SiO2介质与High-K介质对比 原图定位 为介质薄膜材料。硅表面可热生长一层致密的 SiO2/SiON 介质薄膜,用作MOS晶体管栅介质的关键材料。随着芯片制程的提升,SiO2/SiON 层厚度变薄,出现电子隧道穿通效应,造成栅极漏电流急剧上升,当 MOS 器件特征尺寸缩小到 45 nm以下时,使用 High-K材料替代 SiO2/ SiON作为栅介质能够大幅减小栅漏电流,在满足性能和功耗要求的同时允许器件尺寸进一步微缩,达到降低栅漏电流和提高器件可靠性的双重目的。常见的High-K 材料包括 Al2O3、HfO2、ZrO2、HfZrO4、TiO2、Sc2O3-Y2O3、La2O3、Lu2O3、Nb2O5、Ta2O5 等。