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1、4)到了 2013/2014 年,随着芯片工艺技术的提升,LED 芯片的发光发光效率从 130lm/w 提升至180lm/w-200lm/w 左右,中小功率芯片在照明领域得以运用,芯片尺寸又回到 15*15mil,也就是200-300mil 平方,也延续至今;Micro LED技术将目前的 LED微缩至长度仅 50m及以下,是原本 LED 的 1%,通过巨量转移技术,将微米等级的 RGB三色的 Micro LED移至基板上,可以形成任意尺寸的 Micro LED显示屏。与 OLED相比,Micro LED具有高分辨率、高亮度、低功耗和更低反应时间等优势,有望成为下一代显示技术。除了可作为面板显
2、示器,也适合 AR/VR、智能表等可穿戴设备屏幕。Micro LED 技术的模块化特性让屏幕尺寸更具灵活性,方便用户根据居室或摆放空间的大小进行定制化选择。基于三星 Micro LED面板的模块化设计优势, Micro LED可以完成各个面单独使用、组合使用、无缝拼接等创新型的多场景应用。5)从 2017年开始,考虑到 Micro LED的商用尚需时日,难度较小的 Mini LED提上日程,一方面是为了应对 OLED带来的冲击,提高显示产品的对比度;另一方面,下游品牌厂商希望把对比度和产品分辨率的升级作为重要卖点,并提高产品附加值。Mini LED可应用于直接显示和背光两大场景。在直接显示领域
3、,Mini LED作为小间距显示屏的升级产品,提升可靠性和像素密度,未来在商用显示屏领域(会议室、指挥中心等)潜力较大,有望逐步替代 LCD和投影产品。在背光领域,采用 Mini LED背光技术的 LCD显示屏,在亮度、对比度、色彩还原等方面远优于普通 LED做背光的 LCD显示屏,与 OLED 直接竞争,主要应用于高端大屏电视等产品。Mini LED直显产品已于 2018年开始量产,作为小间距显示屏的升级替代产品,需求增长较快;背光显示屏的规模生产进度取决于下游电视、PC、Tablet 等终端设备厂商的市场开发进展,随着苹果搭载 Mini LED面板的新款 iPad Pro的推出,消费电子厂
4、商有望加快跟进,Mini LED市场爆发在即。相比 Micro LED,Mini LED更像 Micro LED未成熟之前的过渡阶段的技术,两者差别主要体现在:1)Micro LED使用的芯片尺寸更小,在 100微米以下,Mini LED的芯片尺寸在 100-200 微米;2) Micro LED 最后以自发光成像,而现阶段 Mini LED 主要是作为背光使用。以现有 LED 制程设备极限观察,固晶机最小尺寸可达到 100m 芯片,精准度误差 3m。SMT 打件的最小尺寸极限为 127m (5mil) 芯片。黄光显影的间距至少 70m,点测最小尺寸约 100m 芯片。当芯片尺寸小于 100m的时候,许多的问题将会产生,因此使用 Mini LED作为 Micro LED未成熟之前的过渡阶段的技术。