2021-2025年减薄后晶圆数量 原图定位 先进封装、Chiplet 等技术需要厚度更低的超薄晶圆,将大幅提升对减薄设备的需求。芯片不断追求更高的集成度和更小的体积,3D IC 等工艺得以发展,通过硅穿孔(TSV)等技术实现 IC 堆叠,可以有效减小 IC 之间互连的长度,将芯片整合成效能最佳、体积最小的状态,目前大部分的 3D NAND、背照型 CMOS 图像传感器、智能手机 SoC 等先进芯片均使用 2.5 或 3D IC 技术。传统的减薄工艺一般只需要将晶圆减薄至 100-200um,但在 3D 封装中,需要将多层芯片进行堆叠,往往需要将晶圆厚度减薄至 50-100um 甚至 50um 以下。根据 Yole,2019年全球减薄后晶圆出货量为 1 亿片,预计到 2025 年上升至 1.35 亿片,其中100-200um 晶圆仍占据主要份额,约为 8200 万片;30-50um 晶圆增速最快,2019-2025 年 CAGR 为 98%,在 2025 年预计出货量约 170 万片。