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mosfetTag内容描述：

1、 1 此文件为内部工作稿,仅供内部使用报告编码19RI0880 2019 年中国 MOSFET 行业概览分析师:苏素 2019 年 11 月概览标签:半导体硅MOSFET宽禁带半导体概览摘要:MOSFET,又称 MOSMOS 管,全。

2、电子电子半导体半导体请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 1 18 新洁能新洁能605111.SH 2020 年 10 月 15 日投资评级:投资评级:买入买入首次首次日期 20201014 当前股价元 50.80 一年最高最低元。

3、请务必阅读正文之后的请务必阅读正文之后的重要声明重要声明部分部分评级:评级:买入买入首次首次市场价格:市场价格:134.97 分析师:张欣分析师:张欣执业证书编号:执业证书编号:S0740518070001 Email: 基本状况基本。

4、MOSFETIGBT 国产替代先行者,行业高景气度下迎来新机遇 TableCoverStock 新洁能605111.SH深度报告 TableReportTime 2020 年 12 月 6 日请阅读最后一页免责声明及信息披露 2 证券研。

5、电子电子证券研究报告证券研究报告首次评级首次评级 2020 年年 12 月月 30 日日 605111.SH 增持增持原评级原评级: 未有评级未有评级市场价格市场价格:人民币人民币 182.80 板块评级板块评级:强于大市强于大市。

6、产品布局齐全,率先卡位高成长功率赛道pp公司功率半导体产品系列齐全,拥有MOSFETIGBT 和功率模块等多品类产品系列.公司基于全球半导体功率器件先进理论技术开发领先产品,是国内最早同时拥有沟槽型功率MOSFET超结功率MOSFET屏蔽。

7、三分别是英飞凌安森美和华润微,市占率分别为 28.416.9和 8.7. IGBT 市场同样英飞凌一家独大,全球市占率达到 37,其后的安森美和富士电气市占率达到 10和 9.功率器件高端应用市场和技术基本被国外企业垄断.在市场方面,国内。

8、上市公司公司研究公司深度证券研究报告电子 2021 年 11 月 30 日新洁能 605111 MOSFET 技术领先,迎 IGBTSiCGaN 国产之机报告原因:首次覆盖买入首次评级投资要点。

9、证券研究报告公司深度报告 2022 年 02 月 15 日审慎推荐审慎推荐A首次首次国内高压国内高压 MOSFET 龙头,创新龙头,创新 IGBT 结构结构拓宽产品线拓宽产品线 TMT 及中小盘电子当前股价:145.48 元东微。

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