按材料分类的第三代半导体 原图定位 半导体按照研究和规模化应用的时间通常被分为三代:第一代(Si、Ge)、第二代(GaAs)、第三代(SiC、GaN)。①第一代半导体材料:以硅(Si)和锗(Ge)等元素半导体为代表,其典型应用是集成电路,主要应用于低压、低频、低功率的晶体管和探测器中;②第二代半导体材料:以砷化镓(GaAs)为代表,被广泛应用于光电子和微电子领域,是制作半导体发光二极管和通信器件的关键衬底材料;③第三代半导体材料:以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表,禁带宽度大,具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势。采用第三代半导体材料制备的半导体器件适用于高电压、高频率场景,能以较少的电能消耗,获得更高的运行能力。