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【研报】新材料行业化合物半导体系列报告:电信+数通拉动光模块需求磷化铟蓄势待发-20200709[22页].pdf

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【研报】新材料行业化合物半导体系列报告:电信+数通拉动光模块需求磷化铟蓄势待发-20200709[22页].pdf

1、 请务必阅读正文之后的免责条款 电信电信+数通数通拉动拉动光模块需求光模块需求,磷化铟,磷化铟蓄势待发蓄势待发 新材料行业化合物半导体系列报告2020.07.09 中信证券研究部中信证券研究部 核心观点核心观点 李超李超 有色分析师 S01 袁健聪袁健聪 首席新材料分析师 S05 顾海波顾海波 首席通信分析师 S03 敖翀敖翀 首席周期产业 分析师 S01 5G 时代光通信行业迎来快速发展,时代光通信行业迎来快速发展,5G 基站网络结构的变化增加对光模块的需基站网络结构的变化增加对光模块的需 求,激光器求,

2、激光器是是光模块的关键光电器件,产能有望扩张,进一步带动光模块的关键光电器件,产能有望扩张,进一步带动激光器激光器核心核心 半导体材料磷化铟需求的增长。半导体材料磷化铟需求的增长。未来五年未来五年 IDC 高速发展叠加架构升级,高速发展叠加架构升级,5G 光光 模块需求升级,云厂商模块需求升级,云厂商 CAPEX 中长期趋势向上,国内磷化铟单晶制备工艺有中长期趋势向上,国内磷化铟单晶制备工艺有 望打破技术壁垒。我们重点推荐云南锗业望打破技术壁垒。我们重点推荐云南锗业和和中际旭创。中际旭创。 磷化铟材料电学性质优势突出,在半导体光电器件处于关键地位。磷化铟材料电学性质优势突出,在半导体光电器件处

3、于关键地位。磷化铟(InP) 是第二代半导体材料,闪锌矿型晶体结构,禁带宽度为 1.34 eV。其以高电子迁 移速率、高禁带宽度、高热导率在光电芯片衬底材料应用中占据优势,并且是光 模块半导体激光器和接收器的关键材料。 磷化铟衬底材料处于光通信产业链上游, 国外垄断格局明显。磷化铟衬底材料处于光通信产业链上游, 国外垄断格局明显。 磷化铟是激光器和 接收器重要的半导体材料, 处于产业链上游; 激光器和接收器是光模块能进行光 电信号转换的核心器件,处于产业链中游;以亚马逊、微软为代表的云计算厂商 是光通信产业的应用端,处于产业链下游。上游衬底市场国外市占率 80%,国 内市占率不足 2%。中游激

4、光器和光模块,中国企业市占率高于国外企业。下游 云计算亚马逊以 45%市占率居于首位,阿里巴巴市占率 5.3%。 光模块市场前景良好, 预期光模块市场前景良好, 预期 2025 年全球市场规模可达百亿美元。年全球市场规模可达百亿美元。 2011-2019 年, 全球光模块市场规模由 30.5 亿美元增至 59.4 亿美元,预计 2019-2025 年的复 合增长率为 15%,2025 年将增长至 177 亿美元。在全球 IDC 产业持续爆发和 海内外 5G 大规模建设两个因素作用下,预计光模块市场将维持稳定增长。 磷化铟衬底需求磷化铟衬底需求主要主要来自光通信,预来自光通信,预期期 2024

5、年年衬底衬底市场规模增至市场规模增至 1.7 亿美元。亿美元。 2015 年光通信磷化铟衬底市场占磷化铟衬底市场的 80%。据 yole 预测,全球 磷化铟应用市场规模将从 2018 年的 0.77 亿美元提高到 2024 的 1.7 亿美元, CAGR 为 14%。 风险因素:风险因素: 光通信行业发展受阻, 激光器芯片被替代, 磷化铟衬底需求不及预期。 投资策略投资策略:5G 时代光通信行业迎来快速发展,基站网络结构的变化增加对光模 块的需求, 激光器是光模块的关键光电器件, 其产能扩张进一步带动激光器核心 半导体材料磷化铟需求的增长。未来 5G 光模块需求升级,云厂商 CAPEX 中长

6、期趋势向上, 国内磷化铟单晶制备工艺有望打破技术壁垒。 我们重点推荐云南锗 业和中际旭创。 重点公司盈利预测、估值及投资评级重点公司盈利预测、估值及投资评级 简称简称 收盘价收盘价 (元)(元) EPS(元)(元) PE 评级评级 2019 2020E 2021E 2019 2020E 2021E 云南锗业 13.77 -0.09 0.06 0.16 NA 229.5 86.06 买入 中际旭创 66.64 0.73 1.18 1.55 91.29 56.47 42.99 增持 资料来源:Wind,中信证券研究部预测 注:股价为 2020 年 7 月 7 日收盘价 新材料新材料行业行业化合物半

7、导体系列报告化合物半导体系列报告2020.07.09 目录目录 化合物半导体磷化铟化合物半导体磷化铟 (InP),电学性质优越,电学性质优越 . 1 磷化铟半导体电学性能突出 . 1 磷化铟材料光电领域应用占优 . 2 磷化铟单晶制备技术壁垒高 . 2 磷化铟光通信产业链,上游国外垄断有待突破磷化铟光通信产业链,上游国外垄断有待突破 . 3 产业链全球分工明确,国内衬底市场占比不足 . 3 上游衬底公司:国外垄断格局显著,国内企业追赶 . 4 中游器件公司:激光器欧美企业起步较早,光模块中国市占率高 . 4 下游云厂商:亚马逊市占率全球首位,阿里巴巴追赶 . 6 IDC/5G 驱动光模驱动光模

8、块需求迅增,磷化铟材料蓄势待发块需求迅增,磷化铟材料蓄势待发 . 7 电信+数通拉动产业链上下游需求增长 . 7 全球及中国光模块市场趋势向好 . 8 数通光模块增量升级,IDC 高速发展是引擎 . 8 电信光模块需求旺盛,5G 驱动新一轮量价齐升 . 10 磷化铟材料在光模块组件占据关键地位 . 12 磷化铟衬底蓄势待发,预期 2024 年应用市场规模达 1.7 亿美元 . 13 风险因素风险因素 . 15 重点公司推荐重点公司推荐 . 15 云南锗业:转型新材料产业,着力磷化铟单晶国产化 . 15 中际旭创:5G/IDC 双驱动,高端光模块龙头持续领先 . 16 pOoRtNwOqQqPm

9、MqPrPsMtQaQ8QaQtRoOtRrRlOpPrOlOmNrRbRqQzQNZnPtPNZnOzQ 新材料新材料行业行业化合物半导体系列报告化合物半导体系列报告2020.07.09 插图目录插图目录 图 1:磷化铟(InP)单晶锭 . 1 图 2:磷化铟(InP)单晶片 . 1 图 3:磷化铟主要应用领域 . 2 图 4:磷化铟光通信全球产业链分工 . 3 图 5:InP 衬底 2019 全球市场份额 . 4 图 6:激光器 2019 全球市场份额 . 5 图 7:光模块 2019 全球市场份额 . 6 图 8:云计算厂商(2019)全球市场份额 . 6 图 9:光模块上游相关光器件拆

10、分示意图 . 7 图 10:2011-2019 年全球及中国光模块市场规模 . 8 图 11:2019-2025 光模块市场增长预测 . 8 图 12:全球主要云厂商 CAPEX . 9 图 13:全球 IDC 市场规模及增长 . 9 图 14:中国 IDC 市场规模及增长 . 9 图 15:数据中心发展拉动光模块放量 . 10 图 16:过去三年 100G 高速增长,未来三年时间将是 400G 增长时期 . 10 图 17:2014-2019E 三大运营商 CAPEX 及同比增速 . 10 图 18:5G 总投资预计将超过 1.3 万亿(+57%) . 10 图 19:2019-2028 年

11、中国 5G 基站建设规模预测 . 11 图 20:中国 5G 产业细分领域投资占比结构 . 11 图 21:电信光模块迎来增长期 . 11 图 22:5G 前传、中传、回传需求带宽 . 12 图 23:2016-2022 全球光通信器件市场规模 . 12 图 24:磷化铟在光模块组件中的应用 . 13 图 25:2015 年磷化铟衬底下游客户分布 . 13 图 26:2020 年磷化铟衬底下游客户分布 . 13 图 27:全球磷化铟 2 英寸衬底年需求预测 . 14 图 28:全球磷化铟 4 英寸衬底市场规模预测 . 14 图 29:2018 年全球磷化铟应用市场规模占比 . 14 图 30:

12、2024 年全球磷化铟应用市场规模占比预测 . 14 图 31:全球磷化铟应用市场规模预测 . 15 新材料新材料行业行业化合物半导体系列报告化合物半导体系列报告2020.07.09 表格目录表格目录 表 1:三代半导体材料物理性质对比 . 1 表 2:磷化铟单晶制备工艺指标 . 3 表 3:磷化铟产业链上游公司概况 . 4 表 4:激光器全球公司情况概览 . 5 表 5:光模块全球公司情况概况 . 6 表 6:云厂商全球公司概况 . 7 表 7:5G 承载光模块应用场景及需求分析 . 12 表 8:云南锗业盈利预测及估值表 . 16 表 9:中际旭创盈利预测及估值表 . 17 新材料新材料行

13、业行业化合物半导体系列报告化合物半导体系列报告2020.07.09 1 化合物化合物半导体半导体磷化铟磷化铟 (InP),电学性质优越电学性质优越 磷化铟是第二代磷化铟是第二代半导体材料半导体材料,广泛,广泛应用于光通信、集成电路等领域应用于光通信、集成电路等领域。5G 时代技术革 新带来以磷化铟(InP) 、砷化镓(GaAs)为代表的第二代半导体材料的蓬勃发展。半导体 材料按照物理性质可以划分三代,分别是以 Si、Ge 为代表的第一代,InP、GaAs 为代表 的第二代,GaN、SiC 为代表的第三代。磷化铟(InP)是一种 IIIV 族化合物,闪锌矿型 晶体结构,晶格常数为 5.8710-

14、10 m,禁带宽度为 1.34 eV,常温下迁移率为 30004500 cm2/(V.S)。InP 晶体具有饱和电子漂移速度高、抗辐射能力强、导热性好、光电转换效率 高等诸多优点,被广泛应用于光通信、高频毫米波器件、光电集成电路和外层空间用太阳 电池等领域。未来组件需求将以高速、高频与高功率等特性,链接 5G 通讯、车用电子与 光通讯领域的应用,第二、三代化合物半导体有望突破硅半导体摩尔定律。 图 1:磷化铟(InP)单晶锭 图 2:磷化铟(InP)单晶片 资料来源:Plutosemi 资料来源:Plutosemi 磷化铟磷化铟半导体电学半导体电学性能性能突出突出 磷化铟(磷化铟(InP)和砷

15、化镓()和砷化镓(GaAs)相比,)相比,电学电学等等物理性质优势突出,在半导体光通信物理性质优势突出,在半导体光通信 领域领域应用占据优势应用占据优势。1)磷化铟具有高电子峰值漂移速度、高禁带宽度、高热导率等优点。 InP 的直接跃迁带隙为 1.35eV,对应光通信中传输损耗最小的波段;热导率高于 GaAs, 散热性能更好。2)磷化铟在器件制作中比 GaAs 更具优势。InP 器件高电流峰谷比决定了 器件的高转换效率;InP 惯性能量时间常数是 GaAs 的一半,工作效率极限高出 GaAs 器 件一倍;InP 器件具有更好的噪声特性。3)磷化铟(InP)作为衬底材料主要有以下应用 途径。光电

16、器件,包括光源(LED)和探测器(APD 雪崩光电探测器)等,主要用于光纤 通信系统;集成激光器、光探测器和放大器等,是光电集成电路是新一代 40Gb/s 通信系 统必不可少的部件。 表 1:三代半导体材料物理性质对比 物理参数物理参数 第一代半导体第一代半导体 第二代半导体第二代半导体 第三代半导体第三代半导体 Si Ge GaAs InP GaN SiC 禁带宽度(eV) 1.12 0.7 1.4 1.3 3.39 3.26 能带跃迁类型 间接 间接 直接 直接直接 直接 直接 新材料新材料行业行业化合物半导体系列报告化合物半导体系列报告2020.07.09 2 物理参数物理参数 第一代半

17、导体第一代半导体 第二代半导体第二代半导体 第三代半导体第三代半导体 击穿电场(MV/cm) 0.3 - 0.4 0.5 3.3 3 截止频率(GHz) 20 - 150 300 150 20 本征载流子浓度 ni (cm(-3)) 1*10(7) 1*10(13) 1.5*10(10) 1*10(14) 1.9*10(10) 8.2*10(9) 饱和速度(10(6)cm/s) 10 6 20 22 22 20 电子迁移率(cm(2)/Vs) 1200 3800 6500 4600 1250 800 空穴迁移率(cm(2)/Vs) 420 1400 320 150 250 115 介电常数 1

18、1.8 16 12.8 10.8 9 10 热导率(W/cmK) 1.5 0.6 0.5 0.7 1.3 4.9 资料来源:第三代半导体联合创新孵化中心,中信证券研究部 磷化铟磷化铟材料材料光电领域应用光电领域应用占优占优 磷化铟应用磷化铟应用涵盖涵盖光纤通信、光电器件光纤通信、光电器件、医疗医疗及及传感等多种传感等多种领域。领域。目前主要应用于 1)用 于光纤通信技术。 在磷化铟单晶衬底上制备的 InGaAsP/InP, InGaAs/InP 异质结材料所制 备的 1.31.6m 光源和探测器已广泛用于光纤通信中;2) 材料在光电器件方面得到广泛 应用。 图 3:磷化铟主要应用领域 资料来源

19、:Yole,中信证券研究部 磷化铟磷化铟单晶单晶制备制备技术壁垒高技术壁垒高 能够使单晶批量化生长的技术主要有高压液封直拉法(LEC) 、垂直温度梯度凝固法 (VGF)和垂直布里奇曼法(VB) 。美国 AXT 公司和日本住友分别使用 VGF 和 VB 技术 可以生长出直径 150mm 的磷化铟单晶,日本住友使用 VB 法制备的直径 4 英寸掺 Fe 半 绝缘单晶衬底可以批量生产。VGF 生产技术要求晶体表面翘曲度小于 15 微米,位错水平 越低越好。中国磷化铟制备技术与国际水平仍有较大差距,国内企业产能规模较小,大尺 寸磷化铟晶片生产能力不足。 新材料新材料行业行业化合物半导体系列报告化合物半

20、导体系列报告2020.07.09 3 表 2:磷化铟单晶制备工艺指标 导电类型导电类型 半绝缘半绝缘 N 型型 P 型型 NP 型型 掺杂元素 Fe S,Sn Zn 无掺杂 长晶方式 VGF 直径 2,3,4,6 晶向(度) (100)+/- 0.5 厚度(微米) 350-675 +/- 25 参考边 US EJ 载流子浓度 - (0.8-8)*10*(18) (0.8-8)*10*(18) (1-10)*10(15) 电阻率(ohm-cm) 0.5*10(7) - - - 电子迁移率(cm2/V.S.) 1000 1000-2500 50-100 3000-5000 位错密度(/cm2) 5

21、000 5000 500 500 平整度P/P(微米) 10 平整度P/E(微米) 15 翘曲度(微米) 15 表面加工 P/P,P/E,E/E 资料来源:Plutosemi,中信证券研究部 磷化铟磷化铟光通信光通信产业链产业链,上游,上游国外国外垄断垄断有待有待突破突破 产业链全球分工产业链全球分工明确明确,国内国内衬底市场衬底市场占比占比不足不足 磷化铟磷化铟衬底衬底处于产业链上游处于产业链上游,80%市场份额市场份额被国外厂商垄断。被国外厂商垄断。目前,日本住友是行业 龙头, 占据着全球 60%市场份额, 美国通美市占率 15%, 英法的公司市占率各 10%和 5%。 目前,国内衬底年用

22、量总计在 3 万片左右,占全球总市场份额不足 2%。国内能够生产磷 化铟晶圆的企业较少,珠海鼎泰芯源公司掌握 30 项专利,正在申请的专利有 10 项,磷化 铟长晶率可达到 40%-50%。而公司背后的技术团队和技术支撑是中科院。目前鼎泰芯源 已经掌握了 2 英寸到 6 英寸晶圆的生产技术。 图 4:磷化铟光通信全球产业链分工 资料来源:Yole,中信证券研究部 新材料新材料行业行业化合物半导体系列报告化合物半导体系列报告2020.07.09 4 上游衬底公司上游衬底公司:国外国外垄断格局垄断格局显著显著,国内企业追赶,国内企业追赶 磷化铟衬底材料处于光通信产业链上游,国外垄断格局明显。磷化铟

23、衬底材料处于光通信产业链上游,国外垄断格局明显。目前,由于在磷化铟单 晶生长设备和技术方面存在较高壁垒,磷化铟市场参与者较少,且以少数几家国外厂商为 主,主要供应商包括日本住友、日本能源、美国 AXT(中国生产)、法国 InPact、英国 WaferTech 等,以上 5 家厂商占据了全球近 80%的市场份额。 图 5:InP 衬底 2019 全球市场份额(单位:%) 资料来源:金智创新,中信证券研究部 国内开展磷化铟单晶材料的研究工作已经超过 30 年,但磷化铟单晶生长技术的研究 规模、项目支持力度和投入较小,与国际水平还存在较大差距。目前,国内除通美北京工 厂外,尚没有可批量生产单晶衬底的

24、厂家。但传统的砷化镓、锗单晶衬底厂家同样注意到 了该市场的机会,包括珠海鼎泰芯源公司、云南锗业、先导稀材、中科晶电、东一晶体在 内的厂家正在积极布局。目前,由于国内激光器外延厂家尚未实现大规模生产,磷化铟衬 底占全球总市场份额不足 2%。 表 3:磷化铟产业链上游公司概况 公司名称公司名称 国家国家/地区地区 简介简介 上游 磷化铟 日本住友 日本 光通信龙头企业,占据全球 60%市场份额 日本能源 日本 行业重点企业,占据 5%的市场份额 美国 AXT 美国 行业重点公司,全球市占率 15% WaferTech 英国 专注于嵌入式闪存工艺技术,市占率 5% 云南锗业 云南昆明 主营业务为锗矿

25、和锗材料加工贸易,设计产能 10 万片 鼎泰芯源 广东珠海 产能 4-5 万片,预计今年产值 500 万元,2021 年科创板上市 北京通美 美国 美国 AXT 公司子公司,2018 年销售额约 2-3 亿元 资料来源:各公司官网,中信证券研究部 中游中游器件公司:器件公司:激光器欧美企业起步激光器欧美企业起步较早,较早,光模块光模块中国中国市占率高市占率高 激光器欧美企业起步较早,激光器欧美企业起步较早,国内国内企业规模相对较小企业规模相对较小。公司规模来看,国外激光器企业 体量较大,国内激光器企业仍有差距。欧洲和美国在激光领域起步较早,技术上具备领先 优势, 时至今日许多知名激光器企业已经

26、发展壮大, 如美国的 IPG 光电、 Coherent (相干, 收购德国罗芬) 、nLight(恩耐) 、II-VI(贰陆) ,德国的 Trumpf(通快,收购英国 SPI 公 司) ,以及丹麦的 NKTPhotonics 等。国内优秀的激光器企业有锐科激光、创鑫激光、杰普 60% 15% 10% 5% 5% 5% 日本住友 美国AXT 法国InPact 英国WaterTech 日本能源 其他厂商 新材料新材料行业行业化合物半导体系列报告化合物半导体系列报告2020.07.09 5 特等,但规模上相对较小。 图 6:激光器 2019 全球市场份额(单位:%) 资料来源:2020 中国激光产业

27、发展报告,中信证券研究部 表 4:激光器全球公司情况概览 公司名称公司名称 国家国家/地区地区 简介简介 中游 激光器 IPG 美国 主营业务光学组件、模块及子系统,公司目前年产值超过 10 亿美元 锐科激光 中国 国内最大、全球有影响力的具有从材料、器件到整机垂直集 成能力的光纤激光器研发、生产和服务供应商。 创鑫激光 中国 国内首批成立的光纤激光器制造商之一,也是国内首批实现 在光纤激光器、光学器件两类核心技术上拥有自主知识产权 并进行垂直整合的国家高新技术企业之一。 Trumpf 德国 主要产品 CO2 激光器、固体激光器、光纤激光器 资料来源:各公司官网,中信证券研究部 光模块产业链全

28、球分工明确光模块产业链全球分工明确,国内,国内厂商占据较大市场份额厂商占据较大市场份额。欧美日等发达国家技术起 步较早,在芯片和产品研发方面拥有较大技术优势。中国在技术方面起步晚,没有实现技 术独立的优势,但是凭借劳动力优势、市场规模以及电信设备商的扶持,光模块在产业链 中游占据较大市场份额,从 OEM、ODM 发展为多个全球市占率领先的光模块品牌。光迅 科技、中际旭创、华工正源等企业占据全球 19%光模块市场份额。产业链分工有效利用了 全球优势生产要素,并避免了重复研发,有利于全球产业链高效运转。 42% 24% 12% 5% 5% 3%2% 2%1% 3% IPG 锐科激光 创鑫激光 nL

29、IGHT Coherent 杰普特 飞博激光 联品激光 海富光子 新材料新材料行业行业化合物半导体系列报告化合物半导体系列报告2020.07.09 6 图 7:光模块 2019 全球市场份额(单位:%) 资料来源:Ittbank,中信证券研究部 表 5:光模块全球公司情况概况 公司名称公司名称 国家国家/地区地区 简介简介 中游 光模块 AAOI 美国 设计并制造各种光纤通讯产品,包括部件、组件和成套设备 II-VI 美国 全产品线,拥有领先的光芯片研发能力,IDM 模式 光迅科技 中国 中国最大光通信器件供货商,是目前中国唯一一家有能力对 光电子器件进行系统性,战略性研究开发的高科技企业。

30、中际旭创 中国 中国最大光通信器件供货商,是目前中国唯一一家有能力对 光电子器件进行系统性,战略性研究开发的高科技企业 三安集成 电路 中国 提供专用的大批量 6 英寸 GaAs 和 2 英寸/ 4 英寸 InP 化合 物半导体代工服务 资料来源:各公司官网,中信证券研究部 下游下游云厂商:云厂商:亚马逊市占率全球首位,阿里巴巴追赶亚马逊市占率全球首位,阿里巴巴追赶 从全球云计算市场份额来看,美国厂商占据主导地位,亚马逊是唯一的行业龙头,阿 里云跻身第四位。 根据 Gartner 的统计, 2019 年亚马逊、 微软、 谷歌三家美国厂商在 2019 年占 72%的市场份额。亚马逊以 45%的市

31、场份额位于全球首位,第二、三、四分别是占据 17.9%市场的微软、占据 9.1%市场的谷歌和占据 5.3%市场的阿里云。 图 8:云计算厂商(2019)全球市场份额(单位:%) 资料来源:Gartner,Canalys,中信证券研究部 19% 14% 10% 10% 9% 8% 7% 6% 4% 3% 2% 2% 6% II-VI Lumentum FIT 光迅科技 中际旭创 华工正源 Sumitomo Cisco Neophotonis 45.0% 17.9% 9.1% 5.3% 23.7% 亚马逊 微软 谷歌 阿里云 其他 新材料新材料行业行业化合物半导体系列报告化合物半导体系列报告202

32、0.07.09 7 表 6:云厂商全球公司概况 公司名称公司名称 国家国家/地区地区 简介简介 微软 美国 Microsoft Azure 是微软的公用云端服务平台,云计算的领先者 谷歌 美国 Google Cloud 是谷歌 2008 年推出的云计算服务系列 亚马逊 美国 亚马逊云服务(AWS)在云计算市场中占据了主要的市场份额 思科 美国 思科是一家网络解决方案供应公司,于 2016 年收购 CloudLock 阿里巴巴 中国 全球领先的云计算及人工智能科技公司 腾讯 中国 为全球客户提供领先的云计算、大数据、人工智能服务 资料来源:各公司官网,中信证券研究部 IDC/5G 驱动驱动光模块

33、光模块需求迅增需求迅增,磷化铟材料,磷化铟材料蓄势待发蓄势待发 电信电信+数通拉动产业链上下游需求增长数通拉动产业链上下游需求增长 5G 时代时代光通信行业的发展光通信行业的发展主要主要带动光模块需求增长。带动光模块需求增长。由于现代通信都是由光纤光缆 传输, 而终端发送和接收都是电信号, 所以两端都需要有光电信号的转换装置光模块。 光模块如今大量应用于通信行业和数据中心行。5G 使用的网络架构相比 4G 增加了中传 环节,前传、中传、回传之间均采用光模块实现互联。 光模块需求升级带动光模块需求升级带动激光器激光器产能产能的的扩张。扩张。光通信过程中,发射端将电信号转换成光信 号,经过调制由激光器发射激光传向接收端;接收端将光信号转换成电信号,经过解调变 成信息。其中,光电芯片以其光电信号转换功能占据关键地位。一是成本占比高,光芯片 和电芯片分别占光模块成本 50%、20%,也就是光模块成本有 7 成是芯片;二是技术壁垒 高,光模块的核心技术就在于芯片,尤其是光芯片,光芯片的技术决定光模块的性能。 图 9:光模块上游相关光器件拆分示意图 资料来源:中际旭创财报 新材料新材料行业行业化合物半导体系列报告化合物半导体系列报告2020.07.09 8 全球及全球及中国光中国光模块模块市场市场趋势向好趋势向好 光模块市场前景良好, 预期光模块市场前景良好,

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