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1、 2022022 2年年0 03 3月月2 26 6日日 东微半导东微半导( (688688261261):):高性能功率器件龙头高性能功率器件龙头,汽,汽车电动化和工业车电动化和工业4.04.0驱动长期成长驱动长期成长 推荐推荐( (首次首次) ) 投资要点投资要点 分析师:毛正 执业证书编号:S01 邮箱: 联系人:刘煜 执业证书编号:S11 邮箱: 基本数据基本数据 2022022 2- -0303- -2 25 5 当前股价(元) 190.29 总市值(亿元) 128.2 总股本(百万股) 67.4 流通股本(百万股) 14.2 52周价格范
2、围(元) 121.1-209 日均成交额(百万元) 416.0 市场表现市场表现 资料来源:Wind,华鑫证券研究 功率半导体功率半导体是电力电子核心器件是电力电子核心器件,新能源节能降新能源节能降耗和工业升级推动市场空间越发广阔耗和工业升级推动市场空间越发广阔 根据Omida预测,2019年全球功率半导体市场规模约为464亿美元,预计至2024年市场规模将增长至522亿美金。在碳中和背景下,新能源车、光伏、风电、储能等领域市场快速发展,相应的功率半导体市场快速增长。从竞争格局来看,从竞争格局来看,功率半导体芯片和模块,主要市场被英飞凌、安森美、意法半导体等欧美厂商占据,全球龙头英飞凌2020
3、年在MOSFET和IGBT领域市占率分别为24.4%和29.3%,单一本土厂商占比均小于5%,国产替代空间巨大,叠加行业内生的快速增长,中国厂商尤其高性能器件的本土公司将在庞大的蓝海市场充分成长。 聚焦高性能功率器件,聚焦高性能功率器件,器件结构创新的器件结构创新的领航者领航者 基于多年的技术优势积累、产业链深度结合能力以及优秀的客户创新服务能力,公司已成为国内领先的高性能功率器件厂商之一,是少数能在超级结MOSFET领域突破海外技术垄断的本土公司之一,还是国内少数具备器件创新结构能力的公司,公司推出的GreenMOS系列超级结MOSFET产品打破了国外厂商在充电桩功率器件领域的垄断地位,公司
4、采用独立知识产权Tri-gate器件结构的创新型IGBT产品(TGBT)已量产出货,未来将在高压市场大幅成长。公司高压超级节MOSFET收入占比超过80%。据Omdia数据,在中国本土厂商中,2019年公司MOSFET销售收入位列第7位。下游应用下游应用方面,方面,公司以工业级应用为主,包括新能源汽车直流充电桩、5G基站电源及通信电源、数据中心服务器电源和工业照明电源等。2022年公司实现营收7.82亿元,同比增长153.28%,实现归母净利润1.46亿元,同比增长429.12%。公司未来将持续受益于5G通讯、汽车电动化等工业级及车规级应用领域迅速扩张带来的高性能功率器件市场快速发展。 布局布
5、局高速率高速率I IGBTGBT和和S SiCiC等高阶产品带来长期成长等高阶产品带来长期成长 公司IPO资金将用于继续强化已有的功率半导体器件业务以及开发新品类功率半导体产品,分别在超级结与屏蔽栅功率器件产品升级、新结构功率器件研发及产业化、研发工程中心 、 科 技 与 发 展 储 备 资 金 四 个 方 面 分 别 投 入 资 金2.04/1.08/1.7/4.57亿元,前三个项目建设周期为3年。 公司在超级结与屏蔽栅器件方面继续加大投入和提升,可以-40%-20%0%20%40%60%80%300证证券券研研究究报报告告 公公司司深深度度报报告告 证券研究证券研究报告报告 请阅读最后一页
6、重要免责声明 2 诚信、专业、稳健、高效 看到未来在现在产品基础上,超级结和屏蔽删MOS性能和品类将进一步提升。5G基站、新能源汽车直流充电桩、光伏逆变器等领域高性能功率器件的需求一直很旺盛,并且行业对更高效率更高可靠性器件的追求从未止步,这也符合公司长期的发展战略,公司在创新结构的高速率IGBT和超级硅MOSFET方面已经技术成熟并且实现量产,未来三年将在相关的市场快速崛起并取得长足的发展。随着充电桩,新能源车等领域对第三代半导体需求逐步兴起,公司在SiC以及新型硅基高压功率器件方向也将进行技术储备,凭借公司在高功率器件方面的扎实研发能力将在未来三年实现快速突破并实现更多产品线的量产,打造公
7、司第二成长曲线。 盈利盈利预测预测 预计公司2021-2023年收入分别为7.82、11.77、16.33亿元,EPS分别为2.9、3.79、5.09元,当前股价对应PE分别为66、50、37倍,给予“推荐”投资评级。 风险提示风险提示 供应商高度集中的风险;下游需求不及预期;上游大幅提价的风险;募投项目进度不达预期的风险等。 预测指标预测指标 20202020A A 20202121E E 20202222E E 20202323E E 主营收入(百万元)主营收入(百万元) 309 782 1,177 1,633 增长率(增长率(% %) 57.5% 153.2% 50.5% 38.8% 归
8、母净利润归母净利润(百万元)(百万元) 28 147 255 343 增长率(增长率(% %) 203.9% 429.4% 74.1% 34.3% 摊薄每股收益(元)摊薄每股收益(元) 0.55 2.90 3.79 5.09 ROEROE(% %) 6.6% 26.3% 9.1% 10.9% 资料来源:Wind资讯、华鑫证券研究 SWjYrVaZgVqYfWWZ9Y6MaOaQtRnNsQsQiNpPmPeRnPuM9PpPxOMYtQmNvPmQrO证券研究证券研究报告报告 请阅读最后一页重要免责声明 3 诚信、专业、稳健、高效 正文正文目录目录 1、 东微半导:本土高性能功率器件龙头,受益
9、于新能源车和工业市场成长 . 6 1.1、 专注功率半导体开发,国内少数具备器件结构创新设计能力的公司 . 6 1.2、 研发人员占比高,自主开发超级结MOS、超级硅MOS和IGBT等高压器件 . 12 2、 汽车电动化和工业4.0蓬勃发展,功率半导体市场持续增长 . 14 2.1、 新能源车和绿电带来新需求,市场空间快速成长 . 14 2.2、 MOSFET与IGBT器件结构不同,应用场景有所差别 . 17 2.3、 汽车电动化和充电桩普及带来大量半导体需求 . 20 2.4、 碳中和“芯”力量,新能源发展带来大量功率半导体需求. 22 2.5、 变频家电、5G通讯带来功率半导体新增长 .
10、25 3、 绑定本土晶圆代工厂,供应链安全可靠 . 27 4、 持续结构创新,超级硅/TGBT/SIC等高阶新品打造新成长曲线 . 28 4.1、 器件结构创新带来优于行业性能,成长动力强劲 . 28 4.2、 募投加码新产品研发,TGBT等高阶产品成长可期 . 30 5、 投资建议与盈利预测 . 33 6、 风险提示. 35 图表图表目录目录 图表1:公司发展历程 . 6 图表2:公司股权结构及其控股公司 . 7 图表3:公司主要产品类别 . 8 图表4:公司产品下游应用领域 . 8 图表5:2018-2021年东微半导体营收及同比增速 . 9 图表6:2018-2021年东微半导体归母净利
11、润及同比增速 . 9 图表7:公司毛利率及净利率情况 . 9 图表8:公司期间费用 . 9 图表9:公司各系列芯片销售占比情况 . 10 图表10:公司各系列芯片毛利率情况 . 10 图表11:公司高压超级结MOSFET各细分产品占比 . 10 图表12:公司高压超级结MOSFET功率器件销量及单价 . 10 图表13:公司高压超级结MOSFET各细分产品毛利率变动 . 11 图表14:公司中低压屏蔽栅MOSFET各细分产品占比 . 11 图表15:中低压屏蔽栅MOSFET功率器件销量及单价 . 11 证券研究证券研究报告报告 请阅读最后一页重要免责声明 4 诚信、专业、稳健、高效 图表16:
12、公司中低压屏蔽栅MOSFET晶体销量及单价 . 12 图表17:公司中低压屏蔽栅MOSFET各细分毛利率变动 . 12 图表18:公司研发投入 . 12 图表19:公司研发人员占比 . 12 图表20:公司自主研发项目 . 13 图表21:中国电源市场规模及预测(单位:亿美元) . 14 图表22:2020年中国电源类型占比 . 14 图表23:中国开关电源市场规模预测(单位:亿美元) . 14 图表24:2020年中国开关电源下游应用领域占比 . 14 图表25:半导体的分类 . 15 图表26:2019年全球功率分立器件细分产品占比 . 15 图表27:全球功率半导体市场规模(单位:亿美元
13、) . 16 图表28:中国功率半导体市场规模(单位:亿美元) . 16 图表29:功率半导体应用领域 . 16 图表30:半导体下游成长较快的方向 . 16 图表31:MOSFET、IGBT对比 . 17 图表32:MOSFET、IGBT对比 . 17 图表33:MOSFET种类和电子符号 . 17 图表34:不同结构的MOSFET . 17 图表35:2018-2025年全球MOSFET市场预测及规模(单元:百万美元) . 18 图表36:2020年全球MOSFET市占率 . 18 图表37:2019年全球MOSFET市占率 . 18 图表38:IGBT芯片结构 . 19 图表39:IGB
14、T模块封装 . 19 图表40:全球IGBT分立器市场规模及增长率 . 19 图表41:中国IGBT分立器市场规模及增长率 . 19 图表42:2020年全球IGBT模块市场占比 . 20 图表43:2020年IGBT分立器市场占比 . 20 图表44:新能源汽车销量(单位:万辆) . 20 图表45:功率半导体新能源车应用 . 20 图表46:不同级别新能源车对应半导体含量不同 . 21 图表47:我国IGBT市场供需对比(单位:万只) . 21 图表48:中国IGBT市场下游应用领域占比 . 21 图表49:中国公共充电桩数量统计情况(单位:万台) . 22 图表50:中国随车配建充电桩数
15、量统计(单位:万台) . 22 图表51:充电桩充电设备构成 . 22 证券研究证券研究报告报告 请阅读最后一页重要免责声明 5 诚信、专业、稳健、高效 图表52:中国光伏装机总量(单位:万千瓦) . 23 图表53:2019-2025年全球光伏逆变器总需求(单位:GW) . 23 图表54:中国新增光伏逆变器带来功率半导体增量预测 . 23 图表55:中国风电累计装机量(单位:万千瓦) . 24 图表56:风电变流器起“交-直-交”整流和逆变作用 . 24 图表57:中国新增风电装机量带来IGBT增量预测 . 24 图表58:2021-2026年储能电站装机量预测(单位:GW) . 25 图
16、表59:2016-2020电化学储能电站规模(单位:亿元) . 25 图表60:全球新增储能装机量带来功率半导体增量预测 . 25 图表61:国内变频空调的出货量及增长率 . 26 图表62:变频电器结构图(单位:亿美元) . 26 图表63:预计新建4G.5G基站数量(单位:万座) . 26 图表64:5G天线演变对功率半导体用量影响 . 26 图表65:Fabless模式 . 27 图表66:产品终端应用 . 28 图表67:GreenMOS产品系列 . 28 图表68:高压超级节产品对比 . 29 图表69:中低压屏蔽栅产品对比 . 29 图表70:公司中低压屏蔽栅系列 . 30 图表7
17、1:超级硅产品与GaN产品对比 . 30 图表72:公司募投项目 . 31 图表73:IGBT器件结构不断进化 . 31 图表74:英飞凌历年收入及增速 . 32 图表75:英飞凌历年净利润及增速 . 32 图表76:东微超级硅MOS与GaN产品器件参数对比 . 32 图表77:东微快充体积对比行业GaN产品快充 . 32 图表图表7878:销售收入结构预测:销售收入结构预测 . 34 图表79:东微半导可比公司估值 . 34 证券研究证券研究报告报告 请阅读最后一页重要免责声明 6 诚信、专业、稳健、高效 1 1、 东微半导:东微半导:本土高性能功率器件龙头,本土高性能功率器件龙头,受益于受
18、益于新能源车新能源车和工业市场成长和工业市场成长 1.11.1、 专注专注功率半导体功率半导体开发开发,国内少数具备器件结构创国内少数具备器件结构创新设计新设计能力能力的公司的公司 东微半导体成立于2008年,注册资本5053万元,是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业,产品专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域。公司凭借优秀的半导体器件与工艺创新能力,是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一,并在工业级领域的高压超级结和中低压功率器件产品领域实现了国产化替代。东微半导体在2012年制造出世界上首个半浮栅晶体管(Semi-Floating Gate T
19、ransistor),可用于新型存储器、感光器件及功率器件等应用,并且相关技术论文于次年正式发表于美国科学期刊。2016年4月,东微半导体率先量产充电桩用高压超级结MOSFET器件的本土企业,打破了国外企业对这一产品的垄断,降低了充电桩的整体成本,也为国内充电桩的快速推广提供了大量的国产化芯片。根据Omdia数据,2019年东微半导体的销售额在全球MOSFET功率器件市场中位列中国本土厂商前十,且公司产品的销售单价显著高于行业平均水平。2020年,东微半导体成功入选“2020年苏州市企业知识产权登峰行动计划”项目实施企业名单。同年,东微半导体荣获2019年苏州工业园区知识产权创造奖。2022年
20、,东微半导体凭借超级结功率器件/OSG65R038HZF荣获优秀市场表现产品奖,上榜2021年第十六届“中国芯”。 图表图表 1 1:公司发展历程:公司发展历程 资料来源:公司官网,华鑫证券研究 证券研究证券研究报告报告 请阅读最后一页重要免责声明 7 诚信、专业、稳健、高效 王鹏飞和龚轶为公司实际控制人,华为、国有股东、创业及股权投资基金参投。王鹏飞和龚轶为公司实际控制人,华为、国有股东、创业及股权投资基金参投。根据公司招股说明书,公司无控股股东。王鹏飞和龚轶通过直接、间接以及一致行动关系持有本公司共计43.51%股份成为公司实际控制人。其他持有公司5%以上股份的主要股东为中新创投、聚源聚芯
21、、哈勃投资。其中中新创投直接持有公司7.12%股份,通过其全资子公司原点创投间接持有公司15.18%股份;哈勃投资为华为投资控股有限公司全资子公司。 实际控制人拥有相关技术背景。实际控制人拥有相关技术背景。王鹏飞先生,德国慕尼黑工业大学博士学历,曾担任德国英飞凌英飞凌科技存储器研发中心和奇梦达公司技术创新和集成部门的研发工程师,并曾在中国复旦大学微电子学院担任教授。据Semiconchina官方介绍,王鹏飞先生拥有授权发明专利50余项,其中美国专利授权20余项,于2003年最早系统地命名和定义了TFET、CTFET、PTFET等一系列器件,被学术界广泛沿用。2008年王鹏飞先生发明了“Semi
22、-Floating Gate Transistor”(即SFGT,半浮栅晶体管)基础元器件及多种半浮栅衍生器件,并最先成功制造且发表于Science、IEEE EDL及IEEE TED上。龚轶先生,英国纽卡斯尔大学硕士学历,曾担任美国超微半导体超微半导体公司工程部工程师和德国英飞凌英飞凌科技汽车电子与芯片卡部门技术专家。 香港赛普锐思为公司全资子公司,于香港赛普锐思为公司全资子公司,于20142014年成立。年成立。截至目前,公司拥有两家分公司和两家全资子公司,分别为苏州东微半导体股份有限公司上海分公司以及深圳分公司、广州动能半导体有限公司、香港赛普锐思有限公司。其中,两家分公司分别由龚轶和卢
23、万松负责,主要从事电子科技领域的设计、开发、销售及技术咨询等业务。 图表图表 2 2:公司股权结构及其控股公司公司股权结构及其控股公司 资料来源:公司招股说明书,华鑫证券研究 证券研究证券研究报告报告 请阅读最后一页重要免责声明 8 诚信、专业、稳健、高效 以以FaFablessbless模式,整合优质资源专注研发高性能功率器件,实现国产功率器件自主可控模式,整合优质资源专注研发高性能功率器件,实现国产功率器件自主可控。公司基于多年技术积累和研发投入,不仅在半导体功率器件领域拥有强大的自主研发能力和多项专利,还构建了以更高技术含量的高压超级结MOSFET产品为主的功率器件。公司主要产品包括Gr
24、eenMOS系列高压超级结MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低压屏蔽栅MOSFET。同时,公司已开发了超级硅MOSFET及TGBT等先进功率器件产品。在应用领域方面,公司的产品包含以新能源汽车充电桩、5G基站及通信电源、工业照明电源为代表的工业级应用领域,以及以PC电源、适配器、手机快速充电器为代表的电子消费应用领域。在产品方面,由于工业级应用对功率半导体产品的性能和稳定性要求普遍高于消费级应用,公司将持续研发高性能产品,加速扩大产品在工业级应用领域的市场份额,取代更多的进口品牌份额,实现国产功率器件的自主可控。在经营模式方面,公司将深化与上游企业的合作,使公司的技术创新能力与代
25、工合作伙伴的制造能力深度嵌套,并为下游企业提供高可靠性、高性能的产品,以此推动整个产业链的创新与发展。 图表图表 3 3:公司主要产品:公司主要产品类别类别 图表图表 4 4:公司产品下游应用领域:公司产品下游应用领域 资料来源:公司官网,公司招股说明书,华鑫证券研究 资料来源:公司招股说明书,华鑫证券研究 主营业务快速发展,营收规模持续稳定增长。主营业务快速发展,营收规模持续稳定增长。顺应行业发展趋势,公司凭借关键核心技术和高性价比产品,实现了营业收入的高速增长。2018-2021年公司营业收入分别为1.53亿、1.96亿、3.09亿元、7.82亿元,年均复合增长率达到72%,我们预计随着公
26、司产能和品类的增加,未来2年将继续保持较高速增长。 2021年营收7.82亿元,同比增长81.09%,主要来自于产品销售量的快速增加和品类的扩张。公司主营产品为MOSFET以及IGBT,其中高压超级结和中低压屏蔽栅占比较高,并经公司长期研发后超级硅MOSFET和TGBT已分别于2019年和2021年开始小批量生产并实现销售,2019、2020年度和2021H1超级硅MOSFET分别实现营业收入8.32万元、40.36万元和135.31万元,2021H1 TGBT实现营业收入22.95万元。 证券研究证券研究报告报告 请阅读最后一页重要免责声明 9 诚信、专业、稳健、高效 图表图表5 5:2 2
27、018018- -20212021年东微半导体营收年东微半导体营收及同比及同比增速增速 图表图表6 6:2 2018018- -20212021年东微半导体年东微半导体归母归母净利润及同比净利润及同比增速增速 资料来源:公司招股说明书,华鑫证券研究 资料来源:公司招股说明书,华鑫证券研究 公司毛利率逐步提升,期间费用把控能力进一步加强。公司毛利率逐步提升,期间费用把控能力进一步加强。2018-2020年公司主营业务毛利分别为4032.98万元、2927.10万元和5512.92万元,年均复合增长率达到16.92%。由于公司运营模式为fabless,其成本中晶圆原材料占比较高且受上游晶圆代工价格
28、和供需关系变动影响较大,以及当时公司业务规模还比较小,所以2019年相对2018年毛利率有所回落。随着公司规模逐步壮大以及与晶圆厂建立良好合作,公司综合毛利率持续提升,由2019年的14.93%上升至2021前三季度的28.62%,盈利能力显著提升。随着产能端继续增长以及新产品线逐步放量和规模效应的显现,我们预计未来三年公司毛利率继续小幅上行。预计2021-2023综合毛利率分别为28.61%、28.69%、28.84%。期间费用方面,公司把控能力得到大幅提升,期间费用率由2018年的18.08%下降至2021年前三季度的7.47%,随着管理的优化我们预计2022-2023年的期间费用率有望进
29、一步下降。 图表图表 7 7:公司毛利率及净利率情况公司毛利率及净利率情况 图表图表 8 8:公司期间费用公司期间费用 资料来源:公司招股说明书,华鑫证券研究 资料来源:公司招股说明书,华鑫证券研究 新品不断研发,新品不断研发,产品结构产品结构持续优化持续优化。2021年上半年高压超级结MOSFET营收占比为74.55%,中低压屏蔽删MOSFET营收占比为24.96%。随着公司超级硅MOSFET和IGBT产品的研发量产,公司产品结构趋于多样化,传统MOSFET收入占比有望逐步降低。2021年超级硅MOS和TGBT产品的量产,预计2021-2023年超级硅MOS和TGBT将给公司逐步带来一定收入
30、,预计2022年超级结MOS,屏蔽删MOS,超级硅MOS,IGBT的收入占比分别为59%、15%、5%、21%。各类产品毛利率方面各类产品毛利率方面,毛利率在2019年出现下滑主要由于国内晶圆代工产市场短期供需不平衡,导致晶圆平均采购单价上涨,中低压屏蔽栅主要由于部分客户终端产品销售端承压叠加行业新进入者增多,市场竞争加剧,导致销售单价有所下降。随着行业回归高1.531.963.097.820%50%100%150%200%024680202021 YoY0.130.090.281.46-100%0%100%200%300%400%500%0.00.20.40.60.81
31、.01.21.41.620021 YoY26.38%14.93%17.85%28.62%8.49%4.65%8.97%16.59%0%5%10%15%20%25%30%35%20021毛利率净利率-2%0%2%4%6%8%10%12%14%16%20021销售费用率管理费用率财务费用率证券研究证券研究报告报告 请阅读最后一页重要免责声明 10 诚信、专业、稳健、高效 景气并且公司高阶产品逐步放量,毛利率显著回升,随着公司所处赛道需求持续旺盛,我们预计超级结MOS和屏蔽删MOS毛利率稳定,新产品超级硅MOS和TGBT的毛利率将小幅
32、上升。 图表图表 9 9:公司各系列芯片销售占比情况:公司各系列芯片销售占比情况 图表图表 1010:公司:公司各各系列芯片毛利率情况系列芯片毛利率情况 资料来源:Wind,21-23 年为华鑫研究预测值,华鑫证券研究 资料来源:Wind,21-23 年为华鑫研究预测值,华鑫证券研究 高压超级结高压超级结MOSFETMOSFET:以功率器件成品为主,产品单价呈现上升趋势。:以功率器件成品为主,产品单价呈现上升趋势。自2018年开始,高压超级结MOSFET功率器件进一步扩大占比,2021H1占比达到94.85%。销量方面,2018-2020年公司高压超级结MOSFET功率器件销量持续上升,由48
33、56万颗增加至10509万颗,2021H1共计销售7417万颗。单价方面,呈现整体上升的趋势,从2018年的2.24元/颗上升至2021H1的2.26元/颗,其变动主要系公司的高压超级结MOSFET规格丰富,不同规格型号和终端应用的产品在销量单价上存在一定差异,且不同年度销售产品的规格型号结构存在一定的变动;2021H1公司的高压超级结MOSFET功率器件的销售单价有一定幅度的上升,主要系当期销售的产品中含有应用于如5G基站电源等耐用性和可靠性等要求较高的规格型号,因此产品销售单价相应较高。公司高压超级结MOSFET晶圆的毛利率变动趋势与功率器件成品基本一致,但其销售量和销售单价均有所波动,由
34、于公司的高压超级结MOSFET晶圆主要满足少量拥有封装测试产线客户的定制化需求,该类产品的采购价格及成本受采购计划、产品指标及下游工艺需求等多重因素的影响。 图表图表 1111:公司高压超级结:公司高压超级结 MOSFETMOSFET 各细分产品占比各细分产品占比 图表图表 1212:公司高压超级结公司高压超级结 MOSFETMOSFET 功率器件销量及单价功率器件销量及单价 资料来源:公司招股说明书,华鑫证券研究 资料来源:公司招股说明书,华鑫证券研究 81.50%80.30%80.64%68.99%58.69%54.12%18.50%19.65%19.23%17.29%14.94%13.9
35、9%0.05%0.13%3.72%5.19%7.48%10.00%21.18%24.41%0%20%40%60%80%100%20021E2022E2023EMOSFETMOSFETMOSFETTGBT0%5%10%15%20%25%30%35%20021E2022E2023EMOSFETMOSFETMOSFETTGBT87.20%93.80%95.55%94.85%12.80%6.20%4.45%5.15%0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%20021H12.242.362.263.0600.51
36、1.522.533.502,0004,0006,0008,00010,00012,00020021H1/证券研究证券研究报告报告 请阅读最后一页重要免责声明 11 诚信、专业、稳健、高效 图表图表 1313:公司高压超级结公司高压超级结 MOSFETMOSFET 各细分产品毛利率变动各细分产品毛利率变动 资料来源:公司招股说明书,华鑫证券研究 中低压屏蔽栅中低压屏蔽栅MOSMOSF FETET:功率器件和晶圆:功率器件和晶圆占比接近占比接近。公司2018年营业收入以功率器件成品为主,但从2019年开始以销售晶体为主,2021年上半年晶体营业收入占比达到52.99%。销量方
37、面,中低压屏蔽栅MOSFET的功率器件和晶体分别从2018年的1000万颗和4929片逐步上升至2021H1的3259万颗和12764片,主要受益于中低压MOSFET市场需求提升、消费电子代工厂商对国内MOSFET企业存在采购偏好以及公司品牌知名度、市场认可度的提升。单价方面2020年以前由于市场竞争加剧导致中低压屏蔽栅MOSFET功率器件的销售单价有所下降。2021年一方面因国内需求快速提升叠加疫情环境背景下的产能紧缺,中低压MOSFET市场价格上涨;另一方面由于2021年上半年销售的中低压屏蔽栅MOSFET晶圆中,销售单价较高的12英寸晶圆占比增加,导致整体均价上升。 图表图表 1414:
38、公司中低压屏蔽栅:公司中低压屏蔽栅 MOSFETMOSFET 各细分产品占比各细分产品占比 图表图表 1515:中低压屏蔽栅:中低压屏蔽栅 MOSFETMOSFET 功率器件销量及单价功率器件销量及单价 资料来源:公司招股说明书,华鑫证券研究 资料来源:公司招股说明书,华鑫证券研究 26.92%15.52%17.89%26.87%24.49%20.49%23.77%28.82%0%5%10%15%20%25%30%35%20021H153.15%42.95%45.52%47.01%46.85%57.05%54.48%52.99%0%10%20%30%40%50%60%70
39、%80%90%100%20021H11.51.311.111.1600.20.40.60.811.21.41.605001,0001,5002,0002,5003,0003,50020021H1功率器件成品(万颗)销售单价(元/颗)证券研究证券研究报告报告 请阅读最后一页重要免责声明 12 诚信、专业、稳健、高效 图表图表 1616:公司中低压屏蔽栅:公司中低压屏蔽栅 MOSFETMOSFET 晶体销量及单价晶体销量及单价 图表图表 1717:公司中低压屏蔽栅:公司中低压屏蔽栅 MOSFETMOSFET 各细分毛利率变动各细分毛利率变动 资料来源:公
40、司招股说明书,华鑫证券研究 资料来源:公司招股说明书,华鑫证券研究 1.21.2、 研发人员占比高研发人员占比高,自主开发超级自主开发超级结结M MOSOS、超级硅超级硅M MOSOS和和I IGBTGBT等高压器件等高压器件 研发人员占比高,持续开发新产品助力长远发展研发人员占比高,持续开发新产品助力长远发展。公司持续加大研发投入,创新能力和技术优势不断增强,公司研发人员比例高达46%,居行业前列,高于国内其他功率半导体公司,强大的研发力量是公司不断推出新品的基础。 2018-2020年公司研发投入分别达到1604万元、1203万元和1599万元,占营业收入比例分别为10.49%、6.13%
41、和5.18%,2021年三个季度公司研发投入达到2943万元,研发投入占比为5.26%。与此同时,公司高度重视知识产权的自主性与完整性,经过多年持续不断的研发和创新,拥有多项发明专利且自主完整、权属清晰,截至2021年6月30日共计拥有专利53项,其中发明专利37项、实用新型专利1项,以及境外专利15项。 图表图表 1818:公司研发投入:公司研发投入 图表图表 1919:公司研发人员占比:公司研发人员占比 资料来源:公司招股说明书,华鑫证券研究 资料来源:公司招股说明书,各公司公告,华鑫证券研究 05001,0001,5002,0002,5003,0003,50002,0004,0006,0
42、008,00010,00012,00014,00020021H1/24.66%15.76%18.33%24.56%26.19%7.87%15.15%27.38%0%5%10%15%20%25%30%20021H10%2%4%6%8%10%12%05001,0001,5002,0002,5003,0003,50020021Q346%32%27%20%0%5%10%15%20%25%30%35%40%45%50%证券研究证券研究报告报告 请阅读最后一页重要免责声明 13 诚信、专业、稳健、高效 公司核心技术均公司核心技术均源于自主研
43、发。源于自主研发。核心技术是公司核心竞争力的载体,截至当前,公司正主要研发项目的技术来源均为自主研发,且技术水平均属于国内或国际领先。公司已成为国内领先的高性能功率器件厂商之一,是少数能在超级结MOSFET领域突破海外技术垄断的本土公司之一,还是国内少数具备器件创新结构能力的公司,公司推出的GreenMOS系列超级结MOSFET产品打破了国外厂商在充电桩功率器件领域的垄断地位,公司采用独立知识产权Tri-gate器件结构的创新型IGBT产品(TGBT)已量产出货,未来有望在高压市场大幅成长。 图表图表 2020:公司自主研发项目:公司自主研发项目 序序号号 项目名称项目名称 研发目标研发目标
44、技术来源技术来源 研发进度研发进度 与行业技与行业技术水平比术水平比较较 1 1 第三代超级结器件研第三代超级结器件研发发 进一步降低高压超级结MOSFET产品的原胞尺寸,进一步降低高压超级结MOSFET特征导通电阻 自主研发 风险试产 国际先进 2 2 超低超低FOMFOM及高性能的及高性能的1 15050V V SGTSGT功率器件研功率器件研发发 优化中低压屏蔽栅MOSFET的沟槽形貌,保证多晶硅和氧化层的填充,通过优化中低压屏蔽栅MOSFET的外延浓度和结构,优化电容参数,提升优值,优化中低压屏蔽栅MOSFET的特征导通电阻,降低开关过程中的过冲电压和电流 自主研发 风险试产 国内领先
45、 3 3 1 12 2英寸大晶圆英寸大晶圆6 60 0V V1 10000V SGTV SGT研发研发 实现在12英寸大晶圆平台上量产更优性能的屏蔽栅MOSFET产品,优化中低压屏蔽栅MOSFET的器件设计,提升可靠性,提高良率 自主研发 部分电压规格风险试产 国内领先 4 4 超级硅功率器件超级硅功率器件 优化MOSFET的工作频率,提高开关速度降低开关损耗 自主研发 立项 国际先进 5 5 8 8英寸线英寸线7 70000V V及以上及以上GreenGreen MOSMOS高压的超高压的超级结芯片级结芯片 进一步提高超级结器件的额定耐压值,将耐压规格扩展到超高压领域 自主研发 立项 国际先
46、进 6 6 1 12 2英寸先进工艺英寸先进工艺GreenGreen MOSMOS超级结超级结MOSFETMOSFET 实现在12英寸产线上生产超级结工艺,同时提升产品的一致性 自主研发 部分电压规格风险试产 国际先进 7 7 9 90000V V以下三栅以下三栅IGBTIGBT(Tri(Tri- -gate gate IGBT)IGBT) 优化900V以下新型IGBT器件的关断损耗与导通压降特征 自主研发 立项 国际先进 8 8 9 90000V V以上三栅以上三栅IGBTIGBT(Tri(Tri- -gate gate IGBT)IGBT) 优化900V以上新型IGBT器件的关断损耗与导通
47、压降特征 自主研发 立项 国际先进 资料来源:公司招股说明书,华鑫证券研究 证券研究证券研究报告报告 请阅读最后一页重要免责声明 14 诚信、专业、稳健、高效 2 2、 汽车电动化和工业汽车电动化和工业4.04.0蓬勃发展蓬勃发展,功率半,功率半导体市场持续增长导体市场持续增长 2.12.1、 新能源车和绿电带来新需求新能源车和绿电带来新需求,市场空间快速成长市场空间快速成长 电源是提供电力和管理电子的重要设备,自21世纪进入高频开关时代,中国电源行业已经步入成熟发展阶段,保持着稳定的增长趋势。根据亿渡数据统计,中国电源市场规模从2016年的2,158亿元增长至2020年的3,311亿元,CA
48、GR为11.32%,增长趋势良好。随着下游应用领域不断增加,预计未来行业市场规模增长率将保持着个位数稳定增长趋势,至2025年中国电源市场规模有望达到4,887亿。 图表图表2121:中国电源市场规模及预测中国电源市场规模及预测(单位:亿美元)(单位:亿美元) 图表图表2222:2 2020020年年中国电源中国电源类型类型占比占比 资料来源:亿渡数据,华鑫证券研究 资料来源:亿渡数据,华鑫证券研究 开关电源产品凭借着良好的性能优点,已成为电源产品中占比最高的大类产品,其市场规模随着中国电源行业的增长而取得快速成长。根据亿渡数据统计,中国开关电源市场规模从2016年的1250亿增长至2020年
49、的1715亿元。随着碳达峰、碳中和为目标的“低碳时代”的到来,电子设备趋向于小型化、轻量化、节能化,将进一步推动电源开关的规模增长,预计2025年中国开关电源市场规模将达到2532亿元。 图表图表2323:中国开关电源市场规模预测中国开关电源市场规模预测(单位:亿美元)(单位:亿美元) 图表图表2424:2 2020020年年中国开关电源下游应用领域占比中国开关电源下游应用领域占比 资料来源:亿渡数据,华鑫证券研究 资料来源:亿渡数据,华鑫证券研究 01,0002,0003,0004,0005,0006,00023.77%3.12%8.50%8.20%4.61%51.80%USP05001,0
50、001,5002,0002,5003,00034.05%3.73%55.12%7.10%证券研究证券研究报告报告 请阅读最后一页重要免责声明 15 诚信、专业、稳健、高效 功率半导体分为功率IC和功率分立器件两大类,其中功率分立器件主要包括功率二极管、晶闸管、高压晶体管、MOSFET、IGBT等产品。在功率半导体发展过程中,20世纪50年代,功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20世纪60至70年代,晶闸管等半导体功率器件快速发展。20世纪70年代末,平面型功率MOSFET发展起来。20世纪80年代后期,沟槽型功率MOSFET和IGBT逐步面世,半导体功率器件正式进入电子应用时代