SiC衬底价格(元/cm2) 原图定位 SiC 成本下降依赖于尺寸增加、可用厚度增加和缺陷密度下降。伴随大直径衬底占比不断提高,衬底单位面积生长成本下降。单晶可用厚度在不断增加。以直径 100mm 单晶为例,2015 年前大部分单晶厂商制备单晶平均可用厚度在 15mm 左右,2017 年底已经达到 20mm 左右。伴随衬底结晶缺陷密度下降的同时,工艺复杂程度增加。在大部分衬底提供商完成低缺陷密度单晶生长工艺及厚单晶生长工艺研发后,衬底单位面积价格会迎来相对快速的降低。