1、 -1- 证券研究报告 2020 年 7 月 19 日 电子行业 中国半导体抛光垫高速增长且格局重塑，鼎龙股份有望强势崛起 半导体材料行业跟踪报告 行业动态 什么是什么是 CMP 抛光垫。抛光垫。化学机械抛光 CMP 是集成电路制造过程中实现晶圆 表面平坦化的关键工艺。 抛光液和抛光垫是 CMP 工艺的核心原材料。 CMP 工 作原理是在一定压力下及抛光液的存在下，被抛光的晶圆对抛光垫做相对运 动， 借助纳米磨料的机械研磨作用与各类化学试剂的化学作用之间的高度有机 结合，使被抛光的晶圆表面达到高度平坦化、低表面粗糙度和低缺陷的要求。 CMP 抛光垫抛光垫或是最优的半导体材料赛道，或是最优的半导

2、体材料赛道，扩产周期、先进工艺、国产替代扩产周期、先进工艺、国产替代 驱动驱动中国中国 CMP 抛光垫行业步入高速成长期。抛光垫行业步入高速成长期。全球 CMP 行业的下游细分中， 存储是最大下游，存储、先进制程（45nm）的市场占 比分别约 39%、32%、29%。中国 CMP 抛光垫行业竞争格局寡头垄断，美国 陶氏化学和美国 Cabot Microelectronics 的全球和中国市场占有率约 80%和 5%。鼎龙股份和安集科技分别是中国本土 CMP 抛光垫和抛光液的龙头公司。 成长驱动力一成长驱动力一之先进工艺之先进工艺：先进工艺驱动行业先进工艺驱动行业高速增长高速增长，长江存储将是，

3、长江存储将是中国中国 抛光垫最大抛光垫最大采购方采购方。更先进的逻辑芯片工艺可能会要求抛光新的材料，比如 14 纳米以下和 7 纳米及以下逻辑芯片工艺要求的关键 CMP 工艺将达到 20 步 以上和 30 步以上，所使用的抛光材料的种类和用量迅速增长。而存储芯片由 2D NAND 向 3D NAND 技术变革， 也会使 CMP 抛光步骤数近乎翻倍。 我们预 计 128 层 NAND 的抛光垫用量将是 64 层 NAND 的 2.5-3.0 倍。 成长成长驱动力二驱动力二之国产替代之国产替代： 抛光垫是为抛光垫是为数不多的全数不多的全 A 化供应链，化供应链， 鼎龙股份的鼎龙股份的 国产替代空间

4、巨大。国产替代空间巨大。 我们预计 2020 年中国本土晶圆制造厂抛光垫采购额约 20 亿元/年。未来长江存储 30 万片/月的 128 层 NAND 的抛光垫采购额或超 40 亿元、中芯国际和合肥长鑫远期的抛光垫采购额或分别超 10 亿元，展望未来， 三大厂和其它中国本土晶圆制造厂抛光垫约 75 亿元/年采购额。鉴于抛光垫在 半导体工艺中的重要性和目前被全 A 厂商垄断的局面， 鼎龙股份作为中国唯一 实现自主掌握 CMP 抛光垫的量产核心技术的企业，国产替代空间巨大。 鼎龙股份是中国抛光垫行业龙头鼎龙股份是中国抛光垫行业龙头，有望深度受益于，有望深度受益于行业高速增长和行业高速增长和国产替国

5、产替 代代。 鼎龙股份已成为国内和国际主流晶圆龙头厂商的重点抛光垫供应商。 2019 年，在存储、先进制程和成熟制程等领域，鼎龙在抛光垫的产品开发、市场推 进、产能提升方面都得到了重大突破，2019 年实现收入 1,233 万元。我们预 计鼎龙股份 2020、2021 和 2022 年抛光垫的收入约为 0.9、2.7、8.0 亿元。 投资建议投资建议：抛光垫或是最优半导体材料赛道，：抛光垫或是最优半导体材料赛道，建议积极关注建议积极关注鼎龙股份鼎龙股份。根据 Wind 一致预期，中国 CMP 抛光液龙头安集科技 20-22 年收入为 3.8、5.3 和 7.0 亿元，目前 190 亿元市值对应

6、 PS 分别为 50 x、36x 和 27x。鼎龙股份业务 主要为“CMP 抛光垫+打印机耗材” ，参照打印机耗材 P/E 估值法和 CMP 抛 光垫 P/S 估值法， 2020 Wind 一致预期净利润约 3.5 亿元基本全部由打印机耗 材业务贡献，参考纳思达 20P/E 约 28x，我们给予约 30 x P/E，打印机耗材业 务估值约 100 亿元， 而鼎龙目前 170 亿元市值对应 CMP 抛光垫业务估值仅约 70 亿元。鼎龙股份收入增速、业务空间（核心客户的供货种类中，鼎龙多于 安集） 、竞争格局均不亚于安集科技，而半导体业务估值却大幅低于安集科技。 风险分析风险分析：中美贸易摩擦加剧

7、风险等。 买入（维持） 分析师 刘凯 (执业证书编号：S0930517100002) 裘孝锋(执业证书编号：S0930517050001) 赵乃迪(执业证书编号：S0930517050005) 行业与上证指数对比图 资料来源：Wind 2020-07-19 电子行业 -2- 证券研究报告 目目 录录 1、 什么是 CMP 抛光垫 . 4 1.1、 化学机械研磨 CMP 是集成电路制造的关键工艺 . 4 1.2、 抛光垫和抛光液是 CMP 的重要原材料，鼎龙股份和安集科技分别是中国抛光垫和抛光液龙头 . 5 2、 中国

8、 CMP 抛光垫行业将步入高速成长通道 . 8 2.1、 半导体材料规模大、细分多、门槛高、更新快，CMP 抛光材料约占 7%市场份额 . 8 2.2、 成长驱动力一之扩产周期：中国晶圆厂步入快速发展通道 . 10 2.3、 成长驱动力二之先进工艺：先进制程不断进步将驱动 CMP 材料行业需求快速增长 . 11 2.4、 成长驱动力三之国产替代：抛光垫目前为全 A 供应链，鼎龙股份国产替代空间巨大 . 13 2.5、 三大动能驱动中国 CMP 行业将步入高速成长期 . 15 3、 鼎龙股份是中国抛光垫行业龙头，有望深度受益于行业高速成长和国产替代 . 17 3.1、 鼎龙股份抛光垫已实现客户、

9、产品、产能全面突破 . 17 3.2、 鼎龙股份业务空间、竞争格局、公司增速均不亚于安集科技 . 18 4、 投资建议和估值分析：抛光垫或是最优半导体材料赛道，鼎龙股份有望步入快速发展期 . 19 5、 风险分析 . 21 mNpQqQpQoRpNyQoRmQoRsR9P9R8OmOrRnPqQlOqQrOiNtRrR6MqQwPvPmPtNvPsOmR 2020-07-19 电子行业 -3- 证券研究报告 图表目录图表目录 图表 1：集成电路制造工艺流程 . 4 图表 2：CMP 工艺 . 6 图表 3：CMP 材料的构成 . 6 图表 4：电子化学品在晶圆制造、封装过程中的应用. 8 图表

10、 5：2013-2018 年全球晶圆制造及封装材料市场销售规模（亿美元） . 9 图表 6：IC 终端市场（亿美元）和增长率 . 9 图表 7：电子材料行业吸引力 . 10 图表 8：国内晶圆厂投产及规划情况 . 11 图表 9：全球 CMP 抛光材料的细分市场拆分. 12 图表 10：CMP 的抛光工艺步骤大幅增加 . 12 图表 11：逻辑电路的制造工艺步骤大幅增加 . 13 图表 12：抛光垫市场竞争格局（2018 年销售额计） . 14 图表 13：抛光液行业竞争格局（2018 年销售额计） . 14 图表 14：3D NAND 升级抛光垫用量提升 . 15 图表 15：逻辑芯片制程节

11、点提高带动晶圆抛光次数增加 . 15 图表 16：抛光垫市场空间测算 . 16 图表 17：2018-2020 年 Q1CMP 抛光垫销售收入 . 17 图表 18：鼎龙股份和安集科技的业务和估值数据比较. 19 图表 19：半导体材料可比公司 P/S 估值 . 20 图表 20：中国半导体材料相关公司比较 . 20 2020-07-19 电子行业 -4- 证券研究报告 1、什么是什么是 CMP 抛光垫抛光垫 1.1、化学机械研磨化学机械研磨 CMP 是集成电路制造的关键工艺是集成电路制造的关键工艺 集成电路晶圆制造集成电路晶圆制造指以指以 8 8 英寸或英寸或 1212 英寸英寸的晶圆为原材

12、料，借助载有电的晶圆为原材料，借助载有电 路信息的光掩模，运用光刻和刻蚀等工艺流程，将电路布图集成于晶圆上。路信息的光掩模，运用光刻和刻蚀等工艺流程，将电路布图集成于晶圆上。 图表图表 1：集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 资料来源：中芯国际招股说明书 上述过程中，晶圆经过光刻和刻蚀等工艺流程的多次循环，逐层集成，上述过程中，晶圆经过光刻和刻蚀等工艺流程的多次循环，逐层集成， 并经离子注入、退火、扩散、化学气相沉积、物理气相沉积、化学机械研磨并经离子注入、退火、扩散、化学气相沉积、物理气相沉积、化学机械研磨 等流程，最终在晶圆上实现特定的集成电路结构。主要流程如下：等流程，最终在晶圆上

13、实现特定的集成电路结构。主要流程如下： 1 1、晶圆清洗、热氧化、晶圆清洗、热氧化。晶圆的清洗是指通过将晶圆沉浸在不同的清洗 药剂内或通过喷头将调配好的清洗液药剂喷射于晶圆表面进行清洗，再通过 超纯水进行二次清洗，以去除晶圆表面的杂质颗粒和残留物，确保后续工艺 步骤的准确进行。 晶圆的热氧化是指在 8001,150的高温下， 用热氧化方 法在其表面形成二氧化硅薄膜。 2020-07-19 电子行业 -5- 证券研究报告 2 2、光刻、光刻。光刻的主要环节包括涂胶、曝光与显影。涂胶是指通过旋转 晶圆的方式在晶圆上形成一层光刻胶；曝光是指先将光掩模上的图形与晶圆 上的图形对准，然后用特定的光照射。

14、光能激活光刻胶中的光敏成分，从而 将光掩模上的电路图形转移到光刻胶上； 显影是用显影液溶解曝光后光刻 胶中的可溶解部分，将光掩模上的图形准确地用晶圆上的光刻胶图形显现出 来。 3 3、刻蚀、刻蚀。刻蚀主要分为干法刻蚀和湿法刻蚀，指未被光刻胶覆盖的材 料被选择性去除的过程。干法刻蚀主要利用等离子体对特定物质进行刻蚀。 湿法刻蚀主要通过液态化学品对特定物质进行刻蚀。 4 4、离子注入、退火、离子注入、退火。 （1）离子注入是指将硼、磷、砷等离子束加速到 一定能量，然后注入晶圆材料的表层内，以改变材料表层物质特性的工艺。 （2）退火是指将晶圆放置于较高温度的环境中，使得晶圆表面或内部的微 观结构发生

15、变化，以达到特定性能的工艺。 5 5、扩散、扩散。扩散是指在高温环境下通过让杂质离子从较高浓度区域向较 低浓度区域的转移，在晶圆内掺入一定量的杂质离子，改变和控制晶圆内杂 质的类型、浓度和分布，从而改变晶圆表面的电导率。 6 6、化学气相沉积、化学气相沉积。化学气相沉积是指不同分压的多种气相状态反应物 在一定温度和气压下在衬底表面上进行化学反应，生成的固态物质沉积在晶 圆表面，从而获得所需薄膜的工艺技术。 7 7、物理气相沉积、物理气相沉积。物理气相沉积是指采用物理方法，如真空蒸发、溅 射镀膜、离子体镀膜和分子束外延等，在晶圆表面形成金属薄膜的技术。 8 8、化学机械研磨。化学机械研磨是指同时

16、利用机械力的摩擦原理及化、化学机械研磨。化学机械研磨是指同时利用机械力的摩擦原理及化 学反应，借助研磨颗粒，以机械摩擦的方式，将物质从晶圆表面逐层剥学反应，借助研磨颗粒，以机械摩擦的方式，将物质从晶圆表面逐层剥离以离以 实现晶圆表面的平坦化。实现晶圆表面的平坦化。 9 9、晶圆检测、晶圆检测。晶圆检测是指用探针对生产加工完成后的晶圆产品上的 集成电路或半导体元器件功能进行测试，验证是否符合产品规格。 1010、包装入库、包装入库。包装入库是指对检测通过的生产加工完成后的晶圆进行 真空包装入库。 1.2、抛光垫和抛光液是抛光垫和抛光液是 CMP 的重要原材料的重要原材料， 鼎龙股份和， 鼎龙股份

17、和 安集科技分别是中国抛光垫和抛光液龙头安集科技分别是中国抛光垫和抛光液龙头 化学机械研磨化学机械研磨/ /化学机械抛光（化学机械抛光（CMPCMP，Chemical Mechanical PlanarizationChemical Mechanical Planarization） 是集成电路制造过程中实现晶圆表面平坦化的关键工艺。是集成电路制造过程中实现晶圆表面平坦化的关键工艺。与传统的纯机械或 纯化学的抛光方法不同， CMP 工艺是通过表面化学作用和机械研磨的技术结 合来实现晶圆表面微米/纳米级不同材料的去除，从而达到晶圆表面的高度 （纳米级）平坦化效应，使下一步的光刻工艺得以进行。CM

18、P 的主要工作原 理是在一定压力下及抛光液抛光液的存在下，被抛光的晶圆对抛光垫抛光垫做相对运动， 借助纳米磨料的机械研磨作用与各类化学试剂的化学作用之间的高度有机 结合， 使被抛光的晶圆表面达到高度平坦化、 低表面粗糙度和低缺陷的要求。 2020-07-19 电子行业 -6- 证券研究报告 图表图表 2：CMP 工艺工艺 资料来源：安集科技招股说明书 抛光液和抛光垫是抛光液和抛光垫是 C CMPMP 工艺的核心原材料。工艺的核心原材料。CMP 工艺过程中所采用的 设备及消耗品包括：抛光机、抛光液、抛光垫、后 CMP 清洗设备、抛光终 点检测及工艺控制设备、废物处理和检测设备等。其中 CMP 材

19、料主要包括 抛光液、抛光垫、调节器、CMP 清洗以及其他等耗材，而抛光液和抛光垫占 CMP 材料细分市场的 80%以上，是 CMP 工艺的核心材料。 图表图表 3：CMP 材料的构成材料的构成 资料来源：卡伯特微电子、光大证券研究所整理 1 1、抛光垫、抛光垫：在化学机械抛光过程中，抛光垫具有储存和运输抛光液、在化学机械抛光过程中，抛光垫具有储存和运输抛光液、 去除加工去除加工残余物质、维持抛光环境等功能。残余物质、维持抛光环境等功能。目前的抛光垫一般都是高分子材 料，如合成革拋光垫、聚氨醋抛光垫、金丝绒抛光垫等，其表面一般含有大 小不一的孔状结构，有利于抛光浆料的存储与流动。 2020-07

20、-19 电子行业 -7- 证券研究报告 抛光垫的性能受其材料特性、表面组织、表面沟槽形状及工作温度等因 素的影响。在这些影响因素中，抛光垫的表面沟槽形状及寸是抛光垫性能的 关键参数之一，它直接影响到抛光区域内抛光液的分布和运动，并且影响抛 光区域的温度分布。抛光垫也是一种耗材，必须适时进行更换，长时间不更 换的抛光垫，被抛光去除的材料残余物易存留在其中会对工件表面造成划 痕，同时抛光后的抛光垫如果不及时清洗，风干后粘结在抛光垫内的固体会 对下一次抛光质量产生影响。 2 2、抛光液。、抛光液。又称“化学机械研磨液” ，由纳米级研磨颗粒和高纯化学品 组成，是化学机械抛光工艺过程中使用的主要化学材料

21、。化学机械抛光液的 主要原料包括研磨颗粒、各种添加剂和水，其中研磨颗粒主要为硅溶胶和气 相二氧化硅。化学机械抛光液原料中添加剂的种类根据产品应用需求有所不 同，如金属抛光液中有金属络合剂、腐蚀抑制剂等，非金属抛光液中有各种 调节去除速率和选择比的添加剂。 2020-07-19 电子行业 -8- 证券研究报告 2、 中国中国 CMP 抛光垫抛光垫行业行业将步入高速成长通道将步入高速成长通道 2.1、半导体材料半导体材料规模大、 细分多、 门规模大、 细分多、 门槛高、 更新快槛高、 更新快， CMP 抛光材料约占抛光材料约占 7%市场份额市场份额 材料和设备是半导体产业的基石，是推动集成电路技术

22、创新的引擎。材料和设备是半导体产业的基石，是推动集成电路技术创新的引擎。一 代技术依赖于一代工艺，一代工艺依赖一代材料和设备来实现。半导体材料 处于整个半导体产业链的上游环节，对半导体产业发展起着重要支撑作用， 具有产业规模大、细分行业多、技术门槛高、更新速度快等特点。 图表图表 4：电子化学品在晶圆制造、封装过程中的应用：电子化学品在晶圆制造、封装过程中的应用 资料来源：金茂新材料，光大证券研究所整理 第一，产业规模大。第一，产业规模大。半导体材料主要分为晶圆制造材料和封装材料。根 据 SEMI，2017 年全球半导体材料销售额为 469 亿美元，增长 9.6%，其中 晶圆制造材料和封装材料

23、的销售额分别为 278 亿美元和 191 亿美元， 同比增 长率分别为12.7%和5.4%。 2018年全球半导体材料销售额达到519亿美元， 增长 10.6%，超过 2011 年 471 亿美元的历史高位，其中晶圆制造材料和封 装材料的销售额分别为 322 亿美元和 197 亿美元， 同比增长率分别为 15.9% 和 3.0%。 第二第二，细分行业多。，细分行业多。半导体材料行业是半导体产业链中细分领域最多的 产业链环节，其中晶圆制造材料包括硅片、光掩模、光刻胶、光刻胶辅助材 料、工艺化学品、电子特气、靶材、CMP 抛光材料（抛光液和抛光垫）及 其他材料，封装材料包括引线框架、封装基板、陶瓷

24、基板、键合丝、包封材 料、芯片粘结材料及其他封装材料，每一种大类材料又包括几十种甚至上百 种具体产品，细分子行业多达上百个。公司产品化学机械抛光液和光刻胶去 除剂属于半导体材料中的晶圆制造材料大类。 第三第三，技术门槛高。，技术门槛高。半导体材料的技术门槛一般要高于其他电子及制造 领域相关材料，在研发过程中需要下游对应产线进行批量测试。同时，芯片 2020-07-19 电子行业 -9- 证券研究报告 制造过程的不同和下游厂商对材料使用需求的不同，会导致对应材料的参数 有所不同。 第四第四，更新速度快。，更新速度快。工艺制程的不断演进需要半导体材料的匹配，因此 下游行业日新月异的快速发展势必要求

25、半导体材料更新速度不断加快，企业 研发需求与日俱增，素有“一代材料、一代产品”之说。 图表图表 5：2013-2018 年全球晶圆制造及封装材料市场销售规模年全球晶圆制造及封装材料市场销售规模（亿美元亿美元） 资料来源：SEMI，安集科技招股说明书，光大证券研究所 半导体材料市场随着半导体市场的增长而增长。半导体材料市场随着半导体市场的增长而增长。半导体集成电路产品广 泛应用于通信、计算机、消费电子、汽车、物联网、医疗、政府、军事等终 端领域，其中汽车、物联网等终端应用将成为集成电路市场增长的主要驱动 因素，进而为半导体材料带来未来增长机会。根据 IC Insights 预测，手机和 电脑是

26、2017 年前两大 IC 终端市场，合计占 IC 市场总收入的份额约 45%。 2016 年至 2021 年，整个 IC 市场年复合增长率为 7.9%，其中汽车领域和物 联网领域 IC 销售额年复合增长率分别为 13.4%和 13.2%， 将是 IC 市场增长 的主要驱动力。根据中国半导体行业协会，2018 年中国集成电路产业销售 额达到 6,532 亿元，同比增长 20.7%；随着国内中芯国际、长江存储等一系 列生产线的建成投产，预计 2020 年国内集成电路产业规模将达到 9,825.4 亿元。全球半导体产业特别是中国集成电路产业快速增长，将带动上游晶圆 制造材料需求增长。 图表图表 6：

27、IC 终端市场（亿美元）和增长率终端市场（亿美元）和增长率 资料来源：SEMI，安集科技招股说明书，光大证券研究所 2020-07-19 电子行业 -10- 证券研究报告 根据 Versum 官网公开披露的资料，电子材料行业中半导体、OLED 显 示、先进封装等领域材料获利机会较大，且 2018-2023 年复合增长率较高。 图表图表 7：电子材料行业吸引力电子材料行业吸引力 资料来源：Versum 官网公开披露的资料，安集科技招股说明书，光大证券研究所 全球半导体晶圆制造材料市场规模与全球半导体市场规模同步增长。全球半导体晶圆制造材料市场规模与全球半导体市场规模同步增长。根 据 WSTS 和

28、 SEMI 统计数据测算， 2013-2018 年每年全球半导体晶圆制造材 料市场规模占全球半导体市场规模的比例约为 7%。 2.2、成长驱动力一之扩产周期：中国晶圆厂步入快速发成长驱动力一之扩产周期：中国晶圆厂步入快速发 展通道展通道 国内晶圆制造厂商积极扩产及规划新产品。国内晶圆制造厂商积极扩产及规划新产品。（1）国内存储厂商长江存 储 64 层 3D 闪存于 2019 年 9 月量产， 128 层 QLC 3D NAND 闪存芯片积极 备产，预计 2020-2021 年中旬陆续量产；（2）国内晶圆制造大厂中芯国际 正进行 14nm FinFET SN1 产线的积极扩产，目前建设月产能 6

29、000 片，距 离 SN1 项目 3.5 万片/月规划产能还有较大空间，预计相应半导体材料采购 额会继续扩大；（3）安徽省重点领域补短板产品和关键技术攻关任务揭 榜工作方案文件中提到着力开发低功耗高速率 LPDDR5 DRAM 产品等， 预计 DRAM 存储厂商合肥长鑫也将于未来两到三年推出新一代的 LPDDR5 产品。 1、长江存储：长江存储：3D NAND 生产项目名为长江存储国家存储器基地项目， 投资额约 240 亿美元，总占地为 1968 亩。该项目分两期建设，合计规划产合计规划产 能为能为 30 万片万片/月月。项目一期规划产能为 10 万片/月，于 2016 年底开工建设。 201

30、9 年 9 月长江存储发布 64 层 3D NAND。 二期于 2020 年 6 月开工建设， 产能规划为 20 万片/月。128 层 QLC 3D NAND 于 2020 年 4 月成功研制， 预计 2020 年底至 2021 年中旬陆续量产。 2020-07-19 电子行业 -11- 证券研究报告 2、合肥长鑫：合肥长鑫：DRAM 项目共投资 2200 亿元。12 英寸存储器晶圆制造 基地投资 1500 亿元。空港投资 200 亿元，位于长鑫存储项目以西。合肥空 港小镇总投资 500 亿元，位于长鑫存储以北。后两个项目为长鑫存储产业配 套项目，提供生活服务设施。该项目分为三期进行：第一期投

31、资 72 亿美元， 规划产能规划产能 12.5 万片万片/月月。第一期第一阶段规划 4 万片/月。2019 年 9 月，合 肥长鑫正式量产 DDR4 内存，2020 年 4 月产能为 2 万片/月，预计 2020 年 底扩产到 4 万片/月。 3、中芯国际：中芯国际：12 英寸 14nm FinFET 工艺产线 SN1 和 SN2 项目位于 上海浦东新区张江高科技园区， 项目总投资额约 102.4 亿美金。 SN1 和 SN2 项目产能各规划 3.5 万片/月， 合计产能合计产能 7 万片万片/月。月。 截至 2020 年 6 月 10 日， SN1 项目已建设月产能 6000 片。 距离两条

32、 14nm 产线 7 万片/月产能还有较 大提升空间，CMP 相关用量预计也会大幅提升。 图表图表 8：国内晶圆厂投产及规划情况：国内晶圆厂投产及规划情况 投产投产/量产情况量产情况 产能规划产能规划 投资计划投资计划 长江存储 2019 年 9 月量产的 64 层 3D 闪存； 128 层 QLC 3D NAND 闪存芯片 X2-6070 预计 2020 年底-2021 年中旬陆续量产。 共 30 万片/月。 一期规划 10 万片/月（已建成）； 二期规划 20 万片/月。 240 亿美元 合肥长鑫 2019 年 9 月 20 日，合肥长鑫宣布正式量产 10nm 级 10G1 DDR4 内存

33、芯片；LPDDR5 产品未来 2-3 年陆续推出。 12.5 万片/月 2200 亿元 中芯国际 积极扩产 14nm FinFET 工艺制程产线， “12 英寸 芯片 SN1 项目”已建设月产能 6,000 片。另有 7 万片/月 （SN1 和 SN2 各 3.5 万片/月） 102 亿美元 华虹半导体 聚焦特色工艺、覆盖 90-65 纳米工艺节点，规划月 产能约 4 万片的 12 英寸集成电路生产线。 2019 年 9 月建成投片，2019 年末达产 1 万片/月。 4 万片/月 100 亿美元，一期投 资 25 亿美元。 华润微 重庆 12 英寸产线今年启动；SIC 产线扩大产能。 70

34、万片/年 100 亿元 士兰微 2019 年 8 月，扩充 8 英寸产线； 一期年产 18 万片+二期年产 25.2 万片 15 亿元 上海积塔半导体 2020 年 3 月 30 日， 上海临港新片区，积塔半导体 特色工艺生产线正式投片。 8 英寸产线 6 万片/月； 6 英寸产线 5 千片/月； 12 英寸产线 3 千片/月。 359 亿元 紫光 DRAM 事业部 存储芯片工厂预计 2021 年建成投产 - 未来 10 年 8000 亿 华力二期 12 英寸 28nm 已于 2018 年量产，14nm 工艺预计 于 2020 年底量产。 4 万片/月 387 亿元 资料来源：公司年报、公司招

35、股说明书、上海品茶、集微网、光大证券研究所 2.3、成长驱动力二成长驱动力二之先进工艺：之先进工艺：先进制程不断进步先进制程不断进步将驱将驱 动动 CMP 材料行业需求快速增长材料行业需求快速增长 存储是抛光垫和抛光液的最大下游。存储是抛光垫和抛光液的最大下游。CMP 抛光材料包括抛光液和抛光 垫，其耗用量随着晶圆产量和 CMP 工艺步骤数增加而增加。根据 Cabot Microelectronics 官网公开披露的资料，2018 年全球化学机械抛光垫和抛光液 市场规模约 20.0 亿美元， 其中存储、 先进制程 （45nm） 的市场占比分别约 39%、32%、29%。 2020-07-19

36、电子行业 -12- 证券研究报告 图表图表 9：全球全球 CMP 抛光材料抛光材料的细分市场拆分的细分市场拆分 资料来源：Cabot Microelectronics 官网公开披露资料，光大证券研究所整理 根据不同工艺制程和技术节点的要求，每一片晶圆在生产过程中都会经根据不同工艺制程和技术节点的要求，每一片晶圆在生产过程中都会经 历几道甚至几十道的历几道甚至几十道的 CMPCMP 抛光工艺步骤。抛光工艺步骤。 图表图表 10：CMP 的抛光工艺步骤大幅增加的抛光工艺步骤大幅增加 资料来源：Cabot Microelectronics 官网公开披露资料，光大证券研究所整理 尽管摩尔定律在不断被挑

37、战，集成电路制造技术仍然在世界范围内不断 被更新并向更先进的技术推进，化学机械抛光技术也不例外，这就对 CMPCMP 工艺使用的关键材料（即化学机械抛光材料，主要包括化学机械抛光液和抛工艺使用的关键材料（即化学机械抛光材料，主要包括化学机械抛光液和抛 2020-07-19 电子行业 -13- 证券研究报告 光垫）光垫）提出了更高要求，主要体现在“难” 、 “专” 、 “多”三个方面： “难” 。集成电路产业能够延续摩尔定律不断发展，离不开半导体材 料性能的改善和新材料的应用。为了提高集成电路的性能，集成电路制造商 逐步增加每块集成电路上电子元器件与布线层的数量和密度，这增加了集成 电路的复杂性

38、和对 CMP 抛光材料的相关需求。在“难”方面，在从微米到 纳米级别的器件线路上，对不同材料的去除速率、选择比及表面粗糙度和缺 陷都要求精准至纳米乃至埃（分子级） 。如此精准的控制需要通过精制、客 制抛光液在宏观的抛光机台和抛光垫的作用下完成，这些高难工艺对抛光材 料的性能提出了极大的挑战。随着技术节点的推进，在 14 纳米、10 纳米、7 纳米、5 纳米等更先进的制程节点，CMP 工艺将面临各种高难度的挑战，对 抛光材料尤其是抛光垫将提出前所未有的高难度技术要求。 “专” 。在逻辑芯片、存储芯片等集成电路技术不断推进过程中，对 抛光材料的需求出现了“专”的趋势和特征，客户和供应商联合开发成为

39、成 功的先决条件。即使是同一技术节点，不同客户的集成技术不同，对抛光材 料的需求也不同。 “多” 。在集成电路技术不断推进过程中，必然出现多种新技术和新 衬底材料，这些新技术和新衬底材料对抛光工艺材料提出了许多新的要求。 随着集成电路技术的进步和对集成电路性能要求的增加，下游客户在制造过 程中使用 CMP 工艺的集成电路比例在不断增加，对 CMP 材料种类和用量的 需求也在增加。 更先进的逻辑芯片工艺可能会要求抛光新的材料，为 CMP 抛光材料带 来了更多的增长机会，比如 14 纳米以下逻辑芯片工艺要求的关键 CMP 工艺 将达到 20 步以上，7 纳米及以下逻辑芯片工艺中 CMP 抛光步骤甚至可能达 到 30 步，所使用的抛光材料的种类和用量迅速增长。同样地，