《半导体设备行业专题报告二：全球逻辑、NAND、DRAM扩产周期下TOP5半导体设备企业成长复盘先进工艺塑造成长天花板-231022（29页）.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《半导体设备行业专题报告二：全球逻辑、NAND、DRAM扩产周期下TOP5半导体设备企业成长复盘先进工艺塑造成长天花板-231022（29页）.pdf（29页珍藏版）》请在三个皮匠报告上搜索。

1、 本报告版权属于安信证券股份有限公司，各项声明请参见报告尾页。1 20232023 年年 1010 月月 2222 日日 半导体设备半导体设备 行业专题行业专题 全球全球逻辑逻辑/NANDNAND/DRAM/DRAM 扩产扩产周期周期下，下，TOP5TOP5 半导半导体设备企业成长复盘体设备企业成长复盘：先进工艺先进工艺塑造成长天花塑造成长天花板板 半导体设备半导体设备专题报告二专题报告二 证券研究报告证券研究报告 投资评级投资评级 领先大市领先大市-A A 维持维持评级评级 行业表现行业表现 资料来源：Wind 资讯 升幅升幅%1M1M 3M3M 12M12M 相对收益相对收益 13.1 5

2、.9 9.2 绝对收益绝对收益 7.8-2.3 2.7 郭倩倩郭倩倩 分析师分析师 SAC 执业证书编号：S04 胡园园胡园园 联系人联系人 SAC 执业证书编号：S05 相关报告相关报告 订单兑现业绩继续高增，“周期复苏”+“先进工艺”成为市场预期关键半导体设备行业 2023 年中报总结 2023-09-04 半导体工艺控制设备，芯片良率关键，国产化率不足5%，替代空间大 2023-07-04 收入盈利订单三重上修，平台化更显竞争力 半导体设备板块 2022 年年报及 2023 年一季报总结 2023-05-16 综述综述：我们复盘逻辑、NAND、

3、DRAM 三大核心下游的技术变革和扩产周期，以及全球 TOP5 半导体设备企业的成长路径，定性定量分析半导体设备成长与下游之间的关系，对标国内市场及格局，得出结论：下游角度长期来看，逻辑和存储先进工艺的突下游角度长期来看，逻辑和存储先进工艺的突破是半导体设备企业成长天花板的关键，也是市场预期的关破是半导体设备企业成长天花板的关键，也是市场预期的关键键，在先进工艺阶段掌握核心技术的设备企业将享有市场更高在先进工艺阶段掌握核心技术的设备企业将享有市场更高的估值溢价的估值溢价。全球市场全球市场：逻辑围绕摩尔定律，存储围绕逻辑围绕摩尔定律，存储围绕 3D3D 化化+价格周期价格周期 2009-2022

4、 年，全球半导体产品市场销售规模复合年增速 7.4%，反馈到半导体设备，全球 TOP5 企业 ASML/AMAT/Lam/TEL/KLA 分别实现收入复合增速 19.2%/13.4%/23.4%/9.3%/14.9%，体现超越终端产品的高增速。复盘半导体设备直接下游逻辑/NAND/DRAM扩产，可以发现：1）逻辑芯片扩产重点围绕“摩尔定律”，2018-2022 年先进工艺扩产给设备公司带来更陡峭成长曲线，ASML/AMAT/Lam/TEL/KLA分别实现相关销售收入 28%/37%/41%/33%/48%的复合增速。2）存储扩产重点围绕“价格周期”，其中，NAND 芯片 2013-2018年

5、3D 化渗透驱动半导体设备公司成长超越“价格周期”；DRAM进入 10nm+节点微缩放缓，扩产重点围绕“价格周期”，波动相对更大。龙头复盘：龙头复盘：成熟制程完成卡位优势，技术革新塑造陡峭成长成熟制程完成卡位优势，技术革新塑造陡峭成长 1）ASML：光刻设备龙头，受益逻辑/存储进入 EUV 时代，2017-2022 年 EUV 设备销售收入复合增速 46%，至 2022 年收入规模达到 70.8 亿欧元，占设备系统收入比例 46%。2）AMAT：平台化龙头，逻辑芯片扩产最大设备供应商，2022 年逻辑/代工相关销售收入 135.7 亿美元，占设备收入比例 70%。3）Lam：深耕刻蚀和沉积，N

6、AND 芯片扩产最大设备供应商，2022 年NAND 相关销售收入 74.7 亿美元，占比 39%。4）TEL：日系平台化龙头，2022 年半导体设备销售收入（不含服务）中逻辑/DRAM/NAND 占比 62.5%/17.7%/19.8%，2018-2022 年深-14%-4%6%16%26%36%--10半导体设备半导体设备沪深沪深300300 本报告版权属于安信证券股份有限公司，各项声明请参见报告尾页。2 行业专题行业专题/半导体设备半导体设备 度受益先进逻辑扩产。5）KLA：半导体量检测设备龙头，2015 年进入高速成长期，前期受益存储，后

7、期受益先进逻辑扩产。中国市场：国产替代成效显著，中国市场：国产替代成效显著，先进工艺突破成为天花板关键先进工艺突破成为天花板关键 根据我们不完全统计，目前内资 12 吋在建晶圆厂合计规划产能达 175 万片/月，合计投资金额超 1000 亿美元，其中 NAND/DRAM/逻辑代工等投资占比分别为 21%/24%/54%。2018 年以来，半导体设备国产替代成效显著，根据我们的测算，中国大陆国产比例从 2018 年的约 5.2%提升至 2022 年的 14.5%，期间北方华创/中微公司/盛美上海/拓荆科技/华海清科/芯源微半导体设备相关收入分别实现 55%/29%/51%/122%/159%/6

8、0%的复合 增速，量检测设备板块国产化率仍不足 5%。对比全球半导体设备龙头，北方华创发展对标应用材料，产品布局全面，中微公司对标泛林，深耕刻蚀+CVD/ALD 领域。下游角度分析，长期来看，未来逻辑和存储先进工艺的突破将成为半导体设备成长天花板的关键，也是市场预期的关键，在先进工艺阶段掌握核心技术的设备企业将享有市场更高的估值溢价。投资建议：投资建议：规模化角度看规模化角度看，AMAT 重点受益先进逻辑扩产，泛林重点受益存储扩产；对比国内格局，北方华创对标应用材料，中微对标泛林，其中，CVD 设备独立于二者由拓荆科技供应，因此：1 1）逻辑设备角度，推荐：北方华创、拓荆科技；）逻辑设备角度，

9、推荐：北方华创、拓荆科技；2 2）存储设备角度，推荐：中微公司、拓荆科技；）存储设备角度，推荐：中微公司、拓荆科技；增速角度看增速角度看，在 2018-2022 年 7/5nm 先进逻辑扩产周期内，全球 TOP5 厂商中KLA 增速最高，主要在于工艺微缩给晶圆制造良率提出更高要求，由此带来量检测设备需求增加。对比国内市场，量检测板块仍处于 0-1 突破阶段，国产化率仍不足 5%，未来将首先经历 0-1、1-n 的国产替代阶段，推荐：精测电子、中科飞测。推荐：精测电子、中科飞测。内资逻辑/存储晶圆厂继续扩产以及国产替代下，其他设备环节也将继续受益，建议关注：华海清科、芯源微、盛美上海、万业企业、

10、至纯科技。建议关注：华海清科、芯源微、盛美上海、万业企业、至纯科技。风险提示：风险提示：1）终端需求复苏不及预期、中美科技博弈影响海外核心设备供应，从而导致晶圆厂扩产及国产设备招标不及预期，影响内资半导体设备企业订单；2）半导体设备国产化推进不及预期；3）统计误差导致测算数据失真；4）本文结论推导以全球半导体设备产业在逻辑/NAND/DRAM 扩产周期下的发展驱动为基础，受发展环境、管理风格等因素影响，国内产业实际发展可能有所差异。1WwUMBfUdUkWqMqM6MdN6MtRpPnPnOeRoPqQkPsQsR6MpOoONZqQsPxNnMpM行业专题行业专题/半导体设备半导体设备 本报

11、告版权属于安信证券股份有限公司，各项声明请参见报告尾页。3 内容目录内容目录 1.全球市场：逻辑围绕“摩尔定律”，存储围绕“3D 化+价格周期”.5 1.1.半导体设备：受益逻辑/存储扩产，享超越终端 高增速.5 1.2.逻辑扩产：围绕“摩尔定律”，先进制程贡献更陡峭成长曲线.6 1.3.存储扩产：围绕“价格周期”，波动相对更大.9 1.3.1.NAND：3D 化技术+价格周期驱动，刻蚀设备需求大幅增加.9 1.3.2.DRAM：10nm+节点微缩放缓，设备成长与 DRAM 价格周期高度相关.12 2.龙头复盘：成熟制程完成卡位，技术革新塑造陡峭成长.14 2.1.ASML：光刻设备龙头，深度

12、受益 EUV 垄断.14 2.2.AMAT：平台化龙头，全球逻辑扩产最大设备供应商.15 2.3.Lam：深耕刻蚀+沉积，全球 NAND 扩产最大设备供应商.16 2.4.TEL：日系平台化龙头，先进逻辑扩产为近年主要增长引擎.17 2.5.KLA：半导体量检测设备龙头，逻辑收入 CAGR2018-2022高达 48%.18 3.中国市场：国产替代成效显著，先进工艺突破成为天花板关键.20 3.1.内资扩产：在建产线投资额 NAND/DRAM/逻辑分别占比约 21%/24%/54%.20 3.2.大陆格局：国产替代成效显著，国产合计营收 CAGR2018-2022达 54%.21 3.3.后市

13、展望：“周期复苏+先进工艺+存储突破”成为预期关键.24 3.3.1.市场预期一：终端需求何时再起？.24 3.3.2.市场预期二：先进工艺何时突破和放量？.25 4.投资建议.27 5.风险提示.27 图表目录图表目录 图 1.2009-2022 全球半导体市场销售额（亿美元）.5 图 2.半导体各产业链主要公司 2009-2022 年营收复合增速对比.5 图 3.FY2004-2022 全球头部半导体设备企业销售规模增长情况（亿美元）.6 图 4.2008Q3-2023Q2 台积电各工艺节点营收变化（亿美元）.6 图 5.FY2006-2023E 台积电平均月产能及资本支出情况.7 图 6

14、.不同制程逻辑芯片扩产对应半导体设备投资额（亿美元/万片月产能）.7 图 7.逻辑扩产下 ASML/AMAT/Lam/TEL/KLA 逻辑/代工营收增速对比.8 图 8.全球 NAND 发展路线图.9 图 9.3D NAND 光刻/干法刻蚀/沉积环节制造设备市场规模预测.10 图 10.逻辑/DRAM/NAND 先进工艺阶段光刻机用量测算.10 图 11.2013 年至今 NAND 价格周期与半导体设备企业 NAND 相关收入周期对比.11 图 12.DRAM 发展路线图.12 图 13.2011 至今 DRAM 价格周期与半导体设备企业 DRAM 相关收入周期对比.13 图 14.全球半导体

15、设备格局综述.14 图 15.2013-2022 年 ASML 光刻设备系统收入各类设备贡献情况.15 图 16.2013-2022 年 ASML 设备系统收入中存储/逻辑贡献情况.15 图 17.CY2016-2022 年 AMAT 营收产品结构及增速（亿美元，%）.16 图 18.CY2010-2022 年 AMAT 设备系统收入下游结构（亿美元）.16 图 19.3D NAND 结构及 Lam Research 对应工艺产品组合.17 图 20.CY2014-2022 年 Lam Research 销售收入下游结构（亿美元）.17 图 21.FY2016-2023 年 TEL 营业收入情

16、况（10 亿日元）.18 行业专题行业专题/半导体设备半导体设备 本报告版权属于安信证券股份有限公司，各项声明请参见报告尾页。4 图 22.FY2023 年 TEL 半导体设备营收结构.18 图 23.CY2016-2022 年 TEL 半导体设备（SPE-设备）销售收入下游结构（亿日元）.18 图 24.FY2005-2022 年 KLA 总营业收入及增速（亿美元，%）.19 图 25.CY2017-2022 年 KLA 半导体工艺控制设备销售收入下游结构（亿美元）.19 图 26.全球 TOP5 中国大陆销售收入和国产半导体设备企业收入比例对比 2018VS2022.21 图 27.中芯国

17、际 2020Q1-2023Q2 各地区收入变化.24 图 28.中芯国际 2020Q1-2023Q2 产能及产能利用率变化情况.24 图 29.2019Q1-2023Q2 各季度 ASML 中国大陆设备系统收入及占比情况.25 图 30.2019Q1-2023Q2 各季度 ASML EUV 和 ArFi 机台销售情况（台/套）.25 表 1：内资 12 吋晶圆厂在建产线汇总（不完全统计，2023Q4 更新）.20 表 2：2018-2022 年国产半导体设备企业半导体相关营收情况及增速.21 表 3：主要半导体前道设备公司各产品线及客户拓展进展情况.22 表 4：全球 TOP5 半导体设备企业

18、和内资半导体设备公司产品布局对比.26 表 5：半导体设备板块重点关注公司盈利预测.27 行业专题行业专题/半导体设备半导体设备 本报告版权属于安信证券股份有限公司，各项声明请参见报告尾页。5 1.1.全球全球市场市场：逻辑围绕“摩尔定律”，存储围绕“逻辑围绕“摩尔定律”，存储围绕“3D3D 化化+价格周期”价格周期”1.1.1.1.半导体设备：半导体设备：受益受益逻辑逻辑/存储扩产，享超越存储扩产，享超越终端终端高高增速增速 拉长时间维度，2009 年以来，继续受智能手机、IoT 等创新下游驱动，全球半导体产品市场销售额从 2009 年的 2263 亿美元，增长至 2022 年的 5735

19、亿元，复合年增速 7.4%。对比分析产业链各环节主要头部公司 2009-2022 年收入复合增速情况，可以发现，除了受益行业的发展，各环节头部公司凭借自身技术等核心壁垒享有超越的超额增速，设计环节高通/英伟达/AMD/联发科分别实现年复合增速 11.8%/17.2%/12%/13.2%，存储环节镁光复合年增速 15.4%，代工环节台积电复合增速 17.3%，设备环节头部企业增速更为显著，设备环节头部企业增速更为显著，ASMLASML/应用材料应用材料/泛林泛林/东京电子东京电子/科磊分别实现复合年增速科磊分别实现复合年增速 1 19.2%/13.4%/23.4%/9.2%/13.4%/23.4

20、%/9.3%/9.3%/14.9%14.9%。图图1.1.2009-2022 全球半导体市场销售额（亿美元）全球半导体市场销售额（亿美元）资料来源：WSTS，icspec,上海集成电路产业发展研究报告，安信证券研究中心 图图2.2.半导体各产业链主要公司半导体各产业链主要公司 2009-2022 年营收复合增速对比年营收复合增速对比 资料来源：Wind，安信证券研究中心 本质上来看，全球半导体行业是摩尔定律与终端应用创新相互促进下，台式机移动 PC智能手机AIoT/汽车/高性能计算的创新周期更迭的结果。反应到半导体设备行业，从下游来看，则直接得益于逻辑（包括代工、反应到半导体设备行业，从下游来

21、看，则直接得益于逻辑（包括代工、IDMIDM 厂等）、厂等）、DRAMDRAM、NANDNAND 三大主线下游的变革与扩产。三大主线下游的变革与扩产。因此，我们分别复盘逻辑、存储（DRAM 和 NAND）的扩产周期，研究其对半导体设备企业的影响，可以发现：1）全球成熟工艺扩产阶段，半导体设备厂商完善自身产品布局，凭借行业高壁垒特性形成卡位优势，收入则围绕终端“库存周期”呈现波动状态；2263 2983 2995 2916 3056 3358 3352 3389 4122 4688 4120 4404 5559 5735-9.0%31.8%0.4%-2.6%4.8%9.9%-0.2%1.1%21

22、.6%13.7%-12.1%6.8%26.2%10.4%-15%-10%-5%0%5%10%15%20%25%30%35%004000500060007000200920000022全球半导体市场销售额（亿美元）YoY2009200920222022CAGRCAGR-20222009200920222022CAGRCAGR-2022ASML2322619.2%19.2%高通10422611.8%11.8%应用材料5025813.4%1

23、3.4%英伟达3425817.2%17.2%泛林1117223.4%23.4%AMD5417212.0%12.0%科磊159214.9%14.9%联发科369213.2%13.2%东京电子521649.3%9.3%迪恩士22343.2%3.2%镁光4830815.4%15.4%台积电9373917.3%17.3%Intel3516314.6%4.6%联电43946.6%6.6%德州仪器1042005.1%5.1%英飞凌441409.3%9.3%营业收入（亿美元）营业收入（亿美元）营业收入（亿美元）营业收入（亿美元）代工代工设备设备存储存储IDMIDM设计设计行业专题行业专题/半导体设备半导体设

24、备 本报告版权属于安信证券股份有限公司，各项声明请参见报告尾页。6 2）逻辑芯片的扩产重点围绕“摩尔定律”，先进制程给设备公司带来更陡峭的成长曲线；3）存储芯片的扩产重点围绕“价格周期”，周期性强，波动相对更大。4）技术驱动周期更长，价格周期则相对更短。图图3.3.FY2004-2022 全球头部半导体设备企业销售规模增长情况（亿美元）全球头部半导体设备企业销售规模增长情况（亿美元）资料来源：Wind，安信证券研究中心 1.2.1.2.逻辑逻辑扩产扩产：围绕“摩尔定律”，围绕“摩尔定律”，先进制程贡献先进制程贡献更陡峭成长曲线更陡峭成长曲线 以全球晶圆代工龙头台积电为例，拆分复盘历年其营收中各

25、工艺节点扩张和贡献周期：40/45nm（2009Q1-2011Q2）、28nm（2011Q4-2014Q2）、20/16nm（2014Q3-2016Q4）、7nm（2018Q3-2020Q3）、5nm（2020Q3-2022Q4）。图图4.4.2008Q3-2023Q2 台积电各工艺节点营收变化（亿美元）台积电各工艺节点营收变化（亿美元）资料来源：台积电官网，安信证券研究中心 行业专题行业专题/半导体设备半导体设备 本报告版权属于安信证券股份有限公司，各项声明请参见报告尾页。7 综合资本支出节点，可以发现：1）20142014 以前：成熟制程演变及扩产期。以前：成熟制程演变及扩产期。尤其 20

26、10 年开始进入 28nm 突破期，台积电每年资本支出明显上升，随着 28nm 逐步扩产，其资本支出从 60 亿美元左右逐步抬升至接近100 亿美元；2）2 2：2 20 0/1616/1010nmnm 扩产期。扩产期。随着 2015 年下半年 16nm FinFET 制程正式量产，台积电进入 16nm 扩产及更先进制程研发周期，资本支出超 100 亿美元，再上新台阶；3）2 2 年：年：7nm7nm/5/5nmnm 扩产期。扩产期。随着 2018 年台积电 7nm 制程正式量产，逻辑制程进入EUV 时代，其资本支出高速增长，同时叠加

27、疫情缺芯的加速催化，台积电积极扩产，资本支出从 2018 年的 105 亿美元增长至 2022 年的 356 亿美元，四年复合增速 36%。图图5.5.FY2006-2023E台积电平均月产能及资本支出情况台积电平均月产能及资本支出情况 资料来源：台积电官网，安信证券研究中心 图图6.6.不同制程逻辑芯片扩产对应半导体设备投资额（亿美元不同制程逻辑芯片扩产对应半导体设备投资额（亿美元/万片月产能）万片月产能）资料来源：中芯国际招股书，IBS，安信证券研究中心 4.3 5.0 6.2 7.9 9.5 12.5 16.9 22.8 31.1 43.0 05540455090n

28、m65nm45nm28nm20nm16/14nm10nm7nm5nm3nm半导体设备投资额(亿美元/万片月产能)行业专题行业专题/半导体设备半导体设备 本报告版权属于安信证券股份有限公司，各项声明请参见报告尾页。8 先进工艺设备需求：先进工艺设备需求：1414nmnm 扩产扩产所需所需设备投资额约设备投资额约 2 28 8n nm m 节点节点 1.61.6 倍倍。复盘台积电看历年营收及资本支出情况，可以验证，随着逻辑制程从 28nm 逐步往先进制程走，其资本支出高速增长，即每万片晶圆月产能所对应半导体设备投资额大幅上升。根据 IBS 统计，28nm 节点扩产每万片月产能晶圆所需设备投资额约为

29、 7.9 亿美元，而到 14nm 则约为其 1.6 倍，5nm 则达到 31.3 亿美元，是 28nm 的四倍左右。最后，我们回到复盘历年逻辑扩产对半导体设备公司发展的影响，可以发现：1 1）2 2 年年 2 28 8nmnm 为主的扩产阶段：为主的扩产阶段：因 ASML/Lam/TEL/KLA 数据缺失，主要参考 AMAT逻辑设备销售收入情况，2010-2014 年分别为 39.7/37.3/42.9/39.3/36.2 亿美元，差差异不大。异不大。2）2 2 年年 2 20 0/1616nmnm 为主的为主的扩产阶段：扩产阶段：2

30、015 年，全球 PC 出货放缓、日本经济萎缩等背景下，半导体行业增速放缓，行业迎来需求低点。2016-2017 年，随着行业需求复苏以及技术端 FinFET 架构下 16nm 的扩产，半导体设备企业收入迎来修复与增长，到2017 年，ASML/AMAT/Lam/TEL/KLA 逻辑/代工设备销售收入规模分别达到 34.6 亿欧元/46.4/27.5/29/20.7 亿美元，可获取历年数据下均创新高。此阶段下，ASML/AMAT/Lam复合年增速也分别达到 28%/24%/16%。3）20 年年 7 7/5/5nmnm 为主的扩产阶段：为主的扩产阶段：此阶段，毋庸

31、置疑疫情诱发的全行业的“缺芯”奠定了行业高景气的基础，而反映到半导体设备端，除了终端需求以外，摩尔定律的迭代，7 7/5/5nmnm 先进制程设备投资密度的剧增驱动了头部半导体设备企业更陡峭的成长曲线。先进制程设备投资密度的剧增驱动了头部半导体设备企业更陡峭的成长曲线。2018-2022 年，ASML/AMAT/Lam/TEL/KLA 逻辑/代工部分销售收入复合年增速分别达到28%/37%/41%/41%/48%，其中尤以全球量检测设备龙头尤以全球量检测设备龙头 KLAKLA 增速显著；而增速显著；而 AMATAMAT 也成长为也成长为全球逻辑全球逻辑/代工领域最大设备供应商代工领域最大设备供

32、应商，2022 年实现逻辑领域设备销售收入 135.7 亿美元。图图7.7.逻辑扩产下逻辑扩产下 ASML/AMAT/Lam/TEL/KLA逻辑逻辑/代工营收增速对比代工营收增速对比 注：1）ASML 选取其“设备系统”收入中来自逻辑（代工）部分；AMAT 选取其“半导体设备系统”中来自逻辑/代工收入；Lam 选取其总销售收入中来自逻辑/代工部分，即包含服务收入；TEL 选取其“半导体设备（SPE）”中来自逻辑/代工部分；KLA 选取其“半导体设备（设备+服务）”中来自逻辑/代工部分。2）因各公司“财年”周期差异，年度收入规模周期均调整为“日历年”。资料来源：各公司官网，安信证券研究中心 39

33、.7 37.3 42.9 39.3 36.2 30.0 42.4 46.4 38.6 56.3 68.8 104.8 135.7 020406080020000022ASML（亿欧元）AMAT（亿美元）Lam（亿美元）TEL（亿美元）KLA（亿美元）CAGRCAGR-2017CAGRCAGR-2022ASML28%28%AMAT24%37%Lam16%41%TEL-41%KLA-48%行业专题行业专题/半导体设备半导体设备 本报告版权

34、属于安信证券股份有限公司，各项声明请参见报告尾页。9 1.3.1.3.存储扩产：存储扩产：围绕“价格周期”，波动相对更大围绕“价格周期”，波动相对更大 1.3.1.1.3.1.NANDNAND：3 3D D 化化技术技术+价格周期驱动价格周期驱动，刻蚀，刻蚀设备需求大幅增加设备需求大幅增加 20132013 年量产端年量产端实现实现 2D2D 平面到平面到 3D3D 架构的重大转变架构的重大转变，3D3D NANDNAND 扩产周期开启扩产周期开启。1987 年东芝首先发明 2D NAND 技术，随后得到广泛应用；2007 年，在 VLSI 上东芝又首次提出 3D NAND，并将之命名为 Bi

35、CS，实现了 NAND 从 2D 平面到 3D 架构的重大技术转变。但 3D NAND 真正量产则由三星实现，2013 年，三星首次量产 24 层 128Gb 的 3D NAND 产品 V-NAND。之后十年时间，随着技术升级和终端应用对容量要求的提升，3D NAND 垂直堆叠层数及工艺复杂度越来越高，已突破至 200 层以上。面向未来容量角逐，头部厂商三星、海力士、美光也都公布了 3xx/4xx/5xx 开发规划。图图8.8.全球全球 NAND 发展路线图发展路线图 资料来源：Techsights，电子工程专辑，安信证券研究中心 3D3D NANDNAND 的扩产和堆叠层数的增加也驱动半导体

36、设备市场高速增长，尤其刻蚀和沉积设备的扩产和堆叠层数的增加也驱动半导体设备市场高速增长，尤其刻蚀和沉积设备价价值量大幅提升值量大幅提升。根据 Yole 测算，2019-2025 年，3D NAND 三大核心工艺设备中，刻蚀设备市场规模约占 69%-73%，沉积设备则约占 23-24%。在 3D NAND 制造工艺中，刻蚀环节工艺难点主要在于高深宽比（HAR）刻蚀，而沉积环节工艺难点则在于 ONON 堆栈沉积、硬掩模沉积以及字线填充。NANDNAND 光刻光刻需求需求：以：以 ArFiArFi、ArFArF、KrFKrF、I I-lineline 为主为主，价值量对叠层增加敏感度较小，价值量对叠

37、层增加敏感度较小。延展到制造工艺端，3D NAND 微缩主要体现在垂直方向的堆叠，因此，相对于其他存储和逻辑，其对光刻要求更加宽松，主要以 ArFi 和 ArF、KrF、I-line 等干法光刻设备为主。根据 ASML的测算，随着堆叠层数逐步迭代，NAND 所需光刻设备投资增速约为 10%，相较逻辑/DRAM 的30%/20%，变化较小。行业专题行业专题/半导体设备半导体设备 本报告版权属于安信证券股份有限公司，各项声明请参见报告尾页。10 图图9.9.3D NAND 光刻光刻/干法刻蚀干法刻蚀/沉积环节沉积环节制造设备市场规模预测制造设备市场规模预测 资料来源：Yole，安信证券研究中心 图

38、图10.10.逻辑逻辑/DRAM/NAND 先进工艺阶段光刻机用量测算先进工艺阶段光刻机用量测算 资料来源：ASML 官网，安信证券研究中心 最后，我们回到复盘 3D NAND 扩产周期及对半导体设备公司发展的影响，可以发现：1 1）2 2 年：年：受益受益 3D3D 结构化结构化技术驱动技术驱动，泛林，泛林成长为成长为 NANDNAND 设备设备最大供应商。最大供应商。2013 年三星首个量产 3D NAND 后，3D NAND 进入扩产周期，渗透率快速提升。受益 3D 结构化变革，半导体设备企业迎来第一轮高速增长期，至 2017 年下半年市场供需关系发生转变，

39、NAND 价格进入下行通道；反应到半导体设备企业，我们可以看到我们可以看到 AMATAMAT、LamLam、TELTEL 三家三家几乎几乎均在均在 2 2018018Q1Q1 迎来阶段性单季度收入最高点，随后伴随迎来阶段性单季度收入最高点，随后伴随 NANDNAND 价格下行共同经历价格下行共同经历 2 2H1H1 的下行周期的下行周期。年度来看，在这一轮技术变革驱动的成长周期中，应用材料 NVM 设备销售收入从 2013 年的12.3 亿美元增长至 2018 年的 35.6 亿美元，CAGR 达 42%；泛林 NVM 设备及服务收入从 2015年 16.3 亿美

40、元增长至 2018 年的 60.3 亿美元，CAGR 达 55%；东京电子 NVM 设备收入则从行业专题行业专题/半导体设备半导体设备 本报告版权属于安信证券股份有限公司，各项声明请参见报告尾页。11 2016 年的 10.9 亿美元增长至 2018 年的 35.8 亿美元，三年实现 3 倍多增长。泛林凭借其在刻蚀方面的优势和沉积设备的拓展，成长为 NAND 设备最大供应商。图图11.11.2013 年至今年至今 NAND 价格周期与半导体设备企业价格周期与半导体设备企业 NAND 相关收入周期对比相关收入周期对比 注：1）AMAT 选取其“半导体设备系统”中来自 NVM 收入，即不包含服务收

41、入；Lam 选取其总销售收入中来自NVM 的部分；TEL 选取其“半导体设备（SPE）”中来自NVM 收入，即不包含服务收入；2）因各公司“财年”周期差异，年度收入规模周期均调整为“日历年”。资料来源：各公司官网，安信证券研究中心 2 2）2 2 1 年：年：受益受益价格周期价格周期驱动驱动，AMATAMAT/LamLam/TEL/TEL NVMNVM 相关相关收入收入 CAGRCAGR 26%/39%/39%26%/39%/39%。2019 年下半年，NAND 市场价格重新进入上行通道，且一直持续到 2022Q1，随后受手机、PC为代表的消费电子需求走弱影响，NA

42、ND 价格由涨转跌。对应我们看到，半导体设备企业季度营收也陆续从 2019Q3 开始进入上升周期，至 2021Q1/2021Q2 达到阶段性高位。剔除季节0/62014/62015/62016/62017/62018/62019/62020/62021/62022/62023/6现货平均价:NAND Flash:32Gb 4Gx8 MLC现货平均价:NAND Flash:16Gb 2Gx8 MLC现货平均价:NAND Flash:64Gb 8Gx8 MLC6.5 9.7 6.3 12.3 11.1 18.7 29.1 37.3 35.6 20.3 27.7 32.4 26

43、.9 16.3 28.8 52.7 60.3 37.9 52.6 72.9 74.7 00708020000022AMAT（亿美元）Lam（亿美元）TEL（亿美元）16Q216Q216Q316Q3 16Q416Q4 17Q117Q1 17Q217Q2 17Q317Q3 17Q417Q4 18Q118Q1 18Q218Q2 18Q318Q3 18Q418Q4 19Q119Q1 19Q219Q2 19Q319Q3 19Q419Q4 20Q120Q1 20Q220Q2 20Q320Q3 20

44、Q420Q4 21Q121Q1 21Q221Q2 21Q321Q3 21Q421Q4 22Q122Q1 22Q222Q2 22Q322Q3 22Q422Q4 23Q123Q1 23Q223Q2AMAT-6%9%264%19%31%89%3%35%-4%-17%-25%-51%-41%-37%-40%8%23%33%86%111%13%-6%-23%-48%19%9%-25%-60%-79%Lam118%16%140%94%85%59%96%48%11%2%-1%-45%-35%-31%-35%3%16%51%95%84%62%56%-16%-14%-9%2%39%-44%-69%TEL62%7

45、5%29%185%148%58%138%122%59%43%3%-54%-82%-54%-45%-21%183%38%-21%140%111%-4%116%-25%-39%113%-23%-11%-44%NVM相关季度营收YoYNVM相关季度营收YoYCAGRCAGR-2018CAGRCAGR-2021AMAT24%26%Lam55%39%TEL-47%NAND 3DNAND 3D 结构化结构化 行业专题行业专题/半导体设备半导体设备 本报告版权属于安信证券股份有限公司，各项声明请参见报告尾页。12 性差异分析各季度营收同比增速，也可以发现应

46、用材料 NVM 收入在经历 2018Q2-2019Q4 七个季度的同比下滑后，在 2020Q1-2021Q2 进入同比正向增长阶段；泛林则在经历 2018Q4-2019Q4 五个季度的同比负增长后，在 202Q1-2021Q3 进入同比正增长阶段；趋势上看，东京电子同比正向增速阶段为 2020Q2-2021Q4。年度来看，2019-2021 年 NAND 价格上行周期下，头部半导体设备公司 AMAT/Lam/TEL 分别实现 NVM 相关销售收入复合年增速 26%/39%/39%，泛林、东京电子凭借其在刻蚀、沉积设备优泛林、东京电子凭借其在刻蚀、沉积设备优势相对应用材料实现更高复合增速。势相对

47、应用材料实现更高复合增速。1.3.2.1.3.2.DRAMDRAM：1 10 0nmnm+节点微缩放缓，设备成长与节点微缩放缓，设备成长与 DRAMDRAM 价格周期价格周期高度相关高度相关 DRAM 在进入 20nm 以下节点后，制程上的微缩相对放缓，头部存储厂商在 10nm+节点上，拓展 1x、1y、1z、1a（1）、1b（1）、1c（1）、1d（1）等工艺节点。目前，三星、海力士均规划在 2023 年量产 1b-nm；美光 1节点在 2022 年底量产，其下一代 1节点规划将在 2025 年上半年量产；国产厂商长鑫存储目前也将进入 1y 阶段。图图12.12.DRAM 发展路线图发展路线

48、图 资料来源：TechInsights，电子工程专辑，安信证券研究中心 光刻光刻需求需求：2 2019019 年年末末进入进入 EUVEUV 时代时代，1 1c c 节点节点 EUEUV V 投资占比近投资占比近 6 60%0%。最早，2019 年末三星在其 1x-nm DDR4 DRAM 模组上应用 EUV 技术，随后 2020 年宣布在其 1z-nm 工艺节点量产上导入 EUV 设备，生产 16GB LPDDR5；并预计在之后的工艺节点中持续导入 EUV 设备。海力士则在 2022 年在其 1a-nm 节点量产 EUV 技术，其在前序先进工艺节点依然采用基于 ArFi 的双重曝光技术。美光

49、对于 EUV 技术的应用则相对保守，预计 2024 年末在其日本工厂引入 EUV技术，用于 1芯片的生产。因此，我们可以看到，DRAM 也正逐步进入 EUV 时代，根据ASML 测算（图 10），每 10 万片月产能 1z-nm DRAM 扩产所需光刻设备花费中约 20%用于 EUV设备、20%用于 ArF 等干法设备以及 60%用于 ArFi；而到 1c-nm 节点，EUV 占光刻设备投资的比例将提升至 60%上下。行业专题行业专题/半导体设备半导体设备 本报告版权属于安信证券股份有限公司，各项声明请参见报告尾页。13 最后，我们分析 DRAM 周期下半导体设备企业的成长，对比设备企业 DR

50、AM 相关季度营收与DRAM 历年价格趋势，可以发现，其成长与 DRAM 价格周期高度相关：1 1）2 2012012Q4Q4-20142014Q3Q3 涨价周期：涨价周期：由于订单到验收确认收入之间存在时间差，因此各周期内设备公司营收高点基本稍晚于 DRAM 价格高点。2012-2015 年应用材料 DRAM 相关营收从3.3 亿美元增长至 15.6 亿美元，复合增速达 68%。2 2）20162016Q3Q3-20172017Q4Q4 涨价周期：涨价周期：设备公司在此轮价格周期下迎来新一轮成长，至 2018 年AMAT/Lam/TEL 分别实现 DRAM 相关设备收入 25.8/28.1/

51、24.4 亿美元，相差不大，对应2016-2018 年复合年增速分别为 52%/46%/70%，东京电子增速显著。3）2 2019019Q4Q4-20212021H1H1 涨价周期：涨价周期：此轮价格周期下，AMAT/Lam/TEL 相关设备销售收入在 2019-2021 年分别实现 37%/19%/26%的复合年增速。图图13.13.2011 至今至今 DRAM 价格周期与半导体设备企业价格周期与半导体设备企业 DRAM 相关收入周期对比相关收入周期对比 注：1）AMAT 选取其“半导体设备系统”中DRAM 部分收入，即不包含服务收入；Lam 选取其总销售收入中DRAM 部分；TEL 选取其

52、“半导体设备（SPE）”中 DRAM 部分收入，即不包含服务收入。2）因各公司“财年”周期差异，年度收入规模周期均调整为“日历年”。3）日元兑美元汇率取0.007 资料来源：DRAMexchange，各公司官网，安信证券研究中心 01234562011/122012/32012/62012/92012/122013/42013/72013/102014/22014/52014/82014/112015/32015/62015/92016/12016/42016/82016/112017/22017/62017/92017/122018/32018/72018/102019/12019/4201

53、9/72019/112020/22020/52020/82020/122021/32021/62021/92022/12022/42022/72022/102023/22023/52023/8现货平均价:DRAM:DDR3 4Gb 512Mx8 1600MHz现货平均价:DRAM:DDR3 2Gb 256Mx8 1600MHz现货平均价:DRAM:DDR3 4Gb 512Mx8 eTT16.2 6.0 3.3 5.5 12.5 15.6 11.1 18.4 25.8 19.1 24.5 35.8 31.2 05540200016

54、2002020212022AMAT（亿美元）Lam（亿美元）TEL（亿美元）CAGRCAGR-2018CAGRCAGR-2021AMAT52%37%Lam46%19%TEL70%34%行业专题行业专题/半导体设备半导体设备 本报告版权属于安信证券股份有限公司，各项声明请参见报告尾页。14 2.2.龙头复盘：成熟制程完成卡位，龙头复盘：成熟制程完成卡位，技术革新塑造陡峭成长技术革新塑造陡峭成长 前期成熟制程阶段，全球龙头半导体设备企业以技术为基础，与核心下游客户共同成长，完成了最重要的卡位优势的建立。全球半导体设备行业形成

55、了核心大赛道 2-3 家供应商头部集中，小赛道一家高垄断的竞争格局。此部分我们将从各龙头公司入手，结合核心下游扩产，复盘龙头设备公司成长的核心驱动。图图14.14.全球半导体设备格局综述全球半导体设备格局综述 注：1）光刻机：ASML 取设备系统收入（剔除量检测设备），尼康/佳能光刻机年收入测算=sum（各类光刻机台数*ASML 当年该品类ASP）；2）TEL 2023 财年涂胶显影设备营收 4401 亿日元，SCREEN 2022 涂胶显影设备收入=4608 亿日元*5%=230.4 亿日元。资料来源：各公司官网，Gartner，VLSI Research，QY Research，华经产业研

56、究院，中商产业研究院，前瞻产业研究院，SEMI，安信证券研究中心 2.1.2.1.ASMLASML：光刻设备龙头光刻设备龙头，深度受益深度受益 EUVEUV 垄断垄断 产品角度，2017-2022 年 ASML 光刻机设备中 EUV/ArFi/ArF Dry/KrF/I-line 销售收入复合增速分别为 46%/5%/27%/18%/12%，可以发现，ASML 成长最主要得益于其在 EUV 设备领域的垄断地位，其 EUV 设备收入从 2017 年的 11 亿欧元增长至 2022 年的 70.8 亿欧元，占设备系统收入的比例从 2017 年的 17%提升至 2022 年的 46%。从直接下游角度

57、看：1）逻辑端：逻辑端：随着台积电突破 7nm 工艺，逻辑先进工艺率先进入 EUV 时代，对应 ASML 的EUV 光刻设备从 2017 年 Q2 开始进入放量阶段（2018Q3 台积电 7nm 开始贡献收入）。2018-2022 年先进逻辑芯片扩产周期内，ASML 设备系统中来自逻辑芯片扩产的销售收入从 2018 年的 37 亿欧元，增长至 2022 年的 100 亿欧元，复合年增速 28%。2）存储存储端：端：三星 2020 年率先在其 1znm 工艺节点上导入 EUV 设备，量产 16GB LPDDR5，之后 2021 年 7 月，SK 海力士第一代使用 EUV 生产的 DRAM 产品也

58、正式进入量产阶段，DRAM 进入 EUV 时代。90%17.0%30%85%11.5%44%70%70%46.7%21%12%89%26.6%19%31%19%27%8.9%50.8%1.4%0.9%2%3%5%19%4%29%3%20%25%4.7%1%50%10%6.3%30%15%40%28.8%3%8%10%5%0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%光刻机（2022）涂胶显影机（2022）干法刻蚀（2020）CVD（2019）PVD（2019）ALD（2019）量检测设备（2020）热处理（2021）清洗机离子注入机（2019）CMP设备（2019）ASML

59、应用材料泛林东京电子日立高新科磊半导体北方华创盛美国际电气（Kokusai）维易科ASM亚舍立荏原机械迪恩士其他行业专题行业专题/半导体设备半导体设备 本报告版权属于安信证券股份有限公司，各项声明请参见报告尾页。15 图图15.15.2013-2022 年年 ASML光刻设备系统收入各类设备贡献情况光刻设备系统收入各类设备贡献情况 资料来源：ASML 官网，安信证券研究中心 图图16.16.2013-2022 年年 ASML设备系统收入中存储设备系统收入中存储/逻辑贡献情况逻辑贡献情况 资料来源：ASML 官网，安信证券研究中心 2.2.2.2.AMATAMAT：平台化龙头平台化龙头，全球逻辑

60、扩产最大设备供应商全球逻辑扩产最大设备供应商 2 2012012 年充分实现平台化布局，年充分实现平台化布局，覆盖覆盖 CVDCVD/刻蚀刻蚀/PVDPVD/热处理热处理/CMP/CMP/离子注入离子注入/量检测量检测领域领域。应用材料最早以化学气相沉积（CVD）设备起家，1990 推出 Endura 5500 PVD，进入物理气象沉积设备市场；1999 年收购 Obsidian 公司，开辟 CMP设备产品线；1996 年收购以色列掩膜版检测系统制造商 Orbot Instruments 和关键尺寸测量系统制造商 Opal Technologies，2000 年收购电子显微镜制造商 Etec

61、Systems，奠定其量检测设备基础；2001 年收购以色列半导体清洗设备厂商 Oramir；2011 年收购 Varian，完善离子注入机产线。至今，应用材料已成长为全球半导体设备行业平台型龙头企业，产品覆盖刻蚀、CVD、PVD、ALD、量检测设备、热处理、离子注入机、CMP 设备等领域；2022 年（日历年），应用材料实现全年销售收入约 261 亿美元，其中半导体设备系统收入贡献 74%，服务收入占比 21%。2012 年以后，结合下游分析，我们可以发现：在完善的产品组合和技术优势加持下，应用应用材料最大的成长驱动来自材料最大的成长驱动来自 2 2018018 年以后逻辑芯片年以后逻辑芯片

62、 7nm7nm/5/5nmnm 先进工艺的扩产先进工艺的扩产；2018 年，应用材料半导体设备系统收入中，逻辑产线贡献比例为 39%，而 2022 年逻辑占比高达 70%；应用材料也成长为全球最大的逻辑芯片设备供应商。0.6 3.0 0.7 3.3 10.8 18.8 27.8 44.9 62.7 70.8 0070802000022亿欧元亿欧元EUVArFiArF DryKrFI-line25 20 21 32 35 37 66 74 96 100 15 22 21 15 30 45 24 29 41 5

63、5 0204060800002020212022亿欧元亿欧元设备系统收入逻辑设备系统收入存储行业专题行业专题/半导体设备半导体设备 本报告版权属于安信证券股份有限公司，各项声明请参见报告尾页。16 图图17.17.CY2016-2022 年年 AMAT营收产品结构及增速（亿美元，营收产品结构及增速（亿美元，%）资料来源：AMAT 官网，安信证券研究中心 图图18.18.CY2010-2022 年年 AMAT设备系统收入下游结构（亿美元）设备系统收入下游结构（亿美元）资料来源：AMAT 官网，安信证券研究中心 2.3.2.3.La

64、mLam：深耕刻蚀深耕刻蚀+沉积沉积，全球全球 NANDNAND 扩产最大扩产最大设备供应商设备供应商 泛林成立于 1980 年，最早以刻蚀设备起家，1981 年推出其第一款产品 AutoEtch 480，主要应用于多晶硅刻蚀；目前设备工艺覆盖导体刻蚀（Kiyo 和 Versys Metal 系列）、介质刻蚀（Flex 和 Vantex 系列）、TSV 刻蚀（Syndion 系列），在全球干法刻蚀设备领域市占率接近 50%。2011 年以来，泛林继续在 CVD/ALD/ECD 领域不断扩展，包括金属薄膜沉积（SABRE和 ALTUS 系列）、介质薄膜沉积（VECTOR、Striker、SPEE

65、D 系列），其 CVD 设备全球市占率近 20%。此外，公司在清洗设备领域在占据小部分份额，产品包括湿法清洗设备（EOS、DV-Prime、Da Vinci、SP Series 系列）、干法边缘清洗设备（Coronus 系列）。依托其在刻蚀设备领域的强大优势和沉积设备的拓展，综合下游分析，可以发现：1）2015 年以后，公司第一轮高速成长主要由第一轮高速成长主要由 3D3D 结构化的结构化的 NANDNAND 扩产驱动扩产驱动，至 2018 年，其NVM/DRAM/逻辑及代工相关销售收入规模分别达到 60.3/28.1/21.7 亿美元，NVM 营收占比达 55%；83 102 100 96

66、121 173 194 14 19 24 15 17 16 11 27 32 38 39 43 52 56 25%5%-8%21%33%9%-10%-5%0%5%10%15%20%25%30%35%0500300200022半导体设备系统显示及相关市场服务收入合计营收YoY39.7 37.3 42.9 39.3 36.2 30.0 42.4 46.4 38.6 56.3 68.8 104.8 135.7 0204060800200001920

67、2020212022亿美元亿美元代工/逻辑DRAMFlash行业专题行业专题/半导体设备半导体设备 本报告版权属于安信证券股份有限公司，各项声明请参见报告尾页。17 2）2019-2022 年第二轮成长周期则由第二轮成长周期则由 NANDNAND 价格周期和先进逻辑工艺迭代共同驱动价格周期和先进逻辑工艺迭代共同驱动，至2022 年，其 NVM/DRAM/逻辑及代工相关营收分别增长至 74.7/29.9/85.9 亿美元，占比39%/16%/45%。因此，综合来看，泛林的成长与 NAND 3D 化和扩产密切相关，目前，其已成为全球 NAND 扩产的最大设备供应商。图图19.19.3D NAND

68、结构及结构及 Lam Research对应工艺产品组合对应工艺产品组合 资料来源：Lam 官网，安信证券研究中心 图图20.20.CY2014-2022 年年 Lam Research销售收入下游结构（亿美元）销售收入下游结构（亿美元）资料来源：Lam 官网，安信证券研究中心 2.4.2.4.TELTEL：日系平台化龙头：日系平台化龙头，先进逻辑扩产为近年主要增长引擎先进逻辑扩产为近年主要增长引擎 东京电子成立于 1963 年，最早起源于东京广播系统旗下的东京电子研究所，以扩散设备起家，目前其半导体设备主要覆盖涂胶显影、刻蚀、沉积（CVD/ALD/氧化扩散设备）、清洗及探针台领域。根据 TEL

69、 公告，2022 年其涂胶显影设备占全球市场份额近 89%，干法刻蚀设备/ALD/CVD/氧 化 扩 散 设 备/清 洗 系 统/探 针 台 全 球 市 占 率 也 已 分 别 达 到25%/19%/43%/49%/29%/37%，TEL 已成为全球半导体设备领域的日系平台化龙头。2023 财年，16.3 28.8 52.7 60.3 37.9 52.6 72.9 74.7 19.7 20.3 24.7 27.5 21.7 38.2 46.3 64.9 85.9 00708090200022DRAMNVM逻

70、辑/代工等行业专题行业专题/半导体设备半导体设备 本报告版权属于安信证券股份有限公司，各项声明请参见报告尾页。18 TEL 实现总销售收入 22090 亿日元，其中半导体设备销售贡献比例 77%，半导体设备销售收入中，涂胶显影机/刻蚀/沉积/清洗/探针台分别占比 26%/34%/21%/12%/5%。完善的产品布局下，同样我们复盘其半导体设备收入历年下游构成，可以发现：2 2年，年，TELTEL 的成长主要由的成长主要由 NANDNAND 和和 DRAMDRAM 扩产驱动，三者占比差距不大扩产驱动，三者占比差距不大；而而之后的之后的 2 2019019-20222

71、022年，先进逻辑的扩产则成为公司最重要的增长引擎。年，先进逻辑的扩产则成为公司最重要的增长引擎。图图21.21.FY2016-2023 年年 TEL营业收入情况（营业收入情况（10 亿日元）亿日元）图图22.22.FY2023 年年 TEL半导体设备营收结构半导体设备营收结构 资料来源：TEL 官网，安信证券研究中心 资料来源：TEL 官网，安信证券研究中心 图图23.23.CY2016-2022 年年 TEL半导体设备半导体设备（SPE-设备）设备）销售收入下游结构（亿销售收入下游结构（亿日元日元）注：TEL 财年截止每年 3 月31 日，此表已调整为日历年 资料来源：TEL 官网，安信证

72、券研究中心 2.5.2.5.KLAKLA：半导体量检测设备龙头，半导体量检测设备龙头，逻辑收入逻辑收入 CAGRCAGR20高达高达 4 48%8%1997 年，KLA 由 KLA Instruments 和 Tencor Instruments 两家公司合并而成，最初以光掩模版检测和膜厚测量起家合；并后的二十多年里，KLA-Tencor 陆续执行了多项收购，目前已几乎形成全面的半导体量检测设备布局，成长为全球半导体量检测设备领域的龙头，市占率超 50%。8.3%20.4%41.4%13.0%-11.8%24.1%43.2%10.2%664 664 800 800

73、 1131 1131 1278 1278 1127 1127 1399 1399 2004 2004 2209 2209-20%-10%0%10%20%30%40%50%05000250020002220231010亿日元亿日元SPE设备：SPE-服务FPDYoY26%34%21%12%5%涂胶显影机刻蚀设备沉积设备清洗设备探针台其他半导体设备1215 2639 3978 1606 1948 3493 3337 2529 3182 2638 3942 4843 6805 10559 02,0004,0006,0008,00010

74、,00012,000200022亿日元亿日元DRAMNVM逻辑/代工等行业专题行业专题/半导体设备半导体设备 本报告版权属于安信证券股份有限公司，各项声明请参见报告尾页。19 图图24.24.FY2005-2022 年年 KLA总营业收入及增速（亿美元，总营业收入及增速（亿美元，%）资料来源：Wind，安信证券研究中心 从营收上看，2005 年 KLA 营业收入 20.9 亿美元，2015 年营业收入 28.1 亿美元，10 年年复合增速 3%，除了 2009/2010 年受全球金融危机影响处于低谷外，基本保持平稳增长态势。2015 之后，KLA 进

75、入高速成长期，到 2023 年 8 年收入复合年增速达 17.9%；拆分下游来看，可以发现：2017-2018 年主要驱动来自三星、海力士等存储端的大幅扩产，2 201018 8-20222022 年则年则主要受益于“缺芯”以及逻辑端先进工艺的迭代主要受益于“缺芯”以及逻辑端先进工艺的迭代，此阶段，此阶段 KLAKLA 逻辑逻辑/代工领域收入规模复合代工领域收入规模复合增速达到增速达到 4 48.3%8.3%（调整为日历年），根据上文逻辑扩产中的对比，是全球龙头半导体设备公（调整为日历年），根据上文逻辑扩产中的对比，是全球龙头半导体设备公司中增长最快的企业。司中增长最快的企业。图图25.25.

76、CY2017-2022 年年 KLA半导体工艺控制设备销售收入下游结构（亿美元）半导体工艺控制设备销售收入下游结构（亿美元）资料来源：KLA 官网，安信证券研究中心 -1%32%-8%-40%20%74%0%-10%3%-4%6%17%16%13%27%19%33%14%-60%-40%-20%0%20%40%60%80%100%020406080006200720082009200000222023销售收入（亿美元）YoY20.7 14.2 25.4 32.0 46.6 68.5 0

77、070802002020212022亿美元亿美元逻辑/代工存储行业专题行业专题/半导体设备半导体设备 本报告版权属于安信证券股份有限公司，各项声明请参见报告尾页。20 3.3.中国中国市场市场：国产替代：国产替代成效显著，先进工艺突破成为天花板关键成效显著，先进工艺突破成为天花板关键 3.1.3.1.内资扩产：内资扩产：在建产线投资额在建产线投资额 NANDNAND/DRAMDRAM/逻辑分别占比约逻辑分别占比约 2 21 1%/2%/24 4%/5%/54 4%根据我们不完全统计，目前内资 12 吋在建晶圆厂合计规划产能达 175 万片/月，除鹏芯

78、微/鹏新旭/积塔无法获取准确投资金额外，其他合计投资金额达 1117 亿美元，其中 NAND（长江存储）投资占比 21%，DRAM（长鑫存储+福建晋华）投资占比 24%，以中芯国际、华虹半导体为代表的逻辑及其他产线合计投资占比近 54%。逻辑端：逻辑端：1）中芯国际：京城/深圳/临港/天津 4 条产线合计规划产能就达 34 万片/月，合计投资金额达 263.2 亿美元。其中，中芯深圳于 2022 年量产，中芯京城 2023H2 开始量产，中芯临港正在建先导线，中芯天津正在土建。2）华虹无锡-三期：投资 67 亿美元，规划8.3 万片/月 12 吋产能，计划 2024Q4 完成厂房建设并开始安装

79、设备。存储端：存储端：1 1）NAND：长江存储早前规划投入 240 亿美元建设 3D NAND Flash 工厂，合计规划产能 30 万片/月；技术上，长存于 2022 年首发其 232 层产品。2）DRAM：长鑫早前规划投资 1500 亿元（约 217 亿美元）用于“长鑫 12 吋存储器制造基地项目”，三期共建设 DRAM产能 36 万片/月；技术上，长鑫存储预计也将进入 1y、1z 阶段。尽管受 2022 年 10 月美国BIS 清单影响，短期国内存储厂商发展有所放缓，但长期来看，随着国产半导体设备逐步突破和成熟，上下游共振，国产存储器发展及扩产仍值得期待。表表1 1：内资内资 1 12

80、 2 吋晶圆厂在建产线汇总（不完全统计吋晶圆厂在建产线汇总（不完全统计，2 2023023Q Q4 4 更新更新）资料来源：各公司公告，各项目环评报告，招标网，集微咨询，腾讯网，微电子制造，先进制造业产业信息平台，广东/石家庄政府网站，南方日报，传感器专家，安信证券研究中心 产线产线投资金额投资金额（亿美元）（亿美元）规划产能规划产能（万片/月）（万片/月）尺寸尺寸地区地区规划/进展规划/进展中芯京城761012吋北京已量产中芯国际（深圳）23.5412吋深圳中芯深圳已进入量产中芯国际（临港）88.71012吋上海洁净室已经建好，正在建先导线中芯国际（天津）751012吋天津中芯西青正在土建中

81、长江存储2403012吋武汉二期总投资1098.74亿元，2023年3月拟开工长鑫存储/九鑫2173612吋合肥-福建晋华57612吋泉州-华虹无锡-三期678.312吋无锡计划2023年初开工，2024Q4完成厂房建设并开始安装设备，2025年开始投产鹏芯微-1212吋28nm，2022年4月开工鹏新旭-12吋晶合集成-二厂24412吋合肥布局产品DDIC、CIS等产品，制程40-90nm广州粤芯-三期24412吋广州三期规划40-55nm工业级及车规级模拟工艺平台，预计2024年建成投产华润微（深圳）32412吋深圳40nm以上制程功率IC，2022年10月开工0.56吋68吋0.312吋

82、积塔-P2-4.712吋设计中燕东11412吋北京65nm，产品定位高密度功率器件、显示驱动IC、PMIC、硅光芯片等一阶段2023年4月试产，2024年7月达产；二阶段2024年4月试生产，2025年7月达产38吋0.312吋16-40nm，先导线杭州积海51612吋杭州一期2万片/月，二期4万片/月杭州富芯-一期26512吋杭州高性能模拟芯片生产线，2022年5月首台设备搬入方瑞联合30312吋珠海横琴 显示驱动芯片生产线；线宽55/40/28nm，预计2024年8月投产增芯科技54612吋广州先进MEMS传感器及特色工艺产线，一期2万片/月，预计2023年底开始设备搬入及装机，2024年

83、6月通线；二期规划4万片/月石家庄正定项目12712吋石家庄功率半导体生产线，一期3万片/月，二期4万片/月合计合计（12吋）175（12吋）深圳-注：美元兑人民币汇率取6.9111芯恩-一期上海积塔-P1计划2023年底完成竣工环保验收行业专题行业专题/半导体设备半导体设备 本报告版权属于安信证券股份有限公司，各项声明请参见报告尾页。21 3.2.3.2.大陆大陆格局：格局：国产替代成效显著，国产合计营收国产替代成效显著，国产合计营收 CAGRCAGR20达达 5 54%4%2018 年以来，国产半导体设备企业在“国产替代”推动下步入高速发

84、展阶段，2022 年北方华创/中微公司/盛美上海/拓荆科技/华海清科/芯源微半导体设备相关收入分别达到114.3/38.5/28.7/17.1/14.2/13.8亿 元，2018-2022年 复 合 年 增 速 分 别 为55%/29%/51%/122%/159%/60%。量检测设备板块，精测电子和中科飞测收入规模仍较低，板块整体国产化率仍不足 5%，未来替代空间巨大。表表2 2：20 年国产半导体设备企业半导体相关营收情况及增速年国产半导体设备企业半导体相关营收情况及增速 资料来源：Wind，各公司公告，安信证券研究中心 图图26.26.全球全球 TOP5 中国

85、大陆销售收入和国产半导体设备企业收入比例对比中国大陆销售收入和国产半导体设备企业收入比例对比 2018VS2022 资料来源：各公司官网，安信证券研究中心 2000222002371.SZ北方华创131820.025.941.571.2114.355%688012.SH中微公司100714.015.918.025.138.529%688082.SH盛美上海5225.57.610.116.228.751%688072.SH拓荆科技4770.72.54.47.617.1122%688120.SH华海清科3350.31.93.56.9

86、14.3159%688037.SH芯源微1932.12.13.38.313.860%603690.SH至纯科技107-0.82.27.07.9-600641.SH万业企业148-1.22.1-300567.SZ精测电子252-0.00.61.41.8-688361.SH中科飞测-U2600.30.62.43.65.1103%国产合计a（亿元）国产合计a（亿元）42.942.957.457.486.086.0148.5148.5243.7243.754%54%全球TOP5中国大陆销售收入合计b（亿美元）全球TOP5中国大陆销售收入合计b（亿美元）111.8111.8107.8107.8153.8

87、153.8217.5217.5204.7204.716%16%国产比例（a/(a+b)）国产比例（a/(a+b)）5.2%5.2%7.1%7.1%7.4%7.4%8.9%8.9%14.5%14.5%注：1）半导体设备营收：“北方华创/中微公司/华海清科/至纯科技/万业企业/精测电子”分别取“北方微电子/专用设备/CMP设备/设备业务/专用设备制造/半导体”科目为统计口径；2）假设美元兑人民币汇率7。半导体设备相关营收，亿元半导体设备相关营收，亿元CAGRCAGR-2022代码代码公司简称公司简称市值，亿元市值，亿元（截止2023/10/15）（截止2023/10/15

88、）行业专题行业专题/半导体设备半导体设备 本报告版权属于安信证券股份有限公司，各项声明请参见报告尾页。22 从占比上看，我们拉取全球 TOP5 半导体设备厂商 2018-2022 年中国大陆销售收入，对比国内企业半导体设备收入，测算发现：1）2018 年，中国大陆国产比例约为 5.2%，至 2022 年已提升至 14.5%；2）海外设备厂商中，AMAT 的份额下降明显，从 2018 年的 42.8%下降至2022 年的 26.8%；3）国产设备厂商突破显著，其中，北方华创份额从 2018 年的 2.4%提升至 2022 年的 6.8%。平台化布局趋势加速平台化布局趋势加速工艺突破与工艺突破与竞

89、争，国产半导体设备企业不断锤炼竞争力。竞争，国产半导体设备企业不断锤炼竞争力。随着国产半导体设备市场规模逐渐扩大，头部半导体设备企业均开始依托自身原有的核心优势机台和工艺开发能力，从“单一品类”向“平台化”模式发展，打造自身发展的 N+1 条成长曲线。北方华创在硅刻蚀、PVD、炉管设备的基础上，开始发力介质刻是、CVD 等领域；拓荆科技继续深耕薄膜沉积工艺，同时开拓混合键合设备，瞄准 2.5D/3D 封装市场；中微公司形成“刻蚀全覆盖，沉积部分覆盖，量检测投资布局”的业务版图；华海清科开辟第二成长曲线减薄设备，同时投资布局离子注入机；盛美上海电镀、炉管产品进入放量期，第三梯队涂胶显影机、PEC

90、VD 产品正在验证；芯源微涂胶显影机台持续放量，同时布局前道化学清洗领域；至纯科技定增布局炉管和涂胶显影赛道。可以预见，随着国内半导体设备行业持续高速发展，市场竞争也将愈加激烈，国产半导体设备企业预计将在竞争中不断锤炼自身竞争力，进而推动国产替代加速提升。表表3 3：主要半导体前道设备公司各产品线及客户拓展进展情况主要半导体前道设备公司各产品线及客户拓展进展情况 代码代码 公司公司 产品工艺及品类开拓展情况产品工艺及品类开拓展情况 002371.SZ 北方华创 刻蚀设备：“硅刻刻蚀设备：“硅刻+介质刻介质刻+金属刻”全覆盖金属刻”全覆盖 1）ICP 刻蚀：可应用于90-40nm 的浅沟槽隔离刻

91、蚀和多晶硅栅极刻蚀，以及先进制程的 FinFET、STI 和 Gate 刻蚀，目前已累计出货 2000 腔；2）CCP 刻蚀：应用于提升芯片良率的 12 吋 CCP 晶边刻蚀机已进入多家产线验证，同时精准针对客户需求发布了双频耦合 CCP 介质刻蚀机；3）金属刻蚀：凭借稳定的量产性能已成为国内主流客户的优选机台；4）高深宽比TSV 刻蚀：新迭代设备通过客户端工艺验证，支持 Chiplet 工艺应用；5）三代半：提供刻蚀工艺全面解决方案。薄膜沉积设备：薄膜沉积设备：PVDPVD+CVDCVD+ALDALD 突破 PVD、CVD 和 ALD 等多项核心关键技术，铜互联薄膜沉积、铝薄膜沉积、钨薄膜沉

92、积、硬掩膜沉积、介质膜沉积、TSV 薄膜沉积、背面金属沉积等二十余款产品成为国内主流芯片厂的优选机台，累计出货超3000 腔。炉管炉管设备：设备：立式炉立式炉+卧式炉卧式炉 1）立式炉：中温氧化/退火炉、高温氧化/退火炉、低温合金炉，低压化学气相沉积炉、批式原子层沉积炉均已成为国内主流客户的量产设备，并持续获得重复订单，累计出货超 500 台；2）卧式炉：为光伏客户提供氧化扩散、等离子体化学气相沉积、低压化学气相沉积三大技术平台基础上的硼扩、磷扩、氧化退火、正/背膜氮化硅沉积、多晶硅沉积、多晶硅掺杂、隧穿氧化层沉积、异质结非晶硅薄膜沉积等 20 余款工艺设备，适用于PERC、TOPCon、HJ

93、T 等多种技术路线工艺应用，实现主流客户全覆盖。清洗设备：单片清洗设备：单片+槽式槽式 1）槽式：覆盖RCA、Gate、PR strip、磷酸、Recycle 等工艺制程，并在多家客户端实现量产，屡获重复订单；2）单片：覆盖Al/Cu 制程全部工艺，是国内主流厂商后道制程的优选机台；外延装备：外延装备：具有 SiC 外延炉、硅基GaN 外延炉、6/8 吋多片硅外延炉，8 吋单片硅外延炉，12 吋单片硅外延炉等 20 余款量产设备，累计出货近千腔。688012.SH 中微公司 刻蚀设备：刻蚀设备：CCPCCP+ICPICP 1）CCP：2022 年生产付运 475 个 CCP 刻蚀反应腔，同比+

94、59.4%；新工艺研发上，针对逻辑器件的一体化大马士革逻辑器件的一体化大马士革刻蚀工艺刻蚀工艺和存储器件的极高深宽比刻蚀存储器件的极高深宽比刻蚀技术攻关取得良好进展。2）ICP：2022 年应用于逻辑、NAND、DRAM 产线的Nanova 系列产品出货129 腔，同比+12%；新工艺上，推出用于高深宽比结构刻蚀的 Nanova VE 和用于高均匀性刻蚀的 Nanova UE。MOCVDMOCVD 设备：布局新型显示设备：布局新型显示+三代半功率市场三代半功率市场 1）新型显示：用于Mini-LED 的Prismo Unimax 自2021 年 6 月推出已累计出货120 腔，用于Micro-

95、LED 的设备正在开发中；2）三代半：2022 年推出用于氮化镓功率器件生产的设备 Prismo PD5，已取得重复订单；用于碳化硅器件外延生产的设备将于 2023 年交付样机至客户端认证。薄膜沉积设备：薄膜沉积设备：持续拓展工艺持续拓展工艺 1）钨沉积：首台已交付关键存储客户端验证评估，同时进一步开发新型号 CVD 钨和ALD 钨设备，已进入实验室测试和关键客户对接验证阶段；2）氮化钛 ALD 设备：进入实验室测试阶段；3）EPI 设备：进入样机设计、制造和调试阶段。688072.SH 拓荆科技 薄膜沉积设备：薄膜沉积设备：PECVDPECVD+SACVDSACVD+ALDALD+HDPCV

96、DHDPCVD 1）PECVD：2022 年营收15.6 亿元，同比+131%；机台上，新推出NF-300H 型号设备，用于沉积Thick TEOS 等介质材料薄膜，已实现首台产业化应用，并取得复购订单。行业专题行业专题/半导体设备半导体设备 本报告版权属于安信证券股份有限公司，各项声明请参见报告尾页。23 2）SACVD：2022 年营收0.9 亿元，已具备在沟槽填充工艺中沉积 SA TEOS、BPSG、SAF 薄膜的能力。3）ALD：2022 年营收0.3 亿元，PEALD 已实现产业化应用，并获得不同客户订单，Thermal-ALD 已完成研发并出货至不同客户端验证，可沉积 Al2O3等

97、金属化合物薄膜。4）HDPCVD：已取得不同客户订单，可沉积 SiO2、FSG、PSG 等介质材料薄膜。混合键合产品：混合键合产品：晶圆对晶圆键合产品 Dione 300、芯片对晶圆键合产品Pollux 均已出货至客户端验证。600120.SH 华海清科 CMPCMP 设备：设备：2022 年营收 14.3 亿元，同比+106.24%；工艺上，在逻辑、DRAM、3D NAND 等领域均实现 90%以上工艺覆盖率，同时积极开拓先进封装、大硅片、三代半等市场。减薄设备：减薄设备：用于 3D IC 的减薄抛光一体机预计 2023 年将实现小批量出货；用于封装领域的 12 吋超精密减薄机将于2023

98、年发往客户端进行验证。投资布局：投资布局：投资入股天津鑫钰半导体设备有限公司（主营半导体离子注入机），持股 18%。688082.SH 盛美上海 清洗设备：清洗设备：2022 年营收 20.8 亿元，同比+96.85%，工艺覆盖率超 80%，未来有望超过90%。电镀电镀/立式炉等立式炉等设备：设备：1）2022 年营收 5.2 亿元，同比+89.2%；2）电镀：布局前道铜互联电镀、后道三维堆叠电镀、化合物半导体电镀，均已实现量产，进入放量期；3）立式炉：布局氧化、扩散、真空回火、LPCVD、ALD，进入放量期。涂胶显影机：涂胶显影机：ArFArF 验证中验证中 首台 ArF 工艺涂胶显影机于

99、2022Q4 交付验证，预计 2023 年再次推出 i-line 型号设备，同时着手研发 KrF 设备。PECVDPECVD：首台 PECVD 设备验证中。688037.SH 芯源微 涂胶显影机：涂胶显影机：Off-line、I-line、KrF 均已实现销售，2022Q4 首台浸没式高产能机台已在客户端顺利验收，前道涂胶显影机实现28nm 及以上工艺节点全覆盖。键合设备：键合设备：临时键合、解键合设备均已进入客户验证阶段。603690.SH 至纯科技 清洗设备：清洗设备：已能满足28nm 全部湿法工艺需求，且均实现订单突破；实现 14nm 及以下 4 台订单交付；炉管：炉管：8 吋设备已有数

100、台订单，12 吋设备正在研发，即将进入客户端验证；涂胶显影机：涂胶显影机：8 吋设备已交付客户验证，12 吋处于专利检索及技术评估阶段。300567.SZ 精测电子 前道量检测（上海精测）：前道量检测（上海精测）：1）膜厚/电子束设备：已取得国内一线客户批量订单；2）OCD 设备：获得多家一线客户验证通过，且已取得部分订单；3）硅片应力测量设备：取得客户订单并完成交付；4）明场光学缺陷检测：完成首台套交付，且已取得更先进制程订单。存储芯片测试设备（武汉精鸿）：存储芯片测试设备（武汉精鸿）：1）老化设备：在国内一线客户实现批量重复订单；2）CP/FT 设备：取得相应订单并交付，正争取批量订单。6

101、88361.SH 中科飞测 批量出货：批量出货：无图形晶圆缺陷检测设备、图形晶圆缺陷检测设备、三维形貌量测设备、晶圆介质薄膜量测设备、晶圆金属薄膜量测设备和套刻精度量测设备；已应用于国内 28nm 及以上制程的集成电路制造产线。在研：在研：纳米图形晶圆缺陷检测设备、关键尺寸量测设备。资料来源：Wind，各公司公告，安信证券研究中心 行业专题行业专题/半导体设备半导体设备 本报告版权属于安信证券股份有限公司，各项声明请参见报告尾页。24 3.3.3.3.后市展望：“周期复苏后市展望：“周期复苏+先进工艺先进工艺+存储突破存储突破”成为预期”成为预期关键关键 3.3.1.3.3.1.市场预期市场预

102、期一一：终端需求何时再起？：终端需求何时再起？从当前国内成熟制程扩产来看，从当前国内成熟制程扩产来看，当前当前“市场预期之一”在于“市场预期之一”在于“需求何时再起需求何时再起”？2 2023023Q2Q2 中芯国际产能利用率回升，需求复苏利好中芯国际产能利用率回升，需求复苏利好晶圆厂晶圆厂重启重启扩产招标扩产招标。中芯国际中国区需求从 2022Q3 开始下滑，经历约 2 个季度调整，2023Q2 部分下游客户已逐步开始补库存；海外需求来看，其 2023Q1 开始出现明显下滑，整体比中国区大概慢 2 个季度。产能利用率角度看，2023Q2 中芯国际产能利用率已开始回升，达到 78%。我们判断，

103、随着终端需求逐步向好以及新产品工艺平台的升级，下游扩产也将加速，兑现市场对新订单的预期。图图27.27.中芯国际中芯国际 2020Q1-2023Q2 各地区收入变化各地区收入变化 资料来源：Wind，中芯国际公告，安信证券研究中心 图图28.28.中芯国际中芯国际 2020Q1-2023Q2 产能及产能利用率变化情况产能及产能利用率变化情况 资料来源：Wind，中芯国际公告，安信证券研究中心 2 2023023Q2Q2 进口多台高端光刻机进口多台高端光刻机，保障，保障晶圆厂后续扩产晶圆厂后续扩产。2023Q2 ASML 设备系统收入中中国大陆销售收入相较 2023Q1 的 4.3 亿欧元，环比

104、大幅增长至 13.5 亿欧元，创历史新高；从产品结构上看，ArFi 设备销售 39 台，环比 2023Q1 增长 14 台，ArFi 平均单价也从一季度的6.1 8.5 9.4 10.8 12.6 14.6 14.3 11.2 11.0 12.4 3.1 3.1 2.9 3.1 3.5 3.6 3.9 4.1 2.9 2.7 1.8 1.9 1.8 1.9 2.3 0.8 0.8 0.9 0.7 0.4 024681Q12021Q22021Q32021Q42022Q12022Q22022Q32022Q42023Q12023Q2中国区美国区欧亚区23.1 27.6 31.7

105、 99%99%98%96%99%100%100%99%100%97%92%80%68%78%0%20%40%60%80%100%120%055402020Q12020Q22020Q32020Q42021Q12021Q22021Q32021Q42022Q12022Q22022Q32022Q42023Q12023Q2产能(等效12吋，万片/月)产能利用率行业专题行业专题/半导体设备半导体设备 本报告版权属于安信证券股份有限公司，各项声明请参见报告尾页。25 6410 万欧元提升到二季度的 7043 万欧元。因此，我们可以判断，2023Q2 相比一季度中国大陆进口多台套高端光刻

106、机系统，锚定后续晶圆厂投资扩产。图图29.29.2019Q1-2023Q2 各季度各季度 ASML中国大陆设备系统收入及占比情况中国大陆设备系统收入及占比情况 资料来源：ASML 官网，安信证券研究中心 图图30.30.2019Q1-2023Q2 各季度各季度 ASML EUV和和 ArFi 机台销售情况（台机台销售情况（台/套）套）资料来源：ASML 官网，安信证券研究中心 3.3.2.3.3.2.市场预期市场预期二二：先进工艺何时突破和放量？先进工艺何时突破和放量？从长期天花板视角来看，当前“市场预期之二”在于“先进工艺何时突破和放量”？从长期天花板视角来看，当前“市场预期之二”在于“先进

107、工艺何时突破和放量”？回顾全球半导体设备企业发展历程，可以发现，先进工艺的突破与放量才是半导体设备企业突破成长天花板的关键，在先进工艺阶段掌握核心技术的设备企业将享有市场更高的估值溢价。2019 年以来，在国产替代催化下，国内主要半导体设备企业在其核心赛道领域已基本形成卡位优势。对比全球半导体设备龙头，国内北方华创发展模式更类似应用材料，产品布局较为全面，包括刻蚀、PVD、CVD、ALD、热处理、清洗设备等，属于平台化龙头；中微公司2.5 2.2 1.6 4.4 3.0 5.6 6.5 3.8 4.7 5.0 4.1 7.6 7.8 4.1 6.4 4.3 4.3 13.5 24%0%5%10

108、%15%20%25%30%35%40%024681012141619Q119Q219Q319Q420Q120Q220Q320Q421Q121Q221Q321Q422Q122Q222Q322Q423Q123Q2设备系统收入中国大陆（亿欧元）中国大陆占设备系统收入比例4 7 7 8 2 7 14 8 7 9 15 11 3 12 12 13 17 12 17 13 21 31 16 17 11 24 24 16 21 20 18 21 20 22 25 39 6410 7043 0040005000600070008000055404519Q119Q21

109、9Q319Q420Q120Q220Q320Q421Q121Q221Q321Q422Q122Q222Q322Q423Q123Q2EUV（台/套）ArFi（台/套）ArFi ASP（万欧元）行业专题行业专题/半导体设备半导体设备 本报告版权属于安信证券股份有限公司，各项声明请参见报告尾页。26 则类似泛林，深耕刻蚀设备领域，并开始向 CVD/ALD 方面拓展。下游角度分析 AMAT、Lam的成长，我们可以看到，AMAT 深度受益先进逻辑芯片的扩产，而泛林则深度受益 3D 结构化下 NAND 芯片的扩产；因此，当前产品与工艺布局下，预计未来北方华创对先进逻辑芯片扩产将更为敏感，而中微则对 NAND

110、芯片扩产更为敏感。表表4 4：全球全球 TOPTOP5 5 半导体设备企业和内资半导体设备公司产品布局对比半导体设备企业和内资半导体设备公司产品布局对比 资料来源：各公司公告，各公司官网，安信证券研究中心 公司公司光刻机光刻机涂胶显影机涂胶显影机刻蚀刻蚀PVDCVDALD离子注入机离子注入机热处理热处理清洗清洗量检测量检测CMP设备设备北方华创中微公司拓荆科技华海清科芯源微盛美上海万业企业至纯科技精测电子ASMLAMATLamTELKLA行业专题行业专题/半导体设备半导体设备 本报告版权属于安信证券股份有限公司，各项声明请参见报告尾页。27 4.4.投资建议投资建议 复盘全球 TOP5 半导体

111、设备企业分别在逻辑/NAND/DRAM 扩产周期下的成长驱动，我们发现：先进工艺突破是半导体设备企业成长天花板的关键，也称为市场预期的关键，在先进工艺阶段掌握核心技术的设备企业预计将享有市场更高的估值溢价。从规模化角度看从规模化角度看，AMAT 重点受益先进逻辑的扩产，成为逻辑芯片扩产最大设备供应商，泛林重点受益存储的扩产，成为 NAND 芯片扩产最大设备供应商。此角度下，我们对比国内半导体设备格局，可以发现，北方华创产品模式类似应用材料，中微对标泛林，其中，CVD 设备大部分市场独立于二者，由拓荆科技供应，因此：1 1）逻辑设备规模化角度，逻辑设备规模化角度，推荐推荐：北方华创北方华创、拓荆

112、科技；、拓荆科技；2 2）存储设备规模化角度，推荐：中微公司、拓荆科技；存储设备规模化角度，推荐：中微公司、拓荆科技；从增速角度看从增速角度看，在 2018-2022 年 7/5nm 为主的先进逻辑扩产周期内，全球 TOP5 半导体设备厂商 ASML/AMAT/Lam/TEL/KLA 相关销售收入复合年增速分别达到 28%/37%/41%/33%/48%，其中量检测设备龙头科磊增速最高量检测设备龙头科磊增速最高，我们判断，主要原因在于，随着工艺制程的进一步微缩，晶圆制造的良率控制更为关键，由此带来量检测设备需求的增加。对比国内市场，目前国内量检测板块多核心产品仍处于 0-1 突破阶段，2022

113、 年整体国产化率仍不足 5%，未来将首先经历 0-1、1-n 的国产替代阶段。因此：半导体量检测设备国产替代半导体量检测设备国产替代角度，推荐：角度，推荐：精测电精测电子、中科飞测。子、中科飞测。除了头部平台化企业，内资逻辑/存储晶圆厂继续扩产以及国产替代下，其他设备环节也将继续受益，建议关注：华海清科、芯源微、盛美上海、万业企业、至纯科技建议关注：华海清科、芯源微、盛美上海、万业企业、至纯科技。表表5 5：半导体设备板块重点半导体设备板块重点关注关注公司盈利预测公司盈利预测 资料来源：Wind，安信证券研究中心（截止2023 年 10 月22 日，均采用 wind 一致预期）5.5.风险提示

114、风险提示 1）终端需求复苏不及预期、中美科技博弈影响海外核心设备供应，从而导致晶圆厂扩产及国产设备招标不及预期，影响内资半导体设备企业订单；2）半导体设备国产化推进不及预期；3）统计误差导致测算数据失真；4）本文结论推导以全球半导体设备产业在逻辑/NAND/DRAM 扩产周期下的发展驱动为基础，受发展环境、管理风格等因素影响，国内产业实际发展可能有所差异。20222023E2024E2025E20222023E2024E2025E20222023E2024E2025E002371.SZ北方华创1270146.9203.4264.0329.623.536.449.062.450.634.925.

115、920.3688012.SH中微公司98647.462.080.0101.111.716.618.723.651.659.352.841.7688072.SH拓荆科技46317.128.440.553.73.75.18.010.874.490.658.242.9688120.SH华海清科33316.527.236.646.85.07.510.113.247.844.332.925.3688082.SH盛美上海50628.739.250.362.36.78.410.513.451.860.448.237.7688037.SH芯源微19013.819.326.836.12.02.74.05.772

116、.469.847.433.3600641.SH万业企业13811.615.821.527.64.24.65.46.540.130.125.421.1603690.SH至纯科技10130.541.752.262.32.84.96.48.142.920.715.712.4300567.SZ精测电子24327.333.443.155.12.73.44.96.551.471.750.137.5688361.SH 中科飞测-U2465.17.711.215.20.10.71.22.0-365.6201.3120.8300604.SZ长川科技20225.837.948.960.54.67.310.213.

117、558.427.519.815.0688200.SH华峰测控16210.710.313.116.65.34.76.28.147.834.826.320.2300480.SZ光力科技696.1-0.7-81.7-603061.SH金海通504.33.54.55.31.51.11.82.2-44.727.923.2688419.SH耐科装备292.72.94.56.00.60.71.01.345.339.327.922.6301369.SZ联动科技433.5-1.3-33.1-PE代码代码简称简称市值市值（亿元）（亿元）营收（亿元）营收（亿元）归母净利润（亿元）归母净利润（亿元）行业专题行业专题/

118、半导体设备半导体设备 本报告版权属于安信证券股份有限公司，各项声明请参见报告尾页。28 行业行业评级体系评级体系 收益评级：领先大市 未来 6 个月的投资收益率领先沪深 300 指数 10%及以上；同步大市 未来 6 个月的投资收益率与沪深 300 指数的变动幅度相差-10%至 10%；落后大市 未来 6 个月的投资收益率落后沪深 300 指数 10%及以上；风险评级：A 正常风险，未来 6 个月的投资收益率的波动小于等于沪深 300 指数波动；B 较高风险，未来 6 个月的投资收益率的波动大于沪深 300 指数波动；分析师声明分析师声明 本报告署名分析师声明，本人具有中国证券业协会授予的证券

119、投资咨询执业资格，勤勉尽责、诚实守信。本人对本报告的内容和观点负责，保证信息来源合法合规、研究方法专业审慎、研究观点独立公正、分析结论具有合理依据，特此声明。本公司具备证券投资咨询业务资格的说明本公司具备证券投资咨询业务资格的说明 安信证券股份有限公司（以下简称“本公司”）经中国证券监督管理委员会核准，取得证券投资咨询业务许可。本公司及其投资咨询人员可以为证券投资人或客户提供证券投资分析、预测或者建议等直接或间接的有偿咨询服务。发布证券研究报告，是证券投资咨询业务的一种基本形式，本公司可以对证券及证券相关产品的价值、市场走势或者相关影响因素进行分析，形成证券估值、投资评级等投资分析意见，制作证

120、券研究报告，并向本公司的客户发布。行业专题行业专题/半导体设备半导体设备 本报告版权属于安信证券股份有限公司，各项声明请参见报告尾页。29 免责声明免责声明 接收到本报告而视其为本公司的当然客户。本报告基于已公开的资料或信息撰写，但本公司不保证该等信息及资料的完整性、准确性。本报告所载的信息、资料、建议及推测仅反映本公司于本报告发布当日的判断，本报告中的证券或投资标的价格、价值及投资带来的收入可能会波动。在不同时期，本公司可能撰写并发布与本报告所载资料、建议及推测不一致的报告。本公司不保证本报告所含信息及资料保持在最新状态，本公司将随时补充、更新和修订有关信息及资料，但不保证及时公开发布。同时

121、，本公司有权对本报告所含信息在不发出通知的情形下做出修改，投资者应当自行关注相应的更新或修改。任何有关本报告的摘要或节选都不代表本报告正式完整的观点，一切须以本公司向客户发布的本报告完整版本为准，如有需要，客户可以向本公司投资顾问进一步咨询。在法律许可的情况下，本公司及所属关联机构可能会持有报告中提到的公司所发行的证券或期权并进行证券或期权交易，也可能为这些公司提供或者争取提供投资银行、财务顾问或者金融产品等相关服务，提请客户充分注意。客户不应将本报告为作出其投资决策的惟一参考因素，亦不应认为本报告可以取代客户自身的投资判断与决策。在任何情况下，本报告中的信息或所表述的意见均不构成对任何人的投

122、资建议，无论是否已经明示或暗示，本报告不能作为道义的、责任的和法律的依据或者凭证。在任何情况下，本公司亦不对任何人因使用本报告中的任何内容所引致的任何损失负任何责任。本报告版权仅为本公司所有，未经事先书面许可，任何机构和个人不得以任何形式翻版、复制、发表、转发或引用本报告的任何部分。如征得本公司同意进行引用、刊发的，需在允许的范围内使用，并注明出处为“安信证券股份有限公司研究中心”，且不得对本报告进行任何有悖原意的引用、删节和修改。本报告的估值结果和分析结论是基于所预定的假设，并采用适当的估值方法和模型得出的，由于假设、估值方法和模型均存在一定的局限性，估值结果和分析结论也存在局限性，请谨慎使

123、用。安信证券股份有限公司对本声明条款具有惟一修改权和最终解释权。安信证券研究中心安信证券研究中心 深圳市深圳市 地地 址：址：深圳市福田区福田街道福华一路深圳市福田区福田街道福华一路 1919 号安信金融大厦号安信金融大厦 3333 楼楼 邮邮 编：编：5 上海市上海市 地地 址：址：上海市虹口区东大名路上海市虹口区东大名路 638638 号国投大厦号国投大厦 3 3 层层 邮邮 编：编：200080200080 北京市北京市 地地 址：址：北京市西城区阜成门北大街北京市西城区阜成门北大街 2 2 号楼国投金融大厦号楼国投金融大厦 1515 层层 邮邮 编：编：4