《半导体行业穿越存储60年：AI时代新周期-230711（102页）.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《半导体行业穿越存储60年：AI时代新周期-230711（102页）.pdf（102页珍藏版）》请在三个皮匠报告上搜索。

1、穿越存储穿越存储60年：年：AI 时代，新周期时代，新周期长城证券产业金融研究院科技首席：唐泓翼执业证书编号：S012023.07.11证券研究报告证券研究报告行业深度报告行业深度报告评级：强于大市产业周期：存储周期通常为产业周期：存储周期通常为3 3-4 4年，是半导体风向标年，是半导体风向标-80%-60%-40%-20%0%20%40%60%80%0.002.004.006.008.0010.0012.001992/021994/101997/062000/022002/102005/062008/022010/102013/062016/022018/102021

2、/06同比YoY存储芯片平均单价(3MMA)-100%-50%0%50%100%150%02040608001992/021994/121997/102000/082003/062006/042009/022011/122014/102017/082020/06同比YoY存储芯片市场规模(3MMA)一张图看懂存储：一张图看懂存储：AI助推需求高增长，半导体存储周期拐点隐现助推需求高增长，半导体存储周期拐点隐现2数据来源：ASML，IDC，WSTS，Omdia，Counterpoint，Statista，Yole，NVIDIA，Gartner，长城证券产业金融研究院（注：图

3、中为2022年市场规模）791亿美元亿美元存储产业链结构存储产业链结构器件器件/模组封测模组封测IDM(原厂原厂)存储晶圆制造存储晶圆制造存储芯片设计存储芯片设计上游上游-原材料原材料+设备设备中游中游-存储器模组制造存储器模组制造Fabless下游下游-应用领域应用领域电脑电脑/服务器服务器摄影摄影/监控监控汽车电子汽车电子移动终端移动终端硅片硅片PCB主控芯片主控芯片NAND Flash:模组厂商模组厂商&封测厂商封测厂商电阻电阻/电容电容/电感电感存储器存储器分类：光学分类：光学+磁性磁性+半导体半导体存储市场呈现海外寡头垄断格局，存储市场呈现海外寡头垄断格局，CR3/CR5高达高达90

4、+%DRAM:CR3达达95%旺宏,33%华邦,35%兆易创新,23%其他,9%三星,33%Kioxia/WDC,32%美光,12%海力士,19%其他,5%三星,43%海力士,28%美光,25%其他,5%CD光学存储光学存储存储器存储器半导体存储半导体存储非易失性存储非易失性存储供给侧：各原厂扩产计划放缓，供给侧：各原厂扩产计划放缓，23年资本开支降幅达双位数年资本开支降幅达双位数需求侧需求侧1：26年全球数据量将达年全球数据量将达221ZB，AI加速存储需求增长加速存储需求增长行业规律：每投资行业规律：每投资1美金算力美金算力对应投资对应投资 0.50.7美金存储美金存储IDC预计预计26年

5、全球年全球AI服务器市场将达服务器市场将达$347亿亿对应存储投资预估约对应存储投资预估约$65亿亿需求侧需求侧2：单机平均存储容量翻：单机平均存储容量翻2/4倍，将带动总需求数倍增长倍，将带动总需求数倍增长单机平均存储容量增长单机平均存储容量增长移动终端出货量稳定移动终端出货量稳定总存储容量需求数倍增长总存储容量需求数倍增长易失性存储易失性存储DRAM(占比占比55%)SRAMNAND Flash(占比占比42%)NOR Flash(占比占比2%)EEPROM等等(占比占比1%)DVD磁性磁性存储存储机械硬盘机械硬盘磁盘磁盘软盘软盘半导体存储关键技术进展：半导体存储关键技术进展：NAND+D

6、RAM三星$340亿(占43%)SK海力士$221亿(占28%)美光$198亿(占25%)其他三星$198亿(占33%)Kioxia/WDC$192亿(占32%)SK海力士$114亿(占19%)美光$72亿(占12%)其他华邦$10亿(占35%)旺宏$9亿(占33%)兆易创新$7亿(占23%)其他$3亿(占9%)791亿美元601亿美元37亿美元CMP设备设备封测设备封测设备刻蚀设备刻蚀设备光刻机光刻机薄膜沉积设备薄膜沉积设备刻蚀设备刻蚀设备薄膜沉积设备薄膜沉积设备海外海外中国大陆中国大陆光刻机光刻机海外海外中国大陆中国大陆存储晶圆存储晶圆海外海外中国大陆中国大陆存储芯片设计存储芯片设计海外海

7、外中国大陆中国大陆存储模组存储模组海外海外中国大陆中国大陆主控芯片主控芯片海外海外中国大陆中国大陆封装测试封装测试海外海外中国大陆中国大陆海外海外中国大陆中国大陆LamTELAMAT北方华创北方华创中微公司中微公司拓荆科技拓荆科技北方华创北方华创TEL应用材料应用材料华卓精科华卓精科ASML尼康尼康佳能佳能长江存储长江存储长鑫存储长鑫存储美光美光三星三星SK海力士海力士三星三星铠侠铠侠SK海力士海力士江波龙江波龙佰维存储佰维存储德明利德明利朗科科技朗科科技Kingston联芸科技联芸科技得一微得一微Marvell慧荣科技慧荣科技深科技深科技华天科技华天科技长电科技长电科技通富微电通富微电日月光

8、日月光存储原厂存储原厂减少产出减少产出降低投资降低投资铠侠2022年9月宣布将减少NAND Flash 30%产量/西部数据2023年1月宣布NAND Flash减产 30%2023年资本开支下调15%至23亿美元美光宣布减少20%的NAND Flash和DRAM晶圆产出2023年资本开支将同比下滑40+%至约70亿美元SK海力士 传统产品及低毛利率产品均将减产2023年资本开支将从2022年的19万亿韩元下调 50%以上三星2023年4月宣布将显著减少存储器产量可能灵活调整2023年设备方面的资本支出481亿美元76亿美元676亿美元性能分类性能分类原理示意图原理示意图关键制程节点关键制程节

9、点技术路径技术路径NAND Flash通过电子隧穿进浮栅238L3D NANDDRAM通过电容存储电荷10nm(1)HBM,CXL51亿美元NAND Flash:CR5达达96%NOR Flash:CR3达达91%公公司司分分类类供供需需格格局局产产业业链链及及产产业业周周期期行行业业概概况况约占半导体市场规模的约占半导体市场规模的1/4CXL金额金额(亿美金亿美金)美国美国西欧西欧中国中国存储77.0941.5739.40服务器内置存储78.9725.626.61计算312.898.24218.02存算投资比例1:21:1.51:3.310.013.014.314.7 14.614.113.

10、712.913.412.5 12.73.1 3.1 2.8 2.6 2.6 2.6 2.7 3.03.52.9 2.801020全球智能手机和PC出货量(单位：亿)智能手机PC单机平均存储容量：128GB256GB512GB市场规模：存在周期性波动，当前仍处下行周期存储价格：终端需求低迷，当前价格仍处下跌阶段据IDC预测：2026年全球数据量达221ZB英伟达发布DGX GH200 AI超级计算机，性能突破1 EFlops算力算力需求需求存储存储需求需求（存算投资比例）2:1兆易创新兆易创新北京君正北京君正东芯股份东芯股份普冉股份普冉股份0%100%200%0112012

11、20000222023202420252026数据量(ZB)YoY(%)穿越存储穿越存储60年：年：AI 时代，新周期时代，新周期一一、存储的需求基石存储的需求基石，来源于与文明传承与延续来源于与文明传承与延续信息存储的需求基石，来源于文明传承与延续，随着世界数字化趋势而爆发增长。按照存储介质的不同，现代数字存储主要分为光学存储、磁性存储和半导体存储三类。从存储市场规模来看，根据日本HDD协会数据，2022年机械硬盘市场规模约为183亿美元，占据总体市场的11.35%；根据CFM闪存市场数据，2022年DRAM市场规模约为791

12、亿美元，占49.06%；根据CFM闪存市场数据，2022年NAND FLASH市场规模约为601亿美元，占37.28%。二二、DRAM市场从市场从“群雄逐鹿群雄逐鹿”到到“三国鼎立三国鼎立”历史50多年，DRAM每约5年价格降至1/10，杀伐惨烈。DRAM产品在成本、技术、品质等为核心竞争要素，而背后需要企业在融资能力、产业链配套及人才梯队等全方位储备，考验系统性资源调动能力。全球DRAM厂商已从“群雄逐鹿”形成“三国鼎立”，未来看中国企业制造端合肥长鑫、设计端兆易创新如何突围。三三、FLASH新一代存储主力新一代存储主力，将成兵家必争之地将成兵家必争之地近年来随着消费电子领域的需求增长，FL

13、ASH市场规模呈现快速增长趋势，特别是NAND FLASH已成为手机、笔记本等主力存储介质，而可穿戴设备、IOT等应用兴起驱动NOR FLASH成长。NAND市场格局主要有三星、铠侠、西部数据等企业主导。NOR FLASH主要有旺宏、华邦、兆易创新等主导。未来看长江存储自研3D NAND产品，有望迎来收获期。四四、半导体风向标：存储市场近况及预判半导体风向标：存储市场近况及预判半导体风向标：据WSTS，半导体存储市场占半导体市场23%左右，与半导体行业变化基本一致，但具有更强的波动性。据CFM闪存市场，全球存储市场规模2022全年跌超10%，据WSTS预计23年将同比下降35%。据CFM闪存市

14、场，2022年闪存/DRAM价格指数-41%/-35%，23年价格跌幅有望逐季放缓；2022年全球存储容量增速放缓，NAND/DRAM市场容量增速分别为6%/4%，处历史低位，23年全球NAND/DRAM存储容量有望+20%/+10%。目前三星稳居全球第一龙头，NAND/DRAM竞争格局高度集中，仍由海外龙头垄断。三星、美光等存储原厂宣布减产策略，或有望加速行业触底反转。未来行业趋势：1）移动终端平均容量增长，嵌入式存储朝高速传输方向发展；2）DDR5渗透率提升，据Yole预计20222028年出货量CAGR+97%；3）AI等应用推动高性能存储器需求，CXL(Compute Express

15、Link，计算快速链接)技术和高带宽存储器(High Bandwidth Memory,HBM)存储技术不断迭代升级；4）服务器存储需求长期向好，中国企业级SSD厂商迎来机遇；5）汽车存储市场规模持续提升，据CFM闪存市场预计，2030年将超200亿美元。五五、存储产业赛道突出存储产业赛道突出，中国存储企业整装待发中国存储企业整装待发相关公司有：存储芯片设计：存储芯片设计：兆易创新、聚辰股份、北京君正、东芯股份、恒烁股份、普冉股份；存储接口芯片设计：存储接口芯片设计：澜起科技；存储模组：存储模组：朗科科技、江波龙、德明利、佰维存储；半导体设备：半导体设备：中微公司、北方华创、拓荆科技、精测电子

16、、盛美上海、华海清科等；半导体材料：半导体材料：沪硅产业、鼎龙股份、安集科技等；存储封测：存储封测：深科技、华天科技、长电科技、通富微电等。3一、存储产业：现代文明传承与延续的基石一、存储产业：现代文明传承与延续的基石图：近代电脑存储器演变图：近代电脑存储器演变从穿孔卡到从穿孔卡到DDR，存储介质经历了从“纸，存储介质经历了从“纸磁磁光光半导体”不断创新发展半导体”不断创新发展存储的起源：文明的传承与延续是需求基石，推动存储介质的发展存储的起源：文明的传承与延续是需求基石，推动存储介质的发展5数据来源：中国存储网，太平洋电脑网，长城证券产业金融研究院 文明的传承与延续是信息存储的需求基石文明的

17、传承与延续是信息存储的需求基石，存储需求的爆发增长存储需求的爆发增长，促进了存储介质的创新和发展促进了存储介质的创新和发展。从文明诞生以来，人类就一直在寻求能够更有效存储信息的方式，从4万年前洞穴壁画、6000年前泥板上楔形文字、竹签、书本，现代的存储模式已经主要为光盘、U盘、硬盘等等，存储器的更新换代从未停止。1970年年10月月，Intel发布了第一款商用发布了第一款商用DRAM，正式宣告了磁芯存储器的灭亡正式宣告了磁芯存储器的灭亡。1970年，Intel发布了第一款商用DRAM“Intel 1103”，其在惠普9800系列电脑上大量应用，至1972年Intel 1103成为全球销量最好的

18、DRAM内存芯片，击败了当时的磁芯DRAM内存，它的诞生正式宣告了磁芯存储器的灭亡，并最终成全了个人电脑革命。图：常见存储单位：从图：常见存储单位：从KB起，计算机存储单位之间的进率是起，计算机存储单位之间的进率是1024图：图：IDC预测预测2025年全球数据圈将增长至年全球数据圈将增长至175ZB2030年全球每年新增数据量将突破年全球每年新增数据量将突破1YB，存储需求量级爆发式增长，存储需求量级爆发式增长数据来源：IDC，CSDN，第一财经，长城证券产业金融研究院 到到2030年全球每年新增数据量将突破年全球每年新增数据量将突破1YB量级量级，相当于相当于4万亿台万亿台256GB高端手

19、机的存储能力高端手机的存储能力，存储需求量级爆发成长存储需求量级爆发成长。华为数据存储与机器视觉产品线总裁周跃峰在2021创新数据基础设施论坛中表示，到2030年全球每年新增数据量将突破1YB量级，相当于4万亿256GB高端手机的存储能力，存储需求量级爆发成长。IDC预计到预计到2025年年，中国数据圈将增至中国数据圈将增至48.6ZB，占全球的占全球的27.8%，成为全球最大数据圈成为全球最大数据圈。据IDC预测，全球数据圈(每年被创建、采集或复制的数据集合)将从2018年的33ZB增至2025年的175ZB，增幅超5倍。其中，中国数据圈增速最为迅速。2018年，中国数据圈占全球数据圈的比例

20、为23.4%，即7.6ZB；预计到2025年将增至48.6ZB，占全球数据圈的27.8%，中国将成为全球最大的数据圈。6中国欧洲/中东/非洲日本和亚太美国其他Bit比特一位二进制数，最小的存储单位Byte字节8个二进制位，最常用单位KB千字节1KB=1024ByteMB兆字节1MB=1024KBGB吉字节1GB=1024MBTB太字节1TB=1024GBPB拍字节1PB=1024TBEB艾字节1EB=1024PBZB泽字节1ZB=1024EBYB尧字节1YB=1024ZB175ZB图：存储的进化史图：存储的进化史伴随存储技术的发展，存储器尺寸不断减小至芯片量级，平均存储容量逐渐提升至可达伴随存

21、储技术的发展，存储器尺寸不断减小至芯片量级，平均存储容量逐渐提升至可达TB量级量级数字存储的演进：存储器尺寸不断缩小至芯片，容量可达数字存储的演进：存储器尺寸不断缩小至芯片，容量可达TB量级量级数据来源：NIMBUS，长城证券产业金融研究院 随着技术的发展随着技术的发展，存储器尺寸逐渐缩小存储器尺寸逐渐缩小，存储容量大幅提升存储容量大幅提升。根据NIMBUS数据，1960年代，磁带平均容量仅为2.3MB，1970年代软盘开始流行，平均容量同样仅MB量级。伴随着硬盘技术的发展及普及，存储器尺寸不断下降，存储容量大幅提升。1990年代，硬盘存储容量已达到1GB量级。21世纪开始，DRAM、闪存进入

22、人们视野，成为主流存储方式，平均存储容量从GB量级逐渐提升至TB量级。7容量变大容量变大MBGBTB尺寸减小尺寸减小83.5芯片芯片图：存储行业遵循摩尔定律，集成度每图：存储行业遵循摩尔定律，集成度每18个月提升个月提升1倍，性能提升倍，性能提升1倍，单位价格下降一半倍，单位价格下降一半数字存储的演进：符合摩尔定律，每数字存储的演进：符合摩尔定律，每18个月存储单位价格下降个月存储单位价格下降1/2数据来源：NIMBUS，长城证券产业金融研究院8 存储价格变化符合摩尔定律存储价格变化符合摩尔定律，每每18个月集成度提升个月集成度提升1倍倍，性能提升性能提升1倍倍，单位价格下降单位价格下降1/2

23、。根据NIMBUS数据，1960年代，磁带平均容量仅为2.3MB，而每GB价格却高达1791英镑，1970年代流行的软盘价格更是高达2-3万英镑/GB。伴随着硬盘技术的发展及普及，存储价格迅速下降，1990年代，单位GB存储价格跌至100英镑以下，CD-ROM价格仅为6.03英镑/GB。21世纪开始，DRAM、闪存进入人们视野，成为主流存储方式，存储价格进一步下降，单位GB存储价格平均为0.5-0.8英镑。1.E-061.E-051.E-041.E-031.E-021.E-011.E+001.E+011.E+021.E+031.E+041.E+051.E+061.E+071.E+081.E+0

24、91955 1960 1965 1970 1975 1980 1985 1990 1995 2000 2005 2010 2015 2020 2025Memory Price($/MB)YearFlip-FlopsCoreICs onboardsSIMMsDIMMsBig DrivesFloppyDrivesSmallDrivesFlashMemorySSD温氏架构基本确立温氏架构基本确立存储芯片推出，存储芯片推出，DRAM技术进步技术进步闪存快速发展闪存快速发展100万$/GB，大型计算机存储为主1万$/GB，家用PC等小型存储出现芯片集成度提高，单位存储价格迅速下降10$/GB，FLASH

25、市场需求爆发100$/GB，DRAM技术日渐成熟0.01$/GB，集成度不断提升存储行业每存储行业每18个月个月单单位位价价格格下降下降性性能能提升提升 1 倍倍集集成成度度提升提升1倍倍图：存储的金字塔：速度越快，存储容量越小，数据保留时间越短图：存储的金字塔：速度越快，存储容量越小，数据保留时间越短图：现代数字存储器主要分为光学、磁性、半导体三类图：现代数字存储器主要分为光学、磁性、半导体三类数字存储主要有光学、磁性及半导体三大存储介质数字存储主要有光学、磁性及半导体三大存储介质数据来源：中国存储网，36氪，PC Watch，长城证券产业金融研究院 按照存储介质的不同按照存储介质的不同，现

26、代数字存储主要分为光学存储现代数字存储主要分为光学存储、磁性存储和半导体存储三类磁性存储和半导体存储三类。光学存储包括CD、DVD等常见形式。磁性存储包含磁带、软盘、硬盘等。半导体存储是目前存储领域应用最广、市场规模最大的存储器件，包括当前主流的易失性存储器DRAM，和非易失性存储器NAND FLASH、NOR FLASH等等。9HDD(电磁存储)SSD(NAND Flash)速度速度存储容量存储容量DDR5内存结构内存结构分化分化图：图：2022年存储市场规模：年存储市场规模：DRAM、NAND占比分别达占比分别达49%和和37%图：预计到图：预计到2025年全球存储年新增总容量将达到年全球

27、存储年新增总容量将达到4.7ZB硬盘仍存储大部分数据，硬盘仍存储大部分数据，DRAM/NAND FLASH规模均超规模均超$500亿亿数据来源：IDC，CFM闪存市场，日本HDD协会，CINNO，长城证券产业金融研究院 硬盘仍存储全球大部分数据硬盘仍存储全球大部分数据，闪存存储容量迅速上升闪存存储容量迅速上升。从全球存储容量看，根据IDC数据，2022年全球存储年新增总容量约为3.0ZB，预计到2025年全球存储年新增总容量将达到4.7ZB。2022年，58.0%数据由硬盘存储，而闪存、DRAM、磁带、光学存储器分别为30.5%、1.0%、7.0%、3.5%。从存储市场规模看从存储市场规模看，

28、根据日本根据日本HDD协会数据协会数据，2022年机械硬盘市场规模约为年机械硬盘市场规模约为183亿美元亿美元，占据总体市场的占据总体市场的11.35%；根据；根据CFM闪存市场数据闪存市场数据，2022年年DRAM市场规模约为市场规模约为791亿美元亿美元，占占49.06%；根据；根据CFM闪存市场数据闪存市场数据，2022年年NANDFLASH市场规模约为市场规模约为601亿美元亿美元，占占37.28%。0 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025HDDFLAS

29、HTapeOpticalDRAM49.06%37.28%2.31%11.35%0%10%20%30%40%50%60%005006007008009001000DRAMNAND FLASHNOR FLASHHDD图：三大主流存储介质的原理、特点及应用：各有千秋图：三大主流存储介质的原理、特点及应用：各有千秋三大主流存储介质原理及特点：机械硬盘三大主流存储介质原理及特点：机械硬盘VS DRAM VS 闪存闪存数据来源：CSDN，与非网，中国存储网，Lam Research，Gigazine，长城证券产业金融研究院11 机械硬盘主要通过磁头和盘片表面磁性物质的相互作用存储机械

30、硬盘主要通过磁头和盘片表面磁性物质的相互作用存储0,1的信息的信息。机械硬盘主要由很多的盘片组成，而其存储信息的方式就是通过盘片表面的磁性物质来存储数据，利用磁极的不同来标记0,1，当磁头扫过盘面，通过感应电流就可以识别出不同状态，即读取数据；增强磁头的磁性，可以改变盘面记录单元的状态，实现写入数据。DRAM的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来标记二进制比特的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来标记二进制比特(bit)的的0,1。DRAM的基本单元主要由一个晶体管和一个电容组成，电容中有电荷代表“1”，没有电荷代表“0”。由于电容中的电荷会随着时间而慢慢泄露，所以需要周期性地进行“充电”。F

31、lash的最小存储单元是浮栅晶体管的最小存储单元是浮栅晶体管，利用导通特性对应记录不同状态利用导通特性对应记录不同状态。在存储单元晶体管的栅(Gate)中，注入不同数量的电子，通过改变栅的导电性能，改变晶体管的导通效果，实现对不同状态的记录和识别。机械硬盘机械硬盘闪存闪存DRAM工工作作原原理理容量大、价格低但物理体积大容量较大，读写速度较快数据不易丢失，价格较高容量较小、读写速度快但数据易丢失，价格高优优缺缺点点服务器企业办公电脑智能手机、数码相机车载设备、工业设备电脑内存智能手机终终端端应应用用二、机械硬盘，雄风犹在二、机械硬盘，雄风犹在机械硬盘雄风犹在，企业级应用成未来主战场机械硬盘雄风

32、犹在，企业级应用成未来主战场数据来源：IDC，Trendfocus，Statista，TechWeb，CSDN，日本HDD协会，长城证券产业金融研究院 机械硬盘雄风犹在机械硬盘雄风犹在，位列数字存储市场规模第三位列数字存储市场规模第三，市场集中度逐步提升市场集中度逐步提升。根据日本HDD协会数据，2022年机械硬盘市场规模整体约183亿美元，约占数字存储的11.35%，位列第三。2008年以前，机械硬盘市场各厂商竞争激烈。伴随着消费级市场的流失，厂商逐渐退出，市场集中度提升。2020年HDD市场主要玩家为希捷、西部数据和东芝，根据Trendfocus统计数据，希捷、西部数据、东芝的市场份额分别

33、为42.70%、37.00%和 20.30%，依次位列全球第一、全球第二、全球第三。2010年是机械硬盘产业高峰年是机械硬盘产业高峰，出货量自出货量自2011年开始呈现下降趋势年开始呈现下降趋势。随着存储器的更新迭代，尤其是SSD(固态硬盘)技术的进步，机械硬盘的地位受到挑战，2011年开始出货量整体呈现下降趋势，Statista统计数据显示，截至2022年全球机械硬盘出货量下降至1.66亿个。字节出货量上升字节出货量上升，HDD成数据中心标配成数据中心标配。云计算、互联网等带来了旺盛的数据存储需求，且对存储容量及稳定性要求较高。机械硬盘具有寿命长、成熟稳定、容量大的性能优势，成为数据中心的首

34、选。根据IDC数据，2022年机械硬盘字节出货量为1.74ZB，出货容量超过全球存储年出货容量的58%。13图：机械硬盘图：机械硬盘VS固态硬盘价格：固态硬盘价格：SSD每每TB价格约是同类价格约是同类HDD的的2倍倍图：机械硬盘图：机械硬盘VS固态硬盘性能：固态硬盘性能：SSD读写速度更优，读写速度更优，HDD容量更大容量更大性能分类性能分类机械硬盘机械硬盘HDD固态硬盘固态硬盘SSD物理特点有机械部件无机械部件半导体存储半导体存储电磁存储电磁存储体积重量体积大体积小较重轻便工作噪音有噪音(运作时需高速转动磁盘)无噪音(运作时靠电子运动)读写速度较慢(读写数据时需转动磁盘，移动磁头，速度受限

35、)很快存储容量较大较小防震能力弱(内有机械部件，较脆弱)较强数据恢复容易很难寿命(读写次数)较长较短(使用时会磨损闪存)价格便宜较贵容量容量售价售价每每TB价格价格具体型号具体型号机械硬盘1TB289289.00西部数据蓝盘WD10EZEX固态硬盘1TB499499.00三星870 QVO MZ-77Q1T0B机械硬盘2TB379189.50西部数据蓝盘WD20EZAZ固态硬盘2TB899449.50三星870 QVO MZ-77Q2T0B机械硬盘4TB549137.25西部数据蓝盘WD40EZAZ固态硬盘4TB1999499.75三星870 QVO MZ-77Q4T0B机械硬盘6TB8691

36、44.83西部数据蓝盘WD60EZAZ机械硬盘8TB1179147.38西部数据蓝盘WD80EAZZ固态硬盘8TB3599449.88三星870 QVO MZ-77Q8T0B图：电磁铁产生的磁场可改变金属粒的磁性，记录存储图：电磁铁产生的磁场可改变金属粒的磁性，记录存储0和和1的信息的信息图：机械硬盘由磁盘、磁头、转轴、磁头臂、永磁铁等组成图：机械硬盘由磁盘、磁头、转轴、磁头臂、永磁铁等组成机械硬盘是传统普通硬盘，信息通过电磁铁转换成电流机械硬盘是传统普通硬盘，信息通过电磁铁转换成电流数据来源：CSDN，Gigazine，长城证券产业金融研究院 HDD(机械硬盘机械硬盘)是传统普通硬盘是传统普

37、通硬盘，主要由盘头主要由盘头、磁片磁片、盘片转轴及控制电机盘片转轴及控制电机、磁头控制器磁头控制器、数据转换器数据转换器、接口和缓存等接口和缓存等几个部分组成几个部分组成。磁头可沿盘片的半径方向运动，加上盘片每分钟几千转的高速旋转，磁头就可以定位在盘片的指定位置上进行数据的读写操作。信息通过离磁性表面很近的磁头，由电磁流来改变极性方式被电磁流写到磁盘上，信息可以通过相反的方式读取。信息通过电磁铁转换成电流信息通过电磁铁转换成电流。每个硬盘的中心都有高速旋转的磁盘，磁盘表面有高速扫过的记录磁头，每个磁盘上都覆盖着一层薄薄的微小的磁化金属粒，很多组微小颗粒形成的磁化图案记录形成了数据，每一组成为比

38、特，将比特信息通过电磁铁转换成电流，数据就能被读写在硬盘上。这块磁铁会产生一个强大磁场，足以改变金属微粒的磁性，当信息写入磁盘，驱动使用磁读写器将其还原成有意义的形式。14主轴主轴(马达马达)磁头磁头永磁铁永磁铁磁盘磁盘19561979年：硬盘确立温氏架构年：硬盘确立温氏架构15数据来源：IEEE，电子工程专辑，长城证券产业金融研究院 机械硬盘诞生于机械硬盘诞生于1956年年，“温氏架构温氏架构”于于1973年问世年问世。现代硬盘雏形诞生于1956年，由IBM制造，存储容量仅为5MB。1973年，采用“温氏架构”的IBM 3340问世，标志着硬盘基本架构的确立。这种硬盘拥有几个同轴金属盘片，盘

39、片上涂有磁性材料。他们与能够移动的磁头共同密封在一个盒子中，磁头从旋转的盘片读出磁信号的变化。1970-1979年，IBM先后发明了Merlin技术、Thin Film磁头，驱动硬盘数据定位准确性、硬盘密度都大幅提升。图：图：1973年，温彻斯特硬盘年，温彻斯特硬盘(IBM 3340)问世，硬盘的基本架构出现问世，硬盘的基本架构出现图：图：1956年，年，IBM 350 RAMAC机械硬盘机械硬盘(HDD)的鼻祖诞生的鼻祖诞生图：希捷图：希捷 ST 5065.25英寸硬盘，是首款面向个人用户的硬盘英寸硬盘，是首款面向个人用户的硬盘图：图：IBM 3380首款首款GB级容量硬盘，容量达级容量硬盘

40、，容量达2.5GB，重，重250kg1980年代：家用年代：家用PC硬盘崭露头角硬盘崭露头角数据来源：IEEE，CSDN，希捷官网，Ofweek，长城证券产业金融研究院 硬盘容量不断提升硬盘容量不断提升，家用家用PC硬盘崭露头角硬盘崭露头角。1980年，希捷公司由两位前IBM员工创立，开发并推出第一款5.25英寸规格5MB硬盘，这是首款面向个人用户的硬盘，它的出现推动了计算机的诞生。1981年，希捷又推出第二款容量达10MB的硬盘产品，并在市场蔓延开来。而正是1981年，IBM发布了IBM个人计算机，这是计算机领域具有里程碑意义的飞跃。受益于较为小巧的体积，简单的操作，IBM发布的个人电脑大受

41、欢迎，随着个人电脑普及，也带动了家用PC硬盘快速增长。16图：图：1997年，年，GMR巨磁阻效应磁头技术诞生，巨磁阻效应磁头技术诞生，IGM研制出信号变化灵敏度更高的读出磁头，自此硬盘的存储密度实现巨大提升研制出信号变化灵敏度更高的读出磁头，自此硬盘的存储密度实现巨大提升1990年代：硬盘技术快速升级，年代：硬盘技术快速升级，IBM开创民用级开创民用级GB硬盘先河硬盘先河17数据来源：IEEE，电子工程专辑，CSDN，长城证券产业金融研究院 硬盘存储密度大幅提升硬盘存储密度大幅提升。曾在1980年代末，IBM已推出MR(Magneto Resistive磁阻)技术令磁头灵敏度大大提升，盘片的

42、存储密度较之前的20Mbpsi(bit/每平方英寸)提高了数十倍，为硬盘容量的巨大提升奠定了基础。1997年，GMR(GiantMagneto Resistive)巨磁阻技术的成功研发进一步提升了存储密度。如果用MR磁头能够达到3-5Gb/平方英寸的存储密度，使用GMR以后存储密度可达到10-40Gb/平方英寸。民用级硬盘进入民用级硬盘进入GB时代时代。1991年，IBM出了首款应用MR技术的3.5英寸的1GB硬盘0663-E12，开创了民用级GB硬盘的先河，从此硬盘容量开始进入GB数量级，3.5英寸的硬盘规格也由此成为现代计算机硬盘的标准规格。图：图：2009年机械硬盘市场格局，形成“春秋五

43、霸”时代年机械硬盘市场格局，形成“春秋五霸”时代图：图：2004年机械硬盘市场格局，各大厂商竞争激烈年机械硬盘市场格局，各大厂商竞争激烈希捷希捷,26.9%西数西数,17.9%迈拓迈拓,17.6%日立日立,15.3%三星三星,7.6%东芝东芝,7.2%富士通富士通,5.8%其他其他,1.7%希捷希捷,31.4%西数西数,29.6%日立日立,16.4%三星三星,10.0%东芝东芝/富士通富士通,12.6%20002010年代：各大硬盘厂商竞争激烈，行业进入整合期年代：各大硬盘厂商竞争激烈，行业进入整合期数据来源：太平洋电脑网，长城证券产业金融研究院 硬盘厂商进入整合期硬盘厂商进入整合期。2000

44、年起是硬盘行业的整合期，希捷、西数、IBM、三星、迈拓、昆腾、东芝、富士通等各大硬盘厂商竞争激烈。2000年迈拓收购昆腾，2003年日立环储IBM硬盘事业部，2005年希捷宣布收购迈拓，2009年，富士通硬盘被东芝收购，形成希捷、西数、日立、三星、东芝“春秋五霸”时代。2011年西部数据收购日立环储、希捷收购三星硬盘，形成“三国鼎立”局面。18图：图：Deskstar 7K1000产品标签：支持产品标签：支持NCQ技术的技术的SATA 3Gb/s接口接口图：日立采用垂直存储技术推出全球首款图：日立采用垂直存储技术推出全球首款1TB硬盘硬盘Deskstar 7K10002007年：日立环储发布全

45、球首款年：日立环储发布全球首款1TB硬盘硬盘数据来源：中关村在线，长城证券产业金融研究院 垂直存储技术出现垂直存储技术出现，再一次提高硬盘存储密度再一次提高硬盘存储密度。2007年日立环储发布了全球首款1TB硬盘，硬盘售价为399美元，平均每美元可购得2.75GB硬盘空间。该硬盘采用垂直存储技术，将平行于盘片的磁场方向改变为垂直，更充分地利用了存储空间。此外，垂直存储技术能耗小，发热量减小，改善了数据抵抗热退减的能力，提高了硬盘的可靠性。19图：图：2011年年HDD出货量出货量(万万)锐减锐减图：图：2011年年HDD平均售价平均售价(USD/TB)激增激增2010年：机械硬盘达到产业高峰年

46、：机械硬盘达到产业高峰数据来源：希捷公司官网，西部数据官网，Digitimes，与非网，太平洋电脑网，长城证券产业金融研究院 2010年是年是HDD产业高峰产业高峰。2011年上半年日本发生地震，下半年泰国发生洪水。其中日本厂商是重要的磁头、磁盘、马达等HDD配件供应商，泰国是重要的HDD制造基地，这两次自然灾害产生了重大影响，导致2011年HDD硬盘出货量锐减，但也让HDD硬盘价格上升。2040455055606570752006Q32006Q32007Q12007Q22007Q32007Q42008Q12008Q22008Q32008Q42009Q12009Q22009Q32009Q420

47、10Q12010Q22010Q32010Q42011Q12011Q22011Q32011Q4希捷西部数据00400050006000700080002010Q32010Q42011Q12011Q22011Q32011Q42012Q12012Q22012Q32012Q42013Q12013Q22013Q32013Q42014Q12014Q22014Q32014Q42015Q12015Q22015Q32015Q4希捷（万）西部数据（万）图：价格对比图：价格对比(USD/TB)：随着：随着SSD价格下降，两者差距不断缩小价格下降，两者差距不断缩小图：与机械硬盘相比，图：与机械硬

48、盘相比，SSD的速度性能更优，不存在物理结构瓶颈的速度性能更优，不存在物理结构瓶颈数据来源：IEEE，IDC，长城证券产业金融研究院 机械硬盘自身瓶颈难以突破机械硬盘自身瓶颈难以突破，SSD大敌崛起大敌崛起。受限于物理结构瓶颈，机械硬盘体积难以缩小或成本较高，增长前景显现停滞。固态硬盘(Solid State Drives)由多个闪存颗粒和主控芯片组成，没有运动结构设计；而机械硬盘有碟盘和读写磁头组成。SSD不仅拥有更快的读写速度，而且具有低功耗、防震抗摔性好、发热低等优势。SSD价格逐渐下降价格逐渐下降，与与HDD价格差距不断缩小价格差距不断缩小。随着技术的发展，SSD平均价格与HDD平均价

49、格差异逐渐缩小，加之SSD各方面的性能优势，硬盘市场逐渐被SSD占领。2120112019年：机械硬盘自身瓶颈难以突破，年：机械硬盘自身瓶颈难以突破，SSD大敌崛起大敌崛起005006002001820192020HDD平均价格SSD平均价格机械硬盘机械硬盘固态硬盘固态硬盘容量大较小价格便宜贵随机存取一般极快写入次数无限制SLC：10万次MLC：1万次磁盘阵列极难可工作噪音有无工作温度较为明显极低防震能力较差很好数据恢复容易难图：图：HDD出货量从出货量从2011年开始逐渐下降年开始逐渐下降(单位单位:亿亿)图：图：2019年机械硬盘市场格局：大部分

50、机械硬盘厂商减少生产年机械硬盘市场格局：大部分机械硬盘厂商减少生产20112019年：厂商减少年：厂商减少HDD生产，出货量从生产，出货量从2011年开始下降年开始下降数据来源：Statista，IEEE，长城证券产业金融研究院 HDD出货量自出货量自2011年开始下降年开始下降。随着SSD平均价格与HDD平均价格差异的逐渐缩小，以及SSD各方面的性能优势，硬盘市场逐渐被SSD占领，HDD出货量从2011年开始明显下降。大部分机械硬盘厂商减少生产大部分机械硬盘厂商减少生产，西部数据西部数据、希捷市占率分别为希捷市占率分别为24.6%和和15.7%。从市场格局来看，根据Statista数据，三星

51、的市场份额从2009年的10.0%上升至2019年的33.6%，西部数据从29.6%下降至24.6%，希捷从31.4%下降至15.7%，日立从16.4%下降至2.3%。22三星三星,33.60%西部数据西部数据,24.60%希捷希捷,15.70%东芝东芝,5.20%日立日立,2.30%其他其他,18.50%092000200042005200620072008200920001620172018图：全球云计算和图：全球云计算和IDC市场规模持续增长，带动企业级市场规模持续增长，带动企业

52、级HDD需求需求图：机械硬盘单位容量仍呈持续增长态势，大容量图：机械硬盘单位容量仍呈持续增长态势，大容量HDD仍是需求点仍是需求点2020年以后：数据中心、云存储带动企业级年以后：数据中心、云存储带动企业级HDD需求增长需求增长数据来源：日本HDD协会，Gartner，中国IDC圈，西部数据，长城证券产业金融研究院 成本稳定成本稳定、成本更有成本更有，HDD成数据中心标配成数据中心标配。尽管SSD可以发挥闪存性能上带来的应用加速，但大量的数据存储依然需要生命周期更长、成熟稳定、成本更优的HDD企业级大容量硬盘来支撑。在数据中心、云存储的趋势下，HDD大容量硬盘依然是企业数据中心的标配，市场需求

53、有望进一步增长。企业级企业级HDD需求持续增长需求持续增长。随着云计算、5G、物联网、人工智能、大数据带来的全新发展，全球正形成以数据为核心的生态圈，全球云计算和IDC市场规模持续增长，企业级用户对于数据存储的大容量需求愈加明显，将HDD在企业级领域的发展推向了新高度。230%5%10%15%20%25%02004006008002010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022全球IDC市场规模(亿美元)YoY0%10%20%30%02000400060002000182

54、0022全球云计算市场规模(亿美元)YoY图：图：1986-2022年机械硬盘出货量先升后降年机械硬盘出货量先升后降(单位单位:亿亿)图：图：2003-2022年机械硬盘市场集中度不断提升，其他厂商逐渐退出年机械硬盘市场集中度不断提升，其他厂商逐渐退出历史总结历史总结1：机械硬盘的市场规模和竞争格局：机械硬盘的市场规模和竞争格局数据来源：Statista，ITCenter，TrendFocus，日本HDD协会，长城证券产业金融研究院24 根据日本根据日本HDD协会数据协会数据，2022年机械硬盘市场规模整体约年机械硬盘市场规模整体约183亿美元亿美元，占总体存储市场规模约

55、占总体存储市场规模约11%，位列数字存储市场位列数字存储市场规模第三规模第三，据据Statista，2022年年HDD年年出货量约为不到出货量约为不到2亿个亿个。据Statista数据，机械硬盘出货量1996-2010年稳定增长，从1996年的1.05亿个增长至2010年的6.51亿个，达到历史最高点。随着存储器的更新迭代，尤其是SSD（固态硬盘）技术的进步，机械硬盘的地位受到挑战，2011年开始出货量整体呈现下降趋势，截至2022年全球机械硬盘出货量下降至1.66亿个。2010年以后机械硬盘厂商数量逐渐减少年以后机械硬盘厂商数量逐渐减少。2008年以前，机械硬盘市场集中度较低，各厂商竞争激烈

56、。而后，市场集中度提升，西部数据、希捷、东芝等厂商成为机械硬盘龙头，占据全球市场超过90%份额。028402002200420062008200022全球HDD出货量（亿）0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%20032008201420202022希捷西数东芝富士三星日立其他图：图：1979-2023年机械硬盘每年机械硬盘每GB价格呈快速下降趋势价格呈快速下降趋势(按美元按美元/GB计计)图：图：1980-202

57、3年机械硬盘每年机械硬盘每GB价格变化幅度曾出现价格变化幅度曾出现3次骤变次骤变历史总结历史总结2：每：每GB价格呈现下降趋势价格呈现下降趋势数据来源：Bloomberg，长城证券产业金融研究院 机械硬盘每机械硬盘每GB价格呈现下降趋势价格呈现下降趋势。机械硬盘面市之初价格较高，1980年机械硬盘折算成每GB价格约为357.24万美元。随着技术的进步，机械硬盘成本下降，价格也随之下降，2022年每GB价格仅为0.016美元。251.E-021.E-011.E+001.E+011.E+021.E+031.E+041.E+051.E+061.E+0739

58、5072009200023-150%-100%-50%0%50%100%150%395072009200023图：企业级存储将逐渐走向创新存储架构图：企业级存储将逐渐走向创新存储架构分层存储体系分层存储体系图：图：20102025机械硬盘字节出货量机械硬盘字节出货量(ZB)持续上升，持续上升，25年将达年将达2.4ZB未来发展：总容量

59、出货上升，机械硬盘成数据中心标配未来发展：总容量出货上升，机械硬盘成数据中心标配数据来源：IEEE，Statista，西部数据官网，IDC，长城证券产业金融研究院 近年来近年来HDD(机械硬盘机械硬盘)成数据中心标配成数据中心标配。云计算、互联网等带来了旺盛的数据存储需求，且对存储容量及稳定性要求较高。相比SSD(固态硬盘)，机械硬盘具有寿命长、成熟稳定、容量大的性能优势，成为数据中心的首选。虽然虽然HDD产品出货量近年来呈现下降趋势产品出货量近年来呈现下降趋势，但总容量出货明显上升但总容量出货明显上升。根据IDC数据，2022年机械硬盘字节出货量为1.74ZB，出货容量超过全球存储年出货容量

60、的50%。云计算、互联网的发展将推动HDD产品持续增长。260.00.51.01.52.02.53.020000022202320242025热存储热存储温存储温存储冷存储冷存储极冷存储极冷存储性能上升性能上升成本下降成本下降极热存储极热存储DRAM 主流主流SSD/HDD大容量企业级大容量企业级HDD高性能高性能SSDSMR HDD典型应用：典型应用：OLTP，DSP，自，自动驾驶动驾驶典型应用：典型应用：OLAP，AI训练，训练，传统企业应用传统企业应用典型应用：典型应用：存储备份，在线存储备份，在线用

61、户画像分析用户画像分析典型应用：典型应用：历史数据长期归历史数据长期归档等档等快数据快数据大数据大数据三、三、DRAM战场硝烟弥漫战场硝烟弥漫图：近年来图：近年来DRAM市场规模先升后降市场规模先升后降图：图：20012022年年DRAM市场集中度不断提升市场集中度不断提升DRAM硝烟弥漫，“百花齐放”到“三国鼎立”硝烟弥漫，“百花齐放”到“三国鼎立”数据来源：Statista，ITCenter，CFM闪存市场，长城证券产业金融研究院 根据根据CFM闪存市场数据闪存市场数据，2022年年DRAM市场规模整体约市场规模整体约791亿美元亿美元，位列数字存储市场第一位列数字存储市场第一。近年来受益

62、于数据资料中心、智能手机、加密货币等市场需求，DRAM市场规模总体呈现上升趋势，2019年由于前期扩产能和去库存等因素，市场规模有所下降。从从“百花齐放百花齐放”到到“三国鼎立三国鼎立”，三星三星、镁光镁光、SK海力士成海力士成DRAM领域最终领域最终玩家玩家，据据Statista，2022年三年三家合计市场份家合计市场份额达额达94%，分别为分别为43.10%，27.72%和和24.50%。纵观DRAM发展历史，产品以成本、技术、品质等为核心竞争要素，背后需要企业在融资能力、产业链配套及人才梯队等全方位储备，考验企业系统性的资源调动能力。28-50%-30%-10%10%30%50%70%9

63、0%110%-500-0070090011002011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022市场规模（亿美元）YoY0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%200042005200620072008200920000022三星海力士美光南亚华邦力积电英飞凌/奇梦达尔必达其他图：图：DRAM历程以美国技术领先为始，至今发展为三足鼎立局势历程以美国技术领先为始，至今

64、发展为三足鼎立局势DRAM搏杀惨烈，王朝几经更替搏杀惨烈，王朝几经更替数据来源：世界电子元器件，Statista，长城证券产业金融研究院29美国技术领先美国技术领先日本举国体制日本举国体制韩国后发制人韩国后发制人DRAM厂商整合期厂商整合期三足鼎立三足鼎立1972年，Intel成功发布1K DRAM1976年，Mostek凭针脚更少16KDRAM成功1984年，日本技术爆发期，成功研制1M DRAM1978年，镁光成立1980年，日本VLSI联合研发1986年，仅东芝1M DRAM月产量超100万块1985年，Intel退出1992年，三星率先推出64M DRAM1996年，三星开发出第一个1

65、GB DRAM1999年，第三的韩国现代与LG合并2001年，韩国现代完成拆分，海力士成立；镁光收购TI内存2008年金融危机，英飞凌拆分内存部门三星、SK 海力士、镁光三足鼎立，十年间无人撼动三星,海力美光,22.30%其他,5.00%1975年年1982年年1983年年1990年年1991年年2000年年2001年年2010年年2011年至今年至今 DRAM行业早期竞争激烈行业早期竞争激烈，历经美历经美、日日、韩的几代王朝更替韩的几代王朝更替，最终形成三星电子最终形成三星电子、SK海力士海力士、美光三足鼎立格局美光三足鼎立格局。70年代，Intel凭借1K DRAM研发成功迅速占领市场，I

66、BM和德州仪器也开始入局。80年代，日本厂商凭借低价的优势份额持续提升，韩国三星也在此时开始布局DRAM。90年代以来，开创DRAM产业的三大元老英特尔、德州仪器和IBM陆续退出DRAM市场。近10年来DRAM市场集中度逐渐上升，形成了三星电子、SK海力士、美光三足鼎立的格局。0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%美国日本韩国欧洲中国台湾图：图：DRAM工作原理：通过给存储电容内充放电，形成工作原理：通过给存储电容内充放电，形成1和和0的信息的信息图：图：DRAM实物图：以一个电容和晶体管为一个单元排成二维矩阵实物图：以一个电容和晶体管为一个单元排成二维矩阵半导体存

67、储器半导体存储器DRAM，基本操作机制分为读和写，基本操作机制分为读和写数据来源：世界电子元器件，ITCenter，北京大学计算机组成 陆俊林，电子发烧友网，Semiengineering，长城证券产业金融研究院 动态随机存取存储器动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory)DRAM是一种半导体存储器是一种半导体存储器，通常以一个电容和晶体管为一个通常以一个电容和晶体管为一个单元排成二维矩阵单元排成二维矩阵。DRAM利用电容内存储电荷情况来代表二进制比特是1或0。由于晶体管电路会有漏电电流，导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确地识别。因此DRAM需要周期性地

68、充电，因此被称为“动态”存储器。DRAM基本的操作机制分为读基本的操作机制分为读(Read)和写和写(Write)。读的时候先让字线(Bitline)充电到操作电压的一半，开关晶体管(由位线控制)，若电容内部存储的值为1，则Bitline的电压会被电荷共享抬高到高于操作电压的一半；反之，若内部存储的值为0，则会把Bitline的电压拉低到低于操作电压的一半。得到Bitline电压后，经过放大器判别出内部值为0或1。写的时候把晶体管打开，若要写1时则把BL电压抬高到操作电压使电容上存储著操作电压，若要写0时则把BL降低到0伏特使电容内部没有电荷。30图：图：IBM罗伯特罗伯特 登纳德博士，最早研

69、发成功登纳德博士，最早研发成功1T/1C结构的结构的DRAM图：第一款图：第一款8位位RAM制作的存储结构制作的存储结构1970年以前：年以前：IBM率先研发率先研发MOS型型RAM，开启半导体存储历史，开启半导体存储历史数据来源：IBM，Electronics magazine，中国存储网，Computer History Museum，长城证券产业金融研究院 IBM成功研发成功研发MOS型型DRAM存储存储。1966年由DRAM之父IBM的罗伯特 登纳德博士所在的IBM Thomas J.Watson研发中心成功研发MOS型晶体管+电容结构的DRAM存储。1969年加州的先进内存系统公司正

70、式商业推出此款DRAM。能耗少能耗少、读写速度快且集成度高读写速度快且集成度高。DRAM型存储运用的MOS技术，不仅能耗少、读写速度快且集成度高，帮助存储形式从笨重的磁鼓结构快速缩小，因此DRAM成为而后数十年计算机内存的主流技术。31图：图：1970年年Intel成功量产成功量产DRAM C1103，奠定了，奠定了DRAM商业化基础商业化基础图：图：Mostek推出针脚更少的推出针脚更少的4K/16 DRAM，凭借低成本取得优势，凭借低成本取得优势1970年代：前期年代：前期Intel推动推动DRAM快速商业化，快速商业化，后后Mostek成为霸主成为霸主数据来源：Intel，Mostek，

71、半导体行业观察，IEEE Spectrum，长城证券产业金融研究院 1970年代前期年代前期Intel一家独大一家独大，占据全球超占据全球超80%份额份额。Intel研究小组利用MOS工艺开发出1kb DRAM，并通过解决各项生产工艺缺陷，于1970年在其3寸晶圆厂成功量产C1103，奠定了DRAM快速商业化的基础。由于当时大中型计算机使用的磁鼓存储器笨重昂贵，Intel向计算机用户大力宣传DRAM，1972年凭借1K DRAM取得巨大成功。到1974年，Intel的DRAM市场份额达82.9%。1970年代后期年代后期，Mostek击败击败Intel，成为成为DRAM市场最大厂商市场最大厂商

72、。1973年美国其他厂商例如德州仪器、Mostek(由德州仪器的前员工于1969年创立)、日本厂商NEC等先后进入DRAM市场，德州仪器推出成本更低的4K DRAM，Mostek推出针脚更少的4K DRAM，均成为Intel的强劲对手。1976年，Mostek推出的MK4116采用了POLY-II(双层多晶硅栅工艺)，容量达16K，大获成功，占领75%的DRAM市场。而后继续持续推出新产品，在70年代后期，一度占据DRAM市场85%份额。但后来公司发展遭遇较大障碍。1978 年四位Mostek离职技术人员创立了另一个未来的存储巨头-镁光。32图：图：1980年代，举国体制下，日本年代，举国体制

73、下，日本DRAM崛起，奠定霸主地位崛起，奠定霸主地位图：日本图：日本VLSI联合成功研发电子束光刻机，联合成功研发电子束光刻机，DRAM技术赶上美企技术赶上美企1980年代：日本在举国体制下，进入年代：日本在举国体制下，进入DRAM产业增长爆发期产业增长爆发期数据来源：Bloomberg，VLSI，长城证券产业金融研究院 举国体制举国体制，日本日本VLSI联合研发成功联合研发成功，日本半导体产业技术快速进步日本半导体产业技术快速进步。1976年日本VLSI联合研发体成立，设立了6个实验室，从高精度加工技术、硅结晶技术、工艺处理技术、监测评价技术、装置设计技术等方向入手，成功攻克了包括电子束光刻

74、机、干式蚀刻装置等半导体核心加工设备，以及领先的制程工艺和半导体设计能力。在VLSI项目的推动下，日企1980年研制成功64K DRAM，已成功赶上美企DRAM研发进度。随后日本随后日本DRAM产业进入增长爆发期产业进入增长爆发期。1983年日本DRAM内存在美国市场大获成功，当时主流提供256K内存公司中，日本企业有富士通、日立、三菱、NEC、东芝等多家，而美企仅有摩托罗拉，而仅NEC九州工厂的256K DRAM月产量，就高达300万块。1984年，日立生产的DRAM内存已开始采用1.5um生产工艺，三菱甚至公开4M DRAM关键技术。到1986年，仅东芝一家，每月1M DRAM产量就超过1

75、00万块。330%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%7036925819992000美国日本韩国欧洲中国台湾图：日立图：日立1986年年1988年股价年涨跌幅年股价年涨跌幅(%)均呈正增长均呈正增长图：图：1980年年1989年存储平均价格年存储平均价格(USD/Mbyte)断崖式下降断崖式下降1980年代：“低价优质”日本产品横扫美国市场，年代：“低价优质”日本产品横扫美国市场，Intel含

76、恨退出含恨退出数据来源：Bloomberg，长城证券产业金融研究院 日本产品质量优价格低日本产品质量优价格低，市场占有率一度上升市场占有率一度上升，Intel不得已退出不得已退出。到1980年代中期，日本厂商的DRAM产品技术领先，产品质量更好而价格却更低，几乎横扫了美国市场。截至1986年，日本存储器产品的全球市场占有率上升至65%，而美国则降低至30%。1985年，陷入泥潭的Intel不得已宣布退出DRAM市场。1980年代存储平均价格连续下降年代存储平均价格连续下降。1981年全球存储平均价格为6639.50美元/Mbyte，1987年为158.42美元/Mbyte，仅为1981年平均价

77、格的2.39%。340040005000600070002581989-30-20-50690年代：韩国重视研发，抓住契机切入半导体产业年代：韩国重视研发，抓住契机切入半导体产业数据来源：Bloomberg，半导体行业观察，电子工程专辑，长城证券产业金融研究院 韩国政府重视半导体产业投入韩国政府重视半导体产业投入，初期研发进展落后于日本初期研发进展落后于日本。早在日本启动VLSI研究项目的同时(1976年)，韩国政府已建

78、立韩国电子技术研究所(KIET)，分为半导体设计、制程、系统三大部门，交由从美国半导体产业回来的技术专家负责，招收大量美国归来的韩系工程师，集中研发集成电路关键技术。日美关系转变日美关系转变，日本日本DRAM产品性价比大幅下降产品性价比大幅下降。1985年美国里根总统开启第二届任期，而随着美国与苏联的冷战威胁减弱，以及美国政府赤字急剧增加，美国政府对日本经济的扶持政策发生转变，日美贸易摩擦增加，美国主导的广场协议开启了日元升值之路，美国半导体协会也发起了对日本半导体等产品的反倾销诉讼，而后达成了对日本半导体产品的价格监督协议。上述种种，直接导致日本DRAM产品价格大幅提升和性价比的快速下降，这

79、给了韩国半导体产业可乘之机。家用家用PC需求爆发需求爆发，韩厂成功切入韩厂成功切入，成为成为DRAM市场领先企业市场领先企业。1970年代中后期开始，韩国三星，LG、现代和大宇等财阀，通过购买、引进DRAM技术专利及加工设备，对其进行消化吸收并在此基础上持续投入研发，以追赶技术差距。直到1980年代后期，家用PC电脑兴起，且产品换机时间大幅缩短为3-5年，普通消费者对价格敏感，而对使用寿命要求不高，且日本半导体产品受到美国压制，韩国DRAM产品才得以逐步扩大市场份额。35图：图：1991年年6月，日美两国签署新的五年期月，日美两国签署新的五年期日美半导体协议日美半导体协议图：图：1990年年8

80、月，韩国三星落后日本，第三个推出月，韩国三星落后日本，第三个推出16M DRAM内存内存图：三星图：三星1990年年1999年股价年涨跌幅年股价年涨跌幅(%)，1993年涨幅最大年涨幅最大图：图：1993年年1999年，三星营收因年，三星营收因PC热潮而快速增长热潮而快速增长1990年代：三星攻破技术壁垒，快速成长年代：三星攻破技术壁垒，快速成长数据来源：Bloomberg，长城证券产业金融研究院 1992年年，三星率先攻破技术壁垒三星率先攻破技术壁垒，推出世界第一个推出世界第一个64M DRAM。此后，三星继续提高研发投入，到1996年又开发出第一个1GB DRAM。三星电子DRAM芯片出口

81、额达到62亿美元，位居第一；现代电子居世界第三。三星电子受益三星电子受益PC电脑兴起快速成长电脑兴起快速成长。1995年受益于Windows95的带起电脑销售热潮，三星电子营收从1994年的143.75亿美元增长至1995年的242.96亿美元，毛利率和净利率也同比增长。1996-1998年间由于DRAM价格下降，公司营收也体现出不同程度的下降。36-1000%-500%0%500%1000%1500%2000%2581999-5%0%5%10%15%20%25%30%35%40%45%-302070032

82、0581999营收（亿美元）毛利率(%)净利率(%)图：图：1990-1999年存储平均价格年存储平均价格(USD/Mbyte):前半场先抑后扬，后因全球各前半场先抑后扬，后因全球各8英寸厂扩产导致产能供给过剩，英寸厂扩产导致产能供给过剩，DRAM价格加速下跌价格加速下跌1990年代：存储价格前半场先抑后扬，后半场加速下跌年代：存储价格前半场先抑后扬，后半场加速下跌数据来源：Bloomberg，长城证券产业金融研究院 纵观纵观1991-1999年存储价格走势年存储价格走势，前半场价格先抑后扬前半场价格先抑后扬，后半场加速下跌后半场加速下跌。1992年

83、住友树脂厂的爆炸导致内存价格回升，1995年Windows95的发布也加大了对内存的需求。然而1995年底全球各8英寸厂产能持续开出，驱动DRAM市场由卖方市场变为买方市场，造成价格大幅跌落。各厂商被迫削减4M DRAM产量，降低DRAM厂投资规模和进度，并开始主导推出16M DRAM产品。37007080902581999住友树脂厂爆炸，原材料价格上升，内存价格回升。Windows95发布推动内存需求，全球厂商扩大产能，供给过剩，价格大幅跌落。图：图：1975-2000年年DRAM市场份额变化情况：国际差

84、距逐渐缩小市场份额变化情况：国际差距逐渐缩小图：图：2000年年DRAM市场格局：韩国厂商占据主导地位市场格局：韩国厂商占据主导地位1990年代末：日本受压制市场份额缩小，韩国逐渐占据主导地位年代末：日本受压制市场份额缩小，韩国逐渐占据主导地位数据来源：世界电子元器件，ITCenter，长城证券产业金融研究院 国际差距逐渐缩小国际差距逐渐缩小。1990-2000年间，日本受到美国压制，产品优势大幅下降，而韩国、欧洲、中国台湾的市场份额整体呈上升趋势。1998年开始韩国市场份额超过日本。从从2000年市场格局来看年市场格局来看，韩国厂商占据主导地位韩国厂商占据主导地位。截至2000年，占DRAM

85、份额前五的韩厂有两家，分别为三星和现代，其中三星占23.00%，位居第一；现代占19.36%，位居第三，韩厂领导DRAM市场。380%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%7036925819992000美国日本韩国欧洲中国台湾三星三星,23.00%镁光镁光,20.64%现代现代,19.36%日本电气日本电气,6.58%东芝东芝,5.54%其他其他,24.87%图：图：20年代存储平均价格走势年代

86、存储平均价格走势(USD/Mbyte)：伴随着下游需求增长和供过于求，：伴随着下游需求增长和供过于求，DRAM价格潮起潮落，整体呈下降趋势价格潮起潮落，整体呈下降趋势2000年代：年代：DRAM价格潮起潮落价格潮起潮落39数据来源：Bloomberg，长城证券产业金融研究院 2000年全球遭遇互联网危机年全球遭遇互联网危机，DRAM价格跳水价格跳水。1996-1998年由于产能过剩引起的价格跌落在1999、2000年得到缓解。然而好景不长，2000年全球遭遇互联网危机，PC市场规模大幅下降，而三星、镁光、海力士、英飞凌等龙头企业刚经历扩产，供大于求引起了DRAM价格跳水，2001年，DRAM市

87、场规模从288亿美元跌至110亿美元。2002-2006年年，价格垄断和汽车领域需求增长价格垄断和汽车领域需求增长，驱动驱动DRAM市场有所恢复市场有所恢复。尽管2005年全球GDP下滑，PC、手机产能过剩导致需求增速放缓，但这一阶段整体DRAM市场增长良好。随着新产品结构尺寸的缩小，存储器工作速度增加，功耗降低，提高了自身的性能。2007-2012年年，金融危机叠加供过于求导致金融危机叠加供过于求导致DRAM市场遭受暴击市场遭受暴击，行业面临洗牌行业面临洗牌。2007年微软推出Vista系统，DRAM厂商预期需求大增因而增加产能，但Vista销量不及预期导致供过于求。2008年全球金融危机，

88、DRAM价格跌破材料成本。经过短暂恢复，各大厂商开始向新工艺发展、扩大产能，2011年，再次供过于求，奇梦达和尔必达宣布破产。0.00.20.40.60.81.01.21.40420052006200720082009201020112012互联网危机+前期扩产导致供过于求，价格跳水价格垄断+汽车等需求增长，DRAM市场有所恢复金融危机+Vista不及预期导致供过于求，DRAM价格一路下降图：图：1999-2012年年SK海力士和镁光：与海力士和镁光：与DRAM市场呈相同趋势变化市场呈相同趋势变化图：图：2001-2009年年DRAM市场份额逐步向三

89、巨头集中市场份额逐步向三巨头集中2000年代：年代：DRAM玩家格局越发集中玩家格局越发集中数据来源：IC Insights，Bloomberg，Statista，长城证券产业金融研究院400%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%200042005200620072008200920000022三星海力士美光南亚华邦力积电英飞凌/奇梦达尔必达其他 三星三星、镁光镁光、海力士成海力士成DRAM领域最终玩家领域最终玩家。1999年现代与LG合并，后从现代集团拆分改

90、名海力士；镁光收购德州仪器内存部门。到2001年三星、镁光、海力士、英飞凌占据市场8成份额。后英飞凌因金融危机，将内存部门拆分出去。2011年供过于求，奇梦达和尔必达先后宣布破产。三星、海力士、镁光成为DRAM领域形成三国鼎立之势。从从DRAM市场变化分析对市场变化分析对SK海力士和镁光的财务影响海力士和镁光的财务影响。从SK海力士和镁光科技表现来看，1999-2000年营收稳步上升，随后市场价格跳水，2001年营收、毛利率、净利率均大幅下降。随后市场回暖，2002-2006年营收呈现温和上升趋势，毛利润和净利润有所改善。在Vista销量不及预期和金融危机的影响下，毛利润甚至为负。短暂恢复后，

91、2011年供过于求局面再次出现，毛利率和净利率再次下降。DRAM领域奇梦达、尔必达等厂商未能撑过此次危机，先后宣布破产。-60%-40%-20%0%20%40%60%-120-100-80-60-40-200204060800002000420052006200720082009201020112012营收（亿美元）净利率(%)毛利率(%)-50%-30%-10%10%30%50%70%90%-50-30-0营收（亿美元）净利率(%)毛利率(%)海海力力士士镁镁光光图：图：2013年年2017年存储平均价格在下跌后有所回升年存储

92、平均价格在下跌后有所回升(USD/Mbyte)图：图：2010年代年代DRAM市场呈现出三足鼎立格局，市占率进一步提升市场呈现出三足鼎立格局，市占率进一步提升2010年代：三星、海力士、镁光显现三足鼎立局面年代：三星、海力士、镁光显现三足鼎立局面数据来源：Bloomberg，Statista，长城证券产业金融研究院 2010年以后年以后，三星三星、海力士海力士、镁光形成三足鼎立局面镁光形成三足鼎立局面。2014-2015年，三大DRAM厂商为提高自身市占率，继续大打价格战，DRAM价格不断下跌。2017-2018年年，受益于数据资料中心受益于数据资料中心、智能手机市场需求智能手机市场需求，DR

93、AM市场迎来增长市场迎来增长。伺服器DRAM、移动DRAM需求成长，DRAM厂商的供应量增长低于市场需求量，DRAM价格一路上扬。此外，运算加密货币所需的绘图型DRAM推动了市场供不应求加剧。410.0000.0010.0020.0030.0040.0050.0060.0070.0080.0092001620170%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%200042005200620072008200920000022三星海力士美光南亚华邦

94、力积电英飞凌/奇梦达尔必达其他图：图：2022年全球年全球DRAM市场规模下降至市场规模下降至791亿美元，同比亿美元，同比-17%图：图：2010年年2022年年DRAM资本开支及同比增速呈现周期性变化资本开支及同比增速呈现周期性变化2010年代末：价格战叠加供过于求，导致三足鼎立局面最终形成年代末：价格战叠加供过于求，导致三足鼎立局面最终形成数据来源：IC Insights，Statista，CFM闪存市场，长城证券产业金融研究院 2019年年，由于前期产能扩张和去库存因素由于前期产能扩张和去库存因素，存储芯片价格下跌较多存储芯片价格下跌较多。加密货币市场价格崩塌、智能手机市场进入成熟期，

95、驱动市场进一步需求疲软，DRAM市场规模下降。DRAM厂商从曾经的厂商从曾经的“百花齐放百花齐放”最终形成目前的最终形成目前的“三足鼎立三足鼎立”局面局面。据Statista，2022年，三星、镁光、SK海力士成为DRAM领域最终玩家，三家合计市场份额达95%，分别为43.10%，27.72%和24.50%。42-50%-30%-10%10%30%50%70%90%110%-500-0070090011002011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022市场规模（亿美元）YoY-60%-40%-2

96、0%0%20%40%60%80%100%-180-130-80-30207002010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022资本开支（亿美元）YoY图：图：2019年因前期产能扩张和去库存因素致价格下跌，毛利率下降年因前期产能扩张和去库存因素致价格下跌，毛利率下降图：图：2013-2018年数据中心、智能手机等需求增长，推动营收增长年数据中心、智能手机等需求增长，推动营收增长2010年代末：公司营收和毛利率受需求、库存等因素影响而变化年代末：公司营收和毛利率受需求、库存等因素影响而变化数据来

97、源：Bloomberg，长城证券产业金融研究院 从美光和SK海力士的经营情况看，2015-2016年DRAM价格下降较快，两者毛利率均比较低迷。2017-2018年受益于数据资料中心、智能手机等需求的增长，以及厂商对供应量的控制，DRAM量价齐升，营收增长，毛利率增长。2019年营业收入同比下降，主要原因是前期产能扩张和去库存等。4305003003504002010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022美光SK 海力士0%10%20%30%40%50%60%70%2010 2011 201

98、2 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022美光SK 海力士图：图：2020-2022年季度年季度DRAM各龙头市场份额：三足鼎立格局延续各龙头市场份额：三足鼎立格局延续2020年代，下游服务器需求增长，年代，下游服务器需求增长，DRAM市场延续三足鼎立格局市场延续三足鼎立格局数据来源：CFM闪存市场，Statista，长城证券产业金融研究院 2021年全球半导体经历了产能紧缺的危机，下游厂商在确保市场份额的基础上，不断追加订单扩充库存，激进地争夺半导体产能，带动全球存储芯片市场规模大幅增长。据CFM闪存市场数据显示，2021年全年全球

99、存储芯片市场销售规模达1629亿美元，同比增长31%，其中NAND Flash市场规模同比增长20%达到679亿美元，DRAM市场规模同比增长41%达到950美元。从容量来看，2021年NAND Flash市场规模增长39%达到5700亿GB当量，DRAM市场规模增长21%达到1875亿Gb当量。DRAM下游市场来看下游市场来看，2020-2022年服务器应用的占比逐年增长年服务器应用的占比逐年增长。据Statista，三季度DRAM市场上三星占比达39.7%，SK 海力士占比达29.5%，美光占比达26.9%，分别排名第一、第二、第三。三星在DRAM市场的市占比例首次跌破40%，主要因其DR

100、AM bit出货量季度环比减少超15%。4435%37%35%17%18%16%30%31%33%18%14%16%0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%202020212022DRAM主要下游市场应用主要下游市场应用MobilePCServer其他050030020Q1 20Q2 20Q3 20Q4 21Q1 21Q2 21Q3 21Q4 22Q1 22Q2 22Q3 22Q4三星SK海力士美光南亚华邦力积电其他图：图：DRAM下游市场：下游市场：2020-2022年，服务器应用占比逐年增长年，服务器应用占比逐年增长图：合肥长鑫图：合肥长鑫1

101、2寸晶圆厂项目：预计三期全部投产后将达寸晶圆厂项目：预计三期全部投产后将达36万片万片/月月2020年代，中国以史为鉴，砥砺前行，长鑫存储蓄势待发年代，中国以史为鉴，砥砺前行，长鑫存储蓄势待发数据来源：长鑫存储官网，合肥产投集团，安徽日报，国际电子商情，Deeptech，芯光社，长城证券产业金融研究院 中国中国DRAM大厂大厂，长鑫存储蓄势待发长鑫存储蓄势待发。2019年9月21日，据安徽日报报道，总投资超过2200亿元的合肥长鑫集成电路制造基地项目在合肥签约，其中长鑫12寸存储器晶圆制造基地项目总投资约1500亿元。据长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明在安徽日报采访中介绍，至2019年，长鑫存

102、储已经建立了一支拥有自主研发实力、工作经验丰富的成建制国际化团队，员工总数超过2700人，核心技术人员超过500人。长鑫长鑫12寸寸DRAM存储晶圆厂项目存储晶圆厂项目，预计三期满产后月产能可达预计三期满产后月产能可达36万片万片。2021年6月28日，长鑫项目二期开工建设，以一期项目为基础，扩建一座存储器晶圆研发制造厂。据Deeptech报道，长鑫项目共分为三期建设三座12寸DRAM存储器晶圆厂，打造集研发、生产和销售于一身的存储器IDM国产化基地，预计三期满产后产能可达36万片/月。45图：长鑫存储图：长鑫存储DRAM产品：产品：DDR4/LPDDR4X 内存芯片内存芯片+DDR4 模组模

103、组DDR4内存芯片内存芯片LPDDR4X内存芯片内存芯片DDR4模组模组合肥长鑫集成电路合肥长鑫集成电路有限责任公司有限责任公司 成立成立长鑫长鑫12寸存储器晶寸存储器晶圆制造基地项目开圆制造基地项目开工建设工建设2016年年5月月2017年年3月月开始量产标准型开始量产标准型DRAM芯片，技芯片，技术节点达到术节点达到19nm，良率在良率在70-75%一期项目提前达到一期项目提前达到预期产能，产能预期产能，产能4万片万片/月，预计满载月，预计满载产能达产能达12万片万片/月月2019年年2020年年项目总投资预计超项目总投资预计超2200亿元（长鑫亿元（长鑫12寸存储器制造基地寸存储器制造基

104、地1500亿元）亿元）预计三期满产，产预计三期满产，产能可达每月能可达每月36万片万片二期项目开工建设；二期项目开工建设；一期产能一期产能8.5万片万片/月，月，位居全球第四位居全球第四2021年年第一座第一座12英寸晶圆厂英寸晶圆厂完成设备安装；完成设备安装；2018年年1月月研发出国内首个研发出国内首个8Gbit DDR4芯片芯片,启动试产启动试产8Gb DDR4工程样品工程样品2018年年7月月图：图：2022年年DRAM市场规模位列数字存储市场规模第一市场规模位列数字存储市场规模第一图：图：2022年全球年全球DRAM市场规模再次进入下行周期市场规模再次进入下行周期历史总结历史总结1：

105、DRAM市场规模位列数字存储市场规模第一市场规模位列数字存储市场规模第一数据来源：IC Insights，IDC，CFM闪存市场，长城证券产业金融研究院 根据根据CFM闪存市场数据闪存市场数据，2022年年DRAM市场规模整体约市场规模整体约791亿美元亿美元，占总体存储市场规模约占总体存储市场规模约49%，位列数字存储市场规位列数字存储市场规模第一模第一。近年来受益于数据资料中心、智能手机、加密货币等市场需求，DRAM市场规模总体呈现上升趋势，2019年由于前期扩产能和去库存等因素，市场规模有所下降。46-50%-30%-10%10%30%50%70%90%110%-500-300-1001

106、0030050070090011002011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022市场规模（亿美元）YoY49.06%37.28%2.31%11.35%0%10%20%30%40%50%60%005006007008009001000DRAMNAND FLASHNOR FLASHHDD图：图：1975-2000年年DRAM市场份额变化情况：国际差距逐渐缩小市场份额变化情况：国际差距逐渐缩小图：图：2001-2022年年DRAM市场份额逐步向三巨头集中市场份额逐步向三巨头集中历史总结历史总结2：韩国企业

107、独占鳌头，三巨头成鼎立之势：韩国企业独占鳌头，三巨头成鼎立之势数据来源：IC Insights，ITCenter，Statista，长城证券产业金融研究院 DRAM战场硝烟弥漫战场硝烟弥漫，50多年的搏杀多年的搏杀，目前韩国企业独占鳌头目前韩国企业独占鳌头，三巨头成鼎立之势三巨头成鼎立之势。近10年来DRAM市场集中度逐渐上升。DRAM厂商从曾经的“百花齐放”形成目前的“三足鼎立”局面，三星、镁光、SK海力士成为DRAM领域最终玩家。470%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%20004200520062007200820092010201120

108、000212022三星海力士美光南亚华邦力积电英飞凌/奇梦达尔必达其他0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%959732005200720092001720192021美国日本韩国欧洲中国台湾历史总结历史总结3：DRAM发展符合摩尔定律，每发展符合摩尔定律，每18个月集成度提升个月集成度提升1倍倍数据来源：三星官网，英特尔官网，美光官网，SK海力士官网，电子工程专辑，长城

109、证券产业金融研究院 自自1966年年IBM成功研发成功研发MOS型型RAM存储以来存储以来，符合摩尔定律符合摩尔定律，每每18个月集成度提升个月集成度提升1倍倍。DRAM型存储运用的MOS技术，不仅能耗少、读写速度快且集成度高，因此DRAM成为而后数十年计算机内存的主流技术。截至2020年，三星已成功开发出基于10nm线宽的DRAM产品。48图：图：DRAM技术演变历史图技术演变历史图截至截至2020年，三星已成功开发出基于年，三星已成功开发出基于10nm线宽的线宽的DRAM产品产品图：图：1974年年2022年年DRAM每每GB价格变化幅度，近年来降幅有收窄价格变化幅度，近年来降幅有收窄图：

110、图：1973年年2022年年DRAM每每GB价格呈现快速下降趋势价格呈现快速下降趋势(USB/GB)历史总结历史总结4：DRAM每每GB价格总体呈现每价格总体呈现每45年价格变为年价格变为1/10数据来源：Bloomberg，长城证券产业金融研究院 在过去在过去50多年里多年里，存储每存储每GB价格总体呈现每价格总体呈现每45年价格变为年价格变为1/10，近年来价格下降趋势有所缓和近年来价格下降趋势有所缓和。1973年存储每GB价格约为3.22亿美元，数据存储成本极高。随着存储技术的进步以及美、日、韩厂商之间的激烈竞争，存储成本下降，2022年每GB价格仅为2.66美元。491.E+001.E

111、+011.E+021.E+031.E+041.E+051.E+061.E+071.E+081.E+0973950720092001720192021-100%-50%0%50%100%150%73950720092001720192021历史总结历史总结5：以史为鉴，以“新型举国体制”打破产

112、业困局：以史为鉴，以“新型举国体制”打破产业困局50数据来源：电子工程专辑，长城证券产业金融研究院 纵观美国纵观美国、日本日本、韩国等韩国等DRAM发展史发展史，半导体产业的成长需要半导体产业的成长需要“设备自主设备自主+产业链支持产业链支持+产业定力产业定力”，三者缺一不可三者缺一不可。半导体行业半导体行业，具有一定程度的后发优势具有一定程度的后发优势，核心设备的迭代至关重要核心设备的迭代至关重要。由于半导体工艺、设备及材料进步非常快，而新玩家进入半导体行业时，没有历史资产及折旧包袱，并有机会用新设备及新材料，从而达到更好的产出率及更高的产品良率，故有一定的“后发优势”。从日、美、韩的经验显

113、现，中国半导体产业希望实现反超，离不开关键设备的迭代能力，但若希望基业长青，设备自主创新能力就至关重要。半导体产业半导体产业，初期成长初期成长，需要拥有较为可靠的电子中游制造及品牌终端予以支持需要拥有较为可靠的电子中游制造及品牌终端予以支持。日本、韩国能实现后发而先至，在成长初期，都基于已经拥有较好的电子中游制造能力及品牌终端需求支持，两者缺一不可，这也是为什么除德国以外，其他国家始终没有较大的DRAM厂商进入历史舞台。而中国目前迎来了较好的时机，也即是中国强大的电子中游制造能力及本土品牌终端的崛起，给予中国半导体产业良好的成长土壤。半导体产业半导体产业，需要人才需要人才，需要资金需要资金，更

114、需要产业定力更需要产业定力。从日本、韩国等DRAM发展历史经验显示，举国体制、单点突破及以点带面是发展半导体产业的有效方式。当前的半导体产业需要数以千亿计的资本实力、以数十年计的产业定力，才能形成合力并坚持到产业的黎明。四、四、FLASH为新一代存储主力为新一代存储主力图：时隔三年，图：时隔三年，2022年全球年全球Flash市场规模再次进入下行周期市场规模再次进入下行周期图：图：2022年年Flash市场规模位列数字存储市场规模第二市场规模位列数字存储市场规模第二FLASH市场规模约市场规模约638亿美元，位列数字存储市场规模第二亿美元，位列数字存储市场规模第二数据来源：IDC，CFM闪存市

115、场，Statista，CINNO，长城证券产业金融研究院 2022年年FLASH MEMORY市场规模整体约市场规模整体约638亿美元亿美元，占总体存储市场规模约占总体存储市场规模约40%，位列数字存储市场规模第二位列数字存储市场规模第二。其中据CFM闪存市场数据，2022年NAND FLASH市场规模约为601亿美元，据CINNO数据，2022年Nor FLASH市场规模约为37亿美元。52-40%-30%-20%-10%0%10%20%30%40%50%-3804805806807802011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018

116、 2019 2020 2021 2022Flash市场规模(亿美元)YoY49.06%37.28%2.31%11.35%0%10%20%30%40%50%60%005006007008009001000DRAMNAND FLASHNOR FLASHHDD图：经过快速成长期和技术爆发期，图：经过快速成长期和技术爆发期，FLASH正在从正在从2D向向3D发展发展Flash成为兵家必争之地成为兵家必争之地数据来源：Statista，长城证券产业金融研究院53-50%0%50%100%150%200%250%300%350%-3804805806807

117、801990 1991 1992 1993 1994 1995 1996 1997 1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022技术爆发期技术爆发期收购整合，收购整合，2D向向3D发展发展快速成长期快速成长期1989年，Intel发售1M NOR FLASH1989年，闪迪推出基于闪存的ATA SSD1992年，AMD和富士通推出首款NOR FLASH1993年，苹果在Newton PDA中使

118、用NOR1996年，三星发售NAND1997年，第一部手机开始配置闪存数码相机、MP3等带动闪存市场迅速增长2001年，东芝与闪迪宣布推出1GB MLC NAND2007年，苹果推出初代配置4GB或8GB闪存的iPhone2009年，英特尔和美光推出34nm TLC NAND2012年，三星推出3D NAND2016年，东芝发售48层TLC NAND2017年，历经十年低迷期，TWS耳机等新应用，带动NOR增长1987年，舛冈富士雄博士发明NAND闪存2004年，NAND的价格首次降至DRAM之下,进入计算领域。2011年，LSI收购SandForce；闪迪收购IMFT，苹果收购Anobit

119、2005年，三星率先采用70nm制程量产NAND闪存 FLASH MEMORY作为新一代存储主力作为新一代存储主力，近年来快速发展近年来快速发展，已成为兵家必争之地已成为兵家必争之地。FLASH市场规模近年来呈现快速增长趋势，特别是NAND FLASH已成为手机、笔记本等主力存储介质，而可穿戴设备、IOT 等应用兴起驱动 NOR FLASH成长。图：图：NAND写入数据时采用隧穿效应，写入数据时采用隧穿效应，NOR写入数据时采用热电子注入方式写入数据时采用热电子注入方式内存器件内存器件FLASH(闪存闪存)具有非易失性具有非易失性54数据来源：IC Insights，CSDN，长城证券产业金融

120、研究院 闪存闪存(Flash)是属于内存器件的一种是属于内存器件的一种，其具有非易失性其具有非易失性(Non-Volatile)。在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘，这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。闪存是一种电压控制型器件闪存是一种电压控制型器件。其存储单元类似MOSFET(金属-氧化物半导体场效应管)的三端器件，有源极、漏极和栅极。而其在栅极与硅衬底之间有额外一层栅极，用以存储电荷，名称为“浮置栅极”其外部包裹二氧化硅绝缘层，因此电荷不会泄漏，所以闪存具有记忆能力。NAND FLASH和和NOR FLASH是闪存的两大主要产品是闪存的

121、两大主要产品。NAND擦和写均是基于隧穿效应，电子穿过浮置栅极与硅基层之间的绝缘层，对浮置栅极进行充电(写数据)或放电(擦除数据)；NOR在擦除数据时也基于隧穿效应，但在写入时采用热电子注入方式。这一不同点也驱动NOR的工作功耗高于NAND。图：图：NAND写入速度方便，写入速度方便，NOR读取速度快且应用简便读取速度快且应用简便图：因连接方式不同：图：因连接方式不同：NAND只能顺序读取，只能顺序读取，NOR可随机任意读取可随机任意读取NAND&NOR FLASH对比：对比：NAND存储密度高，存储密度高，NOR读取更方便读取更方便数据来源：IC Insights，IEEE，CSDN，旺宏电

122、子，CTIMES，长城证券产业金融研究院 NAND FLASH写入速度方便写入速度方便，而而NOR FLASH读取速度快读取速度快。FLASH器件在写入操作前必须先执行擦除，NAND擦除操作简便，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写入数据，然后才能做擦除，因此NAND写入速度比NOR快很多。NOR FLASH应用简便应用简便。NOR带有通用的SRAM接口，可轻松挂接在CPU地址、数据总线上，应用程序可以直接在闪存内执行。而NAND则使用复杂的I/O口来串行读取数据。另外，由于NAND共用地址和数据总线，需要额外联结一些控制的输入输出。55NAND FlashNor Flash擦

123、除数据原理隧道效应隧道效应写入数据原理隧道效应热电子注入连接方式串联并联存储密度高低工作功耗小大理论块最大擦写次数10万100万1万10万易用性(硬件)较复杂简单全系统集成复杂简单XIP芯片内执行不可操作可芯片内执行访问方式有序随机一般价格0.7美元/GB70美元/GB可靠性接口操作均复杂，关键性数据需要数据错误勘探不会出现坏块，存储数据可靠性高应用领域多用作手机/数码相机/数码音响等保存数字数据介质代码存储，多用作品质要求较高的车载设备/工业设备等保存固件的存储介质NAND FLASH NOR FLASH擦除数据原理擦除数据原理隧道效应隧道效应写入数据原理写入数据原理隧道效应热电子注入连接方

124、式连接方式串联并联存储密度存储密度高低工作功耗工作功耗小大理论块最大擦写次数理论块最大擦写次数10万100万1万10万易用性易用性(硬件硬件)较复杂简单全系统集成全系统集成复杂简单XIP芯片内执行芯片内执行不可操作可芯片内执行访问方式访问方式有序随机一般价格一般价格0.7美元/GB70美元/GB可靠性可靠性接口操作均复杂，关键性数据需要数据错误勘探不会出现坏块，存储数据可靠性高应用领域应用领域多用作手机/数码相机/数码音响等保存数字数据介质代码存储，多用作品质要求较高的车载设备/工业设备等保存固件的存储介质图图：自：自1986年起至年起至2006年，年，Intel是开发多代是开发多代NOR F

125、lash产品的先驱产品的先驱图图：1989年，由年，由Toshiba推出的全球第一款推出的全球第一款NAND Flash产品问世产品问世1980年：年：FLASH概念提出，概念提出，NOR和和NAND正式诞生正式诞生数据来源：Intel，华邦电子，全球半导体观察，IEEE Spectrum，长城证券产业金融研究院 1980年年FLASH概念提出概念提出，1984年正式发表年正式发表。1980年，Flash Memory(闪存)由当时东芝公司的舛冈富士雄博申请叫做simultaneously erasable EEPROM的专利，但东芝刚开始疏忽了它。1984年，舛冈富士雄博在IEEE国际电子元

126、件会议上正式发表了这项发明。1986年，Intel迅速注意到这项发明的巨大潜力，并成立专注于SSD的部门，1988年，Intel根据这个发明，进而生产了第一款256Kbit NOR闪存芯片。1987年，舛冈富士雄博士又发明了NAND闪存。NAND闪存凭借更快的写入效率、和更低的生产成本，很快成为手机等主流存储介质。从后期发展来看从后期发展来看，NAND集成度高集成度高、成本较低成本较低，读写速率适中读写速率适中，非常适合用于消费电子设备的大量数据存储介质非常适合用于消费电子设备的大量数据存储介质，随着随着手机手机、笔记本电脑等市场需求笔记本电脑等市场需求，市场规模迅速增长市场规模迅速增长。而N

127、OR Flash物理底层架构导致单位成本较高，因此没有大范围成为存储主流介质。而NOR Flash具有较高的读取效率，较低的擦/写速度，因此运用场景更像只读ROM的一种，特点是写入一次，基本上就不再擦写，只用于读取，且可以直接挂在数据总线上，运行程序效率异常高，用于各种嵌入式体系的基础系统存储。56图：图：1990-1999年年FLASH市场规模迅速增长，到市场规模迅速增长，到1999年，市场规模上升至年，市场规模上升至45.61亿美元亿美元1990年代：便携式电脑和手机需求带动年代：便携式电脑和手机需求带动NAND市场规模快速成长市场规模快速成长57数据来源：WSTS，IC Insights

128、，全球半导体观察，长城证券产业金融研究院 1988年起年起，多家厂商推出闪存产品多家厂商推出闪存产品，便携式电脑推动闪存第一波成长便携式电脑推动闪存第一波成长。1988年，Intel推出首款商用闪存芯片，主要用于计算机存储。同年闪迪成立。此后，闪迪、Intel、西部数据、三星、东芝等厂商都推出了闪存产品。闪存市场呈现较快增长。在1991年规模达到1.35亿美元，1992年达到2.70亿美元，1993年升至6.40亿美元。1994年年中，Intel推出的奔腾处理器以及同步推出的笔记本大受市场欢迎，闪存市场在1994年规模达到8.65亿美元，1995年直接增长至18.60亿美元。1997年起年起，

129、手机带动消费级闪存市场手机带动消费级闪存市场，迎来再次爆发迎来再次爆发。1996年东芝推出了SmartMedia存储卡，也称为固态软盘卡。三星开始发售NAND闪存。SanDisk推出了采用MLC串行NOR技术的第一张闪存卡。1997年，第一部手机开始配置闪存，消费级闪存市场就此打开。1999年，受益于手机、数码相机、便携式摄像机、PC机外存、MP3播放器等新生代信息电器，FLASH凭借其性能可靠性和应用灵活性，市场规模迅猛提升，到1999年，市场规模上升至45.61亿美元。-50%0%50%100%150%200%250%300%350%-50219

130、9369市场规模YoY1988年起，多家厂商推出闪存产品，便携式电脑带动闪存发展1994年，Intel推出的奔腾处理器和笔记本电脑大受市场欢迎1997年起，手机带动消费级闪存市场1999年，新生代信息电器频出图：图：1999年年Flash市场格局市场格局其他厂商不断进入，其他厂商不断进入，Intel占比仅占比仅26%图：图：1992年年Flash市场格局市场格局Intel一家独大，占比高达一家独大，占比高达75%1990年代：从年代：从Intel一家独大到国际厂商不断进入一家独大到国际厂商不断进入数据来源：ICE，全球半导体观察，Statista，长

131、城证券产业金融研究院 国际厂商不断进入闪存领域国际厂商不断进入闪存领域，抢占市场份额抢占市场份额。1991年，仅有Intel决定全新投入闪存业务，但AMD、SGS-Thomson、富士通等在注意到Intel的转变后，也进入了闪存的生产。1992年，Intel一家占据FLASH市场份额的75%，AMD为第二大厂商，占据10%。然而到1999年底，Intel的市场份额下滑到26%，AMD占16%，富士通占15%，夏普占13%。58Intel,75%AMD,15%其他其他,10%Intel,26%AMD,16%富士通富士通,15%夏普夏普,13%Atmel,6%Mitsubishi,5%STMicr

132、o,5%其他其他,14%图：图：2000年年2010年年Flash市场规模呈上升趋势，偶有回落市场规模呈上升趋势，偶有回落(亿美元亿美元)-40%-20%0%20%40%60%80%100%120%140%160%-3804805806807802000200042005200620072008200920000022Flash市场规模(亿美元)YoY图：图：2001年年2010年年Flash均价大幅下降，均价大幅下降，2010年降至年降至1.96USD/G

133、B2000年代：年代：NAND性价比提升，固态硬盘加速发展性价比提升，固态硬盘加速发展数据来源：IC Insights，Bloomberg，全球半导体观察，长城证券产业金融研究院 NAND产品性价比提升产品性价比提升，固态硬盘开始加速发展固态硬盘开始加速发展。2004年，NAND价格首次低于基于同等密度的DRAM价格，固态硬盘开始大范围进军笔记本电脑市场。2005年，三星率先采用70nm制程量产NAND闪存，镁光也推出NAND产品，NAND总发售容量超过DRAM。继2006年，希捷和三星推出混合硬盘后，各厂商陆续推出固态硬盘产品，戴尔、苹果对自身笔记本电脑配置SSD，带动了SSD的需求，也促进

134、了SSD技术的发展。2005年年，FLASH价格大幅下降价格大幅下降。一方面是由于数码相机市场的衰退导致需求量急剧减少；另一方面是因为进入闪存市场厂家增多，价格竞争日益激化。5901101001,0002000420052006200720082009200016USD/GB图：图：Flash价格呈下降趋势，价格呈下降趋势，DRAM价格呈上升趋势价格呈上升趋势(USB/unit)图：图：2001年年2014年年Flash厂商逐渐增多厂商逐渐增多2000年代：闪存需求增长，多家半导体厂商进入市场年代：闪存需求增长，多家半导体厂商进

135、入市场数据来源：Web-Feet Research，IC Insights，长城证券产业金融研究院 市场需求日益增长市场需求日益增长，多家半导体厂商进入闪存市场多家半导体厂商进入闪存市场。1990年代末，闪存市场规模持续扩大，现存的闪存厂商无法完全满足日益增长的市场需求，三星、东芝、闪迪等半导体厂商抓住市场扩大机会，进入闪存市场。此外，由于FLASH平均价格高于DRAM平均价格，部分生产DRAM的公司也纷纷将DRAM产线转移至FLASH。截至2005年末，闪存厂商已从1995年的少于15家增长至至少28家。600%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%200120022

136、003200420052006200720082009200132014三星闪迪/东芝美光海力士英特尔其他00022003200420052006FLASHDRAM图：图：NAND Flash单位出货价格不断上升单位出货价格不断上升(USD/unit)图：图：3D NAND技术不断提升，优越性愈发突出技术不断提升，优越性愈发突出2010年代：年代：NAND技术升级，价格翻倍技术升级，价格翻倍数据来源：IEEE，Bloomberg，电子工程专辑，长城证券产业金融研究院 3D NAND技术不断提升技术不断提升。2012年，三星创造了3D NAND，推出第

137、一代3D NAND闪存芯片。随后，闪迪、东芝、Intel、西部数据发售3D NAND产品。3D NAND技术不断发展，堆叠层数不断提升，容量越来越大。2016年和年和2017年年，NAND价格迎来翻倍价格迎来翻倍。当时处于2D NAND向3D NAND切换空窗期，NAND FLASH供应减少，而需求端智能型手机和SSD容量需求依然增长，导致供不应求，引起NAND FLASH价格增长一倍多。2018年原厂不断扩大64层/72层3D NAND产量，导致市场供过于求，价格下降。610.00.51.01.52.02.53.03.5200D NAND3D NA

138、NDImageCapacity per diemax.128GB256GB/512GBDesignFloating GateFloating Gate/Charge TrapEudurance(P/E Cycles)LowerHigherPerformanceSlowerFasterPower ComsumptionHighLow图：图：SSD及企业及企业SSD出货量均呈上升趋势出货量均呈上升趋势图：图：2013年年2016年年SSD平均价格不断下降，平均价格不断下降，2017年价格上涨年价格上涨2010年代：年代：SSD的下游应用拓展的下游应用拓展从企业到消费从企业到消费数据来源：Bloom

139、berg，ChinaFlashMarket，长城证券产业金融研究院62 SSD面向企业级应用发展面向企业级应用发展。2014年，闪迪推出企业级SSD。Intel着手向企业级市场发售3D NAND产品，而镁光则改道消费级市场发售SSD。SSD在消费类在消费类、数据中心以及行业应用需求强劲数据中心以及行业应用需求强劲。SSD全球出货量从2015年的1.3亿台增长至2020年的3.21亿台，复合增速高达19.82%。全球SSD市场消耗的产能已从2016年的38%上升到43%，尤其是企业级SSD。SSD抢占抢占HDD市场市场，价格下滑是其成长动力价格下滑是其成长动力，尤其是在消费类市场尤其是在消费类市

140、场。2016年和2017年由于NAND FLASH缺货，SSD价格上涨，抑制了市场需求的增长。2018年以来，SSD价格持续下滑，其中240GB和480GB价格累积跌幅达45%、52%，也正因为价格的下滑大大刺激了市场需求向更大容量的240GB、480B、960GB普及。0.000.100.200.300.400.500.600.700.80200162017USD/GB单位：万单位：亿企企业业级级SSDSSD0.00.51.01.52.02.53.03.54.04.52000200030004000500

141、06000200022图：图：2019年年NAND FLASH市场由三星、铠侠、西部数据、镁光、海力士、市场由三星、铠侠、西部数据、镁光、海力士、Intel主导，主导，CR6高达高达99.4%2010年代末：年代末：NAND市场集中度提高市场集中度提高63数据来源：华经情报网，Statista，全球半导体观察，长城证券产业金融研究院 通过整合并购通过整合并购，NAND FLASH市场集中度逐步提高市场集中度逐步提高，由三星由三星、铠侠铠侠、西部数据西部数据、镁光镁光、海力士等主导海力士等主导。2011年起，LSI收购Sandforce、SanDisk

142、收购IMFT、苹果收购Anobit、Fusion-io收购IO Turbine。此后，2011-2019年间，收购事件不断。2016年西部数据收购Sandisk，到2019年形成三星、铠侠、西部数据、镁光、SK 海力士、Intel主导的NAND FLASH市场格局，分占市场份额的33.5%、18.9%、14.3%、13.5%、9.7%和9.5%，CR6高达99.4%。三星三星,33.5%铠侠（东芝）铠侠（东芝）,18.9%WDC（闪迪）（闪迪）,14.3%美光美光,13.5%SK 海力士海力士,9.7%英特尔英特尔,9.5%其他其他,0.6%图：长江存储图：长江存储Xtracking：相比传统

143、：相比传统3D NAND,芯片面积可减少芯片面积可减少25%图：长江存储项目：一期规划产能为图：长江存储项目：一期规划产能为10万片万片/月，月，2021年实现满产年实现满产2020年代：长江存储年代：长江存储3D NAND迎来收获期，迎来收获期，2021年市占率达年市占率达3.4%数据来源：长江存储公司官网，中国电子报，TrendForce，半导体风向标，芯智讯，芯通社，观察者网，半导体行业观察，长城证券产业金融研究院 长江存储的自主开发长江存储的自主开发3D NAND快速量产快速量产，三期规划产能为三期规划产能为10万片万片/月月，预计预计2025年满产年满产，将迎来收获期将迎来收获期。2

144、016年3月28日国家存储器基地在武汉启动，同年7月26日，总投资约1600亿的长江存储科技有限责任公司正式成立，长江存储项目是2016年国家大基金单笔出资最大的项目，计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂，项目一期规划产能为10万片/月，项目二期规划产能为20万片/月，预期总产能达到30万片/月。2020年3月，大基金二期表示积极支持湖北产业发展，将投资800亿元左右于长江存储。目前目前，长江存储第三代长江存储第三代TLC/QLC 3D NAND均已实现量产均已实现量产，2021年年NAND产能占全球产能占全球6%。长江存储2019年Q3基于Xtacking架构的64层3D NAND量产；

145、2020年长江存储宣布128层TLC/QLC两款产品研发成功；2021年128层TLC和业界首款128层QLC NAND量产；据Trendforce统计销售数据，2021年长江存储在全球的市占率达到3.4%，引领大陆发展。64在两片晶圆上完成独立在两片晶圆上完成独立的制造工艺的制造工艺CMOS外围电路晶圆外围电路晶圆合并为牢固的整体合并为牢固的整体通过金属互联通道通过金属互联通道VIAs进行两片晶圆的键合进行两片晶圆的键合NAND存储阵列晶圆存储阵列晶圆长江存储科技有限长江存储科技有限责任公司责任公司 成立成立长江存储长江存储1期工厂开工期工厂开工建设建设第一代第一代3D NAND实现实现首次

146、流片；首次流片；1期工厂实现提前封顶期工厂实现提前封顶2016年年7月月2016年年底年年底2017年年第二代第二代3D NAND实现实现首次流片；首次流片；第一代第一代3D NAND量产量产第二代第二代3D NAND量产；量产；第三代第三代TLC 3D NAND实现首次流片实现首次流片2018年年2019年年项目总投资预计约项目总投资预计约2400亿元（长江存储存储器制造基地亿元（长江存储存储器制造基地1600亿元）亿元）预计两期满产，总产预计两期满产，总产能可达每月能可达每月30万片万片第三代第三代QLC 3D NAND研发成功；研发成功；2期工厂开工建设期工厂开工建设2020年年第三代第

147、三代TLC/QLC 3D NAND量产；量产；1期工厂实现满产期工厂实现满产2021年年图：图：2020-2022年年NAND Flash市场仍由海外龙头垄断，市场仍由海外龙头垄断，CR6约约95%图：图：NAND Flash下游市场应用：下游市场应用：2020-2022年，年，eSSD占比逐年增长占比逐年增长2020年代：年代：SSD及嵌入式存储占比超及嵌入式存储占比超80%，长江存储入局初显锋芒，长江存储入局初显锋芒数据来源：CFM闪存市场，Statista，长城证券产业金融研究院 SSD及嵌入式存储占及嵌入式存储占NAND应用超应用超80%，2020-2022年年，应用于服务器市场的应用

148、于服务器市场的eSSD产品占比逐年增长产品占比逐年增长。根据CFM闪存市场数据，在2022年，NAND Flash主要以应用于mobile市场的嵌入式存储产品，和应用于PC的cSSD、以及应用于服务器市场的eSSD产品为主，分别占比34%、22%和26%。目前全球目前全球NAND市场约市场约95%的份额仍由海外龙头垄断的份额仍由海外龙头垄断，长江存储入局初显锋芒长江存储入局初显锋芒，成功占据全球约成功占据全球约4%的市场份额的市场份额。CFM闪存市场数据分析，2022年全球约95%的NAND市场份额把控在三星、铠侠/西部数据、SK 海力士、美光手中，另一方面，长江存储自2019年至今实现国产3

149、D NAND的突破，128 层NAND Flash良率提升，产能稳步爬坡，成功占据4%以上的全球NAND Flash市场份额。6536%39%34%26%25%22%21%22%26%9%8%9%8%6%9%0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%202020212022NAND Flash主要下游市场应用主要下游市场应用MobilecSSDeSSD存储卡/UFD其他020406080018020020Q1 20Q2 20Q3 20Q4 21Q1 21Q2 21Q3 21Q4 22Q1 22Q2 22Q3 22Q4SamsungKioxiaWDC

150、SK HynixMicronIntelOthers图：图：2021年年Nor Flash市场格局市场格局CR3高达高达90.7%图：图：2021年起全球年起全球Nor Flash市场规模迎来新增长，市场规模迎来新增长，22年达年达37亿美元亿美元2020年代：历经年代：历经10年低迷，年低迷，NOR FLASH迎来新增长迎来新增长数据来源：ChinaFlashMarket，Bloomberg，CINNO Research，长城证券产业金融研究院 NOR FLASH历经十年低迷历经十年低迷，新应用催生新增长新应用催生新增长。尽管NOR FLASH写入和擦除效率较低，但读取速度较快。功能手机主要需

151、求在于内存数据读取，对写入和擦除要求不高，因此在功能手机时代NOR FLASH风靡一时。2005-2016年智能手机快速崛起，NAND FLASH的高密度存储优势逐渐显现，2016年NOR FLASH市场规模跌入谷底。近年来近年来，NOR FLASH市场规模逐渐扩大市场规模逐渐扩大。当电子设备启动时，需要从存储芯片内读取系统信息并运行，该存储芯片需要满足可执行运行程序且掉电后存储的数据不丢失。RAM掉电后数据会丢失，而NAND FLASH无法执行程序，因此NOR FLASH应用极其广泛。以TWS耳机为代表的可穿戴设备、手机屏幕显示的AMOLED和TDDI技术，以及功能愈发强大的车载电子领域，成

152、为NOR FLASH市场空间获得重新增长的主要动力，2016年开始NOR FLASH市场规模逐步扩大。新兴厂商进入新兴厂商进入，主攻主攻NOR FLASH。不同于NAND FLASH，NOR FLASH市场出现了很多相对较小的厂商。2018年，旺宏、赛普拉斯、华邦、镁光、兆易创新分占NOR FLASH市场闺规模的21%、21%、21%、18%、11%。2021年第一季度旺宏的市场份额上升至26%，华邦上升至25%、兆易创新上升至18%，而镁光退出前四大NOR FLASH公司。66旺宏旺宏,33%华邦华邦,35%兆易创新兆易创新,23%其他其他,9%旺宏赛普拉斯华邦美光兆易创新三星其他-30%-

153、20%-10%0%10%20%30%40%50%60%70%-80-60-40-20020406080100市场规模(亿美元)YoY图：图：2019年年NAND行业行业CR4达达80.2%图：图：2010年年2019年年NAND市场规模整体呈上升趋势，市场规模整体呈上升趋势，2019年突降年突降历史总结历史总结1：NAND Flash成为兵家必争之地成为兵家必争之地数据来源：Statista，CFM闪存市场，长城证券产业金融研究院 据据CFM闪存市场闪存市场，2022年年NAND FLASH市场规模约市场规模约为为601亿亿美元美元，整体呈现上升趋势整体呈现上升趋势。集成度高、成本低、读写速率

154、适中，适用于消费电子设备大量数据存储。随着便携式电脑和手机迅速成长。技术不断进步，2D NAND向3D NAND转变，3D NAND堆叠层数提升。NAND FLASH市场集中度逐步提高市场集中度逐步提高。国际厂商跟随Intel进入闪存业务，爆发市场需求给予众多半导体厂商和DRAM厂商机会。1996年全球NAND大厂现已多半退出市场，新进厂商通过技术突破占领市场份额。通过整合并购，市场集中度逐步提高，2019年由三星、铠侠、西部数据、镁光、SK 海力士、Intel主导，分占市场份额的33.5%、18.9%、14.3%、13.5%、9.7%和9.5%，行业CR4达80.2%。如今全球NAND市场被

155、6家海外厂商垄断，六家厂商合计市占率长期稳定在95%+，格局稳定，2021年三星、铠侠、西部数据、海力士、美光、Solidigm的市场份额分别是34%、19%、14%、13%、11%、6%，CR6达到93%67-40%-20%0%20%40%60%80%-6008002010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022NAND市场规模（亿美元）YOY0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%2000420052006200720082009201

156、0200002020212022三星Kioxia/WDC美光海力士英特尔其他图：图：Nor Flash市场格局变化：三星、镁光等大厂逐渐退出市场格局变化：三星、镁光等大厂逐渐退出图：图：全球全球NOR Flash市场规模逐步跌入谷底，市场规模逐步跌入谷底，2021年重获高增长年重获高增长历史总结历史总结2：NOR Flash重获增长空间重获增长空间数据来源：ChinaFlashMarket，Bloomberg，CINNO Research，长城证券产业金融研究院 NOR FLASH历经十年低迷期历经十年低迷期，新应用催生新新应用

157、催生新增长增长，根据根据CINNO数据数据，2022年年NOR FLASH市场市场规模约规模约为为37亿亿美元美元。功能手机时代对写入和擦除要求不高，NOR FLASH风靡一时。智能手机流行，由于物理底层架构导致单位成本较高，逐步跌入谷底。但NOR FLASH具有可执行程序的特点，近两年随着TWS耳机、AMOLED和TDDI等新应用的出现，重获增长空间。新兴厂商进入新兴厂商进入，主攻主攻NOR FLASH。台湾旺宏、华邦和大陆的兆易创新在NOR FLASH的市场份额逐渐上升，而三星、镁光等半导体大厂逐渐退出。2021年，旺宏、华邦、兆易创新分别占NOR FLASH市场的32.7%、34.8%、

158、23.2%。680%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%20021旺宏赛普拉斯华邦美光兆易创新三星其他-30%-20%-10%0%10%20%30%40%50%60%70%-80-60-40-20020406080100市场规模(亿美元)YoY图：图：2001年年2022年年Flash每每 GB 价格下降幅度价格下降幅度(%)周期性波动周期性波动图：图：2001年年2022年年Flash价格呈现快速下降趋势价格呈现快速下降趋势(USD/GB)历史总结历史总结3：Flash单位单位GB价格连续下降价格连续下降数据来源：Bloomberg，长城证券产

159、业金融研究院 FLASH单位单位GB价格不断下降价格不断下降。2003年FLASH价格约为228美元/GB，在2004年价格稍有回升之后一度下降，到2022年FLASH价格下降至0.05美元/GB。技术发展推动价格变革技术发展推动价格变革。随着2D NAND、3D NAND的陆续出现及技术的成熟，FLASH单位GB价格不断下降。691.E-021.E-011.E+001.E+011.E+021.E+03200042005200620072008200920000022-90%-80%-

160、70%-60%-50%-40%-30%-20%-10%0%10%20%200042005200620072008200920000022历史总结历史总结4：以史为鉴而知兴替，大浪淘沙，谁又将主宰明天：以史为鉴而知兴替，大浪淘沙，谁又将主宰明天数据来源：长城证券产业金融研究院1、纵观历史纵观历史，主流产品技术快速演进与迭代主流产品技术快速演进与迭代，市场格局充满未知市场格局充满未知。每一次新技术的迭代充满着客户选择的未知，需要玩家全力以赴，如果踩准市场需求，则一个小玩家也能平地而起，而如

161、果猜错路线，则大玩家也面临无情淘汰。2、半导体产业半导体产业，具有一定程度的后发优势具有一定程度的后发优势，核心设备的迭代至关重要核心设备的迭代至关重要。半导体工艺、设备及材料进步非常快，新玩家进入半导体行业，没有历史资产及折旧包袱，并有机会用新设备及新材料，从而达到更好的产出率及更高的产品良率，故有一定的“后发优势”。从日、美、韩的经验显现，中国半导体产业实现反超，离不开关键设备的迭代能力，设备自主创新能力就至关重要。3、半导体产业半导体产业，初期成长需要拥有较为可靠的电子中游制造及品牌终端予以支持初期成长需要拥有较为可靠的电子中游制造及品牌终端予以支持。日本、韩国在成长初期，都基于已经拥有

162、较好的电子中游制造能力及品牌终端需求支持，两者缺一不可。中国目前迎来了较好的时机，即强大的电子中游制造能力及本土品牌终端的崛起，给予中国半导体产业良好的成长土壤。4、半导体产业半导体产业，需要人才和资金需要人才和资金，更需要产业定力更需要产业定力。从日本、韩国历史经验显示，举国体制、单点突破及以点带面是发展半导体产业的有效方式。当前的半导体产业需要数以千亿计的资本实力、以数十年计的产业定力，才能形成合力并坚持到产业的黎明。70五、半导体风向标：存储市场近况及预判五、半导体风向标：存储市场近况及预判图：图：2022年全球半导体行业分布，其中存储芯片占比达年全球半导体行业分布，其中存储芯片占比达2

163、3.17%半导体存储半导体存储市场占半导体市场市场占半导体市场23%左右，是半导体行业一大分支左右，是半导体行业一大分支72数据来源：WSTS，CFM闪存市场，长城证券产业金融研究院 据据WSTS数据数据，半导体存储器半导体存储器市场占半导体市场市场占半导体市场23%左右左右，是半导体行业一大分支是半导体行业一大分支。半导体行业可以细分为存储芯片、逻辑芯片、模拟芯片、传感器、分立器件等。存储器是半导体行业的一大分支，2003年以来，全球存储器市场占半导体市场的份额维持在20%-25%，其中2017年和2018年高达30.07%和33.70%。2022年，根据WSTS数据统计，全球存储器市场规模

164、占据半导体市场的23.17%。半导体存储分为易失性存储芯片半导体存储分为易失性存储芯片(RAM)、非易失性存储芯片非易失性存储芯片(ROM)和其他和其他。常见的易失性存储芯片有SRAM和DRAM，非易失性存储芯片包括FLASH(闪存)和ROM(只读存储器)，其中FLASH分为NAND FLASH和NOR FLASH两种。图：半导体存储：可分为图：半导体存储：可分为易失性易失性(RAM)、非易失性、非易失性(ROM)和其他和其他分立器件,5.88%存储芯片,23.17%逻辑器件,30.55%Micro,13.58%模拟芯片,15.44%传感器,3.84%光电器件,7.55%图：图：2022年半导

165、体存储市场中年半导体存储市场中DRAM占占55%，NAND Flash占占42%图：半导体存储行业规模图：半导体存储行业规模(亿美元亿美元)及增速及增速(%)：较半导体波动性更强：较半导体波动性更强存储是半导体风向标：与半导体行业变化基本一致，波动性更强存储是半导体风向标：与半导体行业变化基本一致，波动性更强73数据来源：WSTS，CFS闪存市场，Statista，长城证券产业金融研究院 半导体存储器市场变化与半导体行业变化基本一致半导体存储器市场变化与半导体行业变化基本一致，但具有更强波动性但具有更强波动性。存储器作为半导体的子行业，其周期变化基本和半导体行业周期变化一致，但存储器的波动性更

166、强。因此，当半导体行业处于景气周期时，存储器市场表现更佳，以2017年为例，半导体行业规模同比增长21.62%，存储规模同比增长高达61.49%。而当半导体行业处于不景气状态时，存储市场亦会表现更不理想，以2019年为例，半导体行业规模同比下降12.05%，但存储市场下降高达32.62%。DRAM和和NAND FLASH是半导体存储器市场规模中最大的存储器是半导体存储器市场规模中最大的存储器，2022年年DRAM和和NAND Flash占比分别达占比分别达55%和和42%。根据CFM闪存市场数据，2022年，DRAM占半导体存储器市场的55%，NAND FLASH占42%。此外，NORFLAS

167、H随着新兴市场的崛起，市场空间将逐步恢复。-40%-20%0%20%40%60%80%004000500060007000200320042005200620072008200920000022半导体存储行业规模其他半导体存储同比增速半导体行业增速020040060080000 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022半导体存储市场规模半导体存储市场规模(亿美元亿美

168、元)DRAMNANDNOR 2022年年PC、Mobile终端砍单的连锁反应终端砍单的连锁反应，快速传导至产业链上游快速传导至产业链上游，产业链普遍面临产业链普遍面临“高库存高库存、低需求低需求”，全球存储市全球存储市场快速缩减场快速缩减。2022年在俄乌冲突、通胀高企、疫情反复的持续冲击下，全球经济下行风险加剧，以PC、Mobile为主的消费需求锐减，终端出货量明显下滑，疲软的需求使得全球存储市场规模开始快速缩减。据CFM闪存市场数据，从近三年全球存储市场规模来看，经历2020年15%以及2021年31%的增长后，自2022年起出现拐点，存储市场规模增长步入尾声，疲软的市况或将延续到2023

169、年。22 年全球存储市场规模跌超年全球存储市场规模跌超 10%，2023年年1-4月存储市场同比月存储市场同比-57%，23年全球存储市场或将同比下降年全球存储市场或将同比下降35%至至914亿美元亿美元。分季度来看，22Q3单季度全球存储市场规模创10季度新低，22Q4季度连续下跌，2022年四季度存储市场规模已经回到2019年一、二季度的周期底部水平。据WSTS数据，2023年1-4月存储市场业绩同比下降56.8%，WSTS预测2023年、2024年Memory市场规模同比分别为-35.2%、+43.2%。图：当前存储市场周期分析：仍处于摸底阶段，图：当前存储市场周期分析：仍处于摸底阶段，

170、2022年全年跌年全年跌13%2022全年跌超全年跌超10%，预计预计23年全球存储市场规模将同比下降年全球存储市场规模将同比下降35%数据来源：CFM闪存市场，WSTS，长城证券产业金融研究院74图：当前全球图：当前全球DRAM/NAND Flash市场规模自市场规模自22Q3起开始逐季下降起开始逐季下降082392524780050030020Q120Q220Q320Q421Q121Q221Q321Q422Q122Q222Q3 22Q4E

171、 23Q1E全球DRAM/NAND Flash市场规模季度变化(单位：亿美元)DRAMFlash915%31%-13%-35%43%-40%-30%-20%-10%0%10%20%30%40%50%0200400600800092020202120222023E2024E存储市场规模(亿美元)YoY(%)22年闪存年闪存/DRAM价格指数价格指数-41%/-35%，23年价格跌幅有望逐季放缓年价格跌幅有望逐季放缓数据来源：Statista，CFM闪存市场，TrendForce，长城证券产业金融研究院75 根

172、据根据CFM闪存市场报价闪存市场报价，2022年年NAND Flash市场综合价格指数下跌市场综合价格指数下跌41%。在新冠疫情、俄乌冲突、工厂污染、地震等一系列突发事件影响下，上游资源在22年2月开始了一波拉涨，但因需求疲软无法持久。从22年4月开始，在对价格更为敏感的现货市场就进入了跌价行情，此前因“市场缺货”代理商、渠道商及品牌模组厂均累积了大量库存，但各类不确定因素频发使得国内外经济环境直转而下，在很大程度上抑制了需求，进一步拉大供过于求的市况。为了降库存、增加流速，市场上各厂商之间降价竞争激烈，整体市场持续着以价换量的主基调。2022年全年来看，一季度、二季度、三季度、四季度的闪存市

173、场综合价格指数变化分别是上涨4.6%、下跌14%、下跌21%、下跌17.4%。根据根据CFM闪存市场报价闪存市场报价，2022年年DRAM市场综合价格指数下跌市场综合价格指数下跌35%。同样22年一季度的上游资源拉涨对DRAM也起到一定的带动作用，但终因需求疲软，行情直转急下，市场上竞争激烈，持续杀价换量。2022年全年来看，一季度、二季度、三季度、四季度的内存市场综合价格指数变化分别是上涨3.1%、下跌13%、下跌13%、下跌16.6%。根据根据TrendForce数据数据，23Q1 NAND价格环比跌幅已先显现出收窄价格环比跌幅已先显现出收窄，预计预计23Q2 NAND、DRAM价格环比跌

174、幅均将进一步价格环比跌幅均将进一步缩小；全年来看缩小；全年来看，23年价格跌幅有望逐季放缓年价格跌幅有望逐季放缓。图：图：DRAM细分产品季度价格变动：各细分产品价格均下降细分产品季度价格变动：各细分产品价格均下降图：图：NAND Flash细分产品季度价格变动：各细分产品价格均下降细分产品季度价格变动：各细分产品价格均下降4Q201Q212Q213Q214Q211Q222Q223Q224Q221Q232Q23(F)PC DRAMdown 10%up 5%up 2328%up 38%down 510%down 310%down 08%down 1320%down 1015%down 1520%

175、down 1015%Server DRAMdown 1318%up 8%up 2025%up 510%down 38%down 813%down 05%down 1015%down 1318%down 2025%down 1318%Mobile DRAMdown 05%up 05%up 813%up 515%down 38%down 813%down 05%down 1015%down 1318%down 1318%down 1015%Graphics DRAMup 510%up 510%up 2025%up 1015%down 05%mostly flatup 05%down 1015%do

176、wn 1015%down 1823%down 1015%Consumer DRAMdown 05%up 510%up 2030%up 313%down 310%down 08%down 05%down 1318%down 1015%down 1823%down 1015%Total DRAMdown 813%up 38%up 1823%up 38%down 38%down 813%down 05%down 1015%down 1318%down 20%down 1015%4Q201Q212Q213Q214Q211Q222Q223Q224Q221Q232Q23(F)eMMC&UFSdown 37

177、%-5%3%up 515%up 05%down 010%down 310%up 38%down 813%down 2025%down 1015%down 513%Enterprise SSDdown 1015%down 1015%up 05%up 1318%up 05%down 38%up 510%down 510%down 2328%down 1318%down 813%Client SSDdown 10%down 510%up 510%up 38%down 38%down 38%up 38%down 813%down 1823%down 1318%down 510%3D NAND Wafe

178、rsdown 10%up 03%up 510%up 38%down 1015%up 1015%down 813%down 1520%down 2025%down 38%mostly flatTotal NAND Flashdown 510%down 510%up 510%up 510%down 05%down 1015%up 38%down 813%down 2025%down 1015%down 510%图：全球图：全球DRAM存储容量变化：预计到存储容量变化：预计到2023年将达年将达213B Gb图：全球图：全球NAND Flash存储容量变化：预计到存储容量变化：预计到23年将达年将达

179、732B GB22年增速放缓，年增速放缓，23年全球年全球NAND/DRAM存储容量有望存储容量有望+20%/+10%76数据来源：IC Insights，Statista，CFM闪存市场，长城证券产业金融研究院 据据CFM闪存市场闪存市场，2022年年NAND Flash市场容量规模增长市场容量规模增长6%达到达到610B GB，DRAM市场容量规模增长市场容量规模增长4%达到达到194B Gb，增速处在历史低位增速处在历史低位。2022年在宏观经济环境恶化，以及全球部分地区性因素的影响下，大部分市场的终端需求锐减，同时企业的库存问题也从下游不断传导到上游，进一步抑制了对存储芯片产品的需求。

180、据CFM闪存市场预计，2022年NAND Flash市场容量规模增长6%达到610B GB，DRAM市场容量规模增长4%达到194B Gb。相较于此前NAND Flash和DRAM分别保持 30%和 20%以上的速度增长，2022年的6%与4%的增速无疑处在历史低位。据据CFM闪存市场预测闪存市场预测，2023年年NAND Flash市场规模容量将增长市场规模容量将增长20%至至732B GB，DRAM市场容量将增长市场容量将增长10%至至213BGb。43%39%40%35%34%40%6%20%0%5%10%15%20%25%30%35%40%45%50%005006

181、007008002000222023ENAND FlashYoY(%)31%21%16%21%23%21%2%10%0%5%10%15%20%25%30%35%05002000222023EDRAMYoY(%)图：图：22Q4全球全球NAND Flash/DRAM市场份额：三星是全球第一龙头市场份额：三星是全球第一龙头图：图：NAND Flash/DRAM市场下游应用：手机市场占比最大达市场下游应用：手机市场占比最大达35%三星稳居全球第一龙头，三星稳居全球第一龙头，NAND/DRAM

182、竞争格局高度集中竞争格局高度集中数据来源：IC Insights，IEEE，CFM闪存市场，长城证券产业金融研究院 SSD及嵌入式存储占及嵌入式存储占NAND应用超应用超80%，DRAM服务器的应用占比超服务器的应用占比超30%。NAND Flash和DRAM广泛应用于手机、平板、PC、数据中心、汽车电子、视频监控、智能家居等等市场。在2021年，NAND Flash主要以应用于mobile市场的嵌入式存储产品，和应用于PC的cSSD、以及应用于服务器市场的eSSD产品为主，分别占比34%、22%和26%；DRAM的主要应用市场也是在mobile、PC和服务器，分别占比35%、16%和33%。

183、目前全球目前全球NAND Flash市场以三星市场以三星、SK海力士海力士(含收购自含收购自Intel的的Solidigm)、Kioxia(含含Western Digital)、美光几家厂商为美光几家厂商为主主，全球全球DRAM市场由三星市场由三星、SK海力士海力士、美光三分天下美光三分天下。从市场竞争格局来看，2022年四季度NAND Flash市场上三星占比达34%，Kioxia占比达19%，SK 海力士占比达17%，西部数据占比达16%，美光占比达11%，分别排名第一、第二、第三、第四、第五。2022年四季度DRAM市场上三星占比达44%，SK 海力士占比达28%，美光占比达23%，分别

184、排名第一、第二、第三。77Mobile,34%cSSD,22%eSSD,26%存储卡/UFD,9%其他,9%NAND Flash市场应用市场应用MobilecSSDeSSD存储卡/UFD其他Mobile,35%PC,16%Server,33%其他,16%DRAM市场应用市场应用MobilePCServer其他Samsung,34%Kioxia,19%WDC,16%Micron,11%SK hynix,17%Others,4%22Q4全球全球NAND Flash市占排名市占排名SamsungKioxiaWDCMicronSK hynixOthersSamsung,44%SK hynix,28%M

185、icron,23%Nanya,2%winbond,1%Others,1%22Q4全球全球DRAM市占排名市占排名SamsungSK hynixMicronNanyawinbondOthers图：图：2012-2022年年NAND Flash资本开支：基本呈现出波动增长资本开支：基本呈现出波动增长图：图：2012-2022年年DRAM资本开支：基本呈现出波动增长资本开支：基本呈现出波动增长图：三星图：三星/SK海力士海力士/美光美光/西部数据西部数据/Kioxia等原厂纷纷制定减产策略等原厂纷纷制定减产策略图：全球存储器生产基地：主要集中在美日韩，中国大陆开始发力图：全球存储器生产基地：主要集中

186、在美日韩，中国大陆开始发力三星、美光等存储原厂宣布减产策略，或有望加速行业触底反转三星、美光等存储原厂宣布减产策略，或有望加速行业触底反转数据来源：Intel，三星，IC insights，CFM闪存市场，TrendForce，长城证券产业金融研究院 原厂减产策略：各原厂大幅度减产及降低投资将减少原厂减产策略：各原厂大幅度减产及降低投资将减少2023年的供应年的供应，有效改善目前供给大于需求的现状有效改善目前供给大于需求的现状。据IC Insights数据显示，2021年全球半导体行业资本支出同比剧增36%至1539亿美元，其中NAND和DRAM资本支出约520亿美元，同比增长22%。考虑到下

187、游客户去库存及自身存货水平处于高位，3Q22以来Samsung、SK Hynix、Micron等全球主要存储晶圆厂商均已经宣布减小产量或缩减资本开支，且降幅显著。历史上看，NAND Flash、DRAM资本开支均具有周期性，存储晶圆原厂在供给侧具有垄断地位，存储原厂频频削减2023年的资本支出预期,有望加速存储器价格触底反转。78减少产出减少产出降低投资降低投资其他其他铠侠2022年9月宣布将减少NAND Flash30%产量无无西部数据2023年1月宣布NAND Flash减产30%2023年资本开支下调15%至23亿美元无美光减少20%的NAND Flash和DRAM晶圆产出。2023年D

188、RAM产出将少于2022年，NAND产出微增2023年资本开支将同比下滑40+%至约70亿美元将放缓技术升级，进行约15%的裁员SK海力士传统产品及低毛利率产品均将减产2023年资本开支将从2022年的19万亿韩元下调50%以上无三星2023年4 月宣布将显著减少存储器产量。可能灵活调整2023年设备方面的资本支出无5.1 5.0 8.0 10.9 9.0 16.1 23.2 19.1 18.9 24.6 30.2 22.3-50%0%50%100%02 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023EDRAM

189、资本开支资本开支(十亿美元十亿美元)同比同比10.4 9.7 11.4 11.6 14.4 27.2 27.8 22.6 24.6 27.7 32.4 22.0-50%0%50%100%02 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023ENAND Flash资本开支资本开支(十亿美元十亿美元)同比同比趋势趋势1：移动终端平均容量增长，嵌入式存储朝高速传输方向发展：移动终端平均容量增长，嵌入式存储朝高速传输方向发展79数据来源：WSTS，IC Insights，CFM闪存市场，IDC，长城证券产业金融研究院 随

190、着全球随着全球5G手机渗透率不断提升手机渗透率不断提升，对数据传输速率要求的提升将带动嵌入式存储向高速传输发展对数据传输速率要求的提升将带动嵌入式存储向高速传输发展。三星已经开发出业界首款UFS4.0嵌入式存储并开始量产，与UFS3.1相比数据传输带宽翻倍至23.2Gbps，预计将成为2023年旗舰智能手机的关键零部件。美光基于全球领先的1 DRAM制程推出LPDDR5X产品，最高速度可达8.5Gb/s，在每片16Gb容量下提升了约15%的能效和超过35%的位密度。从eMMC5.1到UFS2.2，再到UFS3.0、3.1及将来的UFS4.0，LPDDR4X到LPDDR5X的发展，5G智能手机应

191、用推动着嵌入式存储向高速传输方向不断演进。5G换机潮后人们换机频率放缓换机潮后人们换机频率放缓，手机用户的平均换机周期从手机用户的平均换机周期从16个月延长到目前超过个月延长到目前超过31个月个月，对数据存储容量的需求日对数据存储容量的需求日益增长益增长。据CFM闪存市场数据，手机用户的平均换机周期从16个月到目前超过31个月，即一台手机平均使用年限超过2年半。智能手机目前主流的存储容量为256至512GB，随着搭载256GB以上容量的高端智能手机出货量持续扩大，移动终端平均容量持续增长，将带动存储市场规模进一步扩大。图：图：800美元以上高端手机的容量分布：美元以上高端手机的容量分布：256

192、GB及以上容量占比提升及以上容量占比提升图：全球智能手机和图：全球智能手机和PC出货量出货量(单位：亿单位：亿)：手机出现回升，：手机出现回升，PC持平持平10.013.014.314.714.614.113.712.913.412.512.73.13.12.82.62.62.62.73.03.52.92.80246832000202021 2022E 2023E智能手机PC0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%2020Q12020Q22020Q32020Q42021Q12021Q22021Q3202

193、1Q42022Q12022Q2128GB256GB512GB1TB+其他图：预计图：预计2028年全球年全球DDR5内存条出货量将达内存条出货量将达6.42亿条，亿条，CAGR97%图：英特尔与图：英特尔与AMD平台陆续发布多款对平台陆续发布多款对DDR5支持的产品支持的产品趋势趋势2：DDR5渗透率提升，预计渗透率提升，预计20222028年出货量年出货量CAGR+97%数据来源：Yole，CFM闪存市场，Intel官微，长城证券产业金融研究院 近年来近年来DDR5内存条生态链逐渐完善内存条生态链逐渐完善，预计到预计到2028年年DDR5出货量将达出货量将达6.42亿条亿条。JEDEC固态技

194、术协会于2020年7月15日正式发布了DDR5 SDRAM的最终规范，标志着存储行业开始向DDR5双列直插式内存模块(DIMM)过渡。以SK 海力士、三星、美光为代表的存储原厂已在DDR5领域积攒多年，近年来，下游存储厂商也加快推出工业级及消费端DDR5产品，满足市场多元化的存储需求。根据Yole预测，2022年DDR5内存条出货量0.11亿条，预计到2028年其出货量有望达到6.42亿条，CAGR+97%，呈高速增长趋势。随着随着2022年下半年开始年下半年开始，英特尔英特尔、AMD陆续发布支持陆续发布支持DDR5的新一代旗舰处理器的新一代旗舰处理器，推动推动DDR5渗透率不断提升渗透率不断

195、提升。2022下半年，AMD面向台式PC市场推出支持DDR5的锐龙7000系列CPU，随后推出的AMD第四代EPYC服务器Genoa同样全面支持DDR5、PCIe 5.0和CXL1.1。2023年一季度英特尔推出支持DDR5的至强可扩展处理器Sapphire Rapids Xeon。80图：图：DRAM技术发展路线：最新量产制程已迈入技术发展路线：最新量产制程已迈入1节点节点图：图：3D NAND技术发展路线：最先进技术已实现技术发展路线：最先进技术已实现238层层3D NAND趋势趋势3：AI等应用推动高性能存储器需求，存储技术不断迭代升级等应用推动高性能存储器需求，存储技术不断迭代升级数据

196、来源：CFM闪存市场，长城证券产业金融研究院 AI等应用高速发展等应用高速发展，高性能存储需求推动下高性能存储需求推动下，DRAM迈入迈入1制程节点制程节点，3D NAND进入进入200层时代层时代。随着AI和云计算的发展，单个处理器芯片上集成越来越多的内核，以满足服务器数据密集负载的需求，而DRAM的带宽和容量也需要与处理器的高性能相适应，CXL(Compute Express Link,计算快速链接)技术和高带宽存储器(High Bandwidth Memory,HBM)技术等存储技术将不断迭代升级。DRAM 技术方面，三星、SK 海力士和美光已实现1nm DRAM的量产，2022年四季度

197、，全球领先的DRAM工艺来到1制程。美光率先推出1制程的LPDDR5X产品，最高速度可达8.5Gb/s，在每片16Gb的容量下实现了约15%的能效提升，以及超过35%的位元密度提升。3D NAND领域，最为领先的是美光，其已经实现232层在PC OEM市场的应用，并推出相应SSD产品。从已公布的数据来看，无论是美光的232层、SK海力士的238层还是长江存储的新一代闪存技术X3-9070，均能带来2.4Gb/s的数据传输速度，较上一代提升50%。从应用层面上看从应用层面上看，目前目前DRAM主流是主流是1a nm，NAND主流是主流是176L 3D NAND。从应用上来看，SK海力士1a nm

198、 DRAM制程占其产量的20%，176层3D NAND制程占其产量的60%；美光在Mobile DRAM生产中90%为1 nm，Mobile NAND生产中近乎100%为176L 3D NAND。81图：中国企业级图：中国企业级SSD市场份额：由英特尔、三星垄断，市场份额：由英特尔、三星垄断，CR2达达72%图：全球图：全球SSD产业链图谱：主控产业链图谱：主控+NAND+DRAM+模组共同组成模组共同组成趋势趋势4：服务器存储需求长期向好，中国企业级：服务器存储需求长期向好，中国企业级SSD厂商迎来机遇厂商迎来机遇数据来源：Web-Feet Research，IC Insights，CFM闪

199、存市场，TrendForce，IDC，长城证券产业金融研究院 三星三星、SK海力士海力士、铠侠铠侠、美光等存储原厂占全球企业级美光等存储原厂占全球企业级SSD市场超九成市场超九成。存储原厂三星、SK海力士、Solidigm、铠侠、美光、西部数据，直接受益于全球大型云服务商在数据中心领域的存储需求，存储原厂占据全球企业级SSD超过九成的市场份额。其中，收购前Intel存储业务后的SK海力士，及三星两家韩系原厂在全球企业级SSD市场中份额占比超过七成。受益于受益于AI和云技术的发展和云技术的发展，服务器市场的存储需求长期向好服务器市场的存储需求长期向好，国内企业级厂商迎来发展机遇国内企业级厂商迎来

200、发展机遇。在以运营商为主的公有云市场迎来发展的同时，基于本地化和安全等考虑，也将会考虑更多地采用国产SSD。2021年中国企业级SSD市场规模超过30亿美元，英特尔、三星、美光等厂商依然占据着大部分中国企业级SSD市场，份额占比达72%。国内的企业级SSD存储厂商也正以强劲的势头高速发展，如得瑞领新、Memblaze、忆联、大普微等国产企业级SSD存储厂商发展迅猛。82英特尔,34%三星,32%亿联,9%美光,6%忆恒创源,4%其他,14%中国企业级中国企业级SSD市场份额情况市场份额情况英特尔三星亿联美光忆恒创源其他图：存储的下一个主力应用：汽车存储，受图：存储的下一个主力应用：汽车存储，受

201、IVI、ADAS等发展推动等发展推动图：各类车载存储应用数量占比：图：各类车载存储应用数量占比：IVI占比最高，达占比最高，达36%趋势趋势5：汽车存储市场规模持续提升，：汽车存储市场规模持续提升，2030年预计将超过年预计将超过200亿美元亿美元数据来源：乘联会，中汽协，CFM闪存市场，长城证券产业金融研究院 2022年中国新能源汽车销量超年中国新能源汽车销量超680万台万台，渗透率提升至渗透率提升至25.6%，提前三年完成我国新能源车渗透率达提前三年完成我国新能源车渗透率达25%的目标的目标。根据乘联会最新公布数据，2022年12月我国狭义乘用车零售销量达216.9万辆，其中新能源乘用车零

202、售销量达64万辆，渗透率已经达到29.5%，提前完成到2025年我国新能源汽车渗透率要达到25%的目标。据中汽协发布2022年度产销数据，2022年中国整车销量达到2686万台，其中新能源汽车全年销量超680万台，渗透率提升至25.6%。预计预计2025年单车年单车NAND存储容量超过存储容量超过2TB，预计到预计到2030年汽车存储市场规模将超过年汽车存储市场规模将超过200亿美元规模亿美元规模。汽车的存储需求不仅直接受益于车载智能芯片数量的提升，且车载T-BOX、GW、液晶仪表盘、DVR和EDR等对汽车的本地存储要求越来越高，将推动汽车存储市场规模日益增长。据CFM闪存市场，预计到2025

203、年单车NAND存储容量将超过2TB，汽车存储市场规模也随之增加，到2030年预计将超过200亿美元规模，其中最大推动力来自于IVI信息娱乐系统以及ADAS的发展。83IVI,36%TBOX,20%DI,14%HUD,5%DVR,16%ADAS,9%各类车载存储应用数量占比各类车载存储应用数量占比IVITBOXDIHUDDVRADAS六、中国存储企业整装待发六、中国存储企业整装待发图：重点公司财务指标及估值情况图：重点公司财务指标及估值情况投资建议投资建议85数据来源：Wind，长城证券产业金融研究院，注：总市值截至2023年6月20日一一、纵观历史周期维度纵观历史周期维度，存储行业周期约为存储

204、行业周期约为3-4年年，市场供需关系有望实现平衡拐点市场供需关系有望实现平衡拐点。从历史周期维度看，存储行业周期约为3-4年，本周期自2020Q1起始，于2022Q1价格阶段性见顶，目前已连续6个季度降价，处于周期筑底阶段。在三星、SK海力士等海外各原厂减产策略下，扩产计划放缓，有望实现存储供需平衡拐点。二二、英伟达发力英伟达发力AI算力需求算力需求，激发存储需求新动能激发存储需求新动能，美光审查事件落地美光审查事件落地，存储国产化替代有望加速存储国产化替代有望加速。一方面，英伟达发力AI算力需求，激发存储需求新动能；另一方面，美光审查事件落地，有望进一步加速存储国产化替代。建议关注存存储芯片

205、设计：储芯片设计：兆易创新、聚辰股份、北京君正、东芯股份、恒烁股份、普冉股份；存储接口芯片厂商：存储接口芯片厂商：澜起科技；存储模组厂商：存储模组厂商：江波龙、朗科科技、德明利、佰维存储等。三三、半导体产业半导体产业，具有一定程度的后发优势具有一定程度的后发优势，核心设备的迭代至关重要核心设备的迭代至关重要。建议关注国内存储芯片材料、设备、封测等产业链相关厂商，半导体设备供应商：半导体设备供应商：中微公司、北方华创、拓荆科技、精测电子、盛美上海、华海清科等；半导体材料供应商：半导体材料供应商：沪硅产业、鼎龙股份、安集科技等；封测厂商：封测厂商：深科技、华天科技、长电科技、通富微电等。公司名称公

206、司名称细分行业细分行业市值市值(亿元亿元)23Q1营收环比营收环比23Q1归母净利归母净利润环比润环比23Q1归母净利归母净利润同比润同比23年净利润预期年净利润预期中值中值23年预计利年预计利润增速润增速PE(2023E)23Q1股价涨股价涨跌幅跌幅23Q1公募公募持仓持仓22Q4公募公募持仓持仓兆易创新设计-存储IC756-1%481%-78%12-42%6419%17%25%澜起科技设计-内存接口芯片686-47%-93%-94%10-21%6711%18%26%江波龙设计-存储模组458-13%-105%-273%3312%15367%5%12%北京君正设计-存储IC444-10%99

207、%-51%912%5026%6%12%佰维存储设计-存储模组423-47%-2512%-908%150%395170%0%11%东芯股份设计-存储IC164-38%60%-131%221%7333%0%0%聚辰股份设计-存储IC96-45%-78%-63%549%18-2%5%20%普冉股份设计-存储IC9127%49%-168%152%7217%5%16%恒烁股份设计-存储IC66-14%27%-174%1202%10254%9%4%国内存储制造端国内存储制造端86图：图：长江存储不同阶段技术突破进度长江存储不同阶段技术突破进度图：长鑫存储不同阶段技术突破进度图：长鑫存储不同阶段技术突破进度

208、 据长江存储官网，截至目前，公司全球共有员工10000余人，其中研发工程技术人员6000余人。2021年，第三代TLC/QLC NAND(X2-9060/X2-6070)量产，eMMC/UFS量产出货，公司1期工厂实现满产。2022年，基于第三代NAND的系统解决方案上市。2021年，公司的产能是8.5万片/月，居全球第四位，同时推出17nm工艺DDR5/LPDDR5等内存芯片。2022年，公司正处在提升产能的关键时期，产能预计是12万片/月，正在推进低功耗、高速率LPDDR5DRAM产品开发，将成为中国第一家DDR5生产商。长江存储：自研长江存储：自研3D NAND堆叠工艺堆叠工艺长鑫存储：

209、长鑫存储：DRAM大厂产能快速建设大厂产能快速建设数据来源：Wind，长江存储官网，合肥产投集团官微，IC insights，芯光社，Deeptech，半导体行业观察，长城证券产业金融研究院2014年10月2015年6月2016年7月2017年7月2017年11月2019年9月3D NAND项目正式启动9层3D NAND测试芯片通过电气性能验证32层3D NAND测试芯片T/O(设计完成)32层3D NAND芯片T/O(设计完毕)32层3D NAND芯片完成首次验证量产基于64层256Gb TLC 3D NAND闪存9L32L64L128L12个月15个月2021年量产2019年9月2日，长江

210、存储在IC China 2019前夕宣布，公司已开始量产基于Xtacking结构的64层层256Gb TLC 3D NAND闪存闪存2017年10月2018年底2019年Q32019年9月19nm 12英寸晶圆存储器项目启动推出8Gb DDR4 工程样品推出8Gb LPDDR4内存样品10nm 8Gb DDR4首度亮相2019年世界制造业大会与国际主流DRAM产品同步的10纳米级纳米级第一代第一代8Gb DDR4首度亮相截止目前研发投入超截止目前研发投入超25亿美金，投入用于研发的晶圆月亿美金，投入用于研发的晶圆月2万片万片收购技术文件(46nm堆栈式DRAM)自主研发国内存储芯片设计公司国内

211、存储芯片设计公司87图：兆易创新近年来总营收图：兆易创新近年来总营收/净利润净利润(亿元亿元)及毛利率及毛利率/净利率净利率(%)图：聚辰股份近年来总营收图：聚辰股份近年来总营收/净利润净利润(亿元亿元)及毛利率及毛利率/净利率净利率(%)公司2022年营业收入为81.30亿元，同比下降4%，归母净利润为20.53亿元，同比下降12%。2022年存储业务占比59.36%，其中NOR Flash产品占绝大比例，MCU占比已达34.80%。并购思立微后拓展的传感器业务占比5.35%。公司目前拥有EEPROM等非易失性存储芯片、音圈马达驱动芯片和智能卡芯片三条主要产品线，2022年营收占比分别为87

212、.12%、5.83%和7.04%。据web-feet统计，2019年聚辰EEPROM市占率国内第一、全球第三。2022年公司营收9.8亿元，同比增长80%；归母净利润3.54亿元，同比增长227%。兆易创新：兆易创新：Nor Flash领先企业领先企业聚辰股份：聚辰股份：SPD+车规级车规级EEPROM动能强劲动能强劲数据来源：Wind，兆易创新2022年年报，聚辰股份2022年年报，聚辰股份官网，长城证券产业金融研究院39.16%38.25%40.52%37.38%46.54%47.66%38.25%19.59%17.99%18.90%19.58%27.46%25.25%11.19%0%10

213、%20%30%40%50%60%00708090总营收(亿元)净利润(亿元)毛利率(%)净利率(%)48.53%45.87%40.78%33.72%38.78%67.03%47.51%7.24%17.61%18.53%32.97%19.06%35.32%12.51%0%10%20%30%40%50%60%70%80%024681012总营收(亿元)净利润(亿元)毛利率(%)净利率(%)国内存储芯片设计公司国内存储芯片设计公司88图：北京君正近年来总营收图：北京君正近年来总营收/净利润净利润(亿元亿元)及毛利率及毛利率/净利率净利率(%)图：东芯股份近年来总营收图：东芯股份

214、近年来总营收/净利润净利润(亿元亿元)及毛利率及毛利率/净利率净利率(%)2022年，公司存储芯片产品线收入占比74.92%，智能视频芯片、微处理器和模拟与互联芯片产品线收入分别占比为11.88%、2.35%和8.85%。根据Omdia统计，公司2022年车规级SRAM、车规级DRAM、Nor Flash产品收入在全球市场中分别位居第二位、第七位、第六位，处于国际市场前列。2022年公司营业收入和归母净利润分别为9.25亿元、0.83亿元，同比分别下降16%、71%。2022年，公司NAND产品、MCP产品、DRAM产品、NOR产品营收占比分别为62%、20%、7%和6%。公司基于先进制程的1

215、x nm NAND Flash产品已完成首轮晶圆流片及首次晶圆制造，并已完成功能性验证。北京君正：汽车存储领域龙头北京君正：汽车存储领域龙头东芯股份：国内东芯股份：国内SLC NAND龙头龙头数据来源：Wind，北京君正2022年年报，东芯股份2022年年报，长城证券产业金融研究院37.01%39.86%39.78%27.13%36.96%38.56%37.08%3.52%5.20%17.29%3.36%17.47%14.39%10.34%0%5%10%15%20%25%30%35%40%45%00总营收(亿元)净利润(亿元)毛利率(%)净利率(%)21.73%22.28

216、%15.00%22.01%42.12%40.58%16.82%-23.63%-1.79%-12.17%1.79%25.05%18.97%-27.83%-40%-30%-20%-10%0%10%20%30%40%50%-202468101214总营收(亿元)净利润(亿元)毛利率(%)净利率(%)国内存储芯片设计公司国内存储芯片设计公司89图：恒烁股份近年来总营收图：恒烁股份近年来总营收/净利润净利润(亿元亿元)及毛利率及毛利率/净利率净利率(%)图：普冉股份近年来总营收图：普冉股份近年来总营收/净利润净利润(亿元亿元)及毛利率及毛利率/净利率净利率(%)2022年公司实现营收4.33亿元，同比下

217、降24.76%；实现归母净利润0.21亿元，同比下降85.63%。公司聚焦“存储+控制”领域，已掌握高可靠性、高速、低功耗55/50nm NOR Flash和55nm MCU设计技术，并完成首款基于NOR Flash制程的存算一体AI芯片的研发、流片和系统演示。公司主要产品包括NOR Flash和EEPROM两大类非易失性存储器芯片、微控制器芯片以及模拟产品。2022年，存储芯片营收占比达94.27%，微控制器及其他营收占比5.73%。公司2022年度实现营收9.25亿元，同比-16.15%；归母净利润0.83亿元，同比-71.44%恒烁股份：国内恒烁股份：国内NOR Flash领域领先企业领

218、域领先企业普冉股份：普冉股份：NOR FLASH+EEPROM双翼齐飞双翼齐飞数据来源：Wind，恒烁股份2022年年报，普冉股份2022年年报，长城证券产业金融研究院16.68%25.36%40.83%26.99%15.87%-3.79%8.18%25.62%4.89%-26.03%-30%-20%-10%0%10%20%30%40%50%-101234567总营收(亿元)净利润(亿元)毛利率(%)净利率(%)32.39%24.79%27.46%23.79%36.23%29.85%22.16%4.78%7.50%8.90%11.99%26.40%8.99%-13.80%-20%-10%0%1

219、0%20%30%40%-2024681012总营收(亿元)净利润(亿元)毛利率(%)净利率(%)国内存储芯片设计公司国内存储芯片设计公司90图：澜起科技近年来总营收图：澜起科技近年来总营收/净利润净利润(亿元亿元)及毛利率及毛利率/净利率净利率(%)图：朗科科技近年来总营收图：朗科科技近年来总营收/净利润净利润(亿元亿元)及毛利率及毛利率/净利率净利率(%)2022年随着DDR5内存接口芯片及内存模组配套芯片出货量大幅提升，公司实现营收36.72亿元，同比增长43%，归母净利润12.99 亿元，同比增长57%。2022年公司PCIe 5.0/CXL2.0 Retimer芯片完成量产版本的研发，

220、并于2023年1月实现量产，用于服务器、存储设备及硬件加速器等应用场景。公司产品覆盖固态存储、DRAM动态存储、嵌入式存储和移动存储领域。2022年，公司总营收17.72亿元，同比-7%，归母净利润0.62亿元，同比-10%。2023年3月，公司及其全资子公司北京朗科创新技术发展有限公司与曙光信息产业（北京）有限公司签署战略合作协议，将在存储软硬件等领域深入合作。澜起科技：内存接口芯片市占巨头澜起科技：内存接口芯片市占巨头朗科科技：国内闪存盘领导者朗科科技：国内闪存盘领导者数据来源：Wind，澜起科技2022年年报，朗科科技2022年年报，长城证券产业金融研究院11.32%12.36%12.5

221、0%13.29%9.82%10.35%10.24%6.05%6.67%6.02%4.74%3.60%3.51%2.13%0%2%4%6%8%10%12%14%0510152025总营收(亿元)净利润(亿元)毛利率(%)净利率(%)53.49%70.54%73.96%72.27%48.08%46.44%53.29%28.26%41.92%53.68%60.52%32.36%35.38%4.70%0%10%20%30%40%50%60%70%80%05540总营收(亿元)净利润(亿元)毛利率(%)净利率(%)国内存储芯片设计公司国内存储芯片设计公司91图：公司营收图：公司营收

222、/净利润净利润(亿元亿元)及毛利率及毛利率/净利率净利率(%)图：公司营收图：公司营收/净利润净利润(亿元亿元)及毛利率及毛利率/净利率净利率(%)2022年受存储行业下行周期影响，公司实现营收83.30亿元，同比-15%，归母净利润0.73亿元，同比-93%。2022年公司嵌入式存储、移动存储、固态硬盘和内存条营收占比分别为52.4%，24.5%，18.1%和 5.0%。2022年公司实现营收11.91亿元，同比+10%；归母净利润0.67亿元，同比-32%。22H1公司自研主控芯片TW8581实现量产，2022年底公司收购UDStore品牌切入嵌入式市场。江波龙：存储模组品牌龙头江波龙：存

223、储模组品牌龙头德明利：闪存主控芯片德明利：闪存主控芯片&模组厂模组厂图：公司营收图：公司营收/净利润净利润(亿元亿元)及毛利率及毛利率/净利率净利率(%)2022年公司实现营收29.86亿元，同比+14%；归母净利润0.71亿元，同比-39%。据公司招股书，公司eMMC及UFS全球市占率达到2.4%，居全球第八、国内厂商第二。佰维存储：以嵌入式存储为基石佰维存储：以嵌入式存储为基石数据来源：Wind，江波龙2022年年报，德明利2022年年报，佰维存储2022年年报，长城证券产业金融研究院7.62%10.71%11.96%19.97%12.40%1.27%-1.38%2.23%3.80%10.

224、39%0.87%-18.93%-30%-20%-10%0%10%20%30%-20020406080100120总营收(亿元)净利润(亿元)毛利率(%)净利率(%)6.62%15.62%11.21%17.55%13.73%-4.48%-10.70%1.59%1.67%4.47%2.39%-29.62%-40%-30%-20%-10%0%10%20%30%-5055总营收(亿元)净利润(亿元)毛利率(%)净利率(%)14.04%19.69%22.66%20.29%17.19%5.87%4.06%5.69%9.24%9.09%5.64%-14.50%-25%-15%-5%5%

225、15%25%35%-202468101214总营收(亿元)净利润(亿元)毛利率(%)净利率(%)国内存储涉及设备类公司国内存储涉及设备类公司92图：中微公司近年来总营收图：中微公司近年来总营收/净利润净利润(亿元亿元)及毛利率及毛利率/净利率净利率(%)图：北方华创近年来总营收图：北方华创近年来总营收/净利润净利润(亿元亿元)及毛利率及毛利率/净利率净利率(%)2022年公司实现营收47.40亿元，同比+53%，归母净利润11.70亿元，同比+16%。2022年公司的ICP刻蚀设备在超过20个客户的逻辑、DRAM和3D NAND等器件的生产线上进行超过100多个ICP刻蚀工艺的量产，并持续扩展

226、到更多刻蚀应用的验证。2022年公司实现营收146.88亿元，同比+52%，归母净利润23.53亿元，同比+118%。2022年公司在刻蚀装备方面，面向12吋逻辑、存储、功率、先进封装等客户，已完成数百道工艺的量产验证，ICP刻蚀产品出货累计超过2000腔。中微公司：国产中微公司：国产ICP&CCP刻蚀龙头刻蚀龙头北方华创：半导体设备平台型龙头北方华创：半导体设备平台型龙头数据来源：Wind，中微公司2022年年报，北方华创2022年年报，长城证券产业金融研究院38.59%35.50%34.93%37.67%43.36%45.74%45.87%3.08%5.54%9.69%21.66%32.5

227、4%24.64%22.48%-5%5%15%25%35%45%55%055404550总营收(亿元)净利润(亿元)毛利率(%)净利率(%)36.59%38.38%40.53%36.69%39.41%43.83%41.18%7.53%8.51%9.11%10.42%12.32%17.30%15.89%0%5%10%15%20%25%30%35%40%45%50%0204060800总营收(亿元)净利润(亿元)毛利率(%)净利率(%)国内存储涉及设备类公司国内存储涉及设备类公司93图：精测电子近年来总营收图：精测电子近年来总营收/净利润净利润(亿元亿元)

228、及毛利率及毛利率/净利率净利率(%)图：盛美上海近年来总营收图：盛美上海近年来总营收/净利润净利润(亿元亿元)及毛利率及毛利率/净利率净利率(%)2022年，公司实现营收27.31亿元，同比+13%，归母净利润2.72亿元，同比+41%。在半导体领域，公司与长江存储、合肥长鑫、广州粤芯等众多客户建立了良好的合作关系。公司子公司武汉精鸿主要聚焦自动测试设备(ATE)领域(主要产品是存储芯片测试设备)。2022年，公司总营收28.73亿元，同比增长77.25%，净利润6.68亿元，同比增长151.08%。Ultra PmaxPECVD 设备的推出，标志着公司在前道半导体应用中进一步扩展到全新的干法

229、工艺领域。公司与海力士、华虹集团、长江存储、中芯国际、合肥长鑫等半导体龙头企业已形成较为稳定的合作关系。精测电子：国内平板显示测试设备龙头精测电子：国内平板显示测试设备龙头盛美上海：清洗设备龙头盛美上海：清洗设备龙头数据来源：Wind，精测电子2022年年报，盛美上海2022年年报，长城证券产业金融研究院46.66%51.21%47.32%47.39%43.34%44.39%45.35%18.88%21.81%13.33%10.38%5.81%7.62%0.31%0%10%20%30%40%50%60%051015202530总营收(亿元)净利润(亿元)毛利率(%)净利率(%)44.62%44

230、.19%45.14%43.78%42.53%48.90%54.61%4.28%16.82%17.83%19.53%16.43%23.27%21.26%0%10%20%30%40%50%60%055总营收(亿元)净利润(亿元)毛利率(%)净利率(%)国内存储涉及设备类公司国内存储涉及设备类公司94图：拓荆科技近年来总营收图：拓荆科技近年来总营收/净利润净利润(亿元亿元)及毛利率及毛利率/净利率净利率(%)图：华海清科近年来总营收图：华海清科近年来总营收/净利润净利润(亿元亿元)及毛利率及毛利率/净利率净利率(%)2022年，公司总营收17.06亿元，同比+125%，归母净利

231、润3.69亿元，同比+438%。公司目前已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD等薄膜设备产品系列，该产品系列已广泛应用于国内集成电路逻辑芯片、存储芯片等制造产线。2022年，公司总营收16.49亿元，同比+105%，归母净利润5.02亿元，同比+153%。公司CMP设备在逻辑芯片、DRAM存储芯片、3DNAND存储芯片等领域的成熟制程均完成了90%以上CMP工艺类型和工艺数量的覆盖度。公司产品已成功进入长江存储、长鑫存储等知名半导体制造企业。拓荆科技：国内拓荆科技：国内PECVD行业翘楚行业翘楚华海清科：华海清科：CMP设备龙头制造商设备龙头制造商数据来源：Wind，拓荆科技202

232、2年年报，华海清科2022年年报，长城证券产业金融研究院0.00%31.67%31.85%34.06%44.01%49.27%49.78%0.00%-146.12%-7.71%-2.69%8.83%21.35%12.99%-200%-150%-100%-50%0%50%100%-2024681012141618总营收(亿元)净利润(亿元)毛利率(%)净利率(%)17.53%25.27%31.27%38.17%44.73%47.72%46.66%-81.85%-100.13%-73.11%25.34%24.63%30.42%31.46%-115%-95%-75%-55%-35%-15%5%25%

233、45%65%-4-2024681012141618总营收(亿元)净利润(亿元)毛利率(%)净利率(%)国内存储涉及材料类公司国内存储涉及材料类公司95图：公司营收图：公司营收/净利润净利润(亿元亿元)及毛利率及毛利率/净利率净利率(%)图：公司营收图：公司营收/净利润净利润(亿元亿元)及毛利率及毛利率/净利率净利率(%)2022年公司实现营收36.00亿元，同比+46%，归母净利润3.25亿元，同比+122%。2022年公司子公司上海新昇300mm半导体硅片30万片/月产线全面达产，且实现逻辑/存储/CIS芯片全覆盖。2022年，公司实现营收27.21亿元，同比+16%，归母净利润3.90亿元

234、，同比+83%。公司多晶硅抛光液/金属栅极抛光液等产品进入最终导入阶段，有望23年取得下游存储及逻辑客户新订单。沪硅产业：大硅片龙头沪硅产业：大硅片龙头鼎龙股份：鼎龙股份：CMP抛光垫龙头抛光垫龙头图：公司营收图：公司营收/净利润净利润(亿元亿元)及毛利率及毛利率/净利率净利率(%)2022年，公司实现营收10.77亿元，同比+57%，归母净利润3.01亿元，同比+141%。公司基于氧化铈磨料的抛光液产品突破技术瓶颈，目前已在3D NAND先进制程中实现量产并在逐步上量。安集科技：抛光液龙头安集科技：抛光液龙头数据来源：Wind，沪硅产业2022年年报，鼎龙股份2022年年报，安集科技2022

235、年年报，长城证券产业金融研究院23.08%21.99%14.55%13.10%15.96%22.72%24.25%31.37%0.96%-6.78%4.97%5.90%9.57%13.87%-10%-5%0%5%10%15%20%25%30%35%-505540总营收(亿元)净利润(亿元)毛利率(%)净利率(%)37.21%38.87%35.66%32.77%33.44%38.09%34.64%20.16%20.28%1.43%-7.21%10.40%16.69%7.13%-15%-5%5%15%25%35%45%55%-5051015202530总营收(亿元)净利润(亿

236、元)毛利率(%)净利率(%)55.58%51.10%50.25%52.03%51.08%54.21%56.24%17.10%18.14%23.07%36.46%18.22%27.99%28.28%0%10%20%30%40%50%60%70%024681012总营收(亿元)净利润(亿元)毛利率(%)净利率(%)国内存储涉及封测端公司国内存储涉及封测端公司96图：深科技近年来营收图：深科技近年来营收/净利润净利润(亿元亿元)及毛利率及毛利率/净利率净利率(%)图：华天科技近年来营收图：华天科技近年来营收/净利润净利润(亿元亿元)及毛利率及毛利率/净利率净利率(%)2022年，公司实现营收161.

237、18亿元，同比-2%，归母净利润6.59亿元，同比-15%。其中2022年存储半导体营收26.47亿元，占总营收比重的16%。2022年公司子公司合肥沛顿存储已具备不同类型存储芯片（DRAM、LPDDR4、LPDDR5、eSSD、eMMC）的8层堆叠产品量产能力。2022年，公司实现营收119.06亿元，同比-2%，归母净利润7.54亿元，同比-47%。2022年公司完成3D FO SiP封装工艺平台、基于TCB工艺的3D Memory封装技术的开发；基于232层3DNAND Flash Wafer DP工艺的存储器产品、长宽比达7.7:1的侧面指纹、PAMiD等产品均已实现量产。深科技：深科

238、技：EMS厂商转舵半导体存储封测厂商转舵半导体存储封测华天科技：国内一站式封测龙头华天科技：国内一站式封测龙头数据来源：Wind，深科技2022年年报，华天科技2022年年报，长城证券产业金融研究院6.40%4.70%9.53%11.33%9.64%12.02%10.75%4.04%3.52%3.34%6.37%5.06%4.27%3.12%0%2%4%6%8%10%12%14%0204060800180总营收(亿元)净利润(亿元)毛利率(%)净利率(%)17.90%16.32%16.33%21.68%24.61%16.84%3.99%7.80%6.03%3.61%9.7

239、9%14.20%8.59%-5.66%-10%-5%0%5%10%15%20%25%30%-20020406080100120140总营收(亿元)净利润(亿元)毛利率(%)净利率(%)国内存储涉及封测端公司国内存储涉及封测端公司97图：长电科技近年来营收图：长电科技近年来营收/净利润净利润(亿元亿元)及毛利率及毛利率/净利率净利率(%)图：通富微电近年来营收图：通富微电近年来营收/净利润净利润(亿元亿元)及毛利率及毛利率/净利率净利率(%)2022年，公司实现营收337.6亿元，同比+11%，归母净利润32.3亿元，同比+9%。在半导体存储领域，公司封测服务覆盖DRAM，Flash等各种存储芯

240、片产品，拥有20多年memory封装量产经验，16层NAND flash堆叠，35um超薄芯片制程能力，Hybrid异型堆叠等，都处于国内行业领先的地位。2022年公司实现营收214.29亿元，同比+36%；归母净利润5.02亿元，同比-48%。2022年，公司存储器业务同比增长55.9%。公司处于存储器封测领域国内第一方队，在DRAM和NAND方面持续布局，产品覆盖PC端、移动端及服务器，在高堆叠，嵌入式，2.5D/3D等高规格产品持续发力。长电科技：国内先进封测龙头长电科技：国内先进封测龙头通富微电：背靠通富微电：背靠AMD大客户，先进封装领先大客户，先进封装领先数据来源：Wind，长电科

241、技2022年年报，通富微电2022年年报，长城证券产业金融研究院11.43%11.18%15.46%18.41%17.04%11.84%-3.88%0.41%4.93%9.71%9.57%1.88%-5%0%5%10%15%20%0500300350400总营收(亿元)净利润(亿元)毛利率(%)净利率(%)15.90%13.67%15.47%17.16%13.90%9.45%2.12%0.45%3.61%6.11%2.48%0.23%0%2%4%6%8%10%12%14%16%18%20%0500总营收(亿元)净利润(亿元)毛利率(%)净利率(%)9

242、8 宏观经济波动、新冠疫情反复等系统性风险宏观经济波动、新冠疫情反复等系统性风险 政策利好可能低于预期政策利好可能低于预期 半导体贸易战加剧导致产业链发展国产化进程可能低于预期半导体贸易战加剧导致产业链发展国产化进程可能低于预期 半导体产业链可能存在供大于求导致价格下降半导体产业链可能存在供大于求导致价格下降风险提示风险提示风险提示风险提示99研究员承诺研究员承诺本报告署名分析师具有中国证券业协会授予的证券投资咨询执业资格或相当的专业胜任能力，在执业过程中恪守独立诚信、勤勉尽职、谨慎客观、公平公正的原则，独立、客观地出具本报告。本报告反映了本人的研究观点，不曾因，不因，也将不会因本报告中的具体

243、推荐意见或观点而直接或间接接收到任何形式的报酬。特别声明特别声明证券期货投资者适当性管理办法、证券经营机构投资者适当性管理实施指引（试行）已于2017年7月1日 起正式实施。因本研究报告涉及股票相关内容，仅面向长城证券客户中的专业投资者及风险承受能力为稳健型、积极型、激进型的普通投资者。若您并非上述类型的投资者，请取消阅读，请勿收藏、接收或使用本研究报告中的任何信息。因此受限于访问权限的设置，若给您造成不便，烦请见谅！感谢您给予的理解与配合。研究员承诺与特别声明研究员承诺与特别声明100免责声明免责声明长城证券股份有限公司（以下简称长城证券）具备中国证监会批准的证券投资咨询业务资格。本报告由长

244、城证券向其机构或个人客户（以下简称客户）提供，除非另有说明，所有本报告的版权属于长城证券。未经长城证券事先书面授权许可，任何机构和个人不得以任何形式翻版、复制和发布，亦不得作为诉讼、仲裁、传媒及任何单位或个人引用的证明或依据，不得用于未经允许的其它任何用途。如引用、刊发，需注明出处为长城证券研究所，且不得对本报告进行有悖原意的引用、删节和修改。本报告是基于本公司认为可靠的已公开信息，但本公司不保证信息的准确性或完整性。本报告所载的资料、工具、意见及推测只提供给客户作参考之用，并非作为或被视为出售或购买证券或其他投资标的的邀请或向他人作出邀请。在任何情况下，本报告中的信息或所表述的意见并不构成对

245、任何人的投资建议。在任何情况下，本公司不对任何人因使用本报告中的任何内容所引致的任何损失负任何责任。长城证券在法律允许的情况下可参与、投资或持有本报告涉及的证券或进行证券交易，或向本报告涉及的公司提供或争取提供包括投资银行业务在内的服务或业务支持。长城证券可能与本报告涉及的公司之间存在业务关系，并无需事先或在获得业务关系后通知客户。长城证券版权所有并保留一切权利。免责声明免责声明101长城证券投资评级说明长城证券投资评级说明公司评级：买入预期未来6个月内股价相对行业指数涨幅15%以上;增持预期未来6个月内股价相对行业指数涨幅介于5%-15%之间;持有预期未来6个月内股价相对行业指数涨幅介于-5%-5%之间;卖出预期未来6个月内股价相对行业指数跌幅5%以上.行业评级：强于大市预期未来6个月内行业整体表现战胜市场;中性预期未来6个月内行业整体表现与市场同步;弱于大市预期未来6个月内行业整体表现弱于市场。长城证券投资评级说明长城证券投资评级说明谢谢！谢谢！长城证券股份有限公司深圳市福田区金田路2026号能源大厦南塔楼10-19层报告日期：2023年7月11日