CCZ在拉晶效率上领先 原图定位 理论上来说,颗粒硅的产品特性更适合使用 CCZ 工艺生产 N 型硅片,目前颗粒硅仍存在氢跳、硅粉表面积大易吸附杂质等问题:由于颗粒硅表面存在悬挂键,氢与悬挂键结合,熔化时释放氢气进而发生跳料。若能通过工艺升级解决这些问题,则 N 型片与 P型价差收窄,HIT 性价比进一步超越 P-Perc。