1、 行业报告行业报告 | 行业点评行业点评 1 半导体半导体 证券证券研究报告研究报告 2020 年年 02 月月 09 日日 投资投资评级评级 行业行业评级评级 强于大市(维持评级) 上次评级上次评级 强于大市 作者作者 潘暕潘暕 分析师 SAC 执业证书编号：S05 陈俊杰陈俊杰 分析师 SAC 执业证书编号：S09 资料来源：贝格数据 相关报告相关报告 1 半导体-行业研究周报:财报季 （Intel/AMD/Xilinx）/ 行业需求边界扩 张，短期变量扰动 2020-02-02 2 半导体-行业研究周报:台积电指引 乐观/设备材料为资本投资追加

2、下受益 主线 2020-01-19 3 半导体-行业研究周报:CES 展芯片 商新品迭代挹注制造封测链/关注年报 披露及 Q1 业绩 2020-01-12 行业走势图行业走势图 存储器：新一轮涨价周期开启存储器：新一轮涨价周期开启 受此前半导体下行周期的影响， 存储芯片营收自受此前半导体下行周期的影响， 存储芯片营收自 2018Q3 持续下滑， 但进入持续下滑， 但进入 2019Q3 情况开始好转，情况开始好转，DRAM 与与 NAND 2019Q3 总产值均提升总产值均提升，存储价格也有触底回升的，存储价格也有触底回升的 趋势趋势。我们我们在历史维度上对在历史维度上对存储价格进行纵向分析，剖

3、析存储每次涨价的逻辑，存储价格进行纵向分析，剖析存储每次涨价的逻辑，借借 以以分析本次存储的价格变化趋势。分析本次存储的价格变化趋势。 涨价的原因可以归结为四个字：供需失配供需失配。论到存储的本质，需求端理论上是无限论到存储的本质，需求端理论上是无限 增长的增长的，下游产品的迭代会形成需求动能，下游产品的迭代会形成需求动能，供给端则会因为厂商的产能调整而出现供给端则会因为厂商的产能调整而出现 偏差，在需求和供给增长速度不完全匹配的情况下，就会触发存储价格的变化偏差，在需求和供给增长速度不完全匹配的情况下，就会触发存储价格的变化。 DRAM：第一轮 2012Q4-2013Q3 涨价的原因是 El

4、pida 公司被美国 Micron 收购，台 系 DRAM 厂也将于 2013 年上半年全部退出传统 DRAM 市场， DRAM 供货商缩减资供货商缩减资 本设备支出，推动了产品价格的上扬。第二轮本设备支出，推动了产品价格的上扬。第二轮 2016Q3-2017Q3 涨价的原因是原厂涨价的原因是原厂 皆以提高新制程比例增加产出为主，投资收缩带来的产能驱动供给平缓造成供需缺皆以提高新制程比例增加产出为主，投资收缩带来的产能驱动供给平缓造成供需缺 口。口。而需求端手机及服务器的搭载量增加，需求大于供给造成价格上涨。如果根据 历史需求平衡率来判断，可以看到 2019 年下半年开始需求曲线与供给曲线出现

5、剪年下半年开始需求曲线与供给曲线出现剪 刀差趋势，需求平衡率开始下降，这意味着刀差趋势，需求平衡率开始下降，这意味着 DRAM 价格将出现回升趋势。价格将出现回升趋势。 NAND：第一轮（2016Q3-2017Q3）本阶段是 NAND Flash 的制程转化年，Flash 原厂从平面 NAND 转向 3D NAND。在制程转化过程中，产能爬坡和良率提升带来在制程转化过程中，产能爬坡和良率提升带来 的输出供给不足触发供给紧张引发价格上涨。的输出供给不足触发供给紧张引发价格上涨。 本轮价格已经在 11 月底开始呈现， 涨 价的主要原因是 5G 网络的发展，加速数据中心的快速成长，并极大推动存储配置

6、网络的发展，加速数据中心的快速成长，并极大推动存储配置 需求的增加； 手机市场瓜分货源需求的增加； 手机市场瓜分货源， 手机厂商为了抢占 5G 先机， 已纷纷下单稳固 NAND Flash 货源；原厂正在扩大原厂正在扩大 PC OEM 市场布局市场布局，包括高、中、低三个不同档次的 SSD 市场都有涉及，原厂确保数据中心、PC 和手机市场需求，使得渠道市场资源供应紧 张。 Nor Flash：第一轮（2017Q1-2017Q4）因为裸晶圆供货紧张，裸晶圆供货紧张，Nor Flash 厂商拿不厂商拿不 到足够晶圆（主要是到足够晶圆（主要是 IDM)，且晶圆涨价导致成本上涨，各大储存厂商把重心转移

7、至，且晶圆涨价导致成本上涨，各大储存厂商把重心转移至 NAND 和和 DRAM，导致供给减少，导致供给减少，但需求又受到智能手机 AMOLED、物联网等的驱 动，需求错配造成 Nor Flash 价格上涨。最近 NorFlash 涨价即将开启，NOR Flash 在经过 18 的低谷后，19 年市场快速回温。目前目前 NOR Flash 原厂及代理商去库存已原厂及代理商去库存已 至低位，产能较为吃紧，下游应用至低位，产能较为吃紧，下游应用 TWS 二级需求强劲，整个二级需求强劲，整个 NOR Flash 市场行情市场行情 正在反弹，涨价趋势较为明正在反弹，涨价趋势较为明显。显。 投资建议：投资

8、建议：根据预测的存储芯片涨价趋势，建议关注：兆易创新兆易创新/北京君正北京君正/ 澜起科技澜起科技 风险风险提示提示：中美贸易战的不确定性、宏观经济下行从而下游需求疲软、中美贸易战的不确定性、宏观经济下行从而下游需求疲软、5G 发展不及预期发展不及预期、行业发展不及预期行业发展不及预期 0% 22% 44% 66% 88% 110% 132% 154% -062019-10 半导体沪深300 行业报告行业报告 | | 行业点评行业点评 2 1. DRAM 涨价涨价剖析剖析 2017 年 11 月以来， DRAM 价格持续下跌， 我们我们分析分析 DRAM 历史价格历史价格

9、每轮上涨原因每轮上涨原因来来判断判断 此轮价格下跌是否存在触底回升趋势。此轮价格下跌是否存在触底回升趋势。 图图 1：DRAM 现货价格变化情况现货价格变化情况 单位：美元单位：美元 资料来源：Wind、天风证券研究所 第一第一轮轮价格上涨价格上涨（2012Q4-2013Q3） ：） ： 本轮 DRAM 涨价是从 2012Q4 开始，2013 年 1 月上旬主流商品 4GB 品项最高价达到 17.5 美元，涨幅超过 7%；2GB 模组最高价涨幅也突破 10%，来到 10.25 美元价位，短期内续涨 动能仍强， 下旬价格将可望挑战 18 美元， 持续向 20 美元关卡迈进。 现货市场亦同， 自

10、2013 年年初开始，2Gb 颗粒均价已经上涨 13%到达约 1.19 美元，无论现货与合约市场走势皆维 持强势上涨格局。DRAM 经过 20102011 年间受到产品供过于求、价格跌跌不休的双重 压力下陷入低迷，到后面的涨价，主要的原因在于供需失配。 需求端：需求端：虽然 PC 端需求低迷，但智能手机、平板电脑需求驱动给 DRAM 带来了新机遇。 根据 DRAMeXchange 显示，到 2013 年 3 月 12 日为止的传统 DRAM 现货市场受到中国白 牌平板电脑(MID-Mobile Internet Devices)为降低成本不采用移动 DRAM 的需求，传统 2GbDRAM 价格

11、由年初的 1.05 美元涨至 1.75 美元，涨幅超过 66%，传统 DRAM 厂商终于 有了扭亏为盈的转机。 供给端：供给端： 随着 Elpida 公司已被美国 Micron 收购，世界主要 DRAM 供应商整并为三，对产 品的生产供应可更灵活地调配，且在价格谈判时也处于有利的地位，可使价格回归健康。 DRAM 供货商缩减资本设备支出，推动了产品价格的上扬。三星和海力士 2013 年都在大 量缩减 PC DRAM 的生产，而把生产重点转向了移动 DRAM，台系 DRAM 厂也于 2013 年 上半年全部退出传统 DRAM 市场，转向利基产品或代工，导致 DRM 产品供应短少。 第第二二轮轮价

12、格上涨（价格上涨（2016Q3-2017Q3） ：） ： 本轮 DRAM 涨价是从 2016 Q3 开始。 DRAM 的涨价也是由于供给不足造成， 此阶段市场需 求大于供给，供需平衡率下降。从 2014 年以来的 18 个月内，DRAM 的价格一路走低，所 有 DRAM 的生产商都不敢冒然扩产，导致 DRAM 的供给始终维持在较低水位。2017 年在 供给方面， 三星、 海力士和美光皆以提高新制程比例增加产出为主， 并未大幅扩张新产能。 在需求方面，2017 年 DRAM 需求成长稳定，成长主力来自手机及服务器的搭载量增加， 需求大于供给造成价格上涨。 需求端：需求端： DRAM 所面向的下游

13、需求主要包括： 标准型(PC)、 服务器(Server)、 移动式(mobile)、 绘图用(Graphic)、消费电子类(Consumer)。一方面，PC 市场的需求也从装机标配 4GB 过 渡到了 8GB、16GB 甚至是 32GB，市场需求量进一步扩大。另一方面，以智能手机为主要 代表的移动端在抢内存， 当手机内存的标配从 1GB、 2GB 转变到 6GB、 8GB 时， 其对 DRAM 的需求量也有了极大的增长，再加上智能手机的快速普及与其巨大的市场保有量，抢占了 一大部分DRAM资源。 智能型的手机出货量很大智能型的手机出货量很大， 2016年移动式内存的份额可以达到年移动式内存的份

14、额可以达到 35%。 另一个增长亮点是服务器，因为服务器与移动内存原则上是相辅相成的,智能手机 APP 的 增加，无形之中需要很多服务器去支持，服务器份额从 2016 年 20%增加到 2017 年 22%。 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 -----09 DRAM:DDR3 4Gb 512Mx8 1600MHzDRAM:DDR3 4Gb 512Mx8 eTT DRAM:DDR3 2Gb 256Mx8 1600MHzDRAM:DDR3 2Gb 2

15、56Mx8 1333 MHz 行业报告行业报告 | | 行业点评行业点评 3 图图 2：2016-2022 年全球年全球 DRAM 下游应用需求占比下游应用需求占比 资料来源：IHS、天风证券研究所 供给端：供给端：DRAM 是个波动十分激烈的产业，同时 DRAM 产业以产量规划问题而著名。一般 来说，当 DRAM 的价格在一段时间里保持稳定或持续走高且需求旺盛时，会有很多工厂如 雨后春笋般地冒出来。第一批新工厂加入供应商的行列后，造成供应源的增加和价格的下 降；而后期开设的工厂则面临着更加严酷的价格竞争。在没有看清未来的强烈需求前，主 流厂商都不会贸然扩产。在 2016-2017 这段涨价期

16、间，主流厂商都将绝大部分的精力放到 3D NAND工艺技术上之后， 最直接的后果就是造成DRAM颗粒的产能有了较明显地下降， 供应方的议价能力得到了极大提升，需求端增长高于供给端，最终导致 DRAM 价格上涨。 从两轮价格上涨的分析可以看出，DRAM 的价格变化原因关键是供需失配。的价格变化原因关键是供需失配。需求端驱动略需求端驱动略 有驱动，但供给端由于有驱动，但供给端由于投资收缩带来的产能驱动供给平缓造成投资收缩带来的产能驱动供给平缓造成了了供需缺口供需缺口。这个结果也可 以通过供需平衡率来表现。根据 2012-2013 年供给及需求图像显示，需求增长速度大于供 给增长速度，供需平衡率呈现

17、下降趋势，导致了价格的上涨。在 2016-2017 年，同样需求 增长曲线也在供给增长曲线上方，供需平衡率在下降。 图图 3：DRAM 供给供给/需求需求/销售额增长销售额增长/供需平衡率供需平衡率 资料来源：Trendforce、快芯网、芯扒客、天风证券研究所 那么如果根据需求平衡率来判断，可以看到那么如果根据需求平衡率来判断，可以看到 2019 年下半年开始需求曲线与供给曲线出现年下半年开始需求曲线与供给曲线出现 剪刀差趋势，需求平衡率开始下降，这意味着剪刀差趋势，需求平衡率开始下降，这意味着 DRAM 价格将出现回升趋势。价格将出现回升趋势。 观察下游需求端的增长率， 可以看到 PC 需

18、求一直呈现衰退的情形， 预计 20 年也会有所下 降。而服务器及智能手机需求会有所增长。 图图 4：下游需求增长率下游需求增长率 行业报告行业报告 | | 行业点评行业点评 4 资料来源：Trendforce、快芯网、芯扒客、天风证券研究所 下游应用中，对 DRAM 产能拉动力最强的主要是智能手机、其次是服务器。由于中国智能 手机厂商积极将季度出货量提前， 以及服务器市场的需求逐渐恢复， 三星 Q3 的 DRAM 营 收环比增长 5%至 71 亿美元。 图图 5：2019 年年 DRAM 月产能（按下游应用分类）月产能（按下游应用分类） 单位：单位：Million Units 资料来源：Dra

19、mexchange、天风证券研究所 从供给端看，Dramexchange 预测 2020 年下游应用对应的 DRAM 产能如下，产能未有明 显增加。 图图 6：下游应用对应的下游应用对应的 DRAM 产能产能(换算为换算为 2GB，单位：百万，单位：百万)及月环比（及月环比（%） 资料来源：Dramexchange、天风证券研究所 0.0 500.0 1000.0 1500.0 2000.0 2500.0 Jan 19 Feb 19 Mar 19 Apr 19 May 19 Jun 19 Jul 19 Aug 19 Sep 19 Oct 19 Nov 19E Dec 19F PCServerM

20、obileGraphicConsumer -6.0% -4.0% -2.0% 0.0% 2.0% 4.0% 6.0% 8.0% 10.0% 0.0 500.0 1000.0 1500.0 2000.0 2500.0 3000.0 Jan20F Feb20F Mar20F Apr20F May20F Jun20F Jul20F Aug20F Sep20F Oct20F Nov20F Dec20F PCServerMobileGraphicConsumer MoM(PC)MoM(Server)MoM(Mobile)MoM(Graphic)MoM(Consumer) 行业报告行业报告 | | 行业点

21、评行业点评 5 除应用端各产能有所区别外，不同制程的产能也在变化，先进制程的先进制程的 DRAM 产能占比越产能占比越 来越高， 传统制程的产能占比在压缩，来越高， 传统制程的产能占比在压缩， DRAM产能被拥有先进制程的龙头公司大份额占有， 龙头公司的库存消化对 DRAM 供需情况起改善作用。 图图 7：18-20 年各制程年各制程 DRAM 产能占比产能占比 资料来源：Dramexchange、天风证券研究所 从供给端资本支出上看， 由于新的和非常复杂的 DRAM 技术需要更多的晶圆厂设备和更多 的晶圆厂空间来容纳这些设备，三星、SK Hynix 和 Micron 三大 DRAM 供应商普

22、遍认为， 未来几年DRAM比特容量将以每年约20%的速度增长。 美光估计， 将DRAM位容量从2015 年的 80 亿美元增加到 2018 年的 180 亿美元所需的行业资本支出增加了 20%以上。2016 年的实际 DRAM 支出略低于比特容量增长 20%所需的支出，约等于 2017 年所需的支出。 然而，在 2018 年，针对 DRAM 市场的资本支出达到了 237 亿美元，比按 DRAM 比特量 增长 20%计算的 180 亿美元高出 32%。2018 年 DRAM 比特量仅增长 13%，预计 2019 年将增长 17%。 资本支出过多通常会导致产能过剩和随后的定价疲软， 这一状况因经济

23、疲资本支出过多通常会导致产能过剩和随后的定价疲软， 这一状况因经济疲 软和软和终端终端用户需求疲软而加剧。用户需求疲软而加剧。由于三星、SK Hynix 和 Micron 去年在升级/增加 DRAM 容量方面投入了大量资金，而且经济和贸易的不确定性继续渗透全球市场，IC Insights 认 为 DRAM 产能和随后的定价疲软将持续到 2019 年年底。 预计预计 2019 年年 DRAM 资本支出的资本支出的 实际规模将低于保持实际规模将低于保持 20%比特容量增长所需的规模。这比特容量增长所需的规模。这可以可以抵消抵消 2018 年的超支，并有助年的超支，并有助 于于 2020 年年 DR

24、AM 市场恢复供需平衡。市场恢复供需平衡。 图图 8：DRAM 按按 20%增长的所需资本支出和实际资本支出增长的所需资本支出和实际资本支出 资料来源：Micron、IC insight、天风证券研究所 从整体供需状况来看，在历经近五个季度的库存调整，从整体供需状况来看，在历经近五个季度的库存调整，2019 年第四季年第四季 DRAM 市场仍处于市场仍处于 微幅供过于求。微幅供过于求。 由于之前 1X 纳米制程因为有退货状况， 大量不良品以低价转销现货市场， 导致现货价格走势格外疲弱。虽然退货状况仍在，但因为模组厂以及在渠道的经销商开始 0% 20% 40% 60% 80% 100% 1Q18

25、3Q181Q193Q191Q20F3Q20F 4Xnm3Xnm2Xnm1Xnm1Ynm1Znm 行业报告行业报告 | | 行业点评行业点评 6 跳电事件的影响，PC OEM 厂已做好 DRAM 即将涨价的可能，当前都以建立更佳的库存水 位为目标，因此在采购上愿意接受持平或更高的模组合约价格；若原厂能够在第一季增加 供货量，买方甚至愿意接受更高的价格，以确保安全的库存水位。之前在中美贸易关税的 不确定性下，大部分销往美国的笔电都赶在 2019 年第四季出货，导致 2020 年第一季的出 货较为疲弱。因此预计到 2020 年第一季时，标准型内存、利基型内存与行动式内存价格 预估仍较前一季小幅下跌，

26、但服务器内存有机会率先领涨，带动整体 DRAM 平均销售单价 较前一季持平。 根据供需状况的的分析，随着三大龙头库存消化与需求端拉动力增强，DRAM 价格下跌趋 势收紧， 供需情况有望持续改善， 明年将上涨， 这与 Dramexchange 的预测显示一致， 2020 年 DRAM 的价格均有所上涨。 图图 9：2019 年各类型年各类型 DRAM 现价现价 单位：美元单位：美元 图图 10：2020 年各类型年各类型 DRAM 预估现价预估现价 单位：美元单位：美元 资料来源：Dramexchange、天风证券研究所 资料来源：Dramexchange、天风证券研究所 表表 1：各各内存内存

27、产品价格变化产品价格变化 产品 3Q19 4Q19E 2019F YOY 1Q20F 2Q20F 3Q20F 4Q20F 2020F YOY PC DRAM 下降20% 下降 0-5% 下降 60% 上升 0-5% 上升 5-10% 上升 10-15% 上升 5-10% 上升 25-30% Server DRAM 下降20% 下降10% 上升 5-10% 上升 20% 资料来源：Trendforce、天风证券研究所 2. NAND 的的涨价剖析涨价剖析 2017 年 11 月以来， NAND 价格持续下跌， 我们分析 NAND 历史价格每轮上涨原因来判断 此轮价格下跌是否存在触底回升趋势。 图

28、图 11：NAND 现货价格变化情况现货价格变化情况 单位：美元单位：美元 0.000 1.000 2.000 3.000 4.000 Jul 19 Aug 19 Sep 19 Oct 19Nov 19E Dec 19F 1Gb2Gb4Gb4Gb8Gb 0.00 1.00 2.00 3.00 4.00 1Q20F2Q20F3Q20F4Q20F2020F 1Gb2Gb4Gb4Gb8Gb 行业报告行业报告 | | 行业点评行业点评 7 资料来源：Wind、天风证券研究所 上一轮 NAND 涨价是从 2016 Q3 开始。 2016-2017 年是 NAND Flash 的制程转化年， Flash

29、原厂从 2D NAND 转向 3D NAND。在制程转化过程中，产能爬坡和良率提升带来的输出供 给不足触发供给紧张引发价格上涨。 图图 12：Flash 厂制程技术时程图厂制程技术时程图 资料来源：TechInsight、天风证券研究所 供给端，2017 年厂商都在发展 3D NAND 技术，64 层以上的 3D 堆叠上还未取得实际量产 的进展，供货吃紧，因此市场价格一直保持在高价位。 图图 13：2012-2022 年全球年全球 NAND 下游应用需求占比下游应用需求占比 1.00 2.00 3.00 4.00 5.00 6.00 7.00 8.00 9.00 -062

30、--062019-06 现货平均价:NAND Flash:64Gb 8Gx8 MLC现货平均价:NAND Flash:32Gb 4Gx8 MLC 现货平均价:NAND Flash:16Gb 2Gx8 MLC现货平均价:NAND Flash:Hynix:64G MLC(UCG) 现货平均价:NAND Flash:Micron:128G MLC 行业报告行业报告 | | 行业点评行业点评 8 资料来源：IHS、天风证券研究所 需求端需求端，NAND Flash 2017 年全年市场需求约为年全年市场需求约为 1620 亿亿 GB 当量当量。NAND F

31、lash 市场主要 是高端智能型手机容量翻倍和 SSD 需求强劲，SSD 和智能手机市场 NAND Flash 需求的增 长已经弥补了其他消费类电子市场需求的相对平淡。2017 年全球智能型手机出货 14.9 亿 台，苹果 iPhone 8/8 Plus/X 三款机型仅提供 64GB 和 256GB 两种容量，若按照 6:4 比例， 平均容量高达 140GB，而且三星 Galaxy S8、华为 P10/Mate 10、OPPO、VIVO 等旗舰机纷 纷以 64GB 和 128GB 为主打容量，再加上平板、车载、智能盒子等市场需求，2017 年 eMMC/eMCP 等嵌入式产品消耗了 42%的

32、NAND Flash 产能。SSD 市场，数据中心、服务 器等领域对数据分析、处理、响应速度的要求不断提高，谷歌、Facebook、百度、阿里巴 巴、腾讯、华为等对 SSD 需求强劲。在 NAND Flash 市场缺货的时期，三星基于先进的 64 层 3D NAND 优先供货给高利润且数据存储量较大的企业级 SSD 客户，英特尔基于 32 层 3D NAND以及3D Xpoint技术满足大数据存储需求， 2017年全球企业级SSD市场出货2200 万台，平均容量需求达到 1.5TB，对 NAND Flash 产能消耗量较大。消费类市场，超极本、 二合一等轻薄笔记本对 SSD 搭载率不断增加，2

33、017 年消费类市场 SSD 出货 1.35 亿台，再 加上工业、金融、车载等领域 SSD 需求，全球 SSD 共消耗了 42%的 NAND Flash 产能。 图图 14：不同存储器需求占比：不同存储器需求占比 资料来源：中国闪存市场、天风证券研究所 因此，上轮涨价的原因是制程升级中的良率爬升和制程瓶颈突破的时间差造成供需缺口上轮涨价的原因是制程升级中的良率爬升和制程瓶颈突破的时间差造成供需缺口。 近期闪存价格从近期闪存价格从 11 月底到月底到 12 月底的涨幅明显月底的涨幅明显， 单单一个月就涨价 5%。 从闪存价格来看， 11 月底到 12 月底价格涨势最为明显，从闪存市场的报价来看，

34、512Gb TLC 闪存在 11 月底 4.10 美元，目前（2020/2/6）已经达到了 5.20 美元，涨幅大约 26.8%；256Gb TLC 从 2.02 涨到 2.80 美元，涨幅高达 38.6%。 图图 15：消费类市场：消费类市场 NAND Flash 综合价格指数走势综合价格指数走势 图图 16：消费类：消费类 NAND Flash 每每 GB 价格走势图价格走势图 单位：美元单位：美元 44%43% 42% 32% 38% 42% 19% 15% 13% 5%4% 3% 0% 20% 40% 60% 80% 100% 201520162017 嵌入式存储SSD存储卡/UFD其

35、他 行业报告行业报告 | | 行业点评行业点评 9 资料来源：中国闪存市场、天风证券研究所 资料来源：中国闪存市场、天风证券研究所 根据 Dramexchange 19Q3 预测，NAND 现货价格跌幅持续收紧，预计 2020 年价格将有 所上升。 图图 17：2019NAND 现货价格现货价格 单位：美元单位：美元 图图 18：2020 年预计年预计 NAND 现货价格现货价格 单位：美元单位：美元 资料来源：Dramexchange、天风证券研究所 资料来源：Dramexchange、天风证券研究所 NAND Flash 价格持续涨价，价格持续涨价，主要有三个原因。主要有三个原因。一是因为

36、一是因为 5G 网络的发展，加速数据中心网络的发展，加速数据中心 的快速成长，并极大推动存储配置需求的增加，的快速成长，并极大推动存储配置需求的增加，而这类高价值市场带来的高利润，将给原 厂带来更好的利润，也使得原厂扩大布局，以及策略性的将 NAND Flash 产能供货给数据 中心客户。 图图 19：全球数据中心市场规模全球数据中心市场规模 单位：十亿美元单位：十亿美元 图图 20：全球服务器出货量全球服务器出货量 单位：千片单位：千片 资料来源：marketersmedia、天风证券研究所 资料来源：IDC、天风证券研究所 二是手机市场二是手机市场瓜分货源瓜分货源。手机是 5G 的主战场，

37、2020 年 5G 手机销量将快速增长。IDC 预 计 5G 手机销量有望破亿台，到 2023 年 5G 手机占比将增长至 28%。同时，5G 手机的普 及也会加速容量需求的增加。2、3 年前，64GB 还是旗舰机的高配容量，如今 128GB 已 是基本配置，而 5G 手机的发展是手机向 TB 级容量迈进的加速剂。同时，个人对 4K、8K 视频的需求，移动 SSD 正在快速抢食移动 HDD 市场需求。2019 年已有不少 5G 手机上 5G 先机，已纷纷下单稳固 NAND Flash 货源，嵌入式产品 0.11 0.1 0.09 0.08 0.075 0.066 0.061 0.059 0.0

38、57 0.063 0.0680.068 0.066 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09 0.1 0.11 0.12 消费类NAND Flash每GB价格 5.3 5.61 5.7 5.85.865.86 2.242.26 2.132.09 2.011.97 0 1 2 3 4 5 6 7 July 19 Aug 19 Sep 19 Oct 19Nov 19E Dec 19F 128Gb MLC256Gb TLC Wafer 5.685.75 6.006.06 2.832.84 2.963.01 0.00 1.00 2.00 3.00 4.00 5.00 6.00 7.00 1Q2

39、0F2Q20F3Q20F4Q20F 128Gb MLC256Gb TLC Wafer 2721.4 2967.53164.4 3472.9 2582.02692.0 3069.6 0.0 1000.0 2000.0 3000.0 4000.0 全球服务器出货量 行业报告行业报告 | | 行业点评行业点评 10 价格将保持稳定走势。 图图 21：全球智能手机市场需求预测全球智能手机市场需求预测 单位：百万单位：百万 资料来源：IDC、天风证券研究所 图图 22：全球智能手机市场需求预测全球智能手机市场需求预测 资料来源：IDC、天风证券研究所 三是原厂正在扩大是原厂正在扩大 PC OEM 市场布

40、局市场布局，包括高、中、低三个不同档次的 SSD 市场都有涉 及，原厂确保数据中心、PC 和手机市场需求，将使得渠道市场资源供应紧张。目前，原 厂 NAND Flash 资源供应紧张，再加上下游厂商手中库存上下游厂商手中库存在消耗在消耗，市场惜售现象明显，市场惜售现象明显，更 不愿低价出货，导致市场报价持续走高。 图图 23：Samsung 和和 SK Hynix 的库存变化的库存变化 资料来源：中国闪存市场、天风证券研究所 在资本支出方面，2019 年内存厂商已经开始缩减内存支出，2019 年较 2018 年 DRAM 和 NAND Flash均有所下降。 27033 24983 26471

41、 27359 28243 28985 3145631247 30909 25572640 31033368 3687 4428 5117 55895474 0 5000 10000 15000 20000 25000 30000 35000 17Q317Q418Q118Q218Q318Q419Q119Q219Q3 Samsung库存变化/十亿韩元SK Hynix 库存变化/十亿韩元 行业报告行业报告 | | 行业点评行业点评 11 图图 24：DRAM 和和 NAND Flash 的资本支出的资本支出 单位：十亿美元单位：十亿美元 资料来源：ICinsight、天风证券研究所 三星 2019

42、年前 3 季资本支出总额 16.8 兆韩元， 相较于 2018 年同比下滑 24%。 美光 2019 年前 3 季资本支出 66.24 亿美元，同比增长 5.6%，虽然将在 2020 年减少资本支出，但位 于新加坡的 Fab10A 已开始运营，西部数据/铠侠岩手县 K1 工厂计划在 2020 年投产，同 时 Fab7 工厂正在建设中， SK 海力士 M16 将在 2020 年 Q4 投入运营， 原厂这些新工厂投 资计划的进度，以及经济和贸易战的不确定性，将是后续稳定市场价格的关键因素。 图图 25：Samsung Capex 单位：兆韩元单位：兆韩元 图图 26：Micron Capex 注：

43、美光注：美光 Q4 指指 6、7、8 月月 资料来源：中国闪存市场、天风证券研究所 资料来源：中国闪存市场、天风证券研究所 3. Nor Flash 涨价涨价剖析剖析 上上轮轮 Nor Flash 涨价从涨价从 2017Q1 开始。开始。供给减少，需求持续，需求错配造成供给减少，需求持续，需求错配造成 Nor Flash 价价 格上涨格上涨。以下从供给端和需求端具体分析。以下从供给端和需求端具体分析。 供给端：供给端：DRAM 和 NAND 的供给紧张往上游传导，主流存储器厂为了备产已经在制程转化 期间良率调试多预订了裸晶圆，造成 300mm 裸晶圆的需求同比增长 4.5%，而在供给没有 明显

44、扩张的情况下，造成晶圆供货出现紧张，再由裸晶圆的供给紧张传导至下游 Nor Flash 厂商。因为拿不到足够的晶圆，Nor Flash 厂商的供给受限。 300mm 裸晶圆需求-供给在 2016 年达到平衡状态，2017 年需求大于供给。2016 年全球 300mm 裸晶圆的需求量为 515 万片/月，供给也是 515 万片/月，基本达到供需平衡状态， 而 2017 年则展现了明显的需求大于供给的形势。 图图 27：裸晶圆供需情况裸晶圆供需情况 11.4 9 5.15 8 10.9 9 16.1 23.7 19.2 10.4 12.7 10.4 9.7 11.411.6 14.4 27.2 2

45、8.3 22.3 0 5 10 15 20 25 30 2000019F DRAMFlash 7.2 6.1 4.5 5.9 3.6 5.25.2 0.8 1.1 0.5 0.5 0.3 0.50.5 0.6 0.8 0.6 0.8 0.6 0.50.4 -1 1 3 5 7 9 18Q1 18Q2 18Q3 18Q4 19Q1 19Q2 19Q3 半导体显示器其他 1921 2112 21002062 24842447 2207 1970 0 500 1000 1500 2000 2500 3000 18Q118Q218Q31

46、8Q419Q119Q219Q319Q4 美光/百万美元 行业报告行业报告 | | 行业点评行业点评 12 资料来源：DRAMExchange，天风证券研究所 300mm 裸晶圆供需关系的改变导致晶圆的涨价裸晶圆供需关系的改变导致晶圆的涨价，晶圆涨价导致成本上升是此次晶圆涨价导致成本上升是此次 NOR Flash 涨价的一个主要因素涨价的一个主要因素。裸晶圆的涨价会牵动下游制造商的成本结构。通常而言，晶 圆厂的成本结构中，设备折旧占 50%，硅晶圆成本占 15%。如果硅晶圆涨价 10-20%，成本 会增加 1.5%-3%。 图图 28：硅晶圆涨价情况一览硅晶圆涨价情况一览 资料来源：SEMI，硅

47、产业集团招股说明书、天风证券研究所 在供应端，美光等各大存储厂商已将重心转移到 3D NAND、DRAM，美光考虑到 DRAM 与 NAND 等高容量产品未来带来的高产值以及工厂产能营运的报酬最大化考量， 在卖掉新 加坡的 8 寸厂设备后，NOR Flash 只剩下美国的一座 12 寸厂，主要将聚焦在大容量(64Mb 以上)产品在车用电子以及工控产品等高单价高利润的利基型产品，而 Cypress 在卖掉位于 明尼苏达的半导体厂后，NOR Flash 的生产基地除了来持续来自于武汉新芯的代工外，就 只剩下位于美国德州的厂，除了仅留下小部分 NOR 产能做为车用电子产品外，Cypress 打 算将

48、较多的产能移往 MCU 的产品线上，这部分在中低容量减少的供给缺口外溢至旺宏、 华邦、 兆易创新等原先耕耘已久的厂商。 大厂的战略调整产生了供给缺口， 导致价格上涨。 需求端：需求端： 在下游需求中， 除了传统电脑、 智慧型手机、 网路通讯与消费性电子产品外， 2017 年最新且成长最大的需求在于智慧型手机的 AMOLED 普及度攀升，以及 LCD 驱动 IC 和触 控 IC 所集成成的 TDDI( Touch Display Driver IC)方案最受瞩目。 智能手机用 AMOLED 屏幕 需要大量消耗 NOR Flash 颗粒。 晶圆代工厂尚无法提供 OLED 驱动 IC 内建 eFlash， 或嵌入 式多次可程序快闪存储器矽财测（eMTP）的高压制程，使得当前如果将 eFlash/eMTP 加 入制程中， 则将造成新增加的光罩成本过高的情况。 因此， 在成本考量下只好退而求其次， 以外挂 NOR Flash 方式， 来避免 AMOLED 面板的蓝色光会随时间消退的问题。 随着物联 网、智慧城市、智慧应用、智能家居、智能汽车、无人机等厂商使用 NOR Flash 作为储存 1.4 1 1.04 1.09 0.96 0.83 0.76 0.69 0.67 0.74 0.89 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1.1 1.2