PECVD和HWCVD相关性质对比 原图定位 2)非晶硅薄膜沉积:在硅片正面沉积厚度为 3-5nm的本征非晶硅薄膜 i-a-Si和 p 型非晶硅薄膜p-a-Si,从而形成PN异质结;在背面沉积本征非晶硅薄膜 i-a-Si和n型非晶硅薄膜n-a-Si,从而形成背表面场。因为 PN结是在表面形成的并且沉积层也决定了钝化的效果,因此这是HIT电池制造的最核心步骤之一。目前非晶硅沉积主要有 HWCVD与 PECVD两种工艺方法,除去生长速率以外,PECVD 的方法更具备竞争优势且稳定,国内许多厂商都朝着 PECVD的方向做研发。