第三代材料功率半导体成本下降曲线 原图定位 全球 SiC 功率器件市场的发展趋势。随着国际上 SiC 功率器件技术的进步和制造工艺从 4 英寸升级到 6 英寸,器件产业化水平不断提高,SiC 功率器件的成本迅速下降。目前业界对于 SiC 材料的成本下降曲线较为乐观,单位逆变器峰值相电流价值量($/Arms)2025年有望降至当前新能源汽车 IGBT 单位成本水平。根据 STM 对 MOSFET(SiC)和 IGBT(Si 基)的成本对比,预计 2-3 年内 MOSFET(SiC)的成本有望下降至 IGBT(Si 基)的 2~2.5 倍,年均降幅约 15%。