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1、氮化镓：电力电子器件应用为主，受益5G 发展，快充及基站领域需求增速快由于氮化镓禁带宽度是硅的3 倍、热导率是硅的2 倍，使得GaN 器件可在200以上的高温下工作，能够承载更高的能量密度，可靠性更高，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。其产业链各环节主要是衬底、材料外延、器件设计与制造及下游应用。目前产业以IDM 企业为主，但是设计与制造环节已经开始出现分工。在上游衬底方面，氮化镓衬底大部分由日本公司生产，包括住友电工(超过90%)、三菱化学等。GaN 外延片相关企业主要有比利时的EpiGaN、英国的IQE、日本的NTTAT。GaN 器件设计厂商方面，美国的EPC、
2、MACOM、Transphom，德国的Dialog 等为主要参与者。IDM 企业中日本的住友电工与美国的Cree 为行业龙头，市场占有率均超过30%。GaN 射频器件价格略有上涨，但与Si 基器件的价差逐渐缩小，有助于GaN 射频器件渗透率的提升。从 Mouser 数据来看，RF GaN HEMT 的价格微涨，产品平均价格为23.89 元/W，较去年增长约 3.44%。 从 2018 年底至今，RF GaN HEMT 与 Si LDMOS的价差持续缩小，到 2020 年两者均价的价差已经缩小到 2 倍以内。GaN 电力电子器件在消费电子 PD 快充市场爆发。据充电头网数据，2020 年有10家手机厂推出18 款氮化镓快充，小米、联想、OPPO、三星等品牌已经将氮化镓快充作为标配。GaN 电力电子器件具有高开关频率、高能量密度和高能量转换效率的特点，能够使GaN PD 快充实现更高功率、更小体积和更高转换效率。我们认为，GaN 已逐步成为主流快充技术，芯片企业纷纷推出相应GaN 芯片，未来快充技术将从手机产品延伸至笔电等其他消费电子中。根据CASA Research 预测，2020 年国内PD 快充GaN 电力电子器件市场规模1.5 亿元，预计2025 年超过40 亿元，年复合增速97%，折算晶圆需求约67.4 万片。
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