氮化镓器件不断占领LDMOS市场空间 原图定位 5G 时代氮化镓市场占比进一步上升,未来将不断占领 LDMOS 市场空间。5G时代高速增长的数据流量使得调制解调难度不断增加,需要的频段越来越多,对射频前端器件的性能要求也越来越高。目前在射频前端应用中,硅基 LDMOS器件和砷化镓仍是主流器件。通常来说,LDMOS 适用于 3.5GHz 以下的应用,砷化镓适用于 40GHz 以下但器件尺寸较大。GaN 在高频环境下可以保持高功率输出,可以有效减少晶体管的数量,从而缩小器件尺寸。从电压角度来看,LDMOS的工作电压约为 6V,砷化镓为 10V,GaN 可以工作于 28V 或更高的电压,工作性能优于 LDMOS 与砷化镓,潜在市场空间较大。据产业信息网数据,2012年射频功率放大器市场中,LDMOS市场有率为第一,占比为71%,GaN为13.2%,到了 2018 年,LDMOS 市场占有率下降为 57.6%,GaN 上升至第二名,占比为34.2%,GaN 发展势头良好,预计在 5G 时代 GaN 的市场占比将进一步上升。