我国集成电路用高纯金属溅射靶材具有4大重点发展方向 原图定位 芯片制程、晶圆尺寸的更新迭代,带来了对溅射靶材的纯度、多元化、精细化微观组织的新需求,同时对靶材的可靠性和一致性的要求更高。在此背景下,我国半导体用靶材未来重点发展方向包括:提升高纯金属材料制备技术水平,实现批量稳定生产;攻克高性能靶材制备关键技术(例如高纯钽、钨靶材等),驱动靶材智能化生产;瞄准电子信息技术前沿需求,开发高端新材料(例如钌及钌合金、铝钪合金、多元相变合金、钴基特种合金、陶瓷化合物等高纯材料靶材);提升分析检测与应用评价能力,完善材料标准及评价体系建设。