颗粒硅+CCZ工艺或将有效提升生产效率 原图定位 颗粒硅+CCZ工艺或将有效提升拉晶产能。从使用端来看,颗粒硅形似球状,2mm 左右粒径的颗粒,具有良好的流动性、填充性,可以直接拉晶使用,能填补硅块空隙, 提高坩埚装填量,从而提高拉晶产出。同时,颗粒硅大小形状比较均匀,熔化时对拉晶炉热场扰动小,具有单次投料量多,熔化效率高,免破碎等多重优势,是未来大规模应用CCZ技术(即连续直拉单晶硅技术)的必要条件,相较于目前传统的 RCZ 单晶复投法,其拉晶效率更高。CCZ 的工艺特点是可以在单晶炉内实现进料-熔料-拉棒同步进行,从而节省晶棒冷却及加料环节的时间。根据协鑫科技 2022 年年报的数据,公司 CCZ 单台拉晶炉单产可达到 185 千克/天,已实现 200 兆瓦的中试产能。未来随着 N 型单晶和大直径单晶的规模化推广, CCZ 的技术优势或将会更加凸显,颗粒硅应用场景将得到进一步优化。