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1、 本报告版权属于国投证券股份有限公司,各项声明请参见报告尾页。1 20242024 年年 0101 月月 1010 日日 电子电子 行业专题行业专题 高端国产替代系列高端国产替代系列-光刻胶:半导体光刻胶:半导体制制造造核心材料,核心材料,国产替代国产替代突围在即突围在即 证券研究报告证券研究报告 投资评级投资评级 领先大市领先大市-A A 维持维持评级评级 首选股票首选股票 目标价(元)目标价(元)评级评级 行业表现行业表现 资料来源:Wind 资讯 升幅升幅%1M1M 3M3M 12M12M 相对收益相对收益 -5.5 4.1 12.8 绝对收益绝对收益 -8.6-6.6-5.1 马良马良
2、 分析师分析师 SAC 执业证书编号:S01 程宇婷程宇婷 分析师分析师 SAC 执业证书编号:S02 相关报告相关报告 高通推出第二代骁龙 XR2+平台,原生鸿蒙生态有望迎来快速发展 2024-01-07 华为、小米新车相继发布,全球首款商务 AI PC 亮相 2024-01-01 苹果 MR 发售在即,美光业绩超预期 2023-12-24 英特尔发布首款 AI PC 处理器,特斯拉 Optimus 二代性能进一步提升 2023-12-17 消费电子新材料、新工艺及投资机遇 2023-12-16 光刻胶是光刻工艺的关键材料:光刻胶是光刻工艺的关键材
3、料:光刻胶按下游应用领域可分为 PCB、LCD/OLED 面板和半导体光刻胶,与光刻胶配套试剂一起在光刻工艺中作为耗材。其中半导体光刻胶壁垒最高,市场增速高于整体光刻胶市场增速。根据 SEMI 数据,2022年全球半导体光刻胶市场规模为 26.4 亿美元,同比增长 6.82%;大陆半导体光刻胶市场规模为 5.93 亿美元,同比增长 20.47%,增速远高于全球半导体光刻胶市场。光刻胶产业链壁垒高,多环节亟待突破:光刻胶产业链壁垒高,多环节亟待突破:我们从产业链上中下游角度讨论半导体光刻胶的核心壁垒:供给:树脂、单体、光引发剂等原料壁垒高,依赖进口国产化率低,进口难度大。高端光刻胶对树脂性能要求
4、高,且需一一对应;单体合成技术难度大,稳定性、纯度要求高,价格贵;感光剂影响光刻胶性能,高端产品价格高。制造:光刻胶的配方技术复杂、研发投入大,对产品的稳定性和洁净度要求高;光刻胶厂商的研发投入高,光刻机设备昂贵、进口限制高。需求:光刻胶品类多,客户端导入及验证周期长。晶圆厂扩产晶圆厂扩产+制程节点升级,驱动国内市场扩增制程节点升级,驱动国内市场扩增:晶圆厂扩产及稼动率提升,景气周期带动光刻胶耗材用量增加。制程升级以及先进制程占比提升,带动光刻胶单位用量及单位面积价值量增加。我们基于晶圆厂的未来扩产规划,从需求端对国内半导体光刻胶市场规模进行敏感性测算:中性假设下,预计 2025 年国内年半导
5、体光刻胶市场规模为 8.84 亿美元,2022-2025CAGR 为 14.23%。海外厂商垄断市场,国产化需求迫切海外厂商垄断市场,国产化需求迫切:全球半导体光刻胶市场主要由日系及美韩厂商垄断,2021 年 CR5 市占率近 80%。我国半导体光刻胶自给率低,KrF 不足 5%,ArF 不足 1%,高端半导体光刻胶国产化需求迫切,“卡脖子”亟待突破。国产厂商积极布局,根据公告,目前彤程新材 ArF 胶已具备量产能力,晶瑞电材、上海新阳、鼎龙股份、南大光电均有 ArF 胶产品在验证中;彤程新材、晶瑞电材、上海新阳已有 KrF 胶形成销售;华懋科技投资徐州博康,拥有光刻胶全产业链能力。我们认为,
6、随着中高端产品的研发进展快速推进、新产品导入上量,半导体光刻胶国产替代突围在即。-18%-8%2%12%22%32%--01电子电子沪深沪深300300 999563378 本报告版权属于国投证券股份有限公司,各项声明请参见报告尾页。2 行业专题行业专题/电子电子 投资建议:投资建议:半导体光刻胶壁垒高、国产化率低,作为半导体关键材料,自主可控需求迫切。国内厂商积极布局光刻胶及其上游材料供应链,中高端“卡脖子”产品有望加速突破。建议关注国产光刻胶相关标的:彤程新材、鼎龙股份、晶瑞电材、华懋科技、上海新阳、南大光电、艾森股份、飞凯材料、雅克科技;光
7、刻胶配套试剂及上游材料相关标的:强力新材、久日新材、圣泉集团、瑞联新材、万润股份、格林达等。风险提示:风险提示:下游客户验证不及预期的风险,政策变化的风险,晶圆厂下游客户验证不及预期的风险,政策变化的风险,晶圆厂扩产进度及稼动率不及预期的风险,行业竞争加剧的风险。扩产进度及稼动率不及预期的风险,行业竞争加剧的风险。hYdYoXjUyXbWlVfWxVsQtRtR6McM9PtRnNoMnReRpPnMkPrQoPbRoPrQxNrRoOuOnMwO行业专题行业专题/电子电子 本报告版权属于国投证券股份有限公司,各项声明请参见报告尾页。3 内容目录内容目录 1.光刻胶是光刻工艺的关键材料.5 1
8、.1.光刻胶按应用可分为半导体、PCB 和显示三类,半导体光刻胶壁垒最高.5 1.2.光刻胶市场持续扩容,半导体光刻胶市场国内增速高于全球.8 2.光刻胶产业链高壁垒,多环节亟待突破.10 2.1.供给端:上游原材料壁垒高、自给率低,国产化需求迫切.10 2.1.1.树脂及单体、感光剂等材料性能要求高,技术难度大.10 2.1.2.原材料依赖进口,国产供应商亟待突破.13 2.2.制造端:高端光刻胶产品配方技术复杂,研发投入大,制备要求高.14 2.3.需求端:半导体光刻胶品类需求多,导入认证周期长.16 3.晶圆厂扩产+制程升级,驱动国内市场需求扩增.18 3.1.驱动因素一:晶圆厂产能扩张
9、,半导体光刻胶用量增加.19 3.2.驱动因素二:制程节点升级&先进制程多次曝光,光刻胶需求量价齐升.20 4.半导体光刻胶市场海外垄断,国产化空间大难度高.21 4.1.全球市场海外寡头垄断,龙头厂商进展全面领先.21 4.2.多重因素助力国产化,国内光刻胶厂商加速突破.23 5.相关标的.25 5.1.国内主要半导体光刻胶企业.25 5.2.国内主要半导体光刻胶上游原材料及光刻胶配套试剂企业.28 6.风险提示.29 6.1.下游客户验证进展不及预期的风险.29 6.2.政策变化的风险.29 6.3.下游晶圆厂扩产进度及稼动率不及预期的风险.29 6.4.行业竞争加剧的风险.29 图表目录
10、图表目录 图 1.集成电路光刻工艺流程.5 图 2.光刻工艺示意图.5 图 3.正性光刻胶(正胶)与负性光刻胶(负胶)的区别.5 图 4.酚醛树脂基正性光刻胶受光辐照后可溶的化学反应.6 图 5.有无 BARC 的光刻胶反射光路图.8 图 6.全球光刻胶市场规模(单位:十亿美元).8 图 7.中国光刻胶市场规模(单位:亿元).8 图 8.2021 年全球光刻胶市场结构.9 图 9.2022 年国内光刻胶市场结构.9 图 10.2018-2022 全球半导体光刻胶市场规模(亿美元).9 图 11.2020-2022 国内半导体光刻胶市场规模(亿美元).9 图 12.2020-2025 年全球细分
11、半导体光刻胶市场规模(单位:百万美元).10 图 13.2020-2025 年全球细分半导体光刻胶市场结构.10 图 14.光刻胶产业链分布.10 图 15.光刻胶主要由树脂、感光剂、溶剂及添加剂构成.11 图 16.KrF 光刻胶原材料成本占比.11 图 17.光刻胶制备流程:单体-树脂-光刻胶.12 图 18.光刻胶生产流程需保证产品洁净度、产品感度膜厚稳定.16 图 19.芯片制造过程会用到多种光刻胶.17 行业专题行业专题/电子电子 本报告版权属于国投证券股份有限公司,各项声明请参见报告尾页。4 图 20.先进封装 Bumping 工艺中使用 PSPI 和厚膜光刻胶.17 图 21.2
12、021-2026 年 12 英寸晶圆厂月产能.19 图 22.2018-2025 年 8 英寸晶圆厂月产能.19 图 23.NAND 堆叠层数增加.20 图 24.先进制程全球出货量占比逐步提升.20 图 25.单位面积所使用的光刻胶价值量逐年上升.20 图 26.2021 年全球光刻胶市场份额.21 图 27.2021 年全球半导体光刻胶市场份额.21 图 28.TOK 光刻胶产品覆盖全曝光波长.22 图 29.TOK2019-2022 材料收入及息税前利润率(百万日元).22 表 1:正性光刻胶(正胶)与负性光刻胶(负胶)对比.6 表 2:光刻胶的类型和品种.7 表 3:光刻胶配套试剂种类
13、及用途.7 表 4:不同类型光刻胶对应不同成膜树脂.12 表 5:半导体光刻胶对应的感光剂主要分为 PAC 与 PAG 两种.13 表 6:高端光刻胶需要 semi 标准 G4 等级以上高纯试剂.14 表 7:已发表科研论文中的 EUV 光刻胶技术路线及性能汇总.14 表 8:光刻胶研发项目设备支出高昂(晶瑞电材 2021 年公告).15 表 9:光刻机高端机型设备昂贵(ASML2022 年年报).15 表 10:半导体光刻胶适用制程节点.18 表 11:部分国内晶圆厂 12 寸规划产能.19 表 12:国内半导体光刻胶市场需求预测.21 表 13:全球主要光刻胶厂商.22 表 14:2022
14、 年彤程新材涉及政府补助的光刻胶项目(单位:元).24 表 15:国内各光刻胶厂商产品进展(截至 2023 年 12 月 31 日).25 表 16:国内厂商半导体 KrF 光刻胶、ArF 光刻胶产品进展(截至 2023 年 12 月 31 日).25 行业专题行业专题/电子电子 本报告版权属于国投证券股份有限公司,各项声明请参见报告尾页。5 1.1.光刻胶是光刻工艺的光刻胶是光刻工艺的关键材关键材料料 1.1.1.1.光刻胶按应用可分为半导体、光刻胶按应用可分为半导体、P PCBCB 和显示三类,半导体光刻胶壁垒最高和显示三类,半导体光刻胶壁垒最高 光刻胶光刻胶是光刻工艺是光刻工艺的关键材料
15、的关键材料,光刻工艺是集成电路制造的核心工艺,光刻工艺是集成电路制造的核心工艺。光刻胶是利用光化学反应,经光刻工艺将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上的图形转移介质,是光刻工艺得以实现选择性刻蚀的关键材料,被广泛应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作。在大规模集成电路的制造过程中,光刻和刻蚀技术是精细线路图形加工中最重要的工艺,占芯片制造时间的 40%-50%。以集成电路为例,光刻工艺的过程可概括为涂胶、曝光、显影等环节。(1)涂胶:在晶圆衬底片上涂覆光刻胶,并进行前烘去除溶剂;(2)曝光:透过掩膜版,经紫外光、深紫外光、电子束、离子束等光照或辐射曝光,使曝光部分的感光组分发生化学
16、反应;(3)显影:烘烤后通过显影将光刻胶部分溶解,形成图形从掩膜版到衬底片的转移。图图1.1.集成电路光刻工艺流程集成电路光刻工艺流程 资料来源:晶瑞电材公告,国投证券研究中心 图图2.2.光刻工艺示意图光刻工艺示意图 图图3.3.正性光刻胶(正胶)与负性光刻胶(负胶)正性光刻胶(正胶)与负性光刻胶(负胶)的区别的区别 资料来源:SK 海力士官网,国投证券研究中心 资料来源:SK 海力士官网,国投证券研究中心 光刻胶按显示效果分为正性光刻胶和负性光刻胶,正胶通常用来绘制精细图形,负胶成本低、光刻胶按显示效果分为正性光刻胶和负性光刻胶,正胶通常用来绘制精细图形,负胶成本低、抗刻蚀能力强。抗刻蚀能
17、力强。光刻胶是一种受到光照后特性会发生改变的光敏材料,在光辐照的作用下,光敏化合物分解,激发光化学反应,在显影液中的溶解度发生变化,使得受光辐照的区域更 行业专题行业专题/电子电子 本报告版权属于国投证券股份有限公司,各项声明请参见报告尾页。6 加容易溶解于显影液中(负胶情况相反)。因此按照曝光区域的去除或者保留区分,曝光后溶解度上升的物质称作正性光刻胶(正胶),反之则为负性光刻胶(负胶)。使用正胶形成的图形与掩膜版相同,负胶则图形相反。正胶经显影处理后溶解度上升,被曝光的区域溶于显影液,在后续的刻蚀、沉积等工艺中会被去除掉,而没有被曝光部分不会受后续工艺的影响。负胶经曝光而固化的部分,在显影
18、过程中,因吸收部分显影液而容易膨胀、变形,不适合绘制精细图形。图图4.4.酚醛树脂基正性光刻胶受光辐照后可溶的化学反应酚醛树脂基正性光刻胶受光辐照后可溶的化学反应 资料来源:化工管理,国投证券研究中心 表表1 1:正正性光刻胶(正胶)与负性光刻胶(负胶)对比性光刻胶(正胶)与负性光刻胶(负胶)对比 属性属性 正胶正胶 负胶负胶 曝光前 不可溶 可溶 曝光后 变成可溶 不可溶 图形形成 与掩模板遮光区相同 与掩模板遮光区相反 优点 分辨率高 对比度好 良好的粘附能力 抗刻蚀能力强 感光速度快 缺点 粘附性差 抗刻蚀能力差 高成本 显影时发生变形和膨胀,影响分辨率 灵敏度 曝光区域光刻胶完全溶解时
19、所需的能量 保留曝光区域光刻胶原始厚度的50%所需的能量 资料来源:OLEDindustry,国投证券研究中心 光刻胶光刻胶按照下游应用领域不同,按照下游应用领域不同,可分为可分为半导体光刻胶、半导体光刻胶、PCBPCB 光刻胶光刻胶和显示和显示光刻胶光刻胶。其中 PCB光刻胶的技术难度相对较低,半导体光刻胶的技术壁垒最高。半导体光刻胶:半导体光刻胶:包括紫外宽谱光刻胶、g 线光刻胶、i 线光刻胶、KrF 光刻胶、ArF 光刻胶和 EUV 光刻胶。半导体光刻胶根据曝光光源波长进行分类,经历了从紫外光源到深紫外光源,再到极紫外光源的发展过程,用于半导体器件的制备。PCBPCB 光刻光刻胶:胶:包
20、括干膜光刻胶、湿膜光刻胶和光成像阻焊油墨。干膜、湿膜光刻胶用于PCB 印刷线路板中精细铜线路的加工,湿膜相对干膜的精度更高、成本更低,但设备成本高;光成像阻焊油墨在印刷版表面永久停留,具有绝缘作用,是用于预防焊锡搭线短路的保护层。显示光刻胶:显示光刻胶:包括薄膜场效应晶体管(TFT)光刻胶、彩色光刻胶、黑色光刻胶和触摸屏用光刻胶。TFT 光刻胶一般为正性胶,用于面板中 TFT 阵列的制备;彩色、黑色光刻胶 行业专题行业专题/电子电子 本报告版权属于国投证券股份有限公司,各项声明请参见报告尾页。7 均为负性胶,用于彩色滤光片的制备,由于含有颜料,在制造过程中对于颜料分散稳定技术要求较高;触摸屏用
21、光刻胶用于在玻璃基板上沉积氧化铟锡以制备触摸电极。表表2 2:光刻胶的类型和品种光刻胶的类型和品种 光刻胶类型光刻胶类型 品种品种 半导体光刻半导体光刻胶胶 紫外宽谱光刻胶、g 线光刻胶、i 线光刻胶、KrF 光刻胶、Arf 光刻胶、EUV 光刻胶等 PCBPCB 光刻胶光刻胶 干膜光刻胶、湿膜光刻胶、光成像阻焊油墨等 显示显示光刻胶光刻胶 薄膜场效应晶体管(TFT)光刻胶、彩色光刻胶、黑色光刻胶和触摸屏用光刻胶等 资料来源:中国电子信息产业发展研究院,国投证券研究中心 光刻胶配套试剂光刻胶配套试剂是是光刻工艺中与光刻胶配套使用光刻工艺中与光刻胶配套使用的湿化学品的湿化学品,主要主要包括增黏剂
22、、稀释剂、去包括增黏剂、稀释剂、去边剂、显影液、剥离液等。边剂、显影液、剥离液等。大部分配套试剂的组分是有机溶剂和微量添加剂,溶剂和添加剂都是具有低金属离子及颗粒含量的高纯试剂。在光刻工艺过程中,稀释剂用于稀释光刻胶,增黏剂用于涂布环节前,去边剂用于涂布环节中,显影液和剥离液用于显影环节及后续。表表3 3:光刻胶配套试剂种类及用途光刻胶配套试剂种类及用途 光刻胶配套试光刻胶配套试剂种类剂种类 用途用途 增黏剂增黏剂 是在涂布光刻胶前涂布光刻胶前对基片进行处理的一种试剂,主要成分是六甲基二硅氮烷。主要作用是通过与基片表面的羟基反应,将基片表面由亲水性变为疏水性,提高光刻胶与基片之间的黏附性,提高
23、光刻胶的抗湿法腐蚀性能。提高光刻胶的抗湿法腐蚀性能。稀释剂稀释剂 是一种用于稀释光刻胶稀释光刻胶的溶剂,主要作用是调整光刻胶的黏度,使其适用于不同的膜厚。其主要材料是常用的光刻胶溶剂,如丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)、丙二醇甲醚(PGME)、乳酸乙酯(EL)、二庚酮(MAK)等。去边剂去边剂 是在光刻胶涂布过程中用于清洗基片边缘光刻胶在光刻胶涂布过程中用于清洗基片边缘光刻胶的配套试剂。去边剂能快速溶解光刻胶,具有高纯度、低颗粒含量的特点,主要成分是有机溶剂,如丙二醇甲醚醋酸酯、丙二醇甲醚、乳酸乙酯等,需要与光刻胶的溶剂匹配。显影液显影液 是在显影过程中溶解基片上不需要的光刻胶在显影过程中溶解基
24、片上不需要的光刻胶的配套试剂。对于正性光刻胶,显影液主要是碱的水溶液,如四甲基氢氧化铵、氢氧化钠等;对于环化橡胶型的负性光刻胶,显影液的主要成分是有机溶剂。剥离液剥离液 是指在曝光显影及后续工艺后用于去除基片上的光刻胶在曝光显影及后续工艺后用于去除基片上的光刻胶的配套试剂。由于光刻胶在显影后不易被去除,因此需要剥离液对光刻胶有较强的溶解性能。常用的剥离液溶剂包括 N-甲基吡咯烷酮(纳米 P)、二甲基亚砜(DMSO)等。资料来源:集成电路材料研究,国投证券研究中心 抗反射涂层抗反射涂层能够提升关键尺寸的均一性,能够提升关键尺寸的均一性,B BARCARC 是目前主流方案是目前主流方案。随着集成电
25、路制程提升,图案分辨率要求提升,相对应的光刻技术的曝光波长不断减小,也伴随着负面的光刻工艺中驻波效应、摆动效应和凹缺效应等对图案关键尺寸的均一性影响增加,进而严重影响图案的清晰度和分辨率。抗反射涂层作为配套光刻胶,可以有效缓解这一问题。大部分的光刻胶是多层结构,在涂覆光刻胶前,可先将抗反射涂层涂覆在晶圆表面,作为光刻胶的其中一种涂层,以减少底部光的反射。抗反射涂层(Anti-Reflective Coatings,ARC)可分为顶部抗反射涂层(Top Anti-reflective Coatings,TARC)和底部抗反射涂层(Bottom Anti-reflective Coatings,B
26、ARC)两种,BARC 降低摆动效应和凹缺效应的效果更明显,因此增加 BARC 是目前行业普遍采用的主流方法。行业专题行业专题/电子电子 本报告版权属于国投证券股份有限公司,各项声明请参见报告尾页。8 图图5.5.有无有无 BARCBARC 的光刻胶的光刻胶反射光路图反射光路图 资料来源:影像科学与光化学,国投证券研究中心 1.2.1.2.光刻胶市场持续扩容,半导体光刻胶市场国内增速高于全球光刻胶市场持续扩容,半导体光刻胶市场国内增速高于全球 全球光刻胶市场全球光刻胶市场有望突破百亿美金,国内市场增速高于全球有望突破百亿美金,国内市场增速高于全球。随着 5G、智能家居、物联网、大数据等领域的快
27、速发展以及时代信息化的推进,半导体、显示面板和 PCB 等光刻胶下游应用的需求逐步提升。Data bridge 和 HDIN Research 数据显示,2021 年全球光刻胶市场规模为 91.8 亿美元,预计 2022-2027CAGR 为 5.4%,至 27 年市场规模达 122.5 亿美元。在市场需求增长及国产自主化政策推动下,叠加产业转移等因素,我国光刻胶市场规模加速扩增,2021年国内光刻胶市场规模为 93.3 亿元,同比增长 11.07%。预计 2023 年我国光刻胶市场规模将达到 109.2 亿元,同比增长 10.78%,高于全球平均水平。图图6.6.全球光刻胶市场规模全球光刻胶
28、市场规模(单位:十亿美元)(单位:十亿美元)图图7.7.中国中国光刻胶市场规模(单位:亿元)光刻胶市场规模(单位:亿元)资料来源:HDIN Research,Data bridge,国投证券研究中心 资料来源:中商产业研究院,国投证券研究中心 全球市场前三大应用占比合计超全球市场前三大应用占比合计超 7 75%5%,国内市场中国内市场中 P PCBCB 光刻胶仍占主流光刻胶仍占主流。全球光刻胶市场的面板胶、半导体胶、PCB 市场份额较为均衡,根据 HDIN 的数据,2021 年占比分别为 28.10%、24.20%、23.80%。我国光刻胶行业起步较晚,2022 年国内光刻胶市场 PCB 光刻
29、胶占比达 94%,面板光刻胶占比 3%、半导体光刻胶占比 2%。面板光刻胶、半导体光刻胶等部分高端产品仍需依靠进口,自给率较低,发展相对不均衡。0 02 24 46 68 84200020202020212021 2022E2022E2027E2027E全球光刻胶市场规模(十亿美元)全球光刻胶市场规模(十亿美元)CAGR 5.4%0.00%0.00%5.00%5.00%10.00%10.00%15.00%15.00%20.00%20.00%25.00%25.00%30.00%30.00%35.00%35.00%0 0202040
30、4060608080020172017 20182018 20192019 20202020 20212021 2022E2022E2023E2023E中国光刻胶市场规模(亿元)中国光刻胶市场规模(亿元)YoYYoY 行业专题行业专题/电子电子 本报告版权属于国投证券股份有限公司,各项声明请参见报告尾页。9 图图8.8.20212021 年年全球光刻胶市场结构全球光刻胶市场结构 图图9.9.2022022 2 年年国内国内光刻胶光刻胶市场结构市场结构 资料来源:HDIN,国投证券研究中心 资料来源:智研咨询,国投证券研究中心 半导体光刻胶市场半导体光刻胶市场增速高于整体市
31、场,国内市场规模增速远高于全球。增速高于整体市场,国内市场规模增速远高于全球。根据 SEMI 数据,2022年全球半导体材料市场销售额同比增长 8.9%,达 727 亿美元,其中晶圆制造材料 447 亿美元,占比 61.5%,同比增长 10.5%。2021 年半导体光刻胶在全球晶圆制造材料市场中份额占比为 6%,光刻胶辅助材料占比为 8%,合计约 14%,规模仅次于硅片、掩模版及电子特气。根据 SEMI 数据,2022 年全球半导体光刻胶市场规模达 26.4 亿美元,同比增长 6.82%,大陆半导体光刻胶市场规模为 5.93 亿美元,同比增长 20.47%。全球和国内的半导体光刻胶市场规模增速
32、均高于整体光刻胶市场增速。同时,国内半导体光刻胶市场增速远高于全球水平,国内半导体光刻胶市场在全球市场的份额占比从 2020 年的 16.9%增至 2022 年的 22.5%。图图10.10.20 全球半导体光刻胶市场规模(全球半导体光刻胶市场规模(亿亿美元)美元)图图11.11.20 国内国内半导体光刻胶市场规模(半导体光刻胶市场规模(亿亿美美元)元)资料来源:semi,国投证券研究中心 资料来源:semi,国投证券研究中心 半导体光刻胶市场中以半导体光刻胶市场中以 ArFArF 份额最高,份额最高,E EUVUV 增速最快增速最快
33、。根据 TECHCET 统计,全球半导体光刻胶市场中,按照曝光波长分类,2022 年 ArF 干式和 ArFi 浸没式光刻胶共计占 46%的市场份额,KrF 和 g 线/i 线光刻胶市场份额分别为 36%和 14%。其中由于 ArFi 浸没式光刻胶主要用于先进制程中的多重曝光过程,因此其需求量为普通光刻胶的 2-4 倍,份额占比最高。根据TECHCET 数据,2022 年全球 ArFi 浸没式光刻胶市场规模为 8 亿美元,ArF 干式光刻胶市场规模为 2 亿美元。EUV 光刻胶规模增速最快,TECHCET 预计其 2025 年将增至 2 亿美元,2022-2025CAGR 约为 30%,其次为
34、增速较快的依次为 KrF 光刻胶和 ArFi 光刻胶。随着半导体制程提升,ArF(包括 ArFi)光刻胶及 EUV 光刻胶市场有望持续高景气扩容。28.10%24.20%23.80%23.90%面板光刻胶面板光刻胶半导体光刻胶半导体光刻胶PCBPCB光刻胶光刻胶其他其他94%3%2%1%PCBPCB光刻胶光刻胶面板光刻胶面板光刻胶半导体光刻胶半导体光刻胶其他其他0%0%5%5%10%10%15%15%20%20%25%25%0 05 50252530302000222市场规模(亿美元)市场规模(亿美元)yo
35、yyoy0%0%5%5%10%10%15%15%20%20%25%25%30%30%35%35%40%40%45%45%50%50%0 01 12 23 34 45 56 67 72020202020222市场规模(亿美元)市场规模(亿美元)增速增速 行业专题行业专题/电子电子 本报告版权属于国投证券股份有限公司,各项声明请参见报告尾页。10 图图12.12.20 年全球细分半导体光刻胶市场规模(单位:百年全球细分半导体光刻胶市场规模(单位:百万美元)万美元)图图13.13.20 年全球细分半导体光刻胶市场结构年
36、全球细分半导体光刻胶市场结构 资料来源:TECHCET,国投证券研究中心 资料来源:TECHCET,国投证券研究中心 2.2.光光刻胶产业链刻胶产业链高壁垒,多环节亟待突破高壁垒,多环节亟待突破 光刻胶产业链上游原材料主要由树脂、感光剂、溶剂、添加剂等组成,其中树脂和感光剂是最核心的部分,技术难度较大。溶剂和其他添加剂等技术难度较低,光刻胶厂商普遍通过外购获得。光刻胶产业链中游主要由光刻胶厂商进行光刻胶的配方调配和生产。光刻胶产业链下游应用主要分为半导体、LCD/OLED 显示面板及 PCB 制造。图图14.14.光刻胶产业链分布光刻胶产业链分布 资料来源:UIV CHEM,国投证券研究中心
37、2.1.2.1.供给端:供给端:上游原材料上游原材料壁垒高、壁垒高、自给率低,国产化需求迫切自给率低,国产化需求迫切 2.1.1.2.1.1.树脂及单体、感光剂等材料性能要求高,树脂及单体、感光剂等材料性能要求高,技术难度大技术难度大 光刻胶主要由树脂(光刻胶主要由树脂(ResinResin)、感光剂()、感光剂(SensitizerSensitizer)、溶剂()、溶剂(SolventSolvent)及添加剂组成。)及添加剂组成。从成分来看,根据中国石油和化工期刊的数据,光刻胶含量成分占比分别为溶剂 50-90%、树脂 10%-40%、感光剂 1%-8%、添加剂 1%。从成本来看,树脂占光刻
38、胶总成本的比重最大,以KrF 光刻胶为例,树脂成本占比高达约 75%,感光剂约为 23%,溶剂约为 2%。根据南大光0 003003004004005005006006007007008008009009000202020222202320232024202420252025EUVEUVArFiArFiArFArFKrFKrFG&I lineG&I line1%2%4%6%7%8%39%38%37%36%37%36%10%10%9%9%8%7%33%34%36%36%37%37%16%15%14%13%12%12%0%0%20%
39、20%40%40%60%60%80%80%100%100%120%120%2020202020222202320232024202420252025EUVEUVArFiArFiArFArFKrFKrFG&I lineG&I line 行业专题行业专题/电子电子 本报告版权属于国投证券股份有限公司,各项声明请参见报告尾页。11 电公告,在 ArF 光刻胶中,树脂以丙二醇甲醚醋酸酯为主,质量占比仅 5%-10%,但成本占光刻胶原材料总成本的 97%以上。光刻胶树脂是一种惰性聚合物基质,作用是将光刻胶中的不同材料粘合在一起。树脂决定光刻胶的机械和化学性质(粘附性、胶膜厚度、柔顺
40、性等),树脂对光不敏感,曝光后不会发生化学变化。感光剂是光刻胶中的光敏成分,曝光时会发生光化学反应,是实现光刻图形转移的关键。溶剂让光刻胶在被旋涂前保持液体状态,多数溶剂会在曝光前挥发,不会影响光刻胶的光化学性质。图图15.15.光刻胶主要由树脂、感光剂、溶剂及添加剂构成光刻胶主要由树脂、感光剂、溶剂及添加剂构成 图图16.16.KrF 光刻胶原材料成本占比光刻胶原材料成本占比 资料来源:中国电子信息产业发展研究院,国投证券研究中心 资料来源:电子芯技术,国投证券研究中心 树脂是树脂是光刻胶光刻胶原材料原材料的的最核心成分,最核心成分,成本成本价值量价值量占比占比最高。最高。树脂的结构设计涉及
41、单体(树脂主要合成材料)的种类和比例,会直接决定光刻胶在特定波长下可以达到的线宽,也会影响ADR(碱溶解速率)的特性,从而决定曝光能量(EOP)、EL(能量窗口),LWR(线宽边缘粗糙度)等等。此外,树脂的分子量、PDI(分散度)等也会影响光刻胶的胶膜厚度、耐刻蚀性、附着力等,即树脂的质量决定了光刻“成画”的水平,而树脂质量的稳定性决定了每一幅画的水平是否稳定。高端光刻胶对树脂性能要求更高,各类高端光刻胶对树脂性能要求更高,各类光刻胶树脂光刻胶树脂难以通用。难以通用。在光刻工艺中,线宽主要由CD=k1*/NA 决定(K1:工艺的难易程度,k1 通常在 0.251 之间;:光源的波长;NA:投影
42、透镜的数值孔径)。所以线宽和波长正相关,在其他条件不变下,光源波长越短,线宽越小。而光刻胶树脂在对应波长下需要满足透光、低吸收等要求,曝光波长越短,对树脂的性能要求越高。例如,ArF 光刻胶树脂的要求条件为:在 193nm 处具有低吸收,较高的光学透明性;具有较高的热稳定性能,且 Tg 温度介于 130-170;由于膜厚的不断减小,需要具有较高的抗蚀刻性能;具有酸敏感基团,可以运用化学增幅技术以降低曝光能量等等。因此,线宽越小,曝光波长越短,对应的光刻胶及树脂性能要求越高。酚醛树脂适用于 G 线和 I 线,其曝光波长为 G 线 436nm、I 线 365nm,但在 KrF 适用的248nm 曝
43、光光源处不透明,与产酸剂存在竞争吸收关系,光敏性较差;聚甲基丙烯酸甲酯和聚对羟基苯乙烯则在 248nm 处具有较高的光透过性和分辨率,因此被适用作 KrF 光刻胶树脂。类似地,KrF 光刻胶树脂在 ArF 的 193nm 曝光光源下具有较高的吸收性,也无法达到 ArF 光刻胶树脂的要求条件,不同曝光波长对应的光刻胶品类之间,树脂也需一一对应,难以通用。75%23%2%树脂树脂感光剂感光剂溶剂溶剂 行业专题行业专题/电子电子 本报告版权属于国投证券股份有限公司,各项声明请参见报告尾页。12 表表4 4:不同类型光刻胶对应不同成膜树脂不同类型光刻胶对应不同成膜树脂 光刻胶体系光刻胶体系 成膜树脂成
44、膜树脂 曝光波长曝光波长/nm/nm 适用技术节点适用技术节点 G G 线线/I/I 线线 酚醛树脂 G:436 I:365 0.350.50 um KrFKrF 聚甲基丙烯酸甲酯、聚对羟基苯乙烯及其衍生物、马来酰亚胺衍生物 248 0.130.25 um ArFArF 聚酯环族丙烯酸酯及其共聚物 193 10 90nm EUVEUV 聚对羟基苯乙烯衍生物、聚碳酸酯类衍生物、聚(烯烃-砜)、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚 13.4 2 7nm 资料来源:当代石油石化,国投证券研究中心 光刻胶树脂单体用于合成光刻胶树脂,高端光刻胶树脂的对应单体成本更高。光刻胶树脂单体用于合成光刻胶树脂,高端光刻胶树脂的
45、对应单体成本更高。光刻胶制备链条顺序:光刻胶制备链条顺序:光刻胶树脂单体合成光刻胶树脂,树脂和感光剂等光刻胶原料再加工,形成光刻胶。不同光刻胶类型都有相应的光刻胶单体,传统 I 线单体主要是甲基酚和甲醛,属于大宗化学品;KrF 单体主要是苯乙烯类单体,性状是液体;ArF 单体主要是甲基丙烯酸酯类单体,性状有固体也有液体。光刻胶单体光刻胶单体的性能指标:的性能指标:包括纯度,水份,酸值,单杂,金属离子含量等指标。光刻胶单体和树脂的对应关系:光刻胶单体和树脂的对应关系:不同光刻胶单体做成树脂的收率不同(收率:单位数量单体最终聚合而成的树脂数量)。高端光刻胶单体对应的单位树脂产能少。根据半导体产业网
46、的数据,1 吨 KrF 单体大约会做出 0.8-0.9 吨 KrF 树脂;大约 1 吨 ArF 单体产生 0.5-0.6 吨 ArF 树脂,而且 ArF 树脂需要多种单体聚合而成,每种单体的性能和价格存在差异。半导体光刻胶单体合成技术难度大半导体光刻胶单体合成技术难度大,稳定性、纯度要求高,价格稳定性、纯度要求高,价格贵。贵。单体的合成工艺包括前道合成和后道提纯两道工艺。其中前道合成反应阶段的主要原料除主原料外还有甲醇、乙醇、二甲基甲酰胺等溶剂;后道纯化处理阶段的原料包括乙酸乙酯,甲基叔丁基醚等,这些材料国内有大量的供应商,量多且价格不高。半导体级光刻胶单体的合成具有一定的特殊性,与一般类单体
47、差异体现在三方面:半导体级光刻胶单体的合成技术难度更大。半导体级光刻胶单体要求质量更稳定,金属离子杂质更少。例如,半导体级单体纯度要求达到 99.5%,金属离子含量小于 1ppb(即 10 亿分之一);而面板级别的单体结构是环氧乙烷类,纯度要求或仅 99.0%,金属离子含量最少小于 100ppb 即可。半导体级光刻胶单体的价格远高于一般类单体。根据徐州博康公众号 2022 年发布的数据,普通 I 线单体 100-200 元/公斤,KrF 单体 500-1000 元/公斤,ArF 单体价格在 3000-10000 元/公斤不等。图图17.17.光刻胶制备流程:单体光刻胶制备流程:单体-树脂树脂-
48、光刻胶光刻胶 资料来源:半导体产业网,国投证券研究中心 行业专题行业专题/电子电子 本报告版权属于国投证券股份有限公司,各项声明请参见报告尾页。13 感光剂(光敏剂、光引发剂)感光剂(光敏剂、光引发剂)是影响光刻胶性能的重要原料是影响光刻胶性能的重要原料,不同品类的光刻胶用感光剂价,不同品类的光刻胶用感光剂价差达数十倍差达数十倍。光分解型光刻胶(光分解型光刻胶(g g 线、线、i i 线):线):采用含有重氮醌类化合物材料(PAC)作为光引发剂,经光照后发生光分解反应,用于制成正性光刻胶。光交联型光刻胶采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光引发剂,经光照后形成不溶性的网状结构,起到抗蚀作用,用于制成负性
49、光刻胶。化学放大光刻胶(化学放大光刻胶(KrFKrF 光刻胶、光刻胶、ArFArF 光刻胶、光刻胶、E EUVUV 光刻胶、电子束光刻胶):光刻胶、电子束光刻胶):采用光致酸剂(PAG)作为光引发剂,经光照后光致酸剂产生酸酸在后烘中作为催化剂,可以移除树脂的保护基因使树脂变得易于溶解。根据徐州博康公众号,PAC 在 i 线光刻胶原料占比为 1%-6%,单价在 600-700 元/kg。PAG 在化学放大型光刻胶(主要是 KrF 光刻胶、ArF 光刻胶)中占总成本的 10%-20%。KrF 光刻胶用PAG 单价在 0.5-1.5 万元/kg,ArF 光刻胶用 PAG 单价约 1.5-30 万元/
50、kg,价差可达 20 倍。表表5 5:半导体光刻胶对应的感光剂主要分为半导体光刻胶对应的感光剂主要分为 P PACAC 与与 P PAGAG 两种两种 光刻波长光刻波长 感光剂感光剂 成膜树脂材料成膜树脂材料 紫外全谱(300450 nm)双叠氮化合物 环化橡胶 G 线(436nm)重氮萘醌化合物 酚醛树脂 I 线(365nm)KrF(248nm)光致产酸剂 聚对羟基苯乙烯及其衍生物 ArF(193nm 干法)聚脂环族丙烯酸脂及其共聚物 ArF(193nm 浸没法)(高折射率浸没流体+高折射率透镜)极紫外(EUV,13.5nm)聚酯衍生物分子玻璃单组分材料 电子束 甲基丙烯酸脂及其共聚物 资料
51、来源:影像科学与光化学,国投证券研究中心 2.1.2.2.1.2.原材料依赖进口原材料依赖进口,国产供应商,国产供应商亟待亟待突破突破 高端光刻胶原料进口难度高,国产替代需求紧迫高端光刻胶原料进口难度高,国产替代需求紧迫。全球范围内光刻胶原料大厂主要来自日本,一类是自产树脂的光刻胶厂商,如信越化学、杜邦;另一类是专门生产原料的生产商,如光刻胶树脂厂商:东洋合成、住友电木、三菱化学等。光刻胶光引发剂厂商包括:巴斯夫、黑金化成、台湾优禘、国内的强力新材等。因此对于国内光刻胶厂商,实现高端光刻胶突破,需先解决原料稳定供应难题。KrF 光刻胶树脂基本依赖进口:KrF 用聚对羟基苯乙烯类树脂,单体为对羟
52、基苯乙烯的衍生物单体,此类树脂目前基本依赖进口,原因一是国产化难度高,生产树脂需要的单体国内只有很少厂家供应,同时光刻胶生产商和原材料供应商之间的业务关系一旦建立,就会在相当长的时间内保持稳定,供应链切换难;原因二是树脂的生产工艺有一定难度。ArF 光刻胶树脂难以进口:根据徐州博康公众号,ArF 的树脂由几种单体共聚而成,定制化程度比较高,国际市场上能够买到部分普通款的 ArF 树脂,但高端的 ArF 树脂几乎没有购买渠道。超净高纯试剂超净高纯试剂国产化率国产化率低低,国内精细化工水平与海外差距较大,国内精细化工水平与海外差距较大。合成光刻胶过程中,需要丙二醇甲醚醋酸酯、乳酸乙酯等高纯试剂。目
53、前国际上公认的湿电子化学品杂质含量标准是SEMI 国际标准,共分为五个等级。集成电路制造对于材料品质有较高要求,g/i 线光刻胶需要 G1 至 G3 SEMI 等级的超净高纯试剂,KrF 光刻胶需要 G3 至 G4 SEMI 等级的超净高纯试剂,ArF 光刻胶则需要 G4 SEMI 等级以上的超净高纯试剂。中国大陆大多数企业湿电子化学品产品等级在 SEMI G1 至 G2,部分企业在单一产品上达到 SEMI G3 级别,只有极少数企业个别产品达到 SEMI G4 以上级别,与世界领先水平还有较大差距。根据亚化咨询 2022 年公布数据,湿电子化学品的高端产品国产化率仅 10%左右。行业专题行业
54、专题/电子电子 本报告版权属于国投证券股份有限公司,各项声明请参见报告尾页。14 表表6 6:高端光刻胶需要高端光刻胶需要 semisemi 标准标准 G G4 4 等级以上高纯试剂等级以上高纯试剂 SEMISEMI 标准标准 C1(Grade1)C1(Grade1)C7(Grade2)C7(Grade2)C8(Grade3)C8(Grade3)C12 C12(Grade4)(Grade4)Grade5Grade5 金属杂质/(ug/L)100 10 1.0 0.5 0.5 0.2*颗粒个数/(个/mL)25 25 1.2 0.8-1.2 0.20.6 0.090.2 0.09 资料来源:电子
55、发烧友,国投证券研究中心 2.2.2.2.制造端:制造端:高端光刻胶高端光刻胶产品配方技术复杂,产品配方技术复杂,研发投入研发投入大,制备要求高大,制备要求高 光刻胶由分辨率、对光刻胶由分辨率、对比度、敏感度、粘滞性黏度、粘附性、抗蚀性和表面张力等参数指标比度、敏感度、粘滞性黏度、粘附性、抗蚀性和表面张力等参数指标评评估估。分辨率:是指区别硅片表面相邻图形特征的能力,在光刻胶上形成图案的关键尺寸越小,光刻胶的分辨率越好;对比度:指光刻胶发生光化学反应时,从曝光区到非曝光区过渡的侧壁陡度,侧壁越陡,对比度越好;敏感度:指在光刻胶上形成一个良好图形所需一定波长光的最小曝光量,对于波长更短的深紫外光
56、和极紫外光,光刻胶的敏感度更为重要;粘滞性:黏度用来衡量光刻胶流动特性,光刻胶中溶剂越少,粘滞性越高;粘附性:指光刻胶粘着于衬底的强度,粘附性需要经受住后续的刻蚀、离子注入等艺,以保证硅片表面的图形不会变形;抗蚀性:指光刻胶的耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力,以保证在后续刻蚀工序中能够保护衬底表面;表面张力:指液体中将表面分子拉向液体主体内的分子间吸引力,光刻胶基于流动性和覆盖的考虑,要求具有比较小的表面张力。壁垒壁垒一一:配方复杂:配方复杂,无法通过现有产品反推配方,不同光刻胶配方差异大,无法通过现有产品反推配方,不同光刻胶配方差异大。光刻胶是一种经过严格设计的复杂、精密的配方产品,由
57、成膜剂、光敏剂、溶剂和添加剂等不同性质的原料,通过不同的排列组合,经过复杂、精密的加工工艺而制成,是一项经验型学科,无法通过现有产品反向推断原材料配方。以 EUV 光刻胶为例,EUV 光刻胶有多种技术方向,如有机无机杂化体系、将酸敏感基团引入聚合物主链等。国内目前能同时达到具有高灵敏度、高分辨率、低 LWR(线宽粗糙度)且成本较低、易于工业化生产的 EUV 光刻胶体系还在研究阶段,未量化生产。表表7 7:已发表已发表科研科研论文中的论文中的 EUVEUV 光刻胶技术路线及性能汇总光刻胶技术路线及性能汇总 材料种类材料种类 分辨率分辨率(nm)(nm)线宽粗糙度线宽粗糙度(nm)(nm)灵敏度灵
58、敏度(mJ(mJcmcm-2 2)缩醛缩醛 22 5.7-酯类酯类 28.6-104 有机小分子有机小分子 23.1 1.7 12.18 芳基磺酸盐类芳基磺酸盐类 20-37.7 含不饱和双键的聚合物含不饱和双键的聚合物 45-18 有机金属纳米团簇有机金属纳米团簇 22 5.7 12 倍半硅氧烷倍半硅氧烷 15.1 6.4 107 资料来源:高分子通报,国投证券研究中心 行业专题行业专题/电子电子 本报告版权属于国投证券股份有限公司,各项声明请参见报告尾页。15 壁垒二:前期研发投入高昂,高端光刻机设备进口受限。壁垒二:前期研发投入高昂,高端光刻机设备进口受限。光刻胶研发费用高,设备支出投入
59、巨大。光刻胶厂商需要购买光刻机用于内部配方测试,根据验证结果调整配方。根据 2021 年晶瑞电材公告,单一台 ArF 光刻机需支出 1.5 亿元,设备总支出为 3.4 亿元。根据国际光刻机巨头 ASML 公告,2022 年 ASML 公司单台 EUV 光刻机平均售价在 1.76 亿欧元,ArFi 浸没式光刻机平均售价在 0.65 亿欧元。另一方面,高端光刻机依赖进口,影响产品研发进度。自2019 年 12 月瓦森纳协议修订以来,美国、日本等成员国对我国半导体出口一般按照 N-2 原则审批,即比最先进的技术晚两代。根据半导体产业纵横的数据,光刻机国外厂商的交期是35 年,不确定性增加。国内进口高
60、端光刻机受限,阻碍了和光刻机相配套光刻胶的研发突破。表表8 8:光刻胶研发项目光刻胶研发项目设备支出高昂设备支出高昂(晶瑞电材(晶瑞电材 2 2021021 年年公告)公告)序号序号 设备名称设备名称 数量数量 单价(万元单价(万元)总价(万元总价(万元)1 Arf 光刻机 1 15000 15000 2 Track(匀胶显影机)1 4500 4500 3 SEM(扫描电镜)1 2100 2100 4 ICP-MS 3 400 1200 5 核磁 NMR 1 1500 1,500 6 缺陷扫描 1 3000 3000 7 AFM(原子力显微镜)1 200 200 8 台阶仪 1 60 60 9
61、 APC 2 225 450 10 LC-MS 2 425 850 11 深紫外吸光光度计 2 175 350 12 椭偏仪 1 250 250 13 粘度计(低粘度)2 120 240 14 气相色谱 2 75 150 15 离子色谱 2 200 400 16 DSC(差示扫描量热仪)1 80 80 17 热重分析 1 50 50 18 红外 2 40 80 19 显微红外 2 200 400 20 高效液相色谱仪 2 65 130 21 XPS(X 射线光电子能谱)1 650 650 22 DRSEM(缺陷检测扫瞄电子显微镜)1 1,800 1,800 23 GPC/LS/DV 三联用 1
62、 160 160 24 其他辅助研发设备及配件/按需 250 合计 33850 资料来源:晶瑞电材公告,国投证券研究中心 表表9 9:光刻机高端机型设备昂贵光刻机高端机型设备昂贵(A ASML2022SML2022 年年报)年年报)设备类型设备类型 销售量销售量(台)(台)销售额(亿欧元)销售额(亿欧元)平均单价(万欧元)平均单价(万欧元)EUV 40 70.45 17613 ArFi 81 52.37 6465 ArF dry 28 6.24 2228 KrF 151 16.54 1095 l-line 45 2.12 470 资料来源:ASML 公告,国投证券研究中心 行业专题行业专题/电
63、子电子 本报告版权属于国投证券股份有限公司,各项声明请参见报告尾页。16 壁垒壁垒三三:产品稳定性难控制和洁净度要求高产品稳定性难控制和洁净度要求高。高端光刻胶的制备过程需要严格控制产品稳定和金属杂质含量。光刻胶生产工艺采用分步法以保证各生产批次间的稳定性。主要制造流程为:分别生产高感度光刻胶半成品和低感度光刻胶半成品。取样检测后进行配合比试验。针对不同树脂原料进行配方调整以保证产品的感度稳定,同时调整溶剂配比以保证产品的膜厚稳定,当产品达到相应的感度和动粘度规格后,配方调整结束。产品调整结束后,进行循环过滤,以保证产品的洁净度(控制产品中的粒子数),并得到最终产品。图图18.18.光刻胶生产
64、流程需保证产品洁净度、产品感度膜厚稳定光刻胶生产流程需保证产品洁净度、产品感度膜厚稳定 资料来源:中国电子信息产业发展研究院,国投证券研究中心 2.3.2.3.需求端:半导体光刻胶品类需求多,需求端:半导体光刻胶品类需求多,导入导入认证认证周期周期长长 芯片制程越高,所使用的光刻胶品类越多芯片制程越高,所使用的光刻胶品类越多。集成电路为多层结构,相同层的工艺方案没有规定一致,因此不同的制造厂会采用不同的光刻方案。以鳍式场效应晶体管(FinFET)的半导体逻辑器件为例,从下到上每一层的图形实现都需要依赖不同的光刻技术,从而需要不同的光刻胶:前道工艺关键层鳍式(Fin)和栅(Gate)采用氟化氩(
65、ArF)浸没式(波长 193nm)双重投影光刻技术实现,对应使用 ArF 浸没式光刻胶;如需进行切割,切割层(Cut Layer)采用极紫外(EUV,波长 13.5nm)光刻技术实现,对应使用 EUV 光刻胶;中道工艺(MOL)连接层 C(Contact Layer)采用 ArF 浸没式三重投影光刻技术或极紫外光刻技术实现,对应使用 ArF 浸没式光刻胶或 EUV 光刻胶;后道工艺(BEOL)。一是关键层的 V1/V2(通孔)和 M1/M2(金属)采用 ArF 浸没式双重投影光刻或 EUV 光刻技术实现,对应 ArF 浸没式光刻胶和 EUV 光刻胶。二是后道工艺非关键层分别采用 ArF 干法、
66、氟化氪(KrF,波长 248nm)和 i 线(I-line,波长 365nm)等光刻技术实现,分别对应 ArF 干法光刻胶、KrF 光刻胶和 i 线光刻胶等。行业专题行业专题/电子电子 本报告版权属于国投证券股份有限公司,各项声明请参见报告尾页。17 图图19.19.芯片制造过程会用到多种光刻胶芯片制造过程会用到多种光刻胶 资料来源:中国电子信息产业发展研究院,国投证券研究中心 先进封装先进封装 g/ig/i 线线光刻胶、光刻胶、P PSPISPI 光刻胶光刻胶用于用于 BumpingBumping、R RDLDL、T TSVSV 等先进封装工艺环节等先进封装工艺环节。与 IC制造时使用的 g
67、/i 线光刻胶相比,大多数封装技术中所用到的光刻胶层要厚很多,一方面是由于先进封装对精度要求相对晶圆制造环节低,另一方面是由于凸块需要厚涂。根据中国电子材料行业协会的数据,2022 年中国集成电路 g/i 线光刻胶市场规模总计 9.14 亿元,预计2025 年将增长至 10.09 亿元;其中集成电路封装用 g/i 线光刻胶市场规模 5.47 亿元,预计2025 年将增长至 5.95 亿元。先进封装 g/i 线正性光刻胶可用于先进封装 Bumping 工艺中图形转移、线路重排(RDL)、TSV 技术;先进封装 g/i 线负性光刻胶用于先进封装 Bumping 工艺中。凸块制作封装光刻胶 PSPI
68、 是一种光敏性聚酰亚胺材料,兼具光刻胶的图案化和树脂薄膜的应力缓冲、介电层等功能,类似于有图案的介电薄膜,可用于 Bumping 和 RDL 等先进封装工艺流程中。根据中国电子材料行业协会数据,2021 年中国集成电路晶圆制造用 PSPI 市场规模 7.12 亿元,预计到 2025 年将增长至 9.67 亿元。图图20.20.先进封装先进封装 Bumping 工艺工艺中使用中使用 PSPI 和厚膜光刻胶和厚膜光刻胶 资料来源:艾森股份公告,国投证券研究中心 下游客户端导入及下游客户端导入及验证周期长验证周期长,国产头部厂商具有自主替代先发优势国产头部厂商具有自主替代先发优势。由于光刻胶的质量稳
69、定直接影响芯片良率,集成电路制造企业对光刻胶的使用谨慎,从实验室样品到产线样品都需要在客户端进行反复多次的测试验证,才能确定光刻胶产品的基本配方,验证周期一般在2-3 年。客户产品验证过程需要经过四个阶段:PRS(基础工艺考核)、STR(小批量试产)、MSTR(中批量试产)、RELEASE(量产)。在四个阶段的测试验证都顺利通过的前提下,才有机 行业专题行业专题/电子电子 本报告版权属于国投证券股份有限公司,各项声明请参见报告尾页。18 会获得芯片生产公司的订单。因此,对光刻胶厂商来讲,验证周期长,会光刻胶研发项目开始产生销售回报的时间变长,变相增加前期投入成本,并且存在产品开发出来但客户认证
70、计划拖后、无法实行客户认证计划或无法通过客户认证的风险。因而我们认为,率先成功在客户端导入并形成量产突破的国内光刻胶厂商,有望在国产化过程中占据先发主导地位,保证相对较高的客户端份额。3.3.晶圆厂扩产晶圆厂扩产+制程升级,驱动国内市场需求扩增制程升级,驱动国内市场需求扩增 半导体半导体光刻胶光刻胶广泛应用于汽车电子、广泛应用于汽车电子、M MEMSEMS、存储、存储 I IC C、逻辑、逻辑 I IC C 等等制造过程制造过程,芯片制程节点提,芯片制程节点提升带动高端光刻胶需求升带动高端光刻胶需求。按曝光光源波长来分,半导体光刻胶可主要分为紫外全谱光(300450nm 波长)、g 线(436
71、nm 波长)、i 线(365nm 波长)、KrF(248nm 波长)、ArF(193nm 波长)、以及目前最前沿的 EUV 光刻胶(2000nm2000nm 6 6 英寸及以下英寸及以下 环化橡胶环化橡胶-双叠氮负胶双叠氮负胶 /g g 线线 436nm436nm 500nm500nm 6/86/8 英寸英寸 酚醛树脂酚醛树脂-重氮萘醌正性胶重氮萘醌正性胶 接触接近式接触接近式 i i 线线 365nm365nm 500500-350nm350nm 6/86/8/12/12 英寸英寸 KrFKrF 248nm248nm 250250-130nm130nm 8 8/12/12 英寸英寸 正、负正
72、、负 扫描投影式扫描投影式 ArF(ArF(干干)193nm193nm 130130-65nm65nm 1212 英寸英寸 正正 干式干式 DUVDUV ArFi(ArFi(湿湿)6565-7nm7nm 正正 浸没式浸没式 DUVDUV EUVEUV 13.5nm13.5nm 7nm7nm 1212 英寸英寸 正正 极紫外式极紫外式 资料来源:全球半导体观察,国投证券研究中心 半导体景气半导体景气周期提振周期提振,稼动率提升,稼动率提升将将拉动拉动光刻胶等光刻胶等半导体材料需求。半导体材料需求。(1)下游手机、可穿戴设备市场出货增长:根据 IDC 数据,23Q3 中国可穿戴设备市场出货量 34
73、70 万台,同比增长7.5%;智能手表市场出货量 1140 万台,同比增长 5.5%;手环市场出货量 398 万台,同比增长 2.2%;耳戴设备市场出货量 1924 万台,同比增长 9.8%。据中国信通院,2023 年 10 月中国智能手机出货量为 2818.1 万台,同比增长 18.5%;据国家统计局,2023 年 11 月中国智能手机产量为 1.21 亿台,同比增长 20.8%。(2)客户端库存消化基本完成,代工晶圆厂逐步走出周期底:根据 TrendForce 集邦咨询研究,随着终端及 IC 客户库存陆续消化至较为健康的水位,及下半年 iPhone、Android 阵营推出新机等有利因素,
74、2023 年第三季度,全球前十大晶圆代工厂产值为 282.9 亿美元,环比增长 7.9%。行业专题行业专题/电子电子 本报告版权属于国投证券股份有限公司,各项声明请参见报告尾页。19 3.1.3.1.驱动因素一:驱动因素一:晶圆厂产能扩张晶圆厂产能扩张,半导体光刻胶用量增加,半导体光刻胶用量增加 产能建设规划有序推进产能建设规划有序推进,国内晶圆国内晶圆厂新增项目数领先厂新增项目数领先。根据 SEMI2024 年 1 月公布的全球晶圆厂预测报告,从 2022 年至 2024 年期间,全球将投入建设 82 个晶圆厂,预期中国将扩大其在全球半导体产能占比。中国大陆制造商预计 2024 年将展开 1
75、8 座新晶圆厂,产能年增率将从 2023 年的 12%提升至 2024 年的 13%,中国台湾、韩国、日本预计自 2024 年起分别将有 5 座、1 座和 4 座新晶圆厂投产。表表1111:部分国内晶圆厂部分国内晶圆厂 1 12 2 寸规划产能寸规划产能 经营主体经营主体 地址地址 规划产能规划产能(万万片片/月)月)产品定位产品定位 当前进度当前进度 中芯东方 临港 10 28nm 及以上 2022 年 1 月开工,2022 年底厂房封顶 中芯西青 天津 10 0.18um-28nm 2022 年 9 月开工 中芯京城 亦庄 10 28nm 及以上 2021 年 1 月开工,2022 年底试
76、产 中芯深圳 深圳 4 28nm 及以上 2022 年底投产 华虹无锡 无锡 8.3(二期)40-65nm 先进特色 IC和高端功率器件 2023 年 6 月开工 华润微 深圳 4 40nm 以上模拟芯片 2024 年底通线量产 燕东微 北京 4 65nm 功率器件 2023 年 6 月通线量产 士兰集昕 杭州 3 功率器件芯片 部分投产 长江存储 武汉 20(二期)3D NAND 闪存芯片 晶合集成 合肥 4 DDIC 和 CIS 未开工 资料来源:各公司公告,offweek,国投证券研究中心 全球全球晶圆厂产能晶圆厂产能稳步稳步扩充扩充,国,国内内晶圆晶圆产能比重产能比重进一步提升进一步提
77、升。根据 SEMI 预测,全球半导体制造商 2026 年将推升 12 寸晶圆厂产能至每月 960 万片(wpm)的历史新高。12 寸晶圆产能经2021-2022 年连续扩充后,2023 年因存储、逻辑芯片需求疲软,扩张速度将有所趋缓。囿于美国出口管制,中国大陆将集中于成熟技术发展,并在政府支持下,带领 12 寸晶圆厂产能扩张,预估全球产能比重将从 2022 年的 22%增至 2026 年的 25%,达每月 240 万片。根据 SEMI预测,2021 年到 2025 年,全球半导体制造商 8 寸晶圆厂产能有望增加 20%,至每月 711 万片(wpm)。2025 年中国的 8 英寸晶圆产能增速将
78、达 66%,领先全球其他地区,且产能占比持续增加,约占全球 8 寸晶圆总产能 21%,约每月 149 万片。图图21.21.20 年年 1212 英寸晶圆厂月产能英寸晶圆厂月产能 图图22.22.20 年年 8 8 英寸晶圆厂月产能英寸晶圆厂月产能 资料来源:semi,国投证券研究中心 资料来源:semi,国投证券研究中心 行业专题行业专题/电子电子 本报告版权属于国投证券股份有限公司,各项声明请参见报告尾页。20 3.2.3.2.驱动因素二:驱动因素二:制程节点制程节点升级升级&先进制程先进制程多次曝光,光刻胶需求量价齐升多次曝光,
79、光刻胶需求量价齐升 单个芯片光刻胶用量增加,叠加先进制程芯片出货占比提升单个芯片光刻胶用量增加,叠加先进制程芯片出货占比提升。(1)先进制程芯片制造工艺更加复杂,多次光刻导致单芯片光刻胶用量提升:中国大陆的晶圆厂普遍采用 193nm 水浸没式光刻机多次曝光实现 7nm 逻辑芯片的光刻工艺流程。流程中金属层需采用 SALELE 自对准光刻-刻蚀、光刻-刻蚀图形方法,通孔层需采用 LE4 四次光刻-刻蚀方法,带动光刻胶用量需求增加(2)存储芯片 NAND 堆叠层数增加,光刻层数增加导致单芯片光刻胶用量提升:3D NAND 指存储单元的垂直堆叠。随着层数的增加,位密度会提高,从而增加存储容量。根据
80、SK 海力士官网,2014 年 3 月,SK 海力士开发出 24 层 2015D NAND 芯片,随后先后推出 48 层-96 层-176 层-238 层 NAND 芯片,堆叠层数持续增加。由于每一层 NAND 都要光刻工艺,光刻胶用量将同步成倍增长。2023 年 6 月 8 号 SK 海力士宣布已开始量产 238 层 4D NAND 闪存,将为智能手机和 PC 客户提供更高的性能。长江存储 232 层 Xtacking 3.0 产品 3D NAND 进展迅速,已于 23 年 11 月推出 232 层 QLC 3D NAND 芯片。(3)先进制程出货占比提升:根据 IC Insight 数据,
81、10nm 以下先进制程芯片出货比重逐年提升,2019 年 10nm 以下先进制程芯片出货占比为 4%,预计 2024 年将增长至 30%。图图23.23.NANDNAND 堆叠层数增加堆叠层数增加 图图24.24.先进制程全球出货量占比逐步提升先进制程全球出货量占比逐步提升 资料来源:SK 海力士官网,国投证券研究中心 资料来源:IC Insight,国投证券研究中心 制程制程升级带动光刻次数增加,单位面积光刻胶价值量提升升级带动光刻次数增加,单位面积光刻胶价值量提升。根据 SEMI 的数据计算,单位面积所使用的光刻胶价值量从 2018 年 0.13 美元/平方英寸上升到 2022 年约 0.
82、18 美元/平方英寸,2018-2022CAGR 为 8.48%,平均价值量的提升主要来源于先进制程占比的提升以及光刻次数的增加。图图25.25.单位面积所使用的单位面积所使用的光刻胶价值量光刻胶价值量逐年上升逐年上升 资料来源:semi,国投证券研究中心 4%10%16%23%27%30%0%0%20%20%40%40%60%60%80%80%100%100%201920192020E2020E2021E2021E2022E2022E2023E2023E2024E2024E10nm10nm10nm-20nm10nm-20nm20nm-40nm20nm-40nm40nm-0.18mm40nm-
83、0.18mm0.18mm0.18mm0.000.000.050.050.100.100.150.150.200.200 02020404060608080002000222光刻胶市场规模(亿美元)光刻胶市场规模(亿美元)硅片出货量(亿平方英寸硅片出货量(亿平方英寸)光刻胶价值量光刻胶价值量/单位面积(美元单位面积(美元/平方英寸)平方英寸)行业专题行业专题/电子电子 本报告版权属于国投证券股份有限公司,各项声明请参见报告尾页。21 我们对我们对国内半导体光刻胶国内半导体光刻胶市场市场需
84、求预测:需求预测:根据 semi 统计数据,2022 年大陆市场半导体光刻胶市场规模为 5.93 亿美元。假设单位面积所使用的光刻胶价值量复合增速 8.48%保持不变,则预计 2025 年单位面积所使用的光刻胶价值量为 0.23 美元/平方英寸。根据群智咨询统计,晶圆厂稼动率处于 65%-100%区间,我们中性假设为 80%。预计 2025 年国内年半导体光刻胶市场规模为 8.84 亿美元,为 2022 年市场规模的 1.49 倍,2022-2025CAGR 为 14.23%。表表1212:国内半导体光刻胶市场需求预测国内半导体光刻胶市场需求预测 悲观悲观 中性中性 乐观乐观 晶圆厂稼动率 7
85、0%80%90%2025 年国内 8 英寸晶圆产能(semi 预测)(万片/月)149.31 149.31 149.31 2025 年国内 12 英寸晶圆产能(semi 预测)(万片/月)211.60 211.60 211.60 2025 年国内 8 英寸光刻胶市场规模(亿美元)1.85 2.11 2.37 2025 年国内 12 英寸光刻胶市场规模 5.89 6.73 7.57 合计(亿美元)7.73 8.84 9.94 资料来源:semi,国投证券研究中心 4.4.半导体光刻胶市场海外垄断,国产化空间大难度高半导体光刻胶市场海外垄断,国产化空间大难度高 4.1.4.1.全球市场海外寡头垄断
86、,龙头厂商进展全面领先全球市场海外寡头垄断,龙头厂商进展全面领先 全球光刻胶市场集中度高全球光刻胶市场集中度高,日美韩等海外厂商垄断,日美韩等海外厂商垄断。2021 年全球光刻胶市场份额前五名依次为东京应化、JSR、信越化学、陶氏化学、富士胶片,合计占比 79.5%。半导体光刻胶技术壁垒较高,目前全球半导体光刻胶市场由日美韩厂商主导,东京应化、JSR、住友化学、富士胶片,四大日本企业分别占据 27%、13%、12%、8%市场份额,美国杜邦、韩国东进占据 17%、11%的市场份额。图图26.26.20212021 年全球光刻胶市场份额年全球光刻胶市场份额 图图27.27.20212021 年全球
87、年全球半导体半导体光刻胶市场份额光刻胶市场份额 资料来源:HDIN,国投证券研究中心 资料来源:HDIN,国投证券研究中心 25%20%16%10%8%21%东京应化东京应化JSRJSR信越化学信越化学陶氏化学陶氏化学富士胶片富士胶片其他其他27%17%13%12%11%8%12%东京应化东京应化美国杜邦美国杜邦 JSR JSR住友化学住友化学韩国东进韩国东进富士胶片富士胶片其他其他 行业专题行业专题/电子电子 本报告版权属于国投证券股份有限公司,各项声明请参见报告尾页。22 日系龙头日系龙头厂商厂商技术领先,技术领先,已实现高端光刻胶量产已实现高端光刻胶量产。目前,东京应化、JSR、信越化学
88、、住友化学、富士胶片、韩国东进、美国杜邦已覆盖所有不同曝光波长的半导体光刻胶类型。1980s 早期,IBM 突破了 KrF 光刻,但此时半导体工业的发展尚未到达需要 KrF 光刻大规模放量的时代。1995 年,日本东京应化(TOK)成功突破了高分辨率 KrF 正性光刻胶 TDUR-P007/009 并实现了商业化销售,打破了 IBM 对于 KrF 光刻胶的垄断,并借由光刻机市场由此前美国厂商主导逐步演变为佳能、尼康为龙头的时代,迅速放量占据市场,光刻胶市场也正式进入了日本厂商的霸主时代。2004 年,JSR 首次通过 ArF 沉浸式光刻成功实现了 32nm 分辨率,引领了巨大的的技术变革。20
89、06 年 JSR 又与 IBM 合作,通过 ArF 沉浸式光刻成功实现了 30nm 及更小的线宽。EUV 光刻胶的研发可以追溯至 1994 年,在 2000 年之后逐步成熟:2002 年,东芝开发出分辨率达到 22nm 的低分子 EUV 光刻胶。东京应化(TOK)与信越化学都参与到了 SEMATECH的 EUV 光刻胶的开发工作,其中 JSR 在 2011 年与 SEMATECH 联合开发出用于 15nm 工艺的化学放大型 EUV 光刻胶。表表1313:全球主要光刻胶厂商全球主要光刻胶厂商 公司公司 国家国家/地区地区 g g 线线/i/i 线线 KrFKrF ArFArF EUVEUV 东京
90、应化东京应化 日本 量产 量产 量产 量产 合成橡胶合成橡胶(JSR)(JSR)日本 量产 量产 量产 量产 住友化学住友化学 日本 量产 量产 量产 量产 信越化学信越化学 日本 量产 量产 量产 量产 富士胶片富士胶片 日本 量产 量产 量产 量产 东进世美肯东进世美肯 韩国 量产 量产 量产 量产 美国杜邦美国杜邦 美国 量产 量产 量产 量产 默克默克 德国 量产 量产 量产 锦湖石化锦湖石化 韩国 量产 量产 量产 资料来源:各公司公告,各公司官网,ET news,国投证券研究中心 TOKTOK(东京应化):全球(东京应化):全球半导体光刻胶龙头。半导体光刻胶龙头。TOK 具有世界领
91、先的微细加工和高纯化技术。1968 年,TOK 开始开发和销售第一批日本制造的半导体光刻胶。如今,TOK 提供与所有光刻机兼容的全系列光刻胶。除光刻胶外,TOK 产品覆盖半导体制造领域、半导体封装领域、图像传感器/MEMS 制造领域、面板制造领域等。根据 TOK 官网公布的数据,TOK2022年全球半导体光刻胶市场市占率第一,达 26.1%,细分市场中:g 线/i 线光刻胶市场市占率为 22.8%、KrF 光刻胶市场市占率为 36.6%、ArF 光刻胶市场市占率为 16.2%、EUV 光刻胶市场市占率为 38.0%。TOK 材料业务(含光刻胶)连续四年正增长,2022 年实现收入 1703 亿
92、日元,息税前利润率 20.4%。图图28.28.TOK 光刻胶产品覆盖全曝光波长光刻胶产品覆盖全曝光波长 图图29.29.TOK2019-2022 材料收入及息税前利润率(百万日元)材料收入及息税前利润率(百万日元)资料来源:TOK 官网,国投证券研究中心 资料来源:TOK 官网,国投证券研究中心 0%0%5%5%10%10%15%15%20%20%25%25%0 020,00020,00040,00040,00060,00060,00080,00080,000100,000100,000120,000120,000140,000140,000160,000160,000180,000180,
93、0002,0192,0192,0202,0202,0212,0212,0222,022材料业务材料业务息税前利润率息税前利润率 行业专题行业专题/电子电子 本报告版权属于国投证券股份有限公司,各项声明请参见报告尾页。23 美国杜邦(原名陶氏杜邦):美国杜邦(原名陶氏杜邦):系 2017 年 8 月,陶氏化学与杜邦公司完成对等合并后的一家控股公司。2019 年陶氏杜邦(DowDuPontInc.)拆分为陶氏(DOWInc.)、杜邦(DupontdeNemours,Inc.)及科迪华农业科技(CortevaAgriscience)三家企业。美国杜邦公司从事业务包括化工、材料、膜产品等,集中了原陶氏
94、、原杜邦的特种产品业务,包括封装材料及解决方案。杜邦在光刻技术方面有过许多行业首创的技术创新,产品包括 ArF 光刻胶、KrF 光刻胶、i/g 线光刻胶、EUV 光刻胶、EUV 底层和有机底部减反射涂层(BARC)材料。东进世美肯:东进世美肯:是一家生产销售半导体及显示器用材料,可再生能源用材料和发泡剂的公司。东进世美肯于 1984 年开始了半导体用封装材料事业,之后投身到半导体用工艺材料事业。1989 年成功开发出了光刻胶,成为了韩国国内第一家,世界上第 4 家成功开发光刻胶的企业。通过持续研究和开发,现已把 ArF 浸没式光刻胶、ArF 干式光刻胶、KrF光刻胶、i-Line 光刻胶、BA
95、RC、SOC、前驱体、CMP 抛光液等产品向国内外客户供应。根据东进官网数据,东进 2022 年在 3DNAND 用 KrF 光刻胶全球市占率第一。根据 2022 年12 月韩媒 ETnews 报道,东进世美肯 EUV 光刻胶已应用于三星电子量产线,在 2019 年日本对韩光刻胶出口禁令后实现韩国国内 EUV 光刻胶突破。J JSRSR:日本合成橡胶、合成树脂等石化事业的领导厂商,以石油化学为基础,拓展至显示器、电子与光电材料产业领域。JSR 株式会社的 FPD(FlatPanelDisplay)用有机化学材料、信息电子材料、光学材料等,在全球占有极高的市场占有率。公司半导体材料产品覆盖光刻胶
96、、CMP 材料、清洗液、先进封装材料等。公司是全球少数能够生产 EUV 光刻胶的公司之一。根据公司公告,公司 2022 年 ArF 全球市占率为 30%,排名全球第一。4.2.4.2.多重因素助力国产化,国内光刻胶厂商加速突破多重因素助力国产化,国内光刻胶厂商加速突破 目前我国半导体光刻胶的国产化率极低,且产品越高端国产化率越低。根据 2023 年艾森股份公告,g/i 线光刻胶的国产化率约为 20%,仍处于较低水平。根据 2023 年上海新阳公告,KrF 光刻胶整体国产化率不足 5%,ArF 干法与湿法光刻胶国产化率不足 1%。国内高端光刻胶属于利基市场,增速快、毛利高但整体规模小,前期研发投
97、入大。长期看来,国内光刻胶厂商有望突破各类集成电路高端光刻胶,填补国内材料供应链空白,加速国产化替代进程。优势一:优势一:国家政策支持,高端产品国产化突破势在必行国家政策支持,高端产品国产化突破势在必行 政府补助及大基金支持,助力行业政府补助及大基金支持,助力行业产业化产业化升级升级。以彤程新材为例,2022 年公司光刻胶项目涉及政府补助包括:高纯度电子级树脂产业化项目、KrF 半导体光刻胶产业化项目、248nm 光刻胶研发与产业化项目、存储器制造工艺用 KrF 负性光刻胶的开发与示范应用项目、高分辨线光刻胶检测设备升级项目、京东方北旭光电材料基地项目等。新增补助金额 2199 万元,光刻胶项
98、目政府补助期末余额为 7778 万元。另外,大基金二期曾于 2021 年和 2023 年先后增资南大光电和晶瑞电材子公司:向宁波南大光电增资 1.8 亿元;向增资晶瑞电材子公司湖北晶瑞增资 1.6 亿元。行业专题行业专题/电子电子 本报告版权属于国投证券股份有限公司,各项声明请参见报告尾页。24 表表1414:2 2022022 年彤程新材涉及政府补助的光刻胶项目(单位:元)年彤程新材涉及政府补助的光刻胶项目(单位:元)项目项目 期初余额期初余额 本期新增补助金额本期新增补助金额 本期计入其他收益金本期计入其他收益金额额 期末余额期末余额 高纯度电子级树脂产业化项目补助 1,600,000.0
99、0 1,600,000.00 KrF 半导体光刻胶产业化项目补助 20,000,000.00 10,000,000.00 30,000,000.00 248nm 光刻胶研发与产业化项目补助 37,597,670.48 3,063,529.14 34,534,141.34 存储器制造工艺用KrF 负性光刻胶的开发与示范应用项目补助 1,428,571.40 1,428,571.40 高分辨线光刻胶检测设备升级项目补助 2,000,000.00 216,666.71 1,783,333.29 京东方北旭光电材料基地项目 9,243,333.30 109,666.69 9,133,666.61 京东
100、方扶持资金 749,357.73 18,986.03 730,371.70 合计合计 60,626,241.88 21,992,691.03 4,837,419.97 77,781,512.94 资料来源:公司公告,国投证券研究中心 彤程新材、晶瑞电材、南大光电承担国家“彤程新材、晶瑞电材、南大光电承担国家“0202 专项专项”光刻胶项目”光刻胶项目并获得政府支持并获得政府支持。“02 专项”是由国家科技部发布的极大规模集成电路制造技术及成套工艺项目,因次序排在国家科技重大专项所列 16 个重大专项第二位,在行业内被称为“02 专项”。02 专项“十二五”期间重点实施的内容和目标分别是:重点进
101、行 45-22 纳米关键制造装备攻关,开发 32-22 纳米互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺、90-65 纳米特色工艺,开展 22-14 纳米前瞻性研究,形成65-45 纳米装备、材料、工艺配套能力及集成电路制造产业链,进一步缩小与世界先进水平差距,装备和材料占国内市场的份额分别达到 10%和 20%,开拓国际市场。彤程新材、晶瑞电材、南大光电分别承担国家“02 专项”KrF 光刻胶、I 线光刻胶、ArF 光刻胶项目。晶瑞电材和南大光电已于 2018 年和 2021 年通过项目验收。优势二:产业链上下游优势二:产业链上下游合作紧密合作紧密,国产厂商寻求突破,国产厂商寻求突破 同步布局上游原
102、材料端自研自产。同步布局上游原材料端自研自产。国内光刻胶主要厂商如彤程新材、鼎龙股份、徐州博康等现已具备高端光刻胶树脂等自我供应能力,实现原料自主可控。根据八亿时空 2023 年 6 月公告,公司实现 KrF 光刻胶用 PHS 树脂 50 公斤级别的量产,部分解决了国内光刻胶核心材料的卡脖子问题,打破了国际垄断,并正式向客户出货。华懋科技参股公司徐州博康积极布局光刻胶上游材料,光刻胶单体已研发近 70 款、光刻胶树脂研发近 50 款、光敏剂已研发超过 150 款。下游晶圆厂需求互补,配合紧密。下游晶圆厂需求互补,配合紧密。国内光刻胶厂商具备地域优势,在送样调试阶段能及时应对客户在设备和配方上的
103、调整需求。同时,由于国内晶圆厂为避免高端光刻胶产品断供,国产化需求紧迫,国内晶圆厂也积极寻求与国内光刻胶厂商合作,形成良好合作伙伴关系,加快推进光刻胶验证周期,实现进口替代。优势三:夯实中低端优势三:夯实中低端 g g/i/i 线光刻胶实力线光刻胶实力,持续发力高端,持续发力高端 半导体光刻胶国产化率极低,在国产替代迫切需求下,光刻胶国内厂商大力投入高端光刻胶产业化,g/i 线产品布局全面,积极布局并推进高端 KrF、ArF 光刻胶的研发送样。彤程新材(北京科华)、鼎龙股份、晶瑞电材、徐州博康(华懋科技)、上海新阳等国内厂商进展相对较快。根据多家公司公告,KrF 胶国产主流厂商如彤程新材、徐州
104、博康(华懋科技)、晶瑞电材、上海新阳处于产能爬坡/小批量供货阶段。ArF 光刻胶方面,彤程新材已具备量产能力。同时,同步培养上游原材料端的自研自产能力,有望从根本上解决卡脖子问题。行业专题行业专题/电子电子 本报告版权属于国投证券股份有限公司,各项声明请参见报告尾页。25 表表1515:国内各光刻胶厂商产品进展国内各光刻胶厂商产品进展(截至(截至 2 2023023 年年 1 12 2 月月 3 31 1 日)日)光刻胶应用领域光刻胶应用领域 技术储备技术储备 量产产品量产产品 公司名称公司名称 ICIC 面板面板 G G I I KrFKrF ArFArF G G I I KrFKrF Ar
105、FArF 彤程新材彤程新材 鼎龙股份鼎龙股份 徐州博康(徐州博康(华懋科技华懋科技)晶瑞电材晶瑞电材 上海新阳上海新阳 南大光电南大光电 飞凯材料飞凯材料 雅克科技雅克科技 容大感光容大感光 已量产验证中 资料来源:各公司公告,国投证券研究中心 表表1616:国国内厂商半导体内厂商半导体 KrFKrF 光刻胶、光刻胶、A ArFrF 光刻胶光刻胶产品产品进展进展(截至(截至 2 2023023 年年 1 12 2 月月 3 31 1 日)日)公司名称公司名称 KrFKrF 光刻胶光刻胶 A ArFrF 光刻胶光刻胶 彤程新材 量产品种达 20 种以上,稳定供货中 已具备 300 吨量产能力,目
106、前处于量产前的光刻工艺测试及产品验证阶段 鼎龙股份 已开发 7 款 KrF 光刻胶,在验证阶段 已开发 6 款浸没式 ArF 光刻胶,在验证阶段 华懋科技 参股公司徐州博康 20 余款 KrF 光刻胶正在客户端进行产品验证导入量产 参股公司徐州博康有 9 款 ArF 验证中 晶瑞电材 部分品种已于 2022 年开始量产 ArF 胶在验证阶段 上海新阳 KrF 胶进入中试阶段小批量出货 ArF 胶在验证阶段 南大光电 无 2 款 ArF 胶通过验证,多款验证中 资料来源:各公司公告,国投证券研究中心 5.5.相关标的相关标的 5.1.5.1.国内国内主要半导体主要半导体光刻胶企业光刻胶企业 彤程
107、新材:国内半导体光刻胶龙头彤程新材:国内半导体光刻胶龙头,新产能放量在即,新产能放量在即 公司业务分为电子材料、汽车/轮胎用特种材料、全生物降解材料三大板块。2023 年前三季度,公司实现营业收入 21.96 亿元,同比增加 18.89%;实现归母净利润 3.50 亿元,同比增加 45.57%。根据公告,公司 G 线光刻胶已经占据国内较大的市场份额;I 线光刻胶已广泛应用于国内 6、8、12集成电路产线,支持的工艺制程涵盖 14nm 及以上工艺。KrF 光刻胶量产品种达 20 种以上,稳定供应国内头部芯片制造商;公司拥有 8000 吨平板用光刻胶生产能力,是国内首家 TFT-LCDArray
108、光刻胶生产商,国内最大的液晶正性光刻胶本土供应商;截至 2023 年 11 月 6 日公告,年产 1.1 万吨半导体、平板显示用光刻胶及 2 万吨相关配套试剂项目已进入试生产阶段。公司上海化学工业区工厂年产 1 千吨半导体光刻胶量产产线,主要包括年产 300/400 吨 ArF 及 KrF 光刻胶量产产线。子公司北旭电子是国内最大的液晶正性光刻胶本土供应商,2023H1 实现销售收入 1.32亿元,同比增长-3.5%;面板光刻胶产品销量同比增长 9.6%,国内市占率约为 21.5%。行业专题行业专题/电子电子 本报告版权属于国投证券股份有限公司,各项声明请参见报告尾页。26 子公司北京科华是本
109、土半导体光刻胶龙头企业,唯一被 SEMI 列入全球光刻胶八强的中国光刻胶公司,目前拥有 KrF(248nm)、g 线、i 线、半导体负胶、封装胶等产品,是 KrF光刻胶国家 02 专项的承担单位,国内首家批量供应 KrF 光刻胶给本土 8 寸和 12 寸的晶圆厂客户。2023 年上半年半导体光刻胶实现销售收入 8258 万元,与上年同期基本持平,其中 KrF光刻胶同比增长 52.56%;I 线光刻胶方面,ICA 光刻胶(用于先进封装 TSV 工艺)同比增长 96.82%。鼎龙股份:鼎龙股份:平台型半导体材料龙头,平台型半导体材料龙头,高端半导体光刻胶新布局高端半导体光刻胶新布局 公司创立于 2
110、000 年,以打印复印耗材电荷调节剂起家,现已形成打印复印耗材全产业链、集成电路芯片及制程工艺材料、光电显示材料等三大板块的产业布局。2023 年前三季度公司实现营收 18.73 亿元,同比减少 4.24%;实现归母净利润 1.76 亿元,同比减少 40.21%。根据 2023 年 12 月 27 日公告,公司已具备独立开发高端晶圆光刻胶核心原材料功能单体,主体树脂和含氟树脂(浸没式 ArF 光刻胶的核心组分),光致产酸剂、淬灭剂及其它助剂等光刻胶上游原材料的能力,同时已开发出 13 款高端晶圆光刻胶产品,包括 6 款浸没式 ArF 光刻胶和 7 款 KrF 光刻胶产品,并有 5 款光刻胶产品
111、已在客户端进行送样,市场反馈正向,公司年产 300 吨 KrF/ArF 光刻胶产业化项目有望在 24 年第四季度建设完成。晶瑞电材:电子材料平台型公司晶瑞电材:电子材料平台型公司,KrFKrF 光刻胶光刻胶出货环比出货环比提升提升 晶瑞电材成立于 2001 年,主营产品包括光刻胶及配套材料、超净高纯化学品、锂电池材料和基础化工材料等,广泛应用于半导体、新能源等行业,公司 2023 年前三季度实现营业收入 9.59 亿元,同比下降 28.30%,净利润 2244.57 万元,同比下降 79.43%。公司光刻胶产品由子公司苏州瑞红生产,公司 KrF 光刻胶生产及测试线已经建成,且 KrF光刻胶部分
112、品种已于2022年开始量产,23年上半年公司KrF光刻胶的出货量环比提升,下游客户的验证及销售拓展工作正在有序进行中;ArF 高端光刻胶研发工作正在有序开展。2023 年上半年公司光刻胶产品实现营业收入 6942 万元,同比下降 8.73%,毛利率52.72%,同比下降 4.38pcts。华懋科技华懋科技:参股徐州博康布局高端光刻胶参股徐州博康布局高端光刻胶,战略布局光刻材料,战略布局光刻材料 公司成立于 2002 年,是一家新材料科技企业,产品涵盖汽车安全气囊、气囊布、安全带等。2023 年前三季度,公司实现营收 14.58 亿元,同比增长 31.50%;实现归母净利润1.49 亿元,同比增
113、长 19.52%。2021 年,公司通过产业基金的形式布局光刻材料业务板块,投资国内领先的半导体光刻胶企业徐州博康信息化学品有限公司,并与徐州博康成立合资公司东阳华芯电子材料有限公司,建立光刻材料研发、生产及销售全产业链经营。公司重要参股公司徐州博康作为国内领先的 IC 光刻胶与光刻材料公司,2022 年以来在光刻胶相关的技术与工艺环节突破不断,有多款高端光刻胶产品分别获得了国内 12 寸晶圆厂的相关订单,包括 ArF-immersion 产品及 ArF-dry,KrF,I-line 等。其中,ArF-immersion 产品已经适用于 28-45nm 制程。2022 年以来形成销售的 ArF
114、 光刻胶、KrF 光刻胶及 I 线光刻胶分别有 5、15、14 款。积极布局光刻胶上游材料,光刻胶单体已研发近 70 款、光刻胶树脂研发近 50 款、光敏剂已研发超过 150 款。控股子公司东阳华芯在23H1 也取得了开工许可,“年产 8000 吨光刻材料新建项目”建设工作正在有序推进中。上海新阳:半导体材料与功能性涂料双轮驱动,上海新阳:半导体材料与功能性涂料双轮驱动,KrFKrF 光刻胶小批量销售光刻胶小批量销售 上海新阳创立于 1999 年 7 月,主要业务分为集成电路制造及先进封装用关键工艺材料及配套设备和环保型、功能性涂料。2023 年前三季度归属于母公司所有者的净利润 1.14亿元
115、,同比增长 716.15%;营业收入 8.71 亿元,同比减少 0.77%。公司集成电路制造用高端光刻胶产品系列包括 I 线光刻胶、KrF 光刻胶、ArF 干法、浸没式光刻胶以及稀释剂、底部抗反射膜(BARC)等配套材料,主要用于逻辑、模拟和存 行业专题行业专题/电子电子 本报告版权属于国投证券股份有限公司,各项声明请参见报告尾页。27 储芯片生产制造。公司光刻胶项目研发进展比较顺利,I 线、KrF 光刻胶目前已在超 20家客户端提供样品进行测试验证。公司 KrF 光刻胶目前已有多型号产品实现小批量、持续销售。同时原料开发工作也取得阶段性成果,原料树脂的合成方案探索、工艺优化、稳定性等方面都取
116、得突破。ArF 浸没式光刻胶的研发进展顺利,已在国内多家晶圆制造企业开展测试验证工作,部分型号产品已取得良好的测试结果及工艺窗口,技术指标与对标产品比较接近。2023H1 公司半导体行业实现营业收入 3.39 亿元,同比增长 6.27%,集成电路制造用关键工艺材料系列产品收入稳定增长,其中光刻胶系列产品已实现营业收入超百万元。南大光电:南大光电:多多个个产品线发力产品线发力电子材料,电子材料,推进推进 ArFArF 光刻胶光刻胶产业化产业化 公司创建于 2000 年,主要业务覆盖先进前驱体材料、电子特气、光刻胶及配套材料等三大领域。公司 2023H1 实现营收 8.26 亿元,同比下降 2.4
117、6%,营收贡献主要来自 MO 源产品和特气产品,分别占 2023H1 收入的 13%、75%。公司 2023H1 实现归母净利 1.52 亿元,较上年同增长 5.43%。公司光刻胶产品还未量产,已有两款 ArF 胶通过客户验证,多款胶正在验证过程中。验证中的 ArF 光刻胶有两款胶进入 MSTR(批量验证)阶段。公司承担的国家科技重大专项(02 专项)“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”之“先进光刻胶产品开发与产业化”项目已于 2021 年通过验收,现具有年产 5 吨的干式 ArF 光刻胶及年产 20 吨的浸没式 ArF 光刻胶产业化生产线。公司用于生产 ArF 光刻胶的核心原材料由公司自主
118、研发,对于国内具备供应能力的原材料,通过外购解决。艾森股份艾森股份:以先进封装材料为核心,光刻胶业务稳步推进:以先进封装材料为核心,光刻胶业务稳步推进 公司主要分为电镀液及配套试剂、光刻胶及配套试剂两大产品板块。公司前三季度实现营业收入 2.48 亿元,同比减少 2.23%,实现归母净利润 0.19 亿元,同比增长 116.10%。公司光刻胶主要产品有:先进封装用 g/i线正性光刻胶、先进封装用 g/i线负性光刻胶、晶圆制造 i 线正性光刻胶、OLED 阵列制造正性光刻胶。晶圆制造用 i 线正性光刻胶系公司自研,已通过华虹宏力的认证并进入小批量供应阶段。先进封装用 g/i 线负性光刻胶系公司自
119、研,经过多轮的测试认证,于 2022 年度实现在长电科技、华天科技的批量供应,实现销售收入 385.63 万元。先进封装用 g/i 线正性光刻胶系外购产品,由发行人与潍坊星泰克合作完成客户导入。公司2022年光刻胶实现收入865.73万元,占比2.17%,光刻胶配套试剂 4926.03 万元,占比 15.44%。飞凯材料:飞凯材料:紫外固化、半导体、屏幕显示等多元布局,光刻胶研发建设项目稳步推进紫外固化、半导体、屏幕显示等多元布局,光刻胶研发建设项目稳步推进 公司于 2002 年成立,目前核心业务覆盖紫外固化材料、半导体材料、屏幕显示材料和有机合成材料四大领域。公司 23H1 实现营业收入 1
120、3.18 亿元,较去年同期比较下降19.88%;实现归母净利 1.74 亿元,较去年同期减少 31.08%。公司光刻胶产品包括两类,第一类主要是应用在 TFT-LCD 面板领域的正性光刻胶和负性光刻胶产品,两者已形成稳定营收;第二类是应用于半导体领域的 i-line 光刻胶及 KrF配套 BARC 光刻胶,其中 i-line 光刻胶和 BARC 光刻胶都已经形成少量销售。丙烯酸酯类及光刻胶产品升级改造建设项目有序推进。公司前期建设项目 5000t/aTFT-LCD 光刻胶项目已向客户稳定供货。雅克科技雅克科技:国内前驱体领先企业:国内前驱体领先企业,布局多品类光刻胶持续渗透,布局多品类光刻胶持
121、续渗透 公司成立于 1997 年,业务板块覆盖电子材料、LNG 保温绝热板材和阻燃剂,客户资源丰富。2023 年前三季度公司营收为 35.42 亿元,同比增长 11.84%;归母净利润为 4.81 亿元,同比增长 3.73%公司光刻胶产品以面板胶为主,半导体光刻胶处于测试导入阶段。公司的光刻胶产品主要包括面板用正性 TFT 光刻胶、RGB 彩色光刻胶、CNT 防静电材料以及光刻胶配套试剂。公司通过收购科特美、LG 彩胶事业部及 colorspacer 和 oc 胶相关业务等,进一步增强面板光刻胶竞争优势,提升下游面板客户渗透率。目前 CFPR 彩色光刻胶、TFTPR 正胶产能分别为 4800
122、吨/年和 3000 吨/年,新产能光刻胶满产将达 2 万吨。随着产能释放及下 行业专题行业专题/电子电子 本报告版权属于国投证券股份有限公司,各项声明请参见报告尾页。28 游 OLED 行业渗透率提升,面板光刻胶业务有望持续贡献业绩增量。2023 上半年公司光刻胶及配套试剂业务实现营收 5.59 亿元,占比 23.06%。5.2.5.2.国内国内主要半导体光刻胶上游原材料及光刻胶配套试剂主要半导体光刻胶上游原材料及光刻胶配套试剂企业企业 强力新材强力新材(光引发剂、树脂)(光引发剂、树脂):公司主要为光刻胶厂商提供光引发剂(包括光增感剂、光致产酸剂)、光刻胶树脂等产品。根据 2023 半年报数
123、据,主要产品包括 PCB 光刻胶光引发剂(营收占比 18.49%)、PCB 光刻胶树脂(营收占比 10.77%)、LCD 光刻胶光引发剂(营收占比 24.55%)、其他用途光引发剂(营收占比 27.37%)。主要客户包括长兴化学、旭化成、昭和电工、住友化学、JSR、TOK、三菱化学、LGC、三星 SDI 等全球知名光刻胶生产商。公司 2023 年前三季度营业收入 5.97 亿元,同比减少 15.87%,归属上市公司股东的净利润-0.21 亿元,同比减少 160.21%。久日新材(光引发剂、光刻胶):久日新材(光引发剂、光刻胶):公司主要从事系列光引发剂的研发、生产和销售,是全国产量最大、品种最
124、全的光引发剂生产供应商,。终端客户主要为下游 UV 涂料、UV 油墨等产品生产企业。子公司大晶信息年产 600 吨微电子光刻胶专用光敏剂项目已于 2022H1投产,截至 2023 半年报,光刻胶专用光敏剂产品已开始向部分企业小批量供货。同时公司持续推进半导体光刻胶项目,多款半导体 i 线、g 线光刻胶在下游客户进行验证。2023 年前三季度,久日新材营业收入 8.92 亿元,同比减少 19.75%。圣泉集团圣泉集团(树脂)(树脂):公司是以合成树脂及复合材料、生物质化工材料及新能源相关产品的研发、生产、销售为主营业务的高新技术企业,其中酚醛树脂、呋喃树脂产销量规模位居国内第一、世界前列。202
125、3 年上半年度,公司实现营业收入 43.66 亿元,同比下降8.63%;实现归母净利润 3.13 亿元,同比下降 5.80%。其中铸造材料产业实现营业收入15.02 亿元,同比下降 16.59%。公司酚醛树脂产业(不含电子化学品)实现营业收入 16.49亿元,同比下降 2.37%。公司电子化学品实现营业收入 53,769.37万元,同比下降 13.91%;销量较去年同期增长 5.34%。公司特种电子树脂、苯酚联苯环氧、结晶型环氧、DCPD 环氧树脂等多款高端电子化学品研发成功并实现量产。公司光刻胶树脂销量保持稳步增长;新型高纯环氧树脂的开发进展顺利,预计在 2023 年下半年实现批量供货。瑞联
126、新材瑞联新材(单体)(单体):公司产品涵盖显示材料、医药产品、电子化学品等新材料。其中显示材料产品根据终端产品显示特性的不同分为 OLED 材料、液晶材料;医药产品包括创新药中间体和原料药(试生产中),电子化学品主要产品包括半导体光刻胶单体、TFT 平坦层光刻胶、膜材料中间体和聚酰亚胺单体等。公司生产及研发的半导体光刻胶单体以 ArF和 KrF 为主,EUV 光刻胶单体产品近期已通过客户验证,TFT 平坦层光刻胶处于验证中。2023H1 公司电子化学品及其他新材料板块实现销售收入 0.28 亿元,占公司营收比重为5%,同比增长 22%。2023 年前三季度,公司实现营业收入 9.32 亿元,同
127、比下降 21.6%;实现归母净利润 0.98 亿元,同比下降 53.1%。万润股份万润股份(单体、树脂):(单体、树脂):公司主要从事环保材料产业、电子信息材料产业、新能源材料产业和生命科学与医药产业四个领域产品的研发、生产和销售。2023 年前三季度,公司实现营业收入 31.76 亿元,同比减少 17.39%;实现归母净利润 5.75 亿元,同比减少10.62%。公司目前在半导体制造材料领域的相关产品主要包括光刻胶单体、光刻胶树脂、光致产酸剂以及半导体制程中清洗剂添加材料等,并已有相关产品实现供应。根据公司2023 年半年报,公司“年产 65 吨光刻胶树脂系列产品项目”已经达到预定可使用状态
128、,并已有产出产品通过下游客户验证,后续可根据客户订单情况生产供应。格林达格林达(光刻胶配套试剂)(光刻胶配套试剂):公司产品主要有显影液、蚀刻液、稀释液、清洗液等。下游应用领域主要为显示面板、半导体、太阳能电池等,主要用于显影、蚀刻、清洗等电子产品制造工艺中。公司核心产品 TMAH 显影液系 LCD、OLED 显示面板生产过程中的关键 行业专题行业专题/电子电子 本报告版权属于国投证券股份有限公司,各项声明请参见报告尾页。29 材料之一。公司承接的国家科技重大专项项目课题“光刻胶用显影液(极大规模集成电路用)”项目,已通过科技部的项目验收。公司承接浙江省“领雁”研发攻关计划项目-“先进半导体材
129、料中光刻胶配套高纯显影液的技术研发”,现处于客户端测试和产业化推动阶段。2023 年前三季度营收 5.18 亿元,同比减少 19.38%;归母净利润 1.22 亿元,同比减少 12.1%。6.6.风险提示风险提示 6.1.6.1.下游客户验证进展不及预期的风险下游客户验证进展不及预期的风险 半导体光刻胶验证周期较长,客户验证结果及通过验证时间存在不确定性。6.2.6.2.政策变化的风险政策变化的风险 光刻胶业受到政府政策的影响,如税收政策、产业政策、科技政策等。政策变化可能导致 企业面临不利影响,如税收增加、产业限制等。6.3.6.3.下游下游晶圆厂扩产进度及稼动率不及预期的风险晶圆厂扩产进度
130、及稼动率不及预期的风险 半导体光刻胶处于半导体产业链前端,其市场需求和全球及国内半导体产业的发展状况息息相关。如果下游晶圆厂受到半导体行业周期性波动的影响,扩产进度放缓或稼动率下滑,可能影响对光刻胶的需求。6.4.6.4.行业竞争加剧的风险行业竞争加剧的风险 伴随着半导体产业链国产化的趋势加快,行业技术迭代升级快及国家政策的持续鼓励等特点,光刻胶行业面临着良好的行业发展机遇,国内市场参与者逐步增加,将可能使市场竞争加剧。行业专题行业专题/电子电子 本报告版权属于国投证券股份有限公司,各项声明请参见报告尾页。30 行业行业评级体系评级体系 收益评级:领先大市 未来 6 个月的投资收益率领先沪深
131、300 指数 10%及以上;同步大市 未来 6 个月的投资收益率与沪深 300 指数的变动幅度相差-10%至 10%;落后大市 未来 6 个月的投资收益率落后沪深 300 指数 10%及以上;风险评级:A 正常风险,未来 6 个月的投资收益率的波动小于等于沪深 300 指数波动;B 较高风险,未来 6 个月的投资收益率的波动大于沪深 300 指数波动;分析师声明分析师声明 本报告署名分析师声明,本人具有中国证券业协会授予的证券投资咨询执业资格,勤勉尽责、诚实守信。本人对本报告的内容和观点负责,保证信息来源合法合规、研究方法专业审慎、研究观点独立公正、分析结论具有合理依据,特此声明。本公司具备证
132、券投资咨询业务资格的说明本公司具备证券投资咨询业务资格的说明 国投证券股份有限公司(以下简称“本公司”)经中国证券监督管理委员会核准,取得证券投资咨询业务许可。本公司及其投资咨询人员可以为证券投资人或客户提供证券投资分析、预测或者建议等直接或间接的有偿咨询服务。发布证券研究报告,是证券投资咨询业务的一种基本形式,本公司可以对证券及证券相关产品的价值、市场走势或者相关影响因素进行分析,形成证券估值、投资评级等投资分析意见,制作证券研究报告,并向本公司的客户发布。行业专题行业专题/电子电子 本报告版权属于国投证券股份有限公司,各项声明请参见报告尾页。31 免责声明免责声明 。本公司不会因为任何机构
133、或个人接收到本报告而视其为本公司的当然客户。本报告基于已公开的资料或信息撰写,但本公司不保证该等信息及资料的完整性、准确性。本报告所载的信息、资料、建议及推测仅反映本公司于本报告发布当日的判断,本报告中的证券或投资标的价格、价值及投资带来的收入可能会波动。在不同时期,本公司可能撰写并发布与本报告所载资料、建议及推测不一致的报告。本公司不保证本报告所含信息及资料保持在最新状态,本公司将随时补充、更新和修订有关信息及资料,但不保证及时公开发布。同时,本公司有权对本报告所含信息在不发出通知的情形下做出修改,投资者应当自行关注相应的更新或修改。任何有关本报告的摘要或节选都不代表本报告正式完整的观点,一
134、切须以本公司向客户发布的本报告完整版本为准,如有需要,客户可以向本公司投资顾问进一步咨询。在法律许可的情况下,本公司及所属关联机构可能会持有报告中提到的公司所发行的证券或期权并进行证券或期权交易,也可能为这些公司提供或者争取提供投资银行、财务顾问或者金融产品等相关服务,提请客户充分注意。客户不应将本报告为作出其投资决策的惟一参考因素,亦不应认为本报告可以取代客户自身的投资判断与决策。在任何情况下,本报告中的信息或所表述的意见均不构成对任何人的投资建议,无论是否已经明示或暗示,本报告不能作为道义的、责任的和法律的依据或者凭证。在任何情况下,本公司亦不对任何人因使用本报告中的任何内容所引致的任何损
135、失负任何责任。本报告版权仅为本公司所有,未经事先书面许可,任何机构和个人不得以任何形式翻版、复制、发表、转发或引用本报告的任何部分。如征得本公司同意进行引用、刊发的,需在允许的范围内使用,并注明出处为“国投证券股份有限公司研究中心”,且不得对本报告进行任何有悖原意的引用、删节和修改。本报告的估值结果和分析结论是基于所预定的假设,并采用适当的估值方法和模型得出的,由于假设、估值方法和模型均存在一定的局限性,估值结果和分析结论也存在局限性,请谨慎使用。国投证券股份有限公司对本声明条款具有惟一修改权和最终解释权。国投国投证券研究中心证券研究中心 深圳市深圳市 地地 址:址:深圳市福田区福田街道福华一路深圳市福田区福田街道福华一路 1 11 19 9 号安信金融大厦号安信金融大厦 3333 楼楼 邮邮 编:编:5 上海市上海市 地地 址:址:上海市虹口区东大名路上海市虹口区东大名路 638638 号国投大厦号国投大厦 3 3 层层 邮邮 编:编:200080200080 北京市北京市 地地 址:址:北京市西城区阜成门北大街北京市西城区阜成门北大街 2 2 号楼国投金融大厦号楼国投金融大厦 1515 层层 邮邮 编:编:4