干法刻蚀按等离子技术不同可分为ICP及CCP刻蚀 原图定位 根据产生等离子体方法的不同,干法刻蚀主要分为电容性等离子体刻蚀(CCP)和电感性等离子体刻蚀(ICP)。电容性等离子体刻蚀主要是以高能离子在较硬的介质材料上,刻蚀高深宽比的深孔、深沟等微观结构;而电感性等离子体刻蚀主要是以较低的离子能量和极均匀的离子浓度刻蚀较软的和较薄的材料。这两种刻蚀设备涵盖了主要的刻蚀应用。根据被刻蚀材料类型的不同,干法刻蚀主要是刻蚀介质材料(氧化硅、氮化硅、二氧化铪、光刻胶等)、硅材料(单晶硅、多晶硅、和硅化物等)和金属材料(铝、钨等)。