FSI与BSI对比 原图定位 生产 500万像素以上产品需采用 BSI工艺。CMOS有两种结构,前照式 FS(I Front sideillumination)和背照式 BSI(Back side illumination)。传统的 FSI 工艺下,光线射入后会依次穿过透镜、彩色滤波片、金属线路及光电二极管,由于金属层对光线的干扰作用,导致受光效率偏低;而 BSI工艺下,金属层与光电二极管位置进行了调换,从而消除了金属层对光通路的干扰,进光量与受光效率得以明显提升,该优势在高阶产品中尤为明显。鉴于市场对拍照体验的要求不断提高,像素持续升级,BSI工艺将逐渐成为市场主流方案,市场份额不断提升。目前 500万像素以上的 CMOS大多采用 BSI工艺。