1、入大量资金.在过去20年中,半导体研发支出总额每年接近该行业全球收入的15相当于制药和生物技术领域的研发支出.图2:半导体生产半导体生产过程可分为三个主要步骤:设计制造和组装.这个行业基于两种主要的商业模式,一方面,集成设计制造商IDM,如。

2、共为185万个美国就业岗位提供了支持.该行业在研发设计和制造活动等方面直接雇用了27.7万多名家庭佣工.2020年半导体产业对美国的经济影响SIA预计,一项500亿美元的国内半导体制造业联邦投资计划,将为美国经济每年增加246亿美元,并将在。

3、汽车芯片主要包括以 MCU 为代表的数字芯片以 MOSFETIGBT 为代表的功率芯片以及 模拟芯片.pp汽车硅含量显著提升,全球车用芯片陷入短缺.相比于传统汽车,新能源汽车单车所需 要的半导体芯片将会大增.根据世界先进,2020 年每辆。

4、汽车:断崖式缺货将缓解,长期紧张持续pp虽然汽车电子需求正快速增长,但占半导体总产能比例有限.一般而言,由于车用芯片型号 固定,需求稳定,并不易出现缺货现象.但此轮缺货潮却始于汽车行业的断崖式缺芯, 究其原因,我们认为主要有以下几点:pp。

5、产能紧张及地缘政治因素带来国产替代契机,部分企业开始崭露头角.20172018 年前后,全球功率半导体产能紧张,海外厂商器件交期延长,客户需求得不到满足.由此部分国内客户开始对国产功率器件进行供应认证,按下了功率半导体国产替代加速键.此外。

6、物联网发展进程:云端训练与终端推理人工智能的实现分为训练过程与推理过程,由云端进行训练,由终端设备进行推理.训练过程:对海量历史数据进行分析处理,生成模型.训练过程耗时,对算力要求高.推理过程:根据训练好的模型,对新接受的数据进行推理判断。

7、纯视觉or多传感器融合,决策权重各有不同感知是实现自动驾驶极为重要的一环.只有车辆能够感知并且可以正确识别周围物体的时候,才能给决策机构正确的输入信号从而实现自动驾驶.主流的环境感知设备有摄像头超声波雷达毫米波雷达以及激光雷达等.从技术路线。

8、北斱华创:硅刻蚀领军者 北方华创自 2001年成立后便开始组建团队研发刻蚀技术 ,并于 2004年第一台设备成功起辉, 2005年第一台8英寸ICP刻蚀机上线,是我国自主研发的第一台干法刻蚀机 .凭借在等离子体控制反应腔室设计刻蚀工艺技术 。

9、全球供给和竞争格局:上游原材料制约供给释放,全球市场三足鼎立1 关键原材料垄断成为扩产瓶颈IC 载板在封装成本组成中占比 30.其余成本组成为包装材料20设备贬值25以及测试检验25.IC 载板的材料组成包括铜箔基板干膜湿膜以及铜球金盐等金。

10、单晶炉和光伏切割设备是单晶硅制造的核心设备,合计市场规模预计超 200 亿元.单晶炉开方机切片机磨床等设备均为单晶硅生产和单晶硅片加工的核心设备,新增单晶硅产能所带来的配套需求驱动核心设备进入放量期.根据连城数控公开发行说明书披露,建设 1。

11、滤波器:由于发射和接收通路都必须含有滤波器,因此新增频段44 MIMO 都带动滤波器需求增长.同时载波聚合技术亦会带动多工器需求性能显著提升.预计 2020 年 5G 手机滤波器单机用量从 4G 手机的 35 颗增长到 75 颗,单机价值量。

12、中低容量特殊利基型 DRAM 需求超过供给:归因于数位电视,机上盒,WiFi 56, 安防, 路由器, Modem, AIOT, 白色家电, 工业IPC 对小容量 DRAM 内存的需求稳定增长,加上海力士产能转 CMOS 感测器明显退出中低。

13、 智能空调在自动控温的基础上新增SoC实现AI语音识别,具有自动识别调节控制等功能,侦测室外气候与室内温度湿度,通过主控芯片分析调节温度与湿度,通过手机实现的开关机与温度调节. 智能冰箱新增SoC实现图像识别与AI互动,嵌入智慧屏幕并包含语。

14、国内存储器扩产,利好于设备,封测,模组,洁净室总包设计:虽然我们预期国内 3D NAND 大厂长江存储及 Mobile DRAM 大厂合肥长鑫短期内因设计及晶圆制造技术工艺的差距与庞大的折旧费用而无法获利,但不同于晶圆代工行业时时刻刻在等待。

15、芯片产能紧张,制造封测进入新一轮涨价周期.关注卡脖子领域和大芯片,半导体设计进入深水区.半导体设备和材料行业持续景气.2020年半导体材料获得融资项目超过40个总融资金额或超120亿人民币.2020年半导体设备获得融资项目超过35个总融资金。

16、半导体硅片行业属于技术密集型行业资金密集型行业,行业进入壁垒极高.半导体硅片制造包括硅单晶生长切割研磨抛光研磨清洗热处理外延硅片分析等多个环节,涉及一系列的技术积累;具有技术优势的半导体硅片企业会通过申请专利为自身的技术提供保护,构建护城河。

17、陶瓷高压真空继电器是将触点置于高真空的陶瓷腔体内,以真空作为灭弧和绝缘介质的继电器,具有耐击穿电压高熄弧快体积小重量轻寿命长等优点,在相同的体积下,其额定工作电压通常是普通非密封继电器的10 倍以上.陶瓷高压真空继电器主要在军用短波通信超视。

18、GaN 作为第三代半导体具有宽带隙3.4 eV击穿场强大3.3 MW cm电子饱和漂移速度高2.7 107 cm s等物理结构优势.在以往的半导体材料中,Si 是目前集成电路及半导体器件的主要材料,但其带隙窄,击穿电压低,在高频高功率器件的。

19、半导体公司今年采取一些由新冠疫情驱使的成本削减措施,包括裁员和减少商务旅行.虚拟工作环境迫使半导体公司的工作方式变得更具创造性和灵活性,而且现在似乎已经准备好作出一些持久性的变革.与去年相比,较少的受访著计划扩关其员工规模今年这比例为63。

20、截至21年中报,A股半导体板块基金持仓市值占总市值比例为11.7,比例创下历史新高.年初受南下资金偏好影响,中芯华虹港股通持股占港股流通盘比例提升,三季度以来,中芯华虹的港股通持股比例持续下降,截至2021年10月29日,中芯国际的港股通持。

21、近年来,国内企业碳化硅衬底的制造工艺水平也不断提升.衬底良品率呈上升趋势,衬底良品率体现为单个半导体级晶棒经切片加工后产出合格衬底的占比,受晶棒质量切割加工技术等多方面的影响.国内碳化硅衬底公司山东天岳,据公司招股书披露,核心生产环节的晶棒。

22、芯片从功能上可分为通用ICCPU等和专用ICASIC;从结构上可分为数字IC逻辑芯片微处理器,模拟IC信号链电源管理以及存储器.为满足不同功能和不同结构的IC设计需求,从实现方法上可将其分为全定制设计和半定制设计.全定制设计是指基于晶体管级。

23、SiC MOSFET 具备一定优势,但成本较高.就器件类型而言,SiC MOSFET 与 Si MOSFET 相似.但是,SiC 是一种宽带隙WBG材料,其特性允许这些器件在与 IGBT相同的高功率水平下运行,同时仍然能够以高频率进行开关。