第三代半导体特点

和第一代半导体和第二代半导体材料比较起来，第三代半导体具有更大的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率和更高的抗辐射能力，所以，它会更加的适合用来制作高温、高频、高辐射及大功率器件。

sic材料应用领域

SiC是比较典型的三代半导体材料，SiC以它优异的性能在各个现代工业领域发挥重要革新作用，有着巨大的应用前景和市场潜力。

下面是它的主要应用领域：

1、SiC材料应用在高铁领域，可节能20%以上，并减小电力系统体积;

2、SiC材料应用在航空航天领域，可使设备的损耗减小30%～50%，工作频率提高3 倍，电感电容体积缩小3倍，散热器重量大幅降低;

3、SiC材料应用在新能源汽车领域，可降低能耗20%;

4、SiC材料应用在通信领域，可显著提高信号的传输效率和传输安全及稳定性;

5、SiC材料应用在家电领域，可节能50%;

6、SiC材料应用在大数据领域，可帮助数据中心能耗大幅降低;

7、SiC材料应用在风力发电领域，可提高效率20%;

8、SiC材料应用在超高压直流输送电和智能电网领域，可使电力损失降低60%，同时供电效率提高40%以上;

9、SiC材料应用在太阳能领域，可降低光电转换损失25%以上;

10、SiC材料应用在工业电机领域，可节能30%～50%;

随着SiC生产成本的不断降低，SiC半导体正在凭借它优良的性能逐渐的取代Si半导体，打破了Si半导体基由于材料本身性能所遇到的瓶颈。

未来也许SiC将会引发一场类似于蒸汽机一样的工业革命。

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