的有限合伙人,持有大唐汇金 19%的合伙份额。悦丰金创(SS)
199、52.6316 0.95%金茂创投 38.2250 0.69%合计合计 243.6966 4.41%发行人员工持股平台港晨芯各个股东间的关联关系及关联股东的各自持有港晨芯的出资额比例如下:序号序号 股东股东姓名姓名 出资额(万元)出资额(万元)出资比例出资比例(%)关联关系关联关系 1 丁国华 200.0000 20.00 丁国华与徐进系继父子关系 徐进 10.9999 1.10 合计合计 210.9999 21.10 2 谭在超 200.0000 20.00 谭在超和张丽莎系夫妻关系 张丽莎 8.7999 0.88 合计合计 208.7999 20.88 除上述情况外,发行人股东之间不存在其
200、他关联关系。(七)股东公开发售股份的情况 本次公开发行股份不涉及发行人股东公开发售股份的情形。(八)申报时存在私募投资基金等金融产品股东的情况 截至本招股说明书签署日,公司股东中有 12 位机构股东,其中甘化科工、港鹰实业、禾望投资、悦丰金创、金茂创投为公司制股东,金茂创投为私募投资基金管理人且已办理私募投资基金管理人登记(登记编号:P1061541);港晨芯为发行人员工持股平台;邦盛聚源系为满足南京邦盛投资管理有限公司体苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-70 系内受托管理基金的内部跟投机制所设,为南京邦盛投资管理有限公司体系内经营管理人员出资设立的投资平台;招港共赢出资来源为
201、自有资金。甘化科工、港鹰实业、禾望投资、悦丰金创、港晨芯、邦盛聚源、招港共赢均不存在以非公开方式向合格投资者募集资金设立的情形,亦不存在委托其他任何管理机构管理资产的情形或行为,不属于私募投资基金监督管理暂行办法和私募投资基金管理人登记和基金备案办法(试行)所定义的私募投资基金,无需办理私募投资基金备案或私募投资基金管理人登记手续;金茂创投不属于私募投资基金,但属于私募投资基金管理人且已办理了私募投资基金管理人登记。新工邦盛、大唐汇金、邦盛聚泓、国经众明均属于证券投资基金法私募投资基金监督管理暂行办法和私募投资基金管理人登记和基金备案办法(试行)规定的私募投资基金,均已履行了私募投资基金登记备
202、案程序,具体情况如下:机构股东机构股东 基金编号基金编号 基金备案时间基金备案时间 基金管理人基金管理人 管理人登管理人登记编号记编号 管理人登管理人登记时间记时间 新工邦盛 SX9307 2017.11.2 南京邦盛新工股权投资基金管理有限公司 P1061949 2017.3.22 大唐汇金 SK7594 2016.7.28 南京大唐泰科投资管理有限公司 P1022511 2015.9.2 邦盛聚泓 SQH860 2021.5.17 南京邦盛投资管理有限公司 P1066390 2017.12.19 国经众明 SS3664 2017.3.23 无锡国经投资管理有限公司 P1020623 201
203、5.8.13 十二、董事、监事、高级管理人员及核心技术人员的简要情况(一)董事会成员 公司董事由股东大会选举产生,任期为 3 年,任期届满可连选连任。公司本届董事会由 9 名董事组成,其中 3名为独立董事。现任董事基本情况如下:序号序号 姓名姓名 在公司担任的董事职务在公司担任的董事职务 提名人提名人 任职期限任职期限 1 丁国华 董事长 丁国华 2022.6.20-2025.6.24 2 罗寅 董事 丁国华 2022.6.20-2025.6.24 3 陈锴 董事 丁国华 2022.6.20-2025.6.24 4 司景喆 董事 甘化科工 2022.6.20-2025.6.24 5 姬磊 董事
204、 新工邦盛、2022.6.20-2025.6.24 苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-71 序号序号 姓名姓名 在公司担任的董事职务在公司担任的董事职务 提名人提名人 任职期限任职期限 邦盛聚泓、邦盛聚源 6 谭在超 董事 丁国华 2022.6.20-2025.6.24 7 秦舒 独立董事 丁国华 2022.6.20-2025.6.24 8 苏中一 独立董事 丁国华 2022.6.20-2025.6.24 9 朱光忠 独立董事 丁国华 2022.6.20-2025.6.24 上述各位董事简历如下:丁国华先生简历参见本节“七、持有发行人 5%以上股份或表决权的主要股东及实际控制人
205、情况”之“(一)控股股东、实际控制人的基本情况”。罗寅先生,1986 年出生,中国国籍,无境外永久居留权。东南大学信息工程学士、集成电路工程领域工程硕士,西安电子科技大学电子科学与技术博士在读。2008 年 7 月至 2009 年 12 月任江苏新志光电集成有限公司 IC 工程师,2010 年 1 月至 2012 年 12 月任南京矽志微电子有限公司技术总监,2013 年 1 月至 2014 年 12 月任苏州芯通微电子有限公司项目经理。2015 年 1 月至今任公司总经理、董事。曾获张家港市领军型创业人才、张家港市十大杰出青年、苏州市“三新四创”好青年和苏州市“青年创业之星”等奖项或荣誉称号
206、。陈锴先生,1991 年出生,中国国籍,无境外永久居留权。曼彻斯特大学财务金融学士,曼彻斯特大学运营、项目与供应链管理硕士。2012 年 12 月至2013 年 10 月任中科招商投资管理集团有限公司副总裁秘书,2013 年 10 月至今任张家港市港鹰实业有限公司副总经理、监事,2017 年 4 月至今任张家港保税区邦钇宏国际贸易有限公司监事。2017年 7月至今任公司董事。司景喆先生,1990 年出生,中国国籍,无境外永久居留权。复旦大学飞行器设计专业学士、飞行器设计专业硕士。2015年 9 月至 2018 年 6月任国金证券股份有限公司机械军工行业研究员,2018年 6 月至 2023年
207、3 月历任甘化科工总裁助理、投资总监、董事会秘书。2020年 10月至今任公司董事。姬磊先生,1982 年出生,中国国籍,无境外永久居留权。南京邮电大学电子科学与技术学士,南京邮电大学光学工程硕士。2007年 5 月至 2011年 9月任中国移动通信集团江苏有限公司南京分公司工程师,2011年 9月至 2014年 2月任江苏高科技投资集团有限公司投资经理,2014 年 2 月至今任江苏邦盛股权投苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-72 资基金管理有限公司投资总监。2021年 9月至今任公司董事。谭在超先生,1981 年出生,中国国籍,无境外永久居留权。西安交通大学电子科学与技术专
208、业学士。2004 年 7 月至 2007 年 10 月任无锡华润晶芯半导体有限公司工艺整合工程师,2007 年 11 月至 2012年 10月任无锡硅动力微电子股份有限公司研发部经理,2012 年 11 月至 2014 年 3 月任无锡中星微电子有限公司线路设计高级工程师,2014 年 4 月至 2015年 2月任无锡迈尔斯通集成电路有限公司研发经理。2015 年 3 月至 2017 年 7 月任公司研发部总经理,2017 年 7月至 2019年 1月任公司研发部总经理、监事,2019 年 1 月至 2021年 10月任公司研发部总经理、董事,2021 年 10 月至今任公司副总经理兼研发部总
209、经理、董事。秦舒先生,1956 年出生,中国国籍,无境外永久居留权。西北电讯工程学院(现更名为西安电子科技大学)半导体物理与器件专业学士,研究员级高级工程师。1982 年 7月至 1991年 2月任中国华晶电子集团公司双极电路总厂五分厂技术员、工程师,1991 年 3 月至 1995年 2月中国华晶电子集团公司硅材料工厂副厂长,1995 年 3月至 2001 年 2月任中国华晶电子集团公司硅材料工厂厂长,2001 年 3 月至 2005 年 5 月任无锡华晶微电子股份有限公司副总经理。2005 年6 月至 2010 年 9 月任中国华晶电子集团进出口有限公司总经理。2010 年 10 月至 2
210、012 年 7 月任江苏晶鼎电子材料有限公司常务副总经理。2012 年 8 月至2023 年 4 月任华进半导体封装先导技术研发中心有限公司副总经理,2018 年 3月至今任江苏省半导体行业协会秘书长。2021年 9月至今任公司独立董事。苏中一先生,1957 年出生,中国国籍,无境外永久居留权。吉林大学经济系政治经济学学士,西北大学企业管理硕士班结业,财政部财政科研所(现更名为中国财政科学研究院)财政学专业企业财务会计管理方向博士研究生,高级经济师,中央财经大学校外硕士生导师。1992年 7 月至 1994 年 3月任国务院发展研究中心宏观经济研究部咨询研究员,1994年 4 月至 1997年
211、 7月任财政部办公厅主任科员、信息处副处长、综合处处长,1997年 8 月至 2000年 3月任平安证券咨询部总经理兼平安保险集团战略与投资决策委员会委员,2000 年 3 月至 2002年 9月任西南证券研发中心经理,2002 年 10月至 2004年 3月任北京富勤国际企业管理咨询有限公司副总经理,2004年 4 月至 2006 年 9月任中嘉会计苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-73 师事务所副总经理兼北京中嘉德投资管理咨询有限公司副总经理,2006 年 10月至今任中审亚太会计师事务所(特殊普通合伙)总咨询师、管理部主任。2021 年 9月至今任公司独立董事。朱光忠先生
212、,1974 年出生,中国国籍,无境外永久居留权。北京大学法学学士,河北工业大学高级管理人员工商管理硕士,执业律师。1993 年 8 月至2001 年 4 月任芜湖红杨中心学校教师,2001 年 4 月至 2008 年 7 月任浙江天白律师事务所律师,2008 年 7 月至 2010 年 4 月任上海明泰律师事务所律师,2010 年 4 月至 2015 年 10 月任上海佳通律师事务所律师,2015 年 10 月至 2023年 3 月任上海金茂凯德律师事务所合伙人,2023 年 3 月至今任上海德禾翰通律师事务所全国管委会委员。2021 年 9月至今任公司独立董事。(二)监事会成员 公司监事由股
213、东大会和职工代表大会选举产生,任期为 3 年,任期届满可连选连任。公司本届监事会由 3 名监事组成,其中 1名为职工代表监事。现任监事基本情况如下:序号序号 姓名姓名 在公司担任的监事职务在公司担任的监事职务 提名人提名人 任职期限任职期限 1 黄怀宙 监事会主席、职工监事 职工代表大会选举产生 2022.6.20-2025.6.24 2 戴明亮 监事 招港投资 2022.6.20-2025.6.24 3 孙新卫 监事 国经众明 2022.6.20-2025.6.24 上述各位监事简历如下:黃怀宙先生,1983 年出生,中国国籍,无境外永久居留权。毕业于江苏大学会计专业。2005 年 5 月至
214、 2015 年 11 月任无锡意昂数字技术有限公司生产计划部部长,2015 年 11月至今任公司销售总监。2019 年 1月至今任公司监事。戴明亮先生,1986 年出生,中国国籍,无境外永久居留权。安徽财经大学会计学学士。2009 年 7 月至 2012 年 12 月任深圳市招商创业有限公司财务部职员,2013 年 1 月至 2013 年 6 月任招商局蛇口工业区有限公司财务部主管,2013 年 7 月至 2014 年 7 月任深圳市招商局科技投资有限公司财务部主管,2014 年 8 月至 2018 年 6 月任招商局资本管理有限责任公司财务部高级经理,2018 年 7 月至今任张家港市招商产
215、业资本投资管理有限公司高级投资经理。苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-74 2020 年 10月至今任公司监事。孙新卫先生,1966 年出生,中国国籍,无境外永久居留权。毕业于南京大学工商管理专业。1987 年 8月至 1994年 2月任江苏太湖耐火材料股份有限公司主办会计,1994 年 3 月至 2010 年 12 月任江苏公证天业会计师事务所有限公司合伙人,2011 年 1 月至 2015 年 12 月任远程电缆股份有限公司董事会秘书,2016 年 1 月至今历任无锡国经投资管理有限公司董事、副总经理。2019 年 1 月至今任公司监事。(三)高级管理人员 公司高级管理人员
216、基本情况如下:序号序号 姓名姓名 在公司担任的职务在公司担任的职务 1 罗寅 董事、总经理 2 谭在超 董事、副总经理、研发部总经理 3 严泓 董事会秘书 4 刘娟娟 财务总监 上述各位高级管理人员简历如下:罗寅先生简历参见本节“十二、董事、监事、高级管理人员及核心技术人员的简要情况”之“(一)董事会成员”。谭在超先生简历参见本节“十二、董事、监事、高级管理人员及核心技术人员的简要情况”之“(一)董事会成员”。严泓女士,1990 年出生,中国国籍,无境外永久居留权。澳大利亚南澳大学人力资源管理学士,澳大利亚阿德莱德大学应用金融硕士。2013 年 9 月至2015 年 3 月任无锡透平叶片有限公
217、司人力资源专员,2015 年 4 月至 2015 年 6月任无锡航亚科技股份有限公司人力资源主管,2015年 7 月至 2020年 4月任无锡紫光微电子有限公司人事行政部经理、监事,2020年 9 月至 2021年 5月任唯道管理咨询(无锡)有限公司高级咨询顾问,2021 年 5 月至 2021 年 10 月任公司董事长助理,2021 年 10月至今任公司董事会秘书。刘娟娟女士,1982 年出生,中国国籍,无境外永久居留权。南京理工大学会计学学士。2004 年 7月至 2009 年 4月任无锡硅动力微电子股份有限公司会计,苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-75 2010 年 1
218、2 月至 2017 年 1 月任张家港保税区和旭新材料贸易有限公司会计,2017 年 2 月至 2021 年 9 月任公司财务经理,2021 年 10 月至今任公司财务总监。(四)核心技术人员 公司核心技术人员共 4 位,具体名单如下:序号序号 姓名姓名 在公司担任的职务在公司担任的职务 1 丁国华 董事长 2 罗寅 董事、总经理 3 谭在超 董事、副总经理、研发部总经理 4 张胜 IC 研发总监 上述各位核心技术人员简历如下:丁国华先生简历参见本节“七、持有发行人 5%以上股份或表决权的主要股东及实际控制人情况”之“(一)控股股东、实际控制人的基本情况”。罗寅先生、谭在超先生简历参见本节“十
219、二、董事、监事、高级管理人员及核心技术人员的简要情况”之“(一)董事会成员”。张胜先生,1979 年出生,中国国籍,无境外永久居留权。合肥工业大学应用物理学士。2002 年 9 月至 2003 年 2 月任华越微电子有限公司工程师,2003年 2 月至 2011 年 10 月任绍兴芯谷科技有限公司项目经理,2011 年 10 月至2012 年 10 月任深圳市海思半导体有限公司 IC 设计工程师,2012 年 10 月至2018 年 2 月任无锡中感微电子股份有限公司项目经理,2018 年 3 月至今任公司IC研发总监。2019年度被评为张家港市紧缺高层次人才。(五)董事、监事、高级管理人员及
220、核心技术人员的兼职情况 截至 2023 年 3 月 24 日,公司董事、监事、高级管理人员及核心技术人员在除公司及其子公司、员工持股平台以外的其他单位兼职情况如下:姓名姓名 在发行人在发行人 所任职务所任职务 兼职单位兼职单位 兼职职务兼职职务 与发行人的关联与发行人的关联关系关系 陈锴 董事 张家港锴琳企业管理合伙企业(有限合伙)执行事务合伙人 无其他关联关系 陈锴 董事 张家港市港鹰实业有限公司 副总经理、监事 公司直接股东 陈锴 董事 张家港保税区邦钇宏国际贸易有限公司 监事 无其他关联关系 苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-76 姓名姓名 在发行人在发行人 所任职务所任
221、职务 兼职单位兼职单位 兼职职务兼职职务 与发行人的关联与发行人的关联关系关系 陈锴 董事 张家港市永琳新材料科技有限公司 执行董事、总经理兼法定代表人 无其他关联关系 司景喆 董事 沈阳含能金属材料制造有限公司 董事 甘化科工控股子公司,持股90.00%司景喆 董事 北京惠风联合防务科技有限公司 董事 无其他关联关系 司景喆 董事 四川甘华电源科技有限公司 监事 甘化科工全资子公司 姬磊 董事 江苏邦盛股权投资基金管理有限公司 投资总监 控股股东为邦盛投资。邦盛投资为公司股东邦盛聚泓、邦盛聚源的执行事务合伙人,同时邦盛投资为新工邦盛的执行事务合伙人的控股股东 姬磊 董事 神顶科技(南京)有限
222、公司 董事 无其他关联关系 姬磊 董事 苏州岭纬智能科技有限公司 董事 无其他关联关系 姬磊 董事 深圳衡宇芯片科技有限公司 董事 无其他关联关系 姬磊 董事 衡宇芯科技(合肥)有限公司 董事 无其他关联关系 姬磊 董事 苏州钧舵机器人有限公司 董事 无其他关联关系 姬磊 董事 南京凯奥思数据技术有限公司 董事 无其他关联关系 姬磊 董事 南京商络电子股份有限公司 监事 无其他关联关系 姬磊 董事 广东赛微微电子股份有限公司 监事 无其他关联关系 姬磊 董事 升新高科技(南京)有限公司 监事 无其他关联关系 姬磊 董事 苏州海光芯创光电科技股份有限公司 监事 无其他关联关系 秦舒 独立董事 华
223、进半导体封装先导技术研发中心有限公司 副总经理 无其他关联关系 秦舒 独立董事 江苏艾森半导体材料股份有限公司 独立董事 无其他关联关系 秦舒 独立董事 柏诚系统科技股份有限公司 独立董事 无其他关联关系 秦舒 独立董事 无锡市德科立光电子技术股份有限公司 董事 无其他关联关系 苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-77 姓名姓名 在发行人在发行人 所任职务所任职务 兼职单位兼职单位 兼职职务兼职职务 与发行人的关联与发行人的关联关系关系 秦舒 独立董事 无锡帝科电子材料股份有限公司 独立董事 无其他关联关系 秦舒 独立董事 江苏省半导体行业协会 秘书长 无其他关联关系 秦舒 独立
224、董事 华芯检测(无锡)有限公司 总经理、执行董事 无其他关联关系 秦舒 独立董事 无锡力芯微电子股份有限公司 独立董事 无其他关联关系 秦舒 独立董事 无锡合进企业管理合伙企业(有限合伙)执行事务合伙人 无其他关联关系 秦舒 独立董事 安泊智汇半导体设备(上海)有限责任公司 董事 无其他关联关系 秦舒 独立董事 安泊智汇半导体设备(嘉兴)有限公司 董事 无其他关联关系 苏中一 独立董事 中审亚太会计师事务所(特殊普通合伙)总咨询师、管理部主任 无其他关联关系 苏中一 独立董事 中央财经大学 校外硕士生导师 无其他关联关系 苏中一 独立董事 北京康辰药业股份有限公司 独立董事 无其他关联关系 苏
225、中一 独立董事 常州武进中瑞电子科技股份有限公司 独立董事 无其他关联关系 苏中一 独立董事 浩鲸云计算科技股份有限公司 独立董事 无其他关联关系 苏中一 独立董事 亿嘉和科技股份有限公司 独立董事 无其他关联关系 朱光忠 独立董事 上海金茂凯德律师事务所 合伙人 无其他关联关系 孙新卫 监事 凯龙高科技股份有限公司 独立董事 无其他关联关系 孙新卫 监事 无锡万奈特测量设备有限公司 董事 无其他关联关系 孙新卫 监事 南京南翔氢电新能源有限公司 董事 无其他关联关系 孙新卫 监事 无锡雪浪环境科技股份有限公司 独立董事 无其他关联关系 孙新卫 监事 无锡化工装备股份有限公司 独立董事 无其他
226、关联关系 孙新卫 监事 无锡国嘉企业管理有限公司 执行董事、总经理 无其他关联关系 孙新卫 监事 无锡协力企业管理合伙企业(有限合伙)执行事务合伙人 无其他关联关系 孙新卫 监事 无锡国经投资管理有限公司 副总经理 国经众明的普通合伙人 孙新卫 监事 无锡奥特维科技股份有限公司 独立董事 无其他关联关系 孙新卫 监事 无锡派克新材料科技股份有限公司 独立董事 无其他关联关系 苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-78 姓名姓名 在发行人在发行人 所任职务所任职务 兼职单位兼职单位 兼职职务兼职职务 与发行人的关联与发行人的关联关系关系 戴明亮 监事 张家港市招商产业资本投资管理有限
227、公司 高级投资经理 招港共赢有限合伙人,持有招港共赢 99.90%的合伙份额(六)董事、监事、高级管理人员及核心技术人员之间存在的亲属关系 公司董事长丁国华与董事会秘书严泓为父女关系。除此以外,截至本招股说明书签署日,公司现任董事、监事、高级管理人员及核心技术人员之间不存在其他亲属关系。(七)董事、监事、高级管理人员及核心技术人员最近三年是否涉及行政处罚、监督管理措施、纪律处分或自律监管措施、被司法机关立案侦查、被中国证监会立案调查情况 发行人董事、监事、高级管理人员及核心人员最近三年不涉及行政处罚、监督管理措施、纪律处分或自律监管措施、被司法机关立案侦查、被中国证监会立案调查情况。十三、发行
228、人与董事、监事、高级管理人员及核心技术人员签署的重大协议及履行情况 截至本招股说明书签署日,发行人与公司董事(不在公司任职并领取薪酬的董事除外)、监事(不在公司任职并领取薪酬的监事除外)、高级管理人员及核心技术人员均已签署了劳动合同,与独立董事签署了聘任协议,与核心技术人员另签署了保密协议和竞业禁止协议。除上述协议外,公司董事、监事、高级管理人员和核心技术人员未与公司签订对投资者作出价值判断和投资决策有重大影响的其他协议。截至本招股说明书签署日,上述协议履行情况正常,不存在违约情形。十四、董事、监事、高级管理人员及核心技术人员最近两年变动情况(一)董事变动情况 最近两年,公司董事变动情况如下:
229、苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-79 时间时间 成员成员 变动原因变动原因 2021年 初 至2021 年 6 月 丁国华、罗寅、陈锴、谭在超、白祖文、司景喆、施永晨-2021 年 6 月至2021 年 9 月 丁国华、罗寅、陈锴、谭在超、白祖文、司景喆、黄克 黄克为股东甘化科工提名,接替施永晨的董事职务 2021 年 9 月至今 丁国华、罗寅、陈锴、谭在超、司景喆、姬磊、秦舒、苏中一、朱光忠 引入新股东新工邦盛、邦盛聚泓、邦盛聚源,提名姬磊担任董事;为优化治理结构,经表决同意黄克、白祖文辞去董事职务,引入秦舒、苏中一、朱光忠三名独立董事 最近两年,发行人董事变更的原因系股东
230、委派董事变更和引入独立董事,不会对发行人经营管理产生重大不利影响,因此发行人最近两年董事未发生重大不利变化。(二)监事变动情况 最近两年,公司监事均为黄怀宙、孙新卫、戴明亮,未发生变动。(三)高级管理人员变动情况 最近两年,公司高级管理人员变动情况如下:时间时间 成员成员 变动原因变动原因 2021 年初至 2021 年 10 月 总经理:罗寅-2021 年 10 月至今 总经理:罗寅 副总经理:谭在超 董事会秘书:严泓 财务总监:刘娟娟 公司进一步完善公司治理结构,新增高级管理人员 公司高级管理人员因进一步完善公司治理结构发生了增补,副总经理、董事会秘书和财务总监均系内部培养,公司主要经营管
231、理团队保持稳定,最近两年高管未发生重大不利变化。(四)核心技术人员变动情况 公司近两年核心技术人员稳定,均为丁国华、罗寅、谭在超、张胜,未发生变化。十五、董事、监事、高级管理人员及核心技术人员及其近亲属直接或间接持有发行人股份的情况 截至本招股说明书签署日,发行人董事、监事、高级管理人员、核心技术苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-80 人员及其近亲属直接或间接持有公司股份的情况如下表所示:序序号号 姓名姓名 职务或职务或 亲属关系亲属关系 直接持直接持股比例股比例 间接间接持股持股比例比例 通过何公司间通过何公司间接持股接持股 合并持合并持股比例股比例 股份质押、冻股份质押、冻
232、结或发生诉讼结或发生诉讼纠纷等情况纠纷等情况 1 丁国华 董事长 20.26%1.65%港晨芯 21.91%不存在 2 罗寅 董事、总经理 17.09%2.92%港晨芯 20.01%不存在 3 陈锴 董事 7.24%3.03%港鹰实业 10.27%不存在 4 倪芬琴 陈锴的母亲-7.08%港鹰实业 7.08%不存在 5 谭在超 董事、副总经理、研发部总经理-1.65%港晨芯 1.65%不存在 6 姬磊 董事-0.01%邦盛聚源 0.01%不存在 7 司景喆 董事-0.01%甘化科工 0.01%不存在 8 黄怀宙 监事会主席、职工代表监事-0.02%港晨芯 0.02%不存在 9 孙新卫 监事-0
233、.07%国经众明 0.07%不存在-0.01%无锡国经铭锐企业管理合伙企业(有限合伙)0.01%不存在 10 刘娟娟 财务总监-0.04%港晨芯 0.04%不存在 11 张胜 核心技术人员-0.14%港晨芯 0.14%不存在 12 徐进 销售部员工、丁国华的继子-0.09%港晨芯 0.09%不存在 13 张丽莎 研发部员工、谭在超的配偶-0.07%港晨芯 0.07%不存在 合计合计 61.38%注:间接持股比例为穿透控股平台后间接持有锴威特的股份比例 十六、董事、监事、高级管理人员及核心技术人员对外投资情况 截至 2023 年 3 月 24 日,公司董事、监事、高级管理人员及核心技术人员不存在
234、与公司及其业务相关的其他对外投资情况。十七、董事、监事、高级管理人员及核心技术人员薪酬情况(一)薪酬组成、确定依据及履行的程序 在公司任职的董事、监事、高级管理人员及核心技术人员的薪酬由工资、奖金和福利补贴组成,按各自所在岗位职务依据公司相关薪酬标准和制度领取。苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-81 未在公司担任其他职务的董事、监事,任期内不在公司领取薪酬。独立董事依据公司制度领取固定津贴。公司董事会下设薪酬与考核委员会,主要负责制定公司董事及高级管理人员的考核标准并进行考核,负责制定、审查公司董事及高级管理人员的薪酬政策与方案。薪酬与考核委员会提出的公司董事的薪酬计划,须报经
235、董事会同意后,提交股东大会审议通过后方可实施;公司高级管理人员的薪酬分配方案须报董事会批准后实施。(二)报告期内薪酬总额占发行人利润总额的比重 报告期内,公司董事、监事、高级管理人员及核心技术人员薪酬总额及其占公司利润总额的比重如下:单位:万元 项目项目 2022 年度年度 2021 年度年度 2020 年度年度 薪酬总额 616.51 558.27 328.96 利润总额 6,602.92 4,859.16-1,975.68 占比 9.34%11.49%/(三)最近一年薪酬具体情况 董事、监事、高级管理人员及核心技术人员最近一年从发行人及其关联企业领取收入的情况如下:姓名姓名 在发行人所任职
236、务在发行人所任职务 2022 年度年度薪酬薪酬(万元)(万元)2022 年年是否在是否在实际控制人控制实际控制人控制的其他企业领薪的其他企业领薪 2022 年是否在关年是否在关联企业领薪联企业领薪 丁国华 董事长 152.70 否 否 罗寅 董事、总经理 110.70 否 否 陈锴 董事-否 担任港鹰实业副总经理、监事并领薪 司景喆 董事-否 担任甘化科工董事会秘书并领薪 姬磊 董事-否 否 谭在超 董事、副总经理、研发部总经理 111.29 否 否 秦舒 独立董事 10.80 否 否 苏中一 独立董事 10.80 否 否 朱光忠 独立董事 10.80 否 否 苏州锴威特半导体股份有限公司 招
237、股说明书 1-1-82 姓名姓名 在发行人所任职务在发行人所任职务 2022 年度年度薪酬薪酬(万元)(万元)2022 年年是否在是否在实际控制人控制实际控制人控制的其他企业领薪的其他企业领薪 2022 年是否在关年是否在关联企业领薪联企业领薪 黄怀宙 监事会主席、职工监事 28.15 否 否 戴明亮 监事-否 否 孙新卫 监事-否 担任无锡国经投资管理有限公司副总经理并领薪 严泓 董事会秘书 57.37 否 否 刘娟娟 财务总监 37.94 否 否 张胜 IC 研发总监 85.96 否 否 上述人员的薪酬包括领取的工薪、奖金、津贴及所享受的其他待遇等,公司目前未设置退休金计划。十八、已经制定
238、或实施的股权激励及相关安排(一)员工持股平台情况 为建立健全公司长效激励机制,充分调动员工的积极性和创造性,同时为了回报其对公司做出的贡献,发行人采用间接持股的方式对员工进行股权激励。截至本招股说明书签署日,发行人设有 1 个员工持股平台,即港晨芯,持有发行人 8.23%的股权,港晨芯的合伙人均为发行人员工。港晨芯的具体情况参见本节“七、持有发行人 5%以上股份或表决权的主要股东及实际控制人情况”之“(五)其他持有发行人 5%以上股份或表决权的主要股东的基本情况”之“4、港晨芯”。(二)发行人股权激励实施情况 港晨芯由丁国华、罗寅、谭在超于 2020 年 8 月共同出资设立,注册资本1,000
239、.00 万元,三人分别持有 20%、60%、20%的出资份额。其中,丁国华持有的 20%合伙份额、谭在超持有的 20%合伙份额以及罗寅持有的 35%合伙份额为其本人实际所有,罗寅持有的另外 25%的合伙份额拟用于员工股权激励。报告期内,与股权激励有关的股份变动情况如下:1、2020 年年 10 月,月,港晨芯对发行人增资港晨芯对发行人增资 2020 年 10月,港晨芯以 967.54万元货币资金认购发行人 67.66万股,成为苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-83 公司直接股东,增资价格低于同期外部投资者入股的公允价格,对港晨芯合伙人形成股权激励。2、2020 年年 12 月,
240、月,罗寅罗寅将将其持其持有有的港晨芯合伙份额的港晨芯合伙份额授予授予 21 名员工用于股名员工用于股权激励权激励 为激励部分核心员工,2020 年 12 月,罗寅与叶昆等 21 名员工签署合伙份额转让协议书,罗寅将其所持部分港晨芯的合伙份额转让予上述员工。本次股权激励具体授予情况如下:序序号号 被授被授 予人予人 转让份额转让份额(万元)(万元)份额比例份额比例(%)转让转让价款价款(万元)(万元)折合锴威特股折合锴威特股份数量份数量(万股)(万股)转让价格转让价格(元(元/股)股)=/1 张辉 59.40 5.94 59.40 27.00 2.20 2 叶昆 55.00 5.50 55.00
241、 25.00 2.20 3 朱国夫 11.00 1.10 11.00 5.00 2.20 4 张丽莎 8.80 0.88 8.80 4.00 2.20 5 张胜 8.80 0.88 8.80 4.00 2.20 6 徐进 6.60 0.66 6.60 3.00 2.20 7 黄琦 4.40 0.44 4.40 2.00 2.20 8 邹望杰 4.40 0.44 4.40 2.00 2.20 9 涂才根 4.40 0.44 4.40 2.00 2.20 10 张瑰艳 4.40 0.44 4.40 2.00 2.20 11 李云涛 4.40 0.44 4.40 2.00 2.20 12 江海波 2
242、.20 0.22 2.20 1.00 2.20 13 尹清秀 2.20 0.22 2.20 1.00 2.20 14 刘娟娟 2.20 0.22 2.20 1.00 2.20 15 袁妤婷 2.20 0.22 2.20 1.00 2.20 16 胥兰兰 2.20 0.22 2.20 1.00 2.20 17 冯洁 2.20 0.22 2.20 1.00 2.20 18 张海滨 2.20 0.22 2.20 1.00 2.20 19 邵新慧 2.20 0.22 2.20 1.00 2.20 20 黄怀宙 2.20 0.22 2.20 1.00 2.20 21 史珺 2.20 0.22 2.20
243、1.00 2.20 合计合计 193.60 19.36 193.60 88.00 2.20 苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-84 3、2021 年年 12 月,月,罗寅罗寅将将其持其持有有的港晨芯合伙份额的港晨芯合伙份额授予授予 16 名员工用于股名员工用于股权激励权激励 为激励部分核心员工,2021 年 12 月 25日,罗寅与张胜等 16名员工签署合伙份额转让协议书,罗寅将其所持部分港晨芯的合伙份额转让予上述员工。本次股权激励具体授予情况如下:序序号号 被授被授 予人予人 转让份额转让份额(万元)(万元)份额比例份额比例(%)转让转让价款价款(万元)(万元)折合锴威特股折
244、合锴威特股份数量份数量(万股)(万股)转让价格转让价格(元(元/股)股)=/1 张胜 8.80 0.88 20.00 4.00 5.00 2 张瑰艳 8.80 0.88 20.00 4.00 5.00 3 徐进 4.40 0.44 10.00 2.00 5.00 4 黄琦 3.30 0.33 7.50 1.50 5.00 5 李云涛 2.20 0.22 5.00 1.00 5.00 6 江海波 2.20 0.22 5.00 1.00 5.00 7 尹清秀 2.20 0.22 5.00 1.00 5.00 8 刘娟娟 2.20 0.22 5.00 1.00 5.00 9 张海滨 2.20 0.2
245、2 5.00 1.00 5.00 10 涂才根 2.20 0.22 5.00 1.00 5.00 11 陈朝勇 2.20 0.22 5.00 1.00 5.00 12 肖会明 2.20 0.22 5.00 1.00 5.00 13 盛康康 2.20 0.22 5.00 1.00 5.00 14 赵越 2.20 0.22 5.00 1.00 5.00 15 张超 2.20 0.22 5.00 1.00 5.00 16 钱文彬 2.20 0.22 5.00 1.00 5.00 合计合计 51.70 5.17 117.50 23.50 5.00 本次合伙份额转让完成后,港晨芯持股平台中用作激励的预留
246、 25%合伙份额剩余 47,024.53 元出资额(对应港晨芯出资比例为 0.47%,对应锴威特股份21,375 股)不再继续授予,由有限合伙人罗寅实际持有。(三)员工持股平台的锁定期 发行人员工持股平台港晨芯已出具承诺:“本企业持有的发行人首次公开发行前已发行的股份,自发行人股票在上海证券交易所上市之日起 36 个月内不转让或者委托他人管理,也不由发行人回购该部分股份。”苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-85 港晨芯的合伙人丁国华、罗寅、徐进已出具承诺:“本人直接及间接/间接持有的发行人首次公开发行前已发行的股份,自发行人股票在上海证券交易所上市之日起 36 个月内不转让或者
247、委托他人管理,也不由发行人回购该部分股份。”除上述三人外,根据合伙协议,港晨芯的有限合伙人权益转让应遵守如下约定:“在锴威特实现在中国境内实现首次公开发行股票并上市后 12 个月内不得转让其持有的有限合伙份额。”(四)股权激励对公司经营状况、财务状况、控制权变化等的影响 公司的股权激励安排有助于充分调动员工的积极性和创造性,从而促进公司的良性发展,整体而言有利于公司的经营、发展。公司在实施前述股权激励的过程中,股份转让价格低于同期外部投资者入股的公允价格。根据会计准则相关规定,需要确认股份支付费用。同期市场公允价格采用最近一次外部投资者对公司增资时的公司估值进行计量。港晨芯的全体合伙人签订了苏
248、州港晨芯企业管理合伙企业(有限合伙)有限合伙协议(以下简称“合伙协议”),合伙协议未约定被激励人员的等待期及服务期,仅约定了所持公司股票在发行上市后的减持锁定期。根据合伙协议的约定,被激励人员所持股份可以转让,并且在遵守竞业禁止协议条款的前提下,对被激励人员因常规原因离职时所持份额转让与否及转让价格亦无限制。因此,根据会计准则的相关规定,公司对 2020 年和2021 年的股权激励产生的股权支付费用均一次性确认。报告期内,公司的股份支付费用全部计入管理费用,股权激励对于公司财务状况的影响金额具体如下:单位:万元 项目项目 2022 年度年度 2021 年度年度 2020 年度年度 股份支付费用
249、-365.06 2,109.30 利润总额 6,602.92 4,859.16-1,975.68 影响比例影响比例-7.51%/上述股权激励实施前后,公司控制权未发生变化。苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-86 十九、员工及其社会保障情况(一)发行人员工情况 公司实行劳动合同制,员工按照劳动法与公司签订劳动合同,承担义务并享受权利。公司认真贯彻执行国家和地方有关劳动、工资、保险等方面的法律法规,依法办理劳动用工手续,按规定确立劳动试用期、合同期限、工时制度、劳动保障以及劳动合同的变更、解除和终止。公司员工情况如下:1、员工人数及变化情况、员工人数及变化情况 报告期各期末,公司在
250、册员工人数及变化情况如下:项目项目 2022.12.31 2021.12.31 2020.12.31 员工总数(人)95 85 71 2、员工专业结构、员工专业结构 截至 2022 年 12月 31 日,发行人员工的专业结构如下:项目项目 人数(人)人数(人)比例比例 管理人员 36 37.89%销售人员 19 20.00%研发人员 40 42.11%合计合计 95 100.00%3、员工受教育程度、员工受教育程度 截至 2022 年 12月 31 日,发行人员工的受教育程度如下:项目项目 人数(人)人数(人)比例比例 硕士及以上学历 12 12.63%本科学历 56 58.95%大专及以下学
251、历 27 28.42%合计合计 95 100.00%4、员工年龄分布、员工年龄分布 截至 2022 年 12月 31 日,发行人员工的年龄分布如下:项目项目 人数(人)人数(人)比例比例 30 周岁及以下 46 48.42%苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-87 项目项目 人数(人)人数(人)比例比例 31-40 周岁 35 36.84%41-50 周岁 9 9.47%51 周岁及以上 5 5.26%合计合计 95 100.00%(二)发行人执行社会保障制度、住房制度改革、医疗制度改革情况 公司根据中华人民共和国劳动法中华人民共和国劳动合同法等相关规定,实行劳动合同制。公司已按
252、照国家、地方有关法律法规及有关政策规定为员工办理了养老保险、医疗保险、工伤保险、失业保险及生育保险等社会保险。同时,公司还根据住房公积金管理条例及地方政府的相关规定依法为员工缴纳了住房公积金。1、公司社会保险缴纳情况、公司社会保险缴纳情况 报告期各期末,发行人及子公司社会保险缴纳情况具体如下:项目项目 2022.12.31 2021.12.31 2020.12.31 在职员工人数(人)95 85 71 实缴人数(人)95 82 70 差异人数(人)-3 1 其中:当月入职次月缴纳(人)-3 1 2、公司住房公积金缴纳情况、公司住房公积金缴纳情况 报告期各期末,发行人及子公司公积金缴纳情况具体如
253、下:项目项目 2022.12.31 2021.12.31 2020.12.31 在职员工人数(人)95 85 71 实缴人数(人)95 84 70 差异人数(人)-1 1 其中:当月入职次月缴纳(人)-1 1 截至本招股说明书签署日,公司不存在应缴未缴社会保险、公积金的情况。3、取得合法合规证明和实际控制人出具的承诺情况、取得合法合规证明和实际控制人出具的承诺情况 根据张家港市人力资源和社会保障局于 2023 年 2 月 27 日出具的证明、西安高新区社会保险基金管理中心于 2023 年 2 月 1 日出具的西安高新技术产苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-88 业开发区社会保险
254、参保缴费情况证明、无锡高新区(新吴区)人力资源和社会保障局于 2023 年 2 月 21 日出具的关于锴威特半导体股份有限公司无锡分公司企业守法情况的证明、信用广东企业信用报告(无违法违规证明版)(查询日:2023 年 3 月 7 日)、苏州市住房公积金管理中心于 2023 年 2 月 17日出具的住房公积金缴存证明、西安住房公积金管理中心于 2023 年 2 月 1日出具的住房公积金单位缴存证明、无锡市住房公积金管理中心于 2023 年2 月 17 日出具的证明函,发行人不存在因违反社会保险及住房公积金管理的相关法律、法规而受到行政处罚的情形。本公司控股股东、实际控制人丁国华已出具承诺:“若
255、公司在申请首次公开发行股票并在科创板上市的过程中被有关部门要求为其员工补缴或者被有关方面追偿社会保险和住房公积金,本人将无条件替公司补缴或赔偿应缴纳的全部社会保险和住房公积金,使公司不会因此而遭受任何损失。若公司因未严格执行社会保险和住房公积金制度而被相关部门予以行政处罚,本人将无条件替公司支付全部罚款款项,使公司不会因此而遭受任何损失。”苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-89 第第五五节节 业务和技术业务和技术 一、发行人主营业务、主要产品或服务的情况(一)发行人主营业务情况 公司主营业务为功率半导体的设计、研发和销售,并提供相关技术服务。公司坚持“自主创芯,助力核心芯片国产
256、化”的发展定位,主要产品包含功率器件及功率 IC 两大类。在功率器件方面,公司产品以高压平面 MOSFET 为主,并在平面 MOSFET 工艺平台基础上设计研发了集成快恢复高压功率 MOSFET(FRMOS)系列产品;在功率 IC 方面,公司产品主要包括 PWM 控制 IC 和栅极驱动 IC。此外,在第三代半导体方面,公司的 SiC 功率器件已顺利实现产品布局并进入产业化阶段。公司是国家高新技术企业、国家级专精特新“小巨人”企业、国家鼓励的重点集成电路设计企业、江苏省“科技小巨人企业”“江苏省潜在独角兽企业”、江苏省半导体行业协会理事单位,公司研发中心获“江苏省高可靠性功率器件工程技术研究中心
257、”认证。截至 2023 年 7 月 13 日,公司已积累了 10 项核心技术,获得 71 项授权专利(其中发明专利 28 项,实用新型专利 43 项,另有 2 项发明专利已获授予专利通知书,待取得专利证书)和 53 项集成电路布图设计专有权。凭借高性能的产品,公司荣获由中国电子信息发展研究院(赛迪研究院)评选的第十六届(2021 年度)和第十五届(2020 年度)“中国芯”优秀技术创新产品奖;由中国半导体行业协会、中国电子材料行业协会等机构联合评选的第十四届(2019 年度)和第十二届(2017 年度)中国半导体创新产品和技术奖。公司还获得了汉磊科技“最佳合作伙伴”“最佳业绩成长”的合作商奖项
258、,芯片设计和工艺调试能力得到业内知名晶圆代工厂的认可。凭借产品可靠性高、参数一致性好等特点,公司迅速在细分领域打开市场,产品广泛应用于消费电子、工业控制及高可靠领域,客户包括以晶丰明源、必易微、芯朋微、灿瑞科技为代表的芯片设计公司及多家高可靠领域客户,并且产品已被小米、美的、雷士照明、佛山照明等终端客户所采用。苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-90 根据 Omdia 数据,按 2020 年收入规模测算,公司在全球 MOSFET 功率器件市场份额约为 0.23%。(二)发行人主要产品及服务情况 1、发行人主要产品及服务介绍、发行人主要产品及服务介绍 功率半导体是电子装置中电能转换
259、与电路控制的核心,可实现电源开关和电能转换的功能,实现变频、变相、变压、逆变、变流、开关的目的。发行人在功率半导体方面持续进行研发投入,主要产品包括平面 MOSFET和功率 IC;发行人还为部分客户提供芯片设计及工艺开发等技术服务。(1)平面 MOSFET 发行人的功率 MOSFET 产品专注于平面技术路线,采用纵向垂直结构,结合自主研发的新型复合终端结构及实现工艺技术,一方面可使终端表面的电场分布更加均匀,可有效降低终端 Si-SiO2界面态以及可动离子的影响;另一方面可缩小终端尺寸,有效地减小芯片面积。通过与钝化层的合理配合,发行人的平面 MOSFET 产品有效降低了高温漏电及持续开关动作
260、后击穿电压的跌落,拥有突出的高温可靠性。发行人的平面 MOSFET产品覆盖 40V-1500V电压段,已形成较为齐全的产品系列,拥有近 500款不同规格的产品,其产品情况如下:封装后成品示意图封装后成品示意图 产品特点产品特点 覆盖参数段覆盖参数段 主要应用方向主要应用方向 具有功率密度高、产品击穿耐压稳定性高、阈值电压一致性好、高温漏电小、开关损耗小、抗浪涌能力强等性能特点 电压范围:40V-1500V 电流范围:0.3A-190A 公司产品广泛用于 LED照明、电源适配器、智能家电、PC 电源、逆变器、智能电表等 平面平面 MOSFET 的器件结构的器件结构 常规平面 MOSFET 的体二
261、极管的反向恢复性能和快恢复二极管及肖特基二极管相比,其反向恢复速度较低,反向恢复特性较差。如将其应用在电机控制苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-91 系统以及半桥、全桥和 LLC 的电源系统中,会导致开关损耗增加,降低系统的效率,同时,也会产生较高的振铃,影响功率 MOSFET 的安全工作。为了减小反向恢复导致的开关损耗,常规做法是在平面 MOSFET 上并联一颗 FRED(超快恢复二极管),但由于 FRED 和 MOSFET 寄生体二极管并联,存在竞争,仍会有部分电流流过寄生体二极管,为避免这种情况,功率部分的设计和控制都会变得复杂。针对上述情况,发行人在平面 MOSFET
262、工艺平台的基础上设计研发了集成快恢复高压功率 MOSFET(FRMOS)系列产品。该类产品具有低反向恢复电荷、反向恢复时间短的特性,形成近 60 款2不同规格产品,其产品情况如下:封装后成品示意图封装后成品示意图 产品特点产品特点 覆盖参数段覆盖参数段 主要应用方向主要应用方向 采用重金属掺杂工艺制造,具有低反向恢复电荷、反向恢复时间短和低高温漏电流的特性 关键动态指标反向恢复电荷 Qrr0.2uC 反向恢复时间 Trr100ns 电压范围:300V-700V 电流范围:2A-45A 公司产品主要应用于直流无刷电机驱动、LLC架构的大功率电源、高功率数字音频功放等(2)功率 IC 功率 IC
263、是半导体芯片中模拟芯片的典型代表,可实现功率(电压、电流、频率)的变换控制与调节,为后续电子元器件提供相应的功率供应和管控要求。公司拥有深厚的功率 IC 设计、研发经验。公司基于晶圆代工厂 0.5um 600V SOI BCD 和 0.18um 40V BCD 等工艺自主搭建了设计平台;公司与晶圆代工厂深度合作,可根据晶圆代工厂的标准工艺调整工艺参数和流程,进一步优化产品性能。公司已形成 80 余款功率 IC 产品,并完成了多款功率 IC 所需的IP 设计与验证。公司的功率 IC 产品主要包括 PWM 控制 IC 和栅极驱动 IC 等,具有集成度高、可靠性高、工作频率高、工作电压范围宽、功耗低
264、、工作温度范围宽(-55-125)等特点。公司 PWM 控制 IC 主要为隔离式开关电源芯片,主要功能是将输入电压的振幅转换成宽度一定的脉冲,用于驱动外部功率器件开关,使电源的输出电压在工作条件变化时保持恒定。公司产品涵盖反激、反激双路交错、正激有源钳位、推挽、半桥、全桥、移相全桥等多拓扑配置,帮助客户灵活创建各种电源 2 基于产品电压、电流、封装形式的不同进行型号划分,如不考虑封装形式,公司 FRMOS型号数为 36款 苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-92 设计;同时集成了欠压、过压、过流、过热等多种保护功能,确保系统安全稳定工作,能够为客户提供隔离式开关电源系列化的解决方
265、案。公司栅极驱动 IC 主要为电机驱动 IC,其能够将电机控制器/MCU 输出的低压控制信号转换成驱动功率器件的高压驱动信号,来驱动功率器件进行开关动作,从而驱动电机工作,集成了高侧和低侧驱动器,可降低开关损耗,适应嘈杂的环境并提高系统效率。公司的驱动 IC 产品包含单相半桥、全桥、三相全桥产品系列,可满足多种场景的应用要求。发行人的主要功率 IC产品如下:产品产品 种类种类 封装后成品封装后成品 示意图示意图 产品特点产品特点 覆盖参数段覆盖参数段 主要应用方向主要应用方向 PWM 控制 IC 产品主要为隔离式开关电源芯片,用于将输入电压的振幅转换成宽度一定的脉冲,使电源的输出电压在工作条件
266、变化时保持恒定。产品涵盖反激、反激双路交错、正激有源钳位、推挽、半桥、全桥、移相全桥等多拓扑配置,帮助客户灵活创建各种电源设计;同时集成了欠压、过压、过流、过热等多种保护功能,确保系统安全稳定工作 工作电压范围:13V-120V 开 关 频 率 支 持1MHz以上 可广泛用于安防、工业电源等,公司产品主要应用于高可靠领域 栅极 驱动 IC 产品主要为电机驱动 IC,包含单相半桥、全桥、三相全桥产品系列,用于将电机控制器/MCU 输出的低压控制信号转换成驱动功率器件的高压驱动信号,集成了高侧和低侧驱动器,可降低开关损耗,适应嘈杂的环境并提高系统效率,支持 TTL 和 CMOS电平输入,低传输延迟
267、、内部集成电荷泵,支持 100%占空比工作 工作电压范围:20V-600V 驱动电流最高可达 10A 开关频率可支持1MHz以上 可广泛用于电机驱动、工业电源等,公司产品主要应用于高可靠领域(3)其他 MOSFET 产品 公司 MOSFET 产品正在向沟槽型 MOSFET 和超结 MOSFET 进行延伸,目前沟槽型 MOSFET 已形成 30V-150V电压规格的产品系列,超结 MOSFET已形成 600V-800V 电压规格的产品系列。产品种类产品种类 封装后成品示意图封装后成品示意图 产品特点产品特点 覆盖参数段覆盖参数段 主要应用方向主要应用方向 沟槽型MOSFET 具有工作频率高、导通
268、损耗小、开关损耗低、芯片体积小等特点 电压范围:30V-150V 电流范围:4A-300A 可广泛用于电动工具、智能家电主板等,公司产品已向前述领域客户形成销售 苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-93 产品种类产品种类 封装后成品示意图封装后成品示意图 产品特点产品特点 覆盖参数段覆盖参数段 主要应用方向主要应用方向 超结MOSFET 公司超结 MOSFET 采用多次外延工艺,具有工作频率高、导通损耗小、开关损耗低等特点 电压范围:600V-800V 电流范围:4A-80A 可广泛用于新能源汽车充电桩、服务器电源、通讯电源,公司产品已向前述领域客户形成销售(4)SiC功率器件
269、公司 SiC 功率器件产品主要包括 SiC MOSFET 和 SiC SBD(肖特基势垒二极管),目前公司 SiC MOSFET 已形成 650V-1700V 四个电压规格的产品系列,SiC SBD 已形成 650V-1200V电压规格的产品系列。SiC SBD 是由金属和碳化硅材料接触形成的快速恢复肖特基二极管,与 SiC MOSFET 同属于功率器件。发行人的主要 SiC功率器件产品如下:产品产品 种类种类 封装后成品示意图封装后成品示意图 产品特点产品特点 覆盖参数段覆盖参数段 主要应用方向主要应用方向 SiC MOSFET 导通电阻小,开关损耗低,工作温度范围宽,阈值电压一致性好 电压
270、范围:650V-1700V 电流范围:3A-100A 可广泛用于新能源汽车 及 配 套、工 业 照明、大功率电源、高可靠领域等,公司产品目前以高可靠领域应用为主 SiC SBD 反 向 恢 复 时 间短,反向恢复电荷小,工作温度范围宽 电压范围:650V-1200V 电流范围:2A-60A 可广泛用于新能源汽车及配套、大功率电源、逆变器、高可靠领域等,公司产品目前以高可靠领域应用为主(5)技术服务 公司在开发产品的同时,利用长期积累的设计经验和工艺开发能力,为客户提供芯片设计及工艺开发等技术服务,公司技术服务主要覆盖高可靠领域客户,包括产品开发和工艺开发流片两类。产品开发:在该类技术服务过程中
271、,由客户定义产品的功能和参数指标,委托公司对该产品进行设计开发,后续公司根据客户的具体需求,可以为客户提供制版、流片和测试验证等技术服务工作。工艺开发流片:客户基于晶圆厂已有工艺平台,需要开发新的器件或者其他工艺升级要求。在工艺开发流片的服务过程中,由公司负责新器件工艺开发或为客户提供其指定需求的工艺服务。后续由客户基于公司提供的工艺服务自苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-94 行设计产品,并委托公司进行制版、流片的服务。而产品的测试验证等工作由客户自行负责。2、发行人产品形态、发行人产品形态 发行人基于下游客户的不同需求导向,向其提供多样化的产品系列,对外销售的产品形态呈现为
272、中测后晶圆、封装成品和裸芯。公司产品形态示意图公司产品形态示意图 3、发行人应用于消费电子领域和高可靠领域的产品差异、发行人应用于消费电子领域和高可靠领域的产品差异 发行人应用于消费电子领域和高可靠领域的产品应用场景需求不同,使得发行人应用于两个领域的产品在工艺、技术、生产能力、专利和知识诀窍方面存在一定差异,具体情况如下:项目项目 类型类型 消费电子消费电子 高可靠高可靠 工艺 综合考虑产品性能及工艺成本要求,功率 IC 的晶圆制造工艺主要采用常规的 PN 结隔离的BCD 工艺以及双极工艺;功率器件的工艺控制规范相对宽松 功率 IC 晶圆制造工艺主要采用SOI BCD 工艺,SOI BCD
273、工艺具有闩锁免疫、高温漏电低、耐压高、抗噪声能力强等特点,满足高可靠领域对产品的性能指标要求;功率器件的工艺控制精度要求相对较高 苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-95 项目项目 类型类型 消费电子消费电子 高可靠高可靠 技术 主要应用功率器件相关的技术;消费电子领域产品需综合考虑性能和成本因素,因此可靠性冗余设计、精度设计要求相对较低,版图布局相对集中,压焊窗口满足消费类封装要求即可,设计上尽可能减小芯片面积,降低成本,另外主要采用反激拓扑结构;在工艺设计上针对器件耐压留足 25%以上的余量 相较消费电子领域产品还应用了“一种半桥驱动芯片电路设计及制造工艺”“一种输入失调电压
274、自动修正电路”等技术;高可靠领域产品性能和可靠性为首要考虑因素,因此芯片设计中采取冗余设计和高精度设计的技术;为提高产品的抗干扰能力,版图设计充分考虑噪声屏蔽;为满足高可靠封装要求,芯片压焊窗口会保留充足余量;为追求高效率和高功率密度,主要采用半/全桥、正激有源钳位、推挽等拓扑结构;为保证产品可靠性,在工艺设计上针对器件耐压需留足50%以上的余量 生产能力 晶圆生产 晶圆生产过程中的工艺参数的控制规范通常按照中心值20%进行控制;晶圆工厂 WAT 测试按照“5 点测试,3 点 pass 可出货”的原则管控 晶圆生产过程中的工艺参数的控制规范按照中心值10%进行控制;晶圆工厂 WAT 测试按照“
275、9 点测试,1 点 fail 晶圆即失效”的原则管控 晶圆测试 按照规格书进行常规测试,测试规范通常为中心值20%进行控制;通常用金属熔丝进行修调,产品精度相对激光修调偏低 采用更严格的测试规范进行测试,测试规范通常为中心值10%进行控制;采用激光修调,保证产品精度 产品封装 通常采用常规的塑封工艺,潮湿敏感度等级满足 level3要求即可 采用高质量等级的塑封,潮湿敏感度等级需满足 level1 要求,采用粗化框架封装,并且对分层、键合强度等进行加强工艺管控 成品测试 按照规格书仅进行常温测试,通常由封装厂进行测试 需进行低温、常温、高温三温测试,并经过老炼测试,剔除早期易失效产品,由发行人
276、自身或者委托专业测试厂家进行测试 相关专利和知识诀窍 主要为功率器件产品,应用的专利和知识诀窍多为功率器件相关 相较消费电子领域产品还应用了“一种全电压范围多基准电压同步调整电路”“一种半桥驱动芯片”等功率 IC 相关的专利和知识诀窍 由上表可见,由于消费电子领域和高可靠领域产品的应用场景需求不同,导致两类产品存在一定差异。在工艺方面,高可靠领域功率 IC 产品多采用 SOI BCD 工艺,与消费电子领域产品存在差异;高可靠领域的功率器件产品在工艺实现、参数控制规范方面较消费电子领域产品更加严格;在技术方面,高可靠领域产品应用的技术较消费电子领域产品更为丰富,多采用高冗余度和高精度的芯片设计、
277、抗干扰能力更高的版图设计以及半/全桥、正激有源钳位、推挽等拓扑结构,与消费电子领域产品存在差异;在生产能力方面,高可靠领域产品苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-96 较消费电子领域产品拥有更为严格的工艺参数控制、晶圆及成品测试规范,并采用更高质量的封装。另外,在专利和知识诀窍方面,高可靠领域产品较消费电子产品还应用了“一种全电压范围多基准电压同步调整电路”“一种半桥驱动芯片”等功率 IC相关的专利的知识诀窍。(三)发行人主营业务收入构成及特征 报告期内,公司主要产品及服务实现的主营业务收入情况如下表所示:单位:万元 产品类别产品类别 2022 年度年度 2021 年度年度 20
278、20 年度年度 金额金额 比例比例 金额金额 比例比例 金额金额 比例比例 功率器件 14,379.26 63.33%17,780.54 87.51%12,131.61 90.65%功率 IC 5,692.38 25.07%1,169.49 5.76%322.32 2.41%技术服务 2,207.46 9.72%1,316.82 6.48%906.42 6.77%其他 426.54 1.88%51.29 0.25%23.14 0.17%合计合计 22,705.64 100.00%20,318.15 100.00%13,383.49 100.00%报告期内,公司主营业务收入整体以功率器件为主;在
279、较早布局功率 IC 及加大客户开拓力度的背景下,近年来,公司功率 IC 的收入快速增长且占主营业务收入的比例提升明显。(四)发行人主要经营模式 半导体行业的经营模式一般可分为 IDM、Fabless 和 Foundry 三种。IDM 指垂直整合制造模式,采用该模式的企业完整从事从芯片设计到晶圆制造、封装测试等集成电路的全产业链业务,属于重资产经营模式;功率半导体领域的国际领先厂商如英飞凌、安森美、意法半导体等均采取该经营模式,国内以该模式为主的企业有华润微、士兰微、华微电子等;Fabless 指专注于芯片设计,将晶圆制造、封装和测试环节委托给专业厂商完成的经营模式,属于轻资产经营模式;国内采用
280、该经营模式或以该经营模式为主的企业有新洁能、东微半导、晶丰明源、芯朋微等。Foundry 指提供代工或受托加工等生产服务的经营模式,包括各类晶圆代工厂和封装测试企业,国内以该模式为主的企业包括中芯国际、华虹半导体、华天科技、长电科技等。苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-97 发行人为采用 Fabless 经营模式的芯片设计企业,将晶圆制造和封测环节委外,晶圆代工厂根据公司提供的产品设计版图、工艺制程要求完成晶圆的加工制造,经公司验收后,公司再根据市场需求对其进行委外封装和测试。通过将制造、封装、测试环节委外,发行人可将研发力量集中于功率半导体芯片设计环节,专注于自身所擅长的领域
281、,提升核心竞争力;同时 Fabless 经营模式较IDM 经营模式更为灵活,发行人可快速根据市场变化进行产品结构调整。发行人目前已与西安微晶微、汉磊科技等晶圆制造厂商及华天科技、泰州海天等封测厂商形成了长期合作关系,建立了较为稳定的晶圆制造、封装和测试的供应渠道。公司具有完善的外协供应商管理体系,对主要晶圆制造厂商及封测厂商均进行有效管理,以保证供应产品的质量符合要求。1、研发模式、研发模式 发行人制定了系统的研发管理制度和版图设计流程规范,包括产品设计开发控制程序版图设计管理规定产品验证管理规定工程封装管理规定等,对研发过程中各个环节进行了规范,保证设计研发产出符合公司要求规定,从而提升研发
282、产出效率和成功率。发行人的研发流程主要如下所示:苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-98 发行人研发流程主要包括论证阶段、设计阶段、工程试制阶段和定型阶段。(1)论证阶段)论证阶段 立项准备:立项准备:市场部根据市场调研信息,基于对客户需求搜集、整理、分析,进行产品定义,完成项目建议书或项目立项调查表,对项目的可行性进行分析,包括技术、原材料、工艺、成本、效益等方面。项目立项:项目立项:研发部根据项目建议书或项目立项调查表进行立项评审,评审通过后成立项目组,指定项目负责人,并对项目组成员进行分工,由项目负责人制定项目研发计划。(2)设计阶段)设计阶段 设计阶段项目组基于项目任务书
283、要求,对器件结构和线路进行设计,基于选择的工艺对器件及线路进行仿真,优化器件结构和工艺参数,最终确定器件结构及电路功能单元结构,进行版图设计,最后形成相关 GDS 文件。设计阶段主要包括如下环节:功率器件产品 苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-99 器件研发工程师根据项目立项调查表的需求,进行工艺平台的选择,同时在选定的工艺平台上进行器件结构及工艺仿真,基于仿真结果进行器件的版图设计,并提供器件研发芯片信息表,经过研发负责人签字确认后,输出制版用 GDS 文件,同时制定中、成测测试方案及产品封装规范。功率 IC类产品:线路设计人员根据项目基本要求,选取合适的 IP 及工艺进行线
284、路设计及仿真,形成完整的线路原理图和线路设计报告。在设计过程中,需要综合考虑中、成测可测性、封装要求,并提供可供版图设计人员参考的布图规划,且需要配合版图设计人员进行版图设计验证。版图设计人员根据线路原理图、布图规划以及工艺规则,使用选取的工艺平台进行版图设计,提供经过设计验证的版图数据(GDS 文件),形成版图设计报告。测试人员根据项目设计规范、各功能块参数设计目标值,搭建测试平台,辅助线路设计人员进行线路和系统设计。项目负责人与测试人员一起制定中、成测测试方案。项目组对线路设计报告版图设计报告中、成测测试方案及封装可行性进行审核,形成设计开发评审报告,同时根据评审的结果对项目问题点进行修改
285、和完善,随后版图和线路工程师需分别确认版图数据信息和工艺器件参数的选择和要求规范,最后输出制版用 GDS 文件。(3)工程试制阶段)工程试制阶段 制版:制版:功率器件类产品和 IC 类产品设计开发完成之后,项目负责人将制版需求发送至运营部,同时将设计的 GDS 文件发送工艺线指定的掩膜工厂,运营部安排订单、跟进制版进度及交付安排。工程批流片工程批流片:运营部根据项目负责人的内部订单安排晶圆代工厂进行工程批流片,流片完成后,测试人员根据评审的测试方案进行 CP 测试,项目负责人根据项目需求,安排封装需求至运营部,由运营部负责安排封测代工厂进行封装。测试人员对封装成品进行参数测试评价验证。苏州锴威
286、特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-100 以上内容完成之后,项目组提交工程批总结报告,由项目负责人组织工程批总结会议,确定下一步实验方案或改版方案。如改版方案确定后,由线路设计人员和版图设计人员分别安排改版,并重新进行制版流片。工程批工程批送样送样验证验证:工程批流片、封装、成测达到设计的预定目标后,由销售部负责送样给客户验证,研发部项目负责人跟踪客户的验证结果,综合所有验证结果,编制设计开发验证报告。试生产验证试生产验证:产品工程批验证通过后,研发部安排三批量试生产验证,试生产验证通过后,提交试生产总结报告并组织试生产总结会议。(4)定型阶段)定型阶段 试生产转试生产转量产:量产:试
287、生产通过后,质量部和研发部相关部门的负责人和项目负责人召开评审会议,对试生产转量产的可行性进行评审。项目结案:项目结案:评审通过后,产品设计开发结案。研发部给出量产品的生产规格及生产方案、CP/FT 的测试规范及生产产品的验收良率目标、封装规范及封装验收良率目标,编制产品规格书,产品定型,项目结案。2、采购模式、采购模式 报告期内,公司采购内容主要包括晶圆和封装测试服务。公司自主设计研发相关产品,再委托晶圆代工厂商生产并向其采购。晶圆采购根据公司是否提供原材料外延片分为直接委外和带料委外两种采购形式:对于直接委外,晶圆代工厂自行采购外延片并根据公司设计版图(公司设计版图的具体载体为 GDS文件
288、或掩膜版)及工艺要求制造出公司所需晶圆,向公司销售加工后晶圆;对于带料委外,由发行人提供外延片,晶圆代工厂仅负责晶圆制造,根据公司提供的设计版图及工艺要求制造出公司所需晶圆,并向公司收取加工费。两种模式所采购晶圆均为发行人自主设计研发。对于加工后晶圆,晶圆代工厂具备中测条件的,公司会直接采购中测后晶圆,如晶圆代工厂不具备中测条件,公司采购加工后晶圆后,再另行委外中测,中测完成后入库。公司制定了采购控制程序,对晶圆、外延片、封装、包辅料等采购流程制定了严格规定并遵照执行。公司还制定了供应商开发和管理程序wafer 委外加工管理规定CP 委外加工管理规定封装委外加工管理规苏州锴威特半导体股份有限公
289、司 招股说明书 1-1-101 定等规定,对各类外协采购进行严格管理和控制,保证外协采购内容满足公司要求。对于新供应商选择和导入,运营部成立了开发评估小组,择优选取具有一定规模和影响力、生产能力、质量控制能力、技术保障能力、按时交付能力、成本控制能力的供应商作为开发对象。运营部会同研发部、质量部对供应商进行合格供方评审,评审通过后,由质量部将其纳入公司的合格供应商名单,运营部负责具体采购执行。2021 年,公司为了锁定并进一步扩大西安微晶微的晶圆代工产能供给,以购置价值 7,377.06 万元(含税)的晶圆加工设备并投放于西安微晶微的形式与其合作。公司与西安微晶微签署了扩产合作协议,根据协议约
290、定,扩产完成后,西安微晶微将保证为公司提供不低于 18,000 片/月的晶圆代工产能供给。预计 2022 年西安微晶微将完成扩产。(1)设备使用费的确定依据 根据 2021 年 6 月签订的扩产合作协议约定,公司在西安微晶微加工或采购晶圆,在协议期内继续享有优惠协议价,具体由双方协商一致并以订单为准。在延续扩产协议签订之前晶圆采购价格优惠 10-20 元/片左右的基础上,双方进一步约定,西安微晶微向公司另行支付设备使用费 20 元/片。根据双方商讨的扩产合作方案,公司延续可享有的采购价格优惠与可收取的设备使用费的合计金额基本能够覆盖公司投入扩产设备后新增的折旧费用。因此,公司与西安微晶微确定的
291、设备使用费具有合理依据。(2)西安微晶微加工公司订单外的晶圆不支付设备使用费具有合理性 西安微晶微加工公司订单外的晶圆无需向公司支付设备使用费具有合理性,具体原因如下:1)公司投入的设备主要解决产线瓶颈,并未覆盖生产线的完整工序,从而不能单独使用公司的设备构建完整的生产线 半导体晶圆加工主工艺模块通常有氧化、光刻、刻蚀、注入、扩散、金属化等工序,公司本次投入的设备主要为光刻机、涂胶显影机、扩散炉等 6 英寸生产线的核心设备,重点在解决光刻、扩散及刻蚀工序的产线瓶颈,并未覆盖生产线的完整工序,从而不能单独使用公司的设备构建完整的生产线。苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-102 2
292、)公司投入扩产设备的目的是获取产能保障,加强对上游供应链的自主可控 根据扩产合作协议约定,增加扩产设备解决产线瓶颈后,西安微晶微向公司提供 1.8 万片/月(争取达到 2 万片/月)的晶圆产能供给保障。公司的相关扩产设备安装、调试交付后,在保障公司订单生产及产能供给的前提下,西安微晶微可以根据排产安排、产品类型等自主安排设备的剩余产能。综上,西安微晶微加工公司订单外的晶圆无需向公司支付设备使用费具有合理性。(3)相关合作安排不存在公司向西安微晶微让渡利益的情形 1)双方商讨的扩产合作方案不存在让渡利益的情形 尽管从晶圆单位成本角度,公司在本次合作后不再实际享受西安微晶微提供的价格优惠,但根据双
293、方商讨的扩产合作方案,公司购置扩产设备新增的折旧费用基本可以得到覆盖,因此双方本次合作不存在让渡利益的情形。2)本次合作对于参与各方都是一项公平合理的交易 西安微晶微本次扩产投资总预算 1.2 亿元,其中包括公司投放的设备、西安微晶微其他客户投入的资金、西安微晶微自行增添的配套设备及设施和资金投入等。公司购置设备的款项总额占本次扩产总预算约 60%,扩产后公司可获取产线总产能的 60%-70%,公司及其他客户的投入金额与扩产后各自享有的产能匹配,可见本次合作对于参与各方都是一项公平合理的交易。3)公司通过本次合作实现向产业链前端渗透,符合行业趋势,具有重要战略意义 当前,缺乏代工权已经成为制约
294、中国半导体设计公司发展的关键因素。设计公司晶圆制造是芯片产业链的重要环节,在全球晶圆产能紧缺等大背景之下,晶圆代工厂产能无法匹配设计公司不断提升的技术水平和产能需求。并且代工厂价格波动频繁,设计公司成本不可控。因此,设计公司向产业链前端渗透、实现自主可控已是大势所趋。公司采取向产业链前端渗透的策略,一方面在产能紧缺的时期可以保证产苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-103 能供给的稳定性,掌握一定的代工权;另一方面也能逐步加强对上游供应链的自主可控。浙商证券研究报告显示3,对于设计公司来说,自建晶圆厂、在成熟工艺节点掌握独立代工权、将芯片设计和生产制造环节集于一体,将成为趋势。公
295、司本次与西安微晶微扩产合作符合行业未来发展趋势,对于公司有重要的战略意义。4)公司拥有投入设备的所有权,具备较为可靠的升值预期 公司在本次扩产合作中购置投入的设备为 6 英寸半导体设备,主要包括光刻机、轨道机涂胶/显影等,公司拥有全部投入设备的所有权。目前大部分国外原厂专注于先进制程设备的研发及生产,逐步不再生产成熟制程设备及提供相关服务,而国内相关设备厂商的技术实力和供应能力还在提升过程中,因此可以预计相关设备在未来相当长时间内仍处于市场紧缺状态,具有较为可靠的升值预期。以轨道机涂胶/显影设备为例,根据设备提供商的询价,截至 2023 年2 月初,公司购买的上述设备市价增值约 40%。综上,
296、通过本次合作,公司实现向产业链前端渗透,逐步加强对上游供应链的自主可控;该合作对于参与各方都是一项公平交易;公司所投入设备亦存在升值预期。相关合作安排不存在发行人向西安微晶微让渡利益的情形。3、销售模式、销售模式 公司采取直销为主、经销为辅的销售模式,主要直销客户多为业内知名的芯片设计公司及高可靠领域客户,包括晶丰明源、必易微、芯朋微、灿瑞科技等;经销客户为公司的经销商。公司销售产品形态包括中测后晶圆、封装成品和裸芯,中测后晶圆和裸芯以直销模式为主,封装成品以直销和经销模式进行销售。公司的经销模式为买断式,属于行业内的常规模式。公司制定了成品客户管理规定报价管理规定售后服务管理制度客户投诉处理
297、控制程序等规定,其中对经销商的导入、价格制定、客诉流程等方面均作出了详细规定,公司与经销商均签署产品授权经销协议,对双方的权利和义务作出 3 出自浙商证券 2023 年 1月 20 日发布的行业专题报告2023 半导体未来十大产业趋势预测 苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-104 明确规定。按销售模式分类,报告期内,发行人主营业务收入构成如下:单位:万元 项目项目 2022 年度年度 2021 年度年度 2020 年度年度 金额金额 比例比例 金额金额 比例比例 金额金额 比例比例 直销 20,755.90 91.41%18,325.72 90.19%13,093.94 97.
298、84%经销 1,949.74 8.59%1,992.42 9.81%289.55 2.16%合计合计 22,705.64 100.00%20,318.15 100.00%13,383.49 100.00%(五)发行人设立以来主营业务、主要产品或服务、主要经营模式的演变情况 1、主营业务、主要产品或服务的演变情况、主营业务、主要产品或服务的演变情况 发行人主营业务为功率半导体的设计、研发和销售,并提供相关技术服务。自设立以来,发行人即围绕功率半导体产品不断进行业务开拓和持续创新。发行人以产品研发创新为业务发展的持续动力,根据下游客户和市场的需求持续进行研发创新,不断完善产品系列,并对现有产品进行
299、性能升级。发行人的技术研发发展节点和主要产品发展节点情况如下:苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-105 发行人建立了完备的研发体系,重视人才梯队建设和培养,可持续根据市场动态、终端应用方向的最新动向不断推出新产品,持续进行产品升级以保持自身竞争力。2、主要经营模式的演变情况、主要经营模式的演变情况 自设立以来,发行人的主营业务为功率半导体的设计、研发和销售,并提供相关技术服务。公司采用 Fabless 的经营模式,主要经营模式未发生重大变化。3、发行人目前经营模式的影响因素及未来变化趋势、发行人目前经营模式的影响因素及未来变化趋势 公司采用 Fabless 经营模式,专注于功率
300、器件和功率 IC 的设计、研发与销售,并提供相关技术服务。公司将晶圆制造、封装和测试等生产环节外包给第三方晶圆制造和封装测试企业完成,Fabless 经营模式属于轻资产运营模式,能够快速响应市场需求变化,是发行人基于自身发展阶段、战略定位、行业现状的选择,该经营模式与公司当前的战略发展定位和公司发展阶段相匹配。发行人预计未来相关影响因素不会发生重大变化,发行人将继续保持该经营模式。苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-106 4、发行人业务及其模式具有的创新性、独特性、创新内容及持续创新机制、发行人业务及其模式具有的创新性、独特性、创新内容及持续创新机制 发行人采用 Fabless
301、 经营模式,业务经营模式属于行业内的常用经营模式。发行人持续创新机制详见本节“七、发行人保持技术创新的机制、技术储备及技术创新的安排”。(六)发行人主要业务经营情况和核心技术产业化情况 报告期各期,公司营业收入分别为 13,698.04 万元、20,972.89 万元和23,538.19 万元,2020 年至 2022 年营业收入年均复合增长率为 31.09%。报告期内公司营收规模持续增长,具备较强成长性,公司功率 IC收入占比逐年提高。发行人将核心技术应用于产品研发,已研制出多款高性能功率器件和功率IC 产品。发行人技术产业化情况详见本招股说明书“第二节/五、/(二)发行人技术的产业化水平”
302、。(七)发行人主要业务流程图 发行人采用 Fabless经营模式,负责芯片设计、研发和销售业务流程环节,其余晶圆加工、封装和测试环节均委外完成。发行人业务主要流程图如下所示:公司的核心技术同时包含芯片设计和晶圆工艺,主要体现于上述业务流程图苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-107 中的芯片设计及晶圆加工环节。发行人作为采用 Fabless 经营模式的芯片设计企业,将晶圆制造环节委外。公司与晶圆代工厂的合作模式为:发行人完成芯片设计后,将设计版图生成的 GDS文件提交至掩膜厂制作掩膜版,再将掩膜版送至晶圆代工厂,晶圆代工厂根据发行人的工艺制程及要求规范,使用掩膜版完成晶圆的加工制
303、造,发行人验收后再根据市场需求将晶圆进行委外封装和测试。发行人的核心技术涵盖器件元胞结构、终端结构的设计及实现方法、工艺流程的优化改进及材料选择等方面。发行人已积累了如“高压 MOSFET 的少子寿命控制及工艺实现技术”“新型复合终端结构及实现工艺技术”等多项具有原创性和先进性的核心工艺技术,并自行编制了工艺信息文档,该文档包含了基于晶圆代工厂产线设备资源制造最终定型器件所需的工艺制造流程、各工艺环节的条件和控制规范、关键工艺菜单等全部信息。发行人会将工艺信息文档交予晶圆代工厂,晶圆代工厂按照发行人特有的工艺技术来进行晶圆的生产制造。具体核心技术在业务中的表现详见本节“六/(一)公司的核心技术
304、情况”。(八)发行人所属行业的代表性业务指标情况 报告期内,公司主要产品包括功率器件和功率 IC。其中功率器件以 MOSFET为主,功率 IC以 PWM 控制 IC和栅极驱动 IC为主。两类产品的代表性业务指标为其产品性能参数,具体业务指标对比详见本节“二/(五)/4、公司产品参数与竞品比较情况”。(九)产业政策和国家经济发展战略情况 公司产品主要包括功率器件和功率 IC 产品,两类产品均属于功率半导体领域,公司的功率 IC还属于模拟集成电路产品。针对半导体行业,近年来国家出台了一系列鼓励政策以推动我国半导体产业的发展,增强中国半导体产业创新能力和国际竞争力,也为公司业务发展创造了良好的条件。
305、具体产业政策和发展战略情况详见本节“二/(三)主要法律法规及行业政策”。苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-108 二、发行人所处行业的基本情况和竞争状况(一)所属行业及确定所属行业的依据 发行人主营业务为功率半导体的设计、研发和销售,并提供相关技术服务。根据中华人民共和国国民经济行业分类(GB/T47542017),公司所属行业为“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”。(二)行业主管部门及监管体制 公司所处行业为半导体行业,其管理体制是国家产业宏观调控下的市场调节机制。半导体行业由行政管理部门制定产业发展规划、发展政策,对行业进行宏观调控;由标准研究机构制定国家标准,对行业
306、进行标准化;由行业协会对行业进行自律规范管理。行业的主管部门为国家工业和信息化部,行业自律性组织为中国半导体行业协会。国家工业和信息化部主要职责包括:研究提出工业发展战略,拟订工业行业规划和产业政策并组织实施;指导工业行业技术法规和行业标准的拟订;按国务院规定权限,审批、核准国家规划内和年度计划规模内工业、通信业和信息化固定资产投资项目等。工信部下设电子信息司,其主要职责包括:电子信息产品制造的行业管理工作;组织协调重大系统装备、微电子等基础产品的开发与生产;组织协调国家有关重大工程项目所需配套装备、元器件、仪器和材料的国产化,促进电子信息技术推广应用。中国半导体行业协会是行业的自律组织和协调
307、机构,下设集成电路分会、半导体分立器件分会、半导体封装分会、集成电路设计分会、半导体支撑业分会等专业机构。中国半导体行业协会的主要任务包括:贯彻落实政府有关的政策、法规,向政府业务主管部门提出本行业发展的经济、技术和装备政策的咨询意见和建议;广泛开展经济技术交流和学术交流活动;开展半导体产业的国际交流与合作;协助政府制(修)订行业标准、国家标准及推荐标准;推动标准的贯彻执行等。国家工业和信息化部和中国半导体行业协会构成了半导体行业的管理体系。各企业在主管部门产业宏观调控、行业协会自律规范的约束下,面向市场自主经营,自主承担市场风险。苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-109(三)
308、主要法律法规及行业政策 半导体行业作为电子产品的上游行业,为各类电子产品提供核心基础元器件,对我国电子行业发展起着重要的支柱作用,是保持国民经济持续、快速、健康发展的先导型产业,亦是我国国家发展战略中的重要行业。近年来,我国中央及地方相继出台了一系列对半导体行业的扶持及鼓励政策,主要的法律法规及产业政策如下:名称名称 发布发布 机构机构 发布发布 时间时间 与公司所处行业相关内容与公司所处行业相关内容 与公司主营业务的关系与公司主营业务的关系 中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和 2035 年远景目标纲要 全 国 人民 代 表大会 2021年 纲要指出,需要集中优势资源攻关多领域
309、关键核心技术,其中集成电路领域包括集成电路设计工具开发、重点装备和高纯靶材开发,集成电路先进工艺和绝缘栅双极晶体管(IGBT)、微机电系统(MEMS)等特色工艺突破,先进存储技术升级,碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展 发行人主要产品中包含碳化硅等宽禁带半导体功率器件、功率 IC,该政策文件与公司产品/服务相关 基础电子元器件产业发展行动计划(2021-2023年)(工信部电子20215 号)工信部 2021年 实施重点产品高端提升行动,重点发展耐高温、耐高压、低损耗、高可靠半导体分立器件及模块等电路类元器件;实施重点市场应用推广行动,推动功率器件等高可靠电子元器件在高端装备制造市场的应用 发行
310、人的主要产品具备耐高温、耐高压、低损耗、高可靠的特点,广泛应用于高可靠领域,该政策文件与公司产品/服务相关 长三角 G60科创走廊建设方案 科技部、国家 发 改委 等 六部委 2021年 方案提出在重点领域培育一批具有国际竞争力的龙头企业,加快培育布局量子信息、类脑芯片、第三代半导体、基因编辑等一批未来产业 发行人主要产品中包含碳化硅等宽禁带半导体功率器件,属于第三代半导体,该政策文件与公司产品/服务相关 关于加快培育发展制造业优质企业的指导意见 工信部、科技 部、财 政 部等 六 部门 2021年 提出要“提高优质企业自主创新能力,加大基础零部件、基础电子元器件、基础软件、基础材料、基础工艺
311、、高端仪器设备、集成电路、网络安全等领域关键核心技术、产品、装备攻关和示范应用”发行人的功率器件产品属于基础电子元器件,发行人功率 IC 产品属于集成电路,该政策文件与公司产品/服务相关 江苏省“十四五”科技创新规划 江 苏 省人 民 政府 2021年 提出“加快向上游设计、下游制造环节的延伸拓展,重点突破新一代高端通用计算芯片、面向特定领域应用的 SoC 芯片等关键技术,加强高压功率 IC、新一代功率半导体器件及模块等先进制备工艺研发”发行人的功率 IC 和功率器件产品属于“高压功率 IC、新一代功率半导体器件”,该政策文件与公司产品/服务相关 关于扩大战略性新兴产业投资培育壮大国 家 发改
312、委 2020年 在“聚焦重点产业投资领域”中提出“加快新一代信息技术产业提质增效。加快基础材料、关键发行人的功率器件和功率 IC 属于“关键芯片、高端元器件”的范畴,苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-110 名称名称 发布发布 机构机构 发布发布 时间时间 与公司所处行业相关内容与公司所处行业相关内容 与公司主营业务的关系与公司主营业务的关系 新增长点增长极 的 指 导 意见发改高技 2020 1409号 芯片、高端元器件、新型显示器件、关键软件等核心技术攻关,大力推动重点工程和重大项目建设,积极扩大合理有效投资”该政策文件与公司产品/服务相关 国务院关于印发新时期促进集成电路
313、产业和软件产业高质量发展若干 政 策 的 通知 国务院 2020年 国家鼓励的重点集成电路设计企业和软件企业,自获利年度起,第一年至第五年免征企业所得税,接续年度减按 10%的税率征收企业所得税 聚焦高端芯片、集成电路装备和工艺技术、集成电路关键材料、集成电路设计工具、基础软件、工业软件、应用软件的关键核心技术研发。科技部、国家发展改革委、工业和信息化部等部门做好有关工作的组织实施,积极利用国家重点研发计划、国家科技重大专项等给予支持 发行人属于国家鼓励的重点集成电路设计企业和软件企业,享受该财税政策 关于印发制造业设计能力提升专项行动计 划(2019-2022 年)的通知 工信部、国家 发
314、改委 等 十三部委 2019年 在电子信息领域,大力发展集成电路设计、大型计算设备设计、个人计算机及智能终端设计、人工智能时尚创意设计、虚拟现实/增强现实(VR/AR)设备、仿真模拟系统设计等 发行人属于集成电路设计企业,属于集成电路设计行业,符合政策支持方向 关于集成电路设计和软件产业企业所得税 政 策 的 公告 财政部、税务总局 2019年 依法成立且符合条件的集成电路设计企业和软件企业,在 2018年 12 月 31 日前自获利年度起计算优惠期,第一年至第二年免征企业所得税,第三年至第五年按照 25%的法定税率减半征收企业所得税,并享受至期满为止 发行人符合该政策条件,报告期享受该财税政
315、策 产业结构调整 指 导 目 录(2019年本)国 家 发改委 2019年 明确将“集成电路设计”“新型电子元器件(片式元器件、频率元器件、混合集成电路、电力电子器件、光电子器件、敏感元器件及传感器、新型机电元件、高密度印刷电路板和柔性电路板等)制造”列为鼓励类发展的项目 发行人属于集成电路设计企业,主要产品功率MOSFET 属于电力电子器件,符合政策支持方向 答复函 工信部 2019年 研究制定了集成电路相关布局规划,推动包括工业半导体材料、芯片等产业形成区域集聚、主体集中的良性发展局面。对符合条件的工业半导体芯片设计、制造等企业的企业所得税、进口关税等方面出台了多项税收优惠政策,对相关领域
316、给予重点扶持 发行人功率器件及功率IC 可用于工业控制领域,属于“工业半导体芯片”的范畴,该政策文件与公司产品/服务相关 苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-111 名称名称 发布发布 机构机构 发布发布 时间时间 与公司所处行业相关内容与公司所处行业相关内容 与公司主营业务的关系与公司主营业务的关系 战略新兴产业分类(2018)国 家 统计局 2018年 指出“战略性新兴产业是以重大技术突破和重大发展需求为基础,对经济社会全局和长远发展具有重大引领带动作用,知识技术密集、物质资源消耗少、成长潜力大、综合效益好的产业”,并 将“半 导 体 分 立 器 件 制造”“集成电路设计”“
317、功率晶体管”“新型片式元件”“金属氧 化 物 半 导 体 场 效 应 管(MOSFET)”“功率肖特基二极管”列为战略新兴产业 发行人主要产品属于“金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)”,该政策文件与公司产品/服务相关 战略性新兴产业重点产品和服务指导目录(2016版)国 家 发改委 2017年 明确集成电路等电子核心基础产业地位,并将集成电路芯片设计及服务、电力电子功率器件列为战略新兴产业重点产品和服务 发行人属于集成电路芯片涉及企业,主要产品MOSFET 属于“电力电子功率器件”,该政策文件与公司产品/服务相关 国家信息化发 展 战 略 纲要 中 共 中央 办 公厅、国务 院 办公厅
318、2016年 制定国家信息领域核心技术设备发展战略纲要,以体系化思维弥补单点弱势,打造国际先进、安全可控的核心技术体系,带动集成电路、基础软件、核心元器件等薄弱环节实现根本性突破 发行人的功率 IC 产品属于“集成电路”,发行人的功率器件产品属于“核心元器件”,产品可应用于高可靠领域以实现自主可控,该政策文件与公司产品/服务相关 上述政策的颁布为我国半导体行业的发展提供了强有力的政策支持,为我国半导体行业的蓬勃壮大创造了良好的环境,有利于发行人的未来发展。(四)所属行业的特点和发展趋势 1、半导体行业的发展概况、半导体行业的发展概况(1)半导体行业产业链概览)半导体行业产业链概览 半导体核心产业
319、链主要包括芯片设计、晶圆制造和封装测试三大核心环节,产业链中的企业专注于各自优势细分领域,形成了深度专业化分工的格局,企业既可专注于某一优势环节,也可采用 IDM 模式一体化全覆盖发展。发行人专注于核心产业链中的芯片设计环节。产业链的上游是为晶圆制造、封装和测试环节提供所需原材料和相关设备的支撑产业;下游为各类使用半导体产品的终端应用企业。半导体产业链示意图具体如下:苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-112 (2)半导体行业市场规模)半导体行业市场规模 根据 WSTS 数据,2021 年全球半导体销售额达 5,559 亿美元,同比增长26.2%,这是自 2010 年后的最大增幅
320、。同时,WSTS 预计 2022 年全球半导体市场将继续增长至 6,135 亿美元。中国半导体行业伴随着中国经济的迅速增长而快速发展,半导体下游应用市场也在强劲需求的带动下不断增长;同时,国外半导体部分产能向包括中国在内的亚洲国家转移。受多重利好影响,中国半导体行业迅速发展。根据WSTS 数据,2021 年中国半导体市场规模已达 1,925 亿美元,占世界半导体市场的 34.6%,稳居全球第一大市场。2、功率半导体行业概述、功率半导体行业概述 根据功率半导体分立器件产业及标准化白皮书(2019 版),功率半导体按器件集成度可以分为功率器件和功率 IC 两大类。功率器件包括二极管、晶体管和晶闸管
321、三大类,其中晶体管市场份额最大,常见的晶体管主要包括MOSFET、IGBT、BJT等。功率 IC是指将高压功率器件与其控制电路、外围接口电路及各种保护电路等集成于同一芯片的集成电路,是系统信号处理部分和执行部分的桥梁。苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-113 功率半导体产品范围示意图功率半导体产品范围示意图(1)功率半导体市场规模)功率半导体市场规模 功率半导体的应用十分广阔,涉及电路控制和电能转换的产品均离不开功率半导体的使用。根据 Omdia 的数据及预测,2021 年全球功率半导体市场规模为 462 亿美元(主要包括功率器件、功率 IC 和功率模组),预计 2024 年将
322、达到 522 亿美元。全球功率半导体市场规模全球功率半导体市场规模 数据来源:Omdia、中信建投研究所,该数据并非专门为本次发行准备,发行人未为此支付费用或提供帮助 苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-114 中国的功率半导体行业在国家相关政策支持、国产化替代加速及资本推动等因素合力下,取得了长足的进步与发展。根据 Omdia 数据及预测,2021 年中国功率半导体市场规模为 182 亿美元,预计 2024 年将达 206 亿美元,中国作为全球最大的功率半导体市场,发展前景十分广阔。中国中国功率功率半导体半导体市场规模市场规模 数据来源:Omdia,该数据并非专门为本次发行准备
323、,发行人未为此支付费用或提供帮助(2)功率器件市场)功率器件市场 功率半导体主要可分为功率器件和功率 IC 两大类。根据 Omdia 数据,2020年全球功率器件市场规模约为 149.82 亿美元。随着各个领域对功率器件的电压和工作频率要求逐渐提升,能较好满足该需求的 MOSFET 等功率器件产品成为了功率器件的主流产品。根据 Omdia 数据,2020 年全球 MOSFET 器件市场规模为 80.8亿美元,在所有功率器件类别中占比最高,占比达 53.90%,且增速与功率器件总体增速接近,需求保持稳定增长。苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-115 2020 年功率器件各细分领域
324、市场规模年功率器件各细分领域市场规模 数据来源:Omdia,该数据并非专门为本次发行准备,发行人未为此支付费用或提供帮助(3)MOSFET 细分市场的情况细分市场的情况 MOSFET行业总览 MOSFET 全称为金属氧化物半导体场效应晶体管,是一种广泛应用于模拟电路与数字电路的场效晶体管,用于将输入电压的变化转化为输出电流的变化,可实现开关和信号放大等功能,与双极型晶体管(Bipolar Junction Transistor,也称 BJT、三极管)和绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,也称 IGBT)同属于晶体管领域。MOSFET 具有开关速
325、度快、输入阻抗高、热稳定性好等特性,应用于包括通信、消费电子、汽车电子、工业控制在内的众多领域。根据芯谋研究(ICwise)数据,2021 年全球 MOSFET 市场规模为 113.2 亿美元,预计 2025 年将增长至 150.5 亿美元,年化复合增长率达 7.4%。全球MOSFET 市场规模预计将保持稳定扩张,市场前景广阔。苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-116 全球全球 MOSFET 市场规模及增长预测市场规模及增长预测 数据来源:芯谋研究(ICwise),该数据并非专门为本次发行准备,发行人未为此支付费用或提供帮助 2021 年中国 MOSFET 市场规模约为 46.
326、6 亿美元,占全球市场的 41%。预计 2025 年中国 MOSFET 市场规模将增长至 64.7 亿美元,年化复合增长率为8.5%,增速高于全球市场增速。中国中国 MOSFET 市场规模及增长预测市场规模及增长预测 数据来源:芯谋研究(ICwise),该数据并非专门为本次发行准备,发行人未为此支付费用或提供帮助 苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-117 MOSFET产品的技术特点 功率器件种类较多,主要包括二极管、三极管(BJT)、晶闸管、MOSFET和IGBT等。其中,二极管、晶闸管、三极管(BJT)的优点是成本低,生产工艺相对简单,在中低端领域大量应用;MOSFET、IG
327、BT等器件结构相对复杂,工艺门槛和生产成本相对较高,系具有较高技术先进性的产品。根据Omdia数据,2020年全球MOSFET器件市场规模为80.8亿美元,在所有功率器件类别中占比最高,占比达53.90%,需求保持稳定增长。功率器件各类产品的性能和技术门槛具体对比情况如下:器件类型器件类型 优势优势 劣势劣势 技术门槛技术门槛 二极管 结构原理简单,工作可靠,属于不可控型开关器件,主要用作整流 电 压 电 流 容 量小,开关频率不高,在频率较高的电力电子电路中的应用受限 最简单的功率器件,原理成熟,技术门槛低 晶闸管 半控型开关器件(只能触发导通,不能触发关断),承受电压和电流容量在功率器件中
328、最高 电路结构上必须设置关断电路,使电路结构变复杂、增加成本;开关频率不高,难以实现变流装置的高频化 技术门槛相对较低,但对生产厂商的技术积累及整体配套能力具有一定要求 晶体管 BJT 电流控制型开关器件,导通电压低、通态电流大、损耗小,用于开关或功率放大 不 易 于 驱 动 控制,频率较低 技术成熟,技术门槛相对较低 MOSFET 电压控制型开关器件,开关速度快,输入阻抗高,热稳定性好,所需驱动功率小且驱动电路简单,工作频率高,不存在二次击穿问题 功率相对 IGBT较小,一般适用于 功 率 不 超 过10kW 的电力电子装置 有 较 高 技 术 门槛,产品可靠性要求高 IGBT 电压控制型开
329、关器件,绝缘栅双极型晶体管,开关损耗小,具有耐脉冲电流冲击的能力,电压越高,IGBT 越有优势,高压下,开关速度高,电流大 开 关 速 度 低 于MOSFET,生产成本相对较高,稳定性比MOSFET 稍差 技术门槛高,背面工艺等单点技术突破难 数据来源:国泰君安证券研究所、国元证券研究中心、民生证券研究所、国金证券研究所 MOSFET、BJT(双极型三极管)和 IGBT 同属于功率器件大类下的晶体管产品,三者技术特性对比具体如下:特性特性 BJT MOSFET IGBT 驱动方法 电流 电压 电压 苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-118 特性特性 BJT MOSFET IGB
330、T 驱动电路 复杂 简单 简单 输入阻抗 低 高 高 驱动功率 高 低 低 开关速度 慢 快 中 开关频率 低 快 中 安全工作区 窄 宽 宽 饱和电压 低 高 低 资料来源:瑞萨、中国产业信息网、民生证券 由上表可知,与BJT相比,MOSFET可在低电流和低电压条件下工作,也可用于大电流开关电路和高频高速电路,应用场景更为广泛;MOSFET具有易于驱动、输入阻抗高、开关速度快、导通内阻小等特点,结构较BJT更为复杂;部分MOSFET可将源极和漏极互换运用,栅极可正可负,灵活性较BJT更优。IGBT兼具BJT的高耐压和MOSFET输入阻抗高的特性,适用于高电压、大电流场合。综上所述,发行人主要
331、产品MOSFET的开关功耗低、开关速度快,适用于高频应用场景,技术门槛较高,产品可靠性要求高,是功率器件中技术先进性较高的产品品类。MOSFET 细分产品情况 根据工作电压划分,以400V为分界,MOSFET可分为高压MOSFET和中低压MOSFET;根据器件结构划分,MOSFET可分为平面MOSFET、沟槽型MOSFET、超结MOSFET等。三类MOSFET器件特性对比如下:项目项目 平面平面 MOSFET 沟槽型沟槽型 MOSFET 超超结结 MOSFET 电压范围 电压范围宽,可覆盖30V-1700V 的电压段,可分为中低压、高压和超高压三个电压段 10V-300V,主要覆盖中低压段 4
332、00V-1000V,主要覆盖高压段 电流范围 中低压:0.1A-200A 高压:0.1A-50A 超高压:0.1A-20A 5A-450A 5A-120A 苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书 1-1-119 项目项目 平面平面 MOSFET 沟槽型沟槽型 MOSFET 超超结结 MOSFET 特点 耐压范围宽,易于驱动,安全工作区宽,抗雷击浪涌能力强;芯片面积较大,损耗较高 耐压较低,工作频率高;损耗低;安全工作区较窄,抗雷击浪涌能力弱 耐压较高,工作频率高;损耗低,兼具高耐压低导通电阻;安全工作区较窄;对于深沟槽工艺超结MOSFET,EMI(电磁干扰)能力弱 A.三类MOSFET的市场
333、规模和国产化率情况 根据芯谋研究,2021年中国平面MOSFET的市场规模约为20.8亿美元,预计2025年可增长至30.2亿美元;2021年中国沟槽型MOSFET的市场规模约为19.0亿美元,预计2025年可增长至23.9亿美元;2021年中国超结MOSFET的市场规模约为6.8亿美元,预计2025年可增长至10.7亿美元。整体来看,未来三类MOSFET的市场规模均将继续增长,三类MOSFET共存于市场。国产化率方面,整体来看高压MOSFET的国产化率低于中低压产品。根据芯谋研究,2021年中低压平面(400V以下)MOSFET的国产化率约为42.2%,高压平面MOSFET的国产化率约为29.9%,超高压平面MOSFET的国产化率约为18.2%。B.三类MOSFET产品的研发差异 MOSFET的主要技术发展维度包括器件结构、制程、工艺、材料等多个方面,MOSFET的发展不高度依赖于先进制