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1、 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 Table_Info1 东芯股份东芯股份(688110)半导体半导体/电子电子 Table_Date 发布时间:发布时间:2023-06-29 Table_Invest 增持增持 首次覆盖 股票数据 2023/06/29 6 个月目标价(元)收盘价(元)35.79 12 个月股价区间(元)26.1742.38 总市值(百万元)15,828.12 总股本(百万股)442 A 股(百万股)442 B 股/H 股(百万股)0/0 日均成交量(百万股)15 Table_PicQuote 历史收益率曲线 Table_Trend 涨跌幅(%)1M
2、 3M 12M 绝对收益-3%17%-3%相对收益-4%21%10%Table_Report 相关报告 北京君正(300223):车规市场积极布局,新品持续研发导入-20230501 兆易创新(603986):业绩高增长,发力汽车、工业领域-20230831 Table_Author 证券分析师:李玖证券分析师:李玖 执业证书编号:S0550522030001 证券分析师:武芃睿证券分析师:武芃睿 执业证书编号:S0550522110001 研究助理:孟爽研究助理:孟爽 执业证书编号:S0550122070002 Ta
3、ble_Title 证券研究报告/公司深度报告 国产国产 SLC NAND 先行者,先行者,积极开拓新产品线积极开拓新产品线 报告摘要:报告摘要:Table_Summary 聚焦中小容量通用型存储芯片,“专精特新”小巨人快速成长。聚焦中小容量通用型存储芯片,“专精特新”小巨人快速成长。东芯股份专注于中小容量通用型存储芯片,是国内少数可以同时提供 NAND、NOR、DRAM 设计工艺和产品方案的存储芯片研发设计公司。2014 年公司成立,2021 年于科创板上市,2022 年成为工信部第四批“专精特新”小巨人企业。需求:存储市场需求:存储市场进入筑底期进入筑底期,有望有望迎来改善。迎来改善。全球
4、存储芯片市场规模随半导体行业景气度同步波动,且振幅较大。2022 年存储市场容量增速放缓,有望迎来改善。2022 年全球宏观经济环境恶化,全球部分地区性因素影响下,大部分市场需求锐减,存储芯片需求受到抑制。根据 CFM 闪存市场预测,2022 年 NAND Flash 市场容量规模增长 6%达到 610 B GB,DRAM 市场容量规模增长 4%达到 194 B GB,增速处于历史低位,预计2023 年 NAND 和 DRAM 市场规模将回到 20%和 10%增速。供给:海外厂商寡头垄断,国内厂商逐步突破。供给:海外厂商寡头垄断,国内厂商逐步突破。国外存储芯片厂商凭借先发优势和在终端市场的品牌
5、优势,占据大部分市场份额。我国存储芯片行业起步较晚,本土存储芯片厂商处于投产初期,技术基础较为薄弱。近年来,国内厂商奋力追赶,在部分领域实现突破,逐步缩小与国外原厂的差距。增长点:核心技术积累深厚,存储芯片增长点:核心技术积累深厚,存储芯片迎迎周期拐点。周期拐点。公司在 NAND Flash、NOR Flash、DRAM 等存储芯片的设计核心环节拥有较强的自主研发能力与核心技术,先后被评为上海市高新技术企业、国家级“专精特新”小巨人企业等。海外大厂淡出 SLC NAND,东芯依托于我国广阔的下游市场,公司 SLC NAND Flash 业务有望持续贡献营收增长。随着存储芯片供给端的减产已有所成
6、效,同时 AI 服务器拉动存储芯片需求增长,我们认为,存储芯片市场有望迎来需求拐点,东芯股份业绩有望充分受益于行业景气度向上周期。首次覆盖,给予“增持”评级。首次覆盖,给予“增持”评级。预计公司 2023-2025 年营业收入分别为13.04、16.84、22.06 亿元,归母净利润分别为 2.21、3.64、5.22 亿元,对应 PE 分别为 72、44、30 倍。作为国内 SLC NAND Flash 的先行厂商,公司不断推进先进制程工艺,并向工业、物联网等下游应用领域拓展,我们看好公司的长远发展,首次覆盖,给予“增持”评级。风险提示:风险提示:下游市场需求、新产品研发进度、产品竞争力不及
7、预期 Table_Finance 财务摘要(百万元)财务摘要(百万元)2021A 2022A 2023E 2024E 2025E 营业收入营业收入 1,134 1,146 1,304 1,684 2,206(+/-)%44.62%1.03%13.79%29.11%31.03%归属母公司归属母公司净利润净利润 262 185 221 364 522(+/-)%1240.27%-29.17%18.92%64.90%43.68%每股收益(元)每股收益(元)0.77 0.42 0.50 0.82 1.18 市盈率市盈率 58.68 62.31 71.78 43.53 30.30 市净率市净率 5.23
8、 2.94 3.87 3.55 3.18 净资产收益率净资产收益率(%)29.49%4.74%5.39%8.16%10.50%股息收益率股息收益率(%)0.50%0.35%0.00%0.00%0.00%总股本总股本(百万股百万股)442 442 442 442 442-40%-30%-20%-10%0%10%20%东芯股份沪深300 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 2/31 东芯股份东芯股份/公司深度公司深度 目目 录录 1.专注中小容量存储芯片,产品线不断拓展升级专注中小容量存储芯片,产品线不断拓展升级.4 1.1.聚焦中小容量通用存储芯片,产品线拓展升级.4 1.
9、2.经营业绩筑底,研发实力构筑核心竞争力.6 1.3.把握市场应用需求,积极开拓新产品线.10 2.需求:存储市场进入筑底期,有望迎来改善需求:存储市场进入筑底期,有望迎来改善.14 2.1.存储市场周期波动显著,多种下游应用推动需求增长.14 2.2.存储下游需求不振,有望迎来改善.16 3.供给:海外厂商寡头垄断,国内厂商逐步突破供给:海外厂商寡头垄断,国内厂商逐步突破.20 3.1.海外厂商主导存储市场,我国厂商奋力追赶.20 3.2.多年经验积累,东芯股份产品可靠性强.21 4.增长点:核心技术积累深厚,存储芯片迎周期拐点增长点:核心技术积累深厚,存储芯片迎周期拐点.24 5.盈利预测
10、与投资建议盈利预测与投资建议.26 5.1.盈利预测.26 5.2.投资建议.26 6.风险提示风险提示.28 图表目录图表目录 图图 1:东芯股份发展历程:东芯股份发展历程.4 图图 2:东芯股份产品线:东芯股份产品线.5 图图 3:公司各产品线主要参数指标:公司各产品线主要参数指标.5 图图 4:东芯股份产品供应链:东芯股份产品供应链.6 图图 5:公司股权结构图:公司股权结构图.6 图图 6:公司近年营收:公司近年营收.7 图图 7:公司近年归母净利润公司近年归母净利润.7 图图 8:公司近年毛利率及净利率:公司近年毛利率及净利率.7 图图 9:近年各产品线毛利率:近年各产品线毛利率.7
11、 图图 10:主营业务收入(亿元):主营业务收入(亿元).8 图图 11:主营业务收入占总营收比例:主营业务收入占总营收比例.8 图图 12:期间费用率:期间费用率.8 图图 13:研发费用:研发费用.8 图图 14:公司研发人员数量:公司研发人员数量.9 图图 15:2022 年末公司员工占比年末公司员工占比.9 图图 16:人均创收:人均创收.9 图图 17:人均创利:人均创利.9 图图 18:NAND 系列产品销售数量(左轴)及均价(右轴)系列产品销售数量(左轴)及均价(右轴).10 图图 19:NOR 系列产品销售数量(左轴)及均价(右轴)系列产品销售数量(左轴)及均价(右轴).10
12、图图 20:DRAM 系列产品销售数量(左轴)及均价(右轴)系列产品销售数量(左轴)及均价(右轴).10 图图 21:MCP 系列产品销售数量(左轴)及均价(右轴)系列产品销售数量(左轴)及均价(右轴).10 图图 22:公司发明专利(截至:公司发明专利(截至 2022 年末)年末).11 图图 23:知识产权列表(截至:知识产权列表(截至 2022 年末)年末).11 图图 24:公司产品主要应用领域:公司产品主要应用领域.11 图图 25:公司主要产品线的工艺平台发展历程:公司主要产品线的工艺平台发展历程.12 图图 26:半导体存储分类:半导体存储分类.14 图图 27:全球半导体市场规
13、模与存储芯片市场规模同比变化:全球半导体市场规模与存储芯片市场规模同比变化.15 图图 28:全球存储芯片市场规模:全球存储芯片市场规模.15 AW8ZuYrVzWnXjWsOsPbR8QbRsQrRmOpMkPoOrPfQmPmM9PnMmPvPtOwPMYmOuM 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 3/31 东芯股份东芯股份/公司深度公司深度 图图 29:中国存储芯片市场规模:中国存储芯片市场规模.15 图图 30:2021 年全球存储芯片市场产品结构年全球存储芯片市场产品结构.16 图图 31:我国数据中心市场规模:我国数据中心市场规模.16 图图 32:全球汽车
14、存储市场规模:全球汽车存储市场规模.16 图图 33:DRAM 与与 NAND 市场容量规模同比市场容量规模同比.17 图图 34:全球:全球 NAND Flash 季度销售额季度销售额.17 图图 35:2021 年全球年全球 NAND Flash 细分市场应用占比细分市场应用占比.18 图图 36:2021 年全球年全球 NAND 细分类别出货量细分类别出货量占比占比.18 图图 37:全球:全球 NOR Flash 市场规模市场规模.18 图图 38:2021 年全球年全球 NOR Flash 应用占比应用占比.18 图图 39:全球:全球 DRAM 季度销售额季度销售额.19 图图 4
15、0:2021 年全球年全球 DRAM 细分市场应用占比细分市场应用占比.19 图图 41:2021 年中国年中国 DRAM 细分市场应用占比细分市场应用占比.19 图图 42:全球存储器主要生产基地:全球存储器主要生产基地.20 图图 43:全球:全球 NAND Flash 厂商份额占比厂商份额占比.20 图图 44:2021 年全球厂商年全球厂商 NOR Flash 营收营收.21 图图 45:2021 年年 NOR Flash 厂商市占率厂商市占率.21 图图 46:全球:全球 DRAM 厂商份额占比厂商份额占比.21 图图 47:公司与同行业可比公司比较:公司与同行业可比公司比较.22
16、表表 1:IPO 募集资金投资项目募集资金投资项目.12 表表 2:在研项目情况:在研项目情况.13 表表 3:主要存储产品对比:主要存储产品对比.14 表表 4:国内存储芯片企业对比:国内存储芯片企业对比.22 表表 5:东芯股份主要产品技术水平对比:东芯股份主要产品技术水平对比.23 表表 6:公司核心技术:公司核心技术.24 表表 7:公司分业务收入预测(百万元):公司分业务收入预测(百万元).26 表表 8:可比公司:可比公司 PE 估值(截至估值(截至 2023/6/29 收盘股价)收盘股价).27 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 4/31 东芯股份东芯股份
17、/公司深度公司深度 1.专注专注中小容量存储芯片中小容量存储芯片,产品线,产品线不断拓展升级不断拓展升级 1.1.聚焦中小容量通用存储芯片,产品线拓展升级 聚焦中小容量通用型存储芯片,聚焦中小容量通用型存储芯片,“专精特新”小巨人“专精特新”小巨人快速快速成长成长。东芯股份专注于中小容量通用型存储芯片的研发、设计和销售,是国内少数可以同时提供 NAND、NOR、DRAM 设计工艺和产品方案的存储芯片研发设计公司。2014 年公司成立,目前总部位于上海,在深圳、南京、香港、韩国均设有分公司或子公司。2019 年公司完成股改,正式变更为东芯半导体股份有限公司。2021 年公司于科创板上市。2022
18、 年公司成为工信部第四批“专精特新”小巨人企业。图图 1:东芯股份发展历程东芯股份发展历程 数据来源:公司公众号,东北证券 公司主要产品为非易失性存储芯片NAND Flash、NOR Flash,易失性存储芯片DRAM以及衍生产品 MCP:1)NAND Flash:聚焦平面型 SLC NAND Flash 的设计与研发,2015 年 1Gb SPI NAND 芯片 38nm 工艺成功流片,2020 年 8Gb PPI NAND Flash 芯片 24nm 工艺线成功流片。主要产品采用浮栅型工艺结构,存储容量覆盖 512Mb 至 32Gb,包含 SPI或 PPI 类型接口,搭配 3.3V/1.8
19、V 两种电压,能够满足客户在不同应用领域及场景的需求。公司产品在耐久性、数据保持特性等方面表现稳定,在工业温控标准下单颗芯片擦写次数已超 10 万次,同时可在-40105的极端环境下保持数据有效性长达 10 年,产品可靠性逐步从工业级标准向车规级标准升级。2)NOR Flash:2017 年,50nm NOR Flash Wide Range 成功流片。自主设计的 SPI NOR Flash 存储容量覆盖 64Mb 至 1Gb,支持多种数据传输模式,广泛应用于可穿戴设备、移动终端等领域。3)DRAM:2019 年,2Gb DDR3 25nm 工艺产线成功流片。DDR3(L)系列可以传输双倍数据
20、流,具有高带宽、低延时等特点,在通讯设备、移动终端等领域应用广泛。2022 年,1GB LPDDR4x 25nm 工艺产线成功流片。针对移动互联网和物联网的低功耗需求,公司自主研发的 LPDDR 系列产品具有低功耗、高传输速度等特点,适合在智能终端、可穿戴设备等产品中使用。请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 5/31 东芯股份东芯股份/公司深度公司深度 4)MCP:NAND MCP 产品集成了自主研发的低功耗 1.8V SLC NAND Flash 闪存芯片与低功耗设计的 DRAM,凭借设计优势,在紫光展锐、高通、联发科等平台认证通过,广泛应用于功能手机、MIFI、通讯模
21、块等产品。图图 2:东芯股份产品线东芯股份产品线 数据来源:eefocus,东北证券 图图 3:公司公司各各产品产品线线主要参数指标主要参数指标 数据来源:公司官网,东北证券 加强供应链合作,保障产能稳定。加强供应链合作,保障产能稳定。公司采用 Fabless 模式,产品生产环节委托晶圆代工厂、封测厂进行。公司的晶圆代工厂主要为中芯国际和力积电,封测厂主要为宏 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 6/31 东芯股份东芯股份/公司深度公司深度 茂微、华润安盛、南茂科技、AT Semicon 等公司。公司秉持“本土深度,全球广度”的供应链布局,追求国产化供应链安全和自主可控的
22、目标,不断推进国产化供应链的同时,积极与国际大厂开展合作。图图 4:东芯股份:东芯股份产品供应链产品供应链 数据来源:eefocus,东北证券 聚源聚芯聚源聚芯、哈勃投资、哈勃投资入股入股,优质产业资源助力,优质产业资源助力公司公司持续发展。持续发展。截至 2023 年一季度末,东方恒信持有公司 32.38%股份,为公司控股股东。董事长蒋学明先生与董秘蒋雨舟女士为公司实际控制人,蒋学明先生持有东方恒信 68.93%股权。东芯科创为员工平台,其执行事务合伙人为东方海峡,蒋学明先生通过东方海峡实际控制东芯科创。蒋雨舟女士持有东芯科创 1.11%股权。公司获得众多产业基金投资,其中国家大基金投资的聚
23、源聚芯持有公司 3.85%股份,哈勃投资持有公司 3.00%股份。多家产业基金的投资布局彰显公司技术水平的优势,同时为公司带来优质产业资源,助力稳定持续发展。图图 5:公司股权结构:公司股权结构图图 数据来源:iFind,东北证券(截至 2023 年 3 月 31 日)1.2.经营业绩筑底,研发实力构筑核心竞争力 终端需求疲软,终端需求疲软,23Q1 经营业绩经营业绩筑底筑底。2017-2021 年,公司营业收入保持增长,主要原因为全球网络基础设施不断完善,互联网技术快速发展,电子消费场景多元化为公司提供良好的发展环境。2017-2019 年公司产品未实现盈利,原因包括产品导入周期长、产品开拓
24、初期成本尚不具备优势、持续研发及运营投入较大,同时半导体 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 7/31 东芯股份东芯股份/公司深度公司深度 下行周期带动产品价格波动下行。2021 年实现归母净利润 2.62 亿元,同比增长1240%,盈利大幅增长的主要原因系规模效应显现,高毛利率产品占比提升,同时财务费用降低。2022 年归母净利润下滑较多,主要原因系研发费用及计提的存货跌价准备增长较大。2023Q1 公司实现营收 1.24 亿元,同比下降 64%,归母净利润亏损 0.34 亿元,同比减少 131%,全球半导体周期下行,终端需求疲软,售价及成本双向承压下,产品毛利率下滑。
25、图图 6:公司近年营收公司近年营收 图图 7:公司近年归母净利润公司近年归母净利润 数据来源:Wind,东北证券 数据来源:Wind,东北证券 毛利率随毛利率随半导体半导体行业行业周期周期波动,波动,盈利能力盈利能力有望有望迎来迎来回升。回升。公司毛利率水平随半导体行业周期波动明显:2019 年半导体行业景气度较差,公司毛利率到达低点;2021 全球半导体景气度较好,毛利率达到 42%的最高水平;2021 年之后,行业景气度下行,毛利率同步下行。2022 年公司 NAND/NOR/DRAM/MCP 产品线的毛利率分别为47%/20%34%/22%。我们认为,当前存储芯片行业进入行业底部,随着行
26、业景气度回暖,公司盈利能力有望同步迎来回升。图图 8:公司近年毛利率及净利率公司近年毛利率及净利率 图图 9:近年各产品线毛利率近年各产品线毛利率 数据来源:Wind,东北证券 数据来源:Wind,东北证券 NAND 产品营收产品营收占比过半占比过半,份额有所提升份额有所提升。公司产品线主要分为四部分,其中 NAND产 品 线 占 据 主 要 营 收,2019 年 以 来 其 营 收 占 比 逐 年 提 升。2022 年NAND/NOR/DRAM/MCP/技术服务的营收分别为 7.08/0.72/0.82/2.25/0.58 亿元,占总营收的比重分别为 62%/6%/7%/20%/5%。-80
27、%-60%-40%-20%0%20%40%60%80%0246800212022 2023Q1营业收入(亿元)YoY-400%-200%0%200%400%600%800%1000%1200%1400%(1.0)(0.5)0.00.51.01.52.02.53.0归母净利润(亿元)YoY-40%-30%-20%-10%0%10%20%30%40%50%2002020212022 2023Q1毛利率净利率全球半导体市场规模YoY0%10%20%30%40%50%60%2002020212022NANDNORD
28、RAMMCP 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 8/31 东芯股份东芯股份/公司深度公司深度 图图 10:主营业务收入主营业务收入(亿亿元)元)图图 11:主营业务收入占主营业务收入占总营收比例总营收比例 数据来源:Wind,东北证券 数据来源:Wind,东北证券 期间费用率有所增加,期间费用率有所增加,加大研发助力公司加大研发助力公司成长成长。2020-2022 年,公司销售、管理、财务费用率均有所下降,规模效应优势逐步显现。2023Q1 销售/管理/研发/财务费用率分别为 5.18%/13.18%/28.70%/-11.30%,同比+4.15/+9.14/+22.1
29、9/-7.32pcts,销售、管理费用率上升的主要原因系 23Q1 营收下滑,研发费用率上升的主要原因系研发人员、研发设备等有所增加。图图 12:期间费用率期间费用率 图图 13:研发费用研发费用 数据来源:Wind,东北证券 数据来源:Wind,东北证券 研发人员数研发人员数增幅较大增幅较大,优秀优秀研发研发团队夯实竞争力团队夯实竞争力。2022 年末,公司研发人员达到 130人,较 2021 年增加 43 人,其中硕士及以上学历人员增加 10 人,本科学历人员增加30 人。公司研发人员数量增加,同时学历结构不断优化,有助于公司持续创新,提升研发效率,夯实核心竞争力。024681012142
30、002020212022NANDNORDRAMMCP技术服务0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%2002020212022NANDNORDRAMMCP技术服务-15%-10%-5%0%5%10%15%20%25%30%35%20020202120222023Q1销售费用率管理费用率研发费用率财务费用率02040608000212022 2023Q1研发费用(百万元)请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 9/31 东芯股份东芯股份/公司深
31、度公司深度 图图 14:公司研发人员数量公司研发人员数量 图图 15:2022 年末公司员工占比年末公司员工占比 数据来源:Wind,东北证券 数据来源:Wind,东北证券 2019-2021 年年盈利能力盈利能力提升提升,2022 年年人均创收暂时下滑人均创收暂时下滑。2019-2021 年,公司人均创收及人均创利均保持增长,主要原因系公司产品逐步导入客户供应链体系,规模效应下成本缩减,盈利能力提升。2022 年公司人均创收、人均创利分别为 490 万元、79 万元,较 2021 年有所下滑,半导体行业周期性下行背景下,下游需求不振,公司经营业绩受到影响。图图 16:人均创收人均创收 图图
32、17:人均创利人均创利 数据来源:Wind,东北证券 数据来源:Wind,东北证券 2022 年年 NAND/NOR 系列系列销量下降销量下降,NAND 系列产品结构系列产品结构实现实现优化。优化。2019-2022 年,NAND 系列产品销售均价由 3.7 元/颗提升至 10.7 元/颗,NAND 中 4G/8G 产品的均价相对 1G/2G 较高,利润较大,我们判断公司 NAND 产品结构实现优化,中大容量高毛利产品占比提升。受半导体行业周期波动影响,2022 年 NAND 销量下滑。NOR 系列产品的销售均价较为稳定,2022 年销量下降的主要原因系消费电子需求下滑,穿戴式应用需求走弱。6
33、08702020212022研发人员数量11%56%21%13%销售技术综合管理其他专业005006007002002020212022人均创收(万元)(100)(50)05002020212022人均创利(万元)请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 10/31 东芯股份东芯股份/公司深度公司深度 图图 18:NAND 系列产品销售数量系列产品销售数量(左轴)(左轴)及及均价均价(右(右轴)轴)图图 19:NOR 系列产品销售系列产品销售数量(
34、左轴)及数量(左轴)及均价均价(右(右轴)轴)数据来源:公司招股说明书、公司年报,东北证券 数据来源:公司招股说明书、公司年报,东北证券 细分品类变动致使细分品类变动致使 DRAM 均价波动,波动,MCP 均价较为稳定。较为稳定。公司 DRAM 系列产品品类较多,受下游终端应用需求变化、公司自身产品结构调整等原因,均价有所波动,譬如 2019 年低容量 PSRAM 占比提升,拉低 DRAM 平均均价。MCP 产品的客户群体集中于物联网 M2M 模块,包括 u-blox、移远、广和通等,由于要求长期供应保障产品,比如 5-10 年甚至更久,因此产品均价波动较小。2022 年集成电路行业景气度较为
35、低迷,DRAM 和 MCP 销量有所下滑。图图 20:DRAM 系列产品销售系列产品销售数量(左轴)及数量(左轴)及均价均价(右(右轴)轴)图图 21:MCP 系列产品销售系列产品销售数量(左轴)及数量(左轴)及均价均价(右(右轴)轴)数据来源:公司招股说明书、公司年报,东北证券 数据来源:公司招股说明书、公司年报,东北证券 1.3.把握市场应用需求,积极开拓新产品线 多年持续创新,打造多年持续创新,打造自主知识产权。自主知识产权。2022 年,公司申请申请发明专利 63 项;申请集成电路布图设计权 13 项,获得集成电路布路设计权 20 项;申请软件著作权 1 项。截至 2022 年底,公司
36、拥有境内外有效专利 70 项、软件著作权 13 项、集成电路布图设计权 68 项、注册商标 11 项。公司高度重视知识产权的自主性和完整性,经过多年持续研发和创新,相关知识产权自主完整、权属清晰。02468101201,0002,0003,0004,0005,0006,0007,0008,0009,00010,000200212022销售数量(万颗)平均单价(元/颗)0.00.51.01.52.02.501,0002,0003,0004,0005,0006,0007,0008,0009,00010,000200212022销售数量(万颗)平均单价(元
37、/颗)01,0001,5002,0002,500200212022销售数量(万颗)平均单价(元/颗)02468006008001,0001,2001,4001,60020021H1销售数量(万颗)平均单价(元/颗)请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 11/31 东芯股份东芯股份/公司深度公司深度 图图 22:公司发明专利:公司发明专利(截至(截至 2022 年末)年末)图图 23:知识产权列表:知识产权列表(截至(截至 2022 年末)年末)数据来源:eefocus、公司年报,东北证券
38、 数据来源:公司年报,东北证券 产品性能出色,产品性能出色,通过通过主流平台厂商认证。主流平台厂商认证。东芯股份产品主要应用方向包括通讯、监控安防和消费类、工业控制等。根据公司投资者关系活动记录,下游应用分类中,通讯领域占比超过 50%;监控安防和工业控制占比 20%左右;消费类主要应用于穿戴式设备,占比 20%左右。凭借工艺制程及性能等出色表现,公司产品不仅通过联发科、瑞芯微、国科微、博通等行业主流平台厂商认证,同时进入三星电子、海康威视、歌尔股份、传音控股、惠尔丰等国内外知名客户供应链体系。图图 24:公司产品主要应用领域:公司产品主要应用领域 数据来源:公司年报,东北证券 积极开拓产品线
39、,进入新应用领域。积极开拓产品线,进入新应用领域。车规产品研发方面,公司基于中芯国际 38nm 工艺平台的 SLC NAND Flash、基于力积电 48nm 工艺平台的 NOR Flash 均有产品通过 AEC-Q100 测试,可适用于严苛的车规级应用。公司的 SLC NAND Flash、NOR Flash 持续开发新产品,同时 LPDDR4X 及 PSRAM 产品已完成工程样片并通过客户验证,可用于基带市场和模块类客户。公司积极布局高可靠性工业类应用,随着产品线的不断丰富,高端应用领域的渗透率有望逐步提升。请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 12/31 东芯股份东芯
40、股份/公司深度公司深度 图图 25:公司主要产品线的工艺平台发展历程:公司主要产品线的工艺平台发展历程 数据来源:半导体行业观察,东北证券 募投项目募投项目持续推进持续推进,产品结构,产品结构实现实现丰富。丰富。2021 年公司 IPO 募集资金,投资项目包括1xnm 闪存产品研发及产业化项目、车规级闪存产品研发及产业化项目、研发中心建设项目和补充流动资金项目。截至 2022 年底,1xnm 闪存研发项目已完成首次晶圆制造;车规级闪存研发项目的部分产品已通过 AEC-Q100 验证,并已完成功能性验证。根据 2022 年报,预计 2024 年 6 月,上述两个项目达到预定可使用状态。公司通过募
41、集资金对现有产品进行技术升级,提升产品性能,丰富产品结构,有望持续增强公司核心竞争力,提升市场份额。表表 1:IPO 募集资金投资项目募集资金投资项目 项目名称项目名称 投资总额投资总额(亿元)(亿元)项目基本内容项目基本内容 累计投入进度累计投入进度(截至(截至 2022 年末)年末)1xnm闪存产品研发及产业化项目 2.31 开发生产 1xnm NAND Flash 芯片,购置设备、软件系统以及培养优秀的研发技术人员 17.64%车规级闪存产品研发及产业化项目 1.66 购置先进的研发设备、软件系统以及培养优秀的研发技术人员,增强车规级存储芯片的设计研发能力,并实现车规级闪存产品的产业化目
42、标 23.36%研发中心建设项目 0.58 包括研发中心的基建投资、先进研发和实验设备的购置、专业技术人才的培养等 19.87%补充流动资金项目 2.94 补充流动资金,提供资金支持,优化资本结构,增强公司抗风险能力 100.00%超募资金第一次永久补充流动资金 6.93 数据来源:公司招股说明书、公司年报,东北证券 新品研发不断推进,新品研发不断推进,已有已有产品产品向向更更先进制程升级。先进制程升级。SLC NAND Flash 量产产品中,公司以中芯国际 38nm、24nm,力积电 28nm 制程为主。公司不断扩充 SLC NAND Flash 产品线,在 28nm、24nm 制程上持续
43、开发新产品,部分已达到量产标准。此外,先进制程的 1xnm NAND Flash 产品已完成流片和功能性验证。NOR Flash 产品方面,公司在力积电 48nm 制程上持续开发高容量新品;中芯国际产品制程从 65nm推进至 55nm,并已完成首次流片。LPDDR4x 及 PSRAM 产品均已完成工程样片并通过客户验证,未来将继续在 DRAM 领域进行新品研发。车规产品研发方面,基于中芯国际 38nm 工艺平台的 SLC NAND Flash、基于力积电 48nm 工艺平台的 NOR Flash 均有产品通过 AEC-Q100 测试。把握把握市场应用需求市场应用需求,实现业绩稳健增长实现业绩稳
44、健增长。在客户需求导向下,公司建立了产品线短、中、长期的多层次开发计划,完善研究开发的系统化平台,推动产品迅速迭代及工艺平台升级。依托 5G、物联网、人工智能、机器视觉等下游市场需求,东芯股份推 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 13/31 东芯股份东芯股份/公司深度公司深度 动提升产品在网络通讯、物联网、工业控制及监控安防等应用领域的渗透率,助力公司业绩稳健增长。表表 2:在研项目情况在研项目情况 项目名称项目名称 预计总投资规预计总投资规模(万元)模(万元)累计投入金累计投入金额额(万元)(万元)进展进展 拟达到目标拟达到目标 具体应用具体应用 前景前景 NAND
45、Flash系列产品 1xnm 19,940.00 4,209.27 研发阶段 更先进制程 通讯设备、安防监控、可 穿 戴 设备、移动终端 24nm 7,500.00 5,589.04 部分产品已量产 更低成本、更高性能 28nm 7,500.00 6,272.70 NOR Flash 系列产品 48nm 6,500.00 5,813.76 部分产品已量产 更低成本、更高性能 55nm 3,000.00 976.15 研发阶段 补齐产品线,进一步提升产品丰富度 25nm 4Gb LPDDR4x 2,800.00 1,738.18 研发阶段 研发第四代低功耗DDR 产品 高端数据模块 其他 DRA
46、M 产品 2,000.00 1,815.06 已量产 现有 DRAM 产品进行持续升级 通讯设备、可 穿 戴 设备、移动终端 车规产品 14,273.88 2,054.77 部分产品已通 过AEC-Q100 验证 符合 AEC 国际车规认证标准、车规客户要求 车联网、仪表盘等 数据来源:公司年报,东北证券 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 14/31 东芯股份东芯股份/公司深度公司深度 2.需求:需求:存储市场存储市场进入筑底期进入筑底期,有望有望迎来改善迎来改善 2.1.存储市场周期波动显著,多种下游应用推动需求增长 存储芯片品类较多,各自技术原理不同。存储芯片品类较
47、多,各自技术原理不同。根据断电后能否保留存储的信息,半导体储存可以分为易失性存储器(VM,Volatile Memory)和非易失性存储器(NVM,Non-volatile Memory)。易失性存储器主要分为动态随机存取存储器(DRAM,Dynamic Random Access Memory)和静态随机存取存储器(SRAM,Static Random Access Memory),其中 DRAM 需要在数据改变或断电前进行周期性充电,保持电势,否则会丢失数据,SRAM 则不需要定期刷新。非易失性存储技术路线较多,其中 Flash Memory 能够快速擦写存储阵列块,分为 NAND Fla
48、sh 和 NOR Flash。根据内部电子单元密度,NAND Flash 分为 SLC、MLC、TLC 和 QLC。图图 26:半导体存储分类:半导体存储分类 数据来源:鲜枣课堂,东北证券 各类各类存储产品存储产品的的性能及应用范围性能及应用范围有所有所不同不同。由于存储单元的技术原理以及电路结构不同,存储产品之间差别较为明显。NAND Flash 的存储阵列由存储单元通过串联方式连接而成,擦除以“页”为单位,具有存储容量大、写入/擦除速度快等特点,广泛应用于固态硬盘(SSD)、手机、平板、服务器、USB 驱动器和存储卡等。NOR Flash 的存储阵列通过各存储单元通过并联方式连接,在按位快
49、速随机读取数据的同时,允许系统直接从存储单元中读取代码执行,具有芯片内执行、读取速度快的特点,应用于可穿戴设备、移动终端等。DRAM 读写速度快,常用于系统硬件的运行内存,对系统指令和数据进行处理。表表 3:主要存储产品对比主要存储产品对比 项目项目 非易失性非易失性 易失性易失性 NAND Flash NOR Flash DRAM 存储原理 浮栅型 浮栅型/电子俘获型 电容充放电型 读取速度 较慢 较快 极快 擦除/写入速度 快 较慢 极快 存储容量 高(Gb/Tb)中(Mb/Gb)中(Mb/Gb)擦写次数 十万级别 十万级别-数据来源:公司招股说明书,东北证券 请务必阅读正文后的声明及说明
50、请务必阅读正文后的声明及说明 15/31 东芯股份东芯股份/公司深度公司深度 全球存储芯片市场规模随半导体行业景气度同步波动,且全球存储芯片市场规模随半导体行业景气度同步波动,且振振幅较大。幅较大。根据全球半导体行业和存储芯片市场规模对比数据,存储芯片市场规模和半导体行业景气度同步变化,且存储芯片振幅更大。其原因是存储芯片标准化程度较高,供给端较为集中,供需错配导致周期性明显。2021 年全球半导体进入高景气周期,疫情宅经济带来消费电子、半导体产品需求暴增。2022 年半导体行业进入下行周期后,存储芯片市场需求低迷,同比下降 12.63%。图图 27:全球半导体市场规模与存储芯片市场规模同比:
51、全球半导体市场规模与存储芯片市场规模同比变化变化 数据来源:Wind、WATS,东北证券 中国存储芯片市场中国存储芯片市场与与全球全球市场市场周期同步周期同步,增速,增速高于全球高于全球市场市场。2014-2022 年,我国存储芯片市场规模 CAGR 约为 11.7%,高于全球市场的 6.8%。根据 WSTS 数据,2022年全球存储芯片市场规模约为1344亿美元,同比下降约13%,主要原因是PC、智能手机等消费类终端出货量下滑。中国存储芯片市场与全球市场的周期变动基本同步,随着上游厂商减产,库存不断消耗,同时下游市场需求有望回暖,2023 年或成为行业周期底部。图图 28:全球存储芯片市场规
52、模全球存储芯片市场规模 图图 29:中国中国存储芯片市场规模存储芯片市场规模 数据来源:WSTS,东北证券 数据来源:Yole、中研网,东北证券 DRAM和和NAND为主要产品,占比超过九成。为主要产品,占比超过九成。全球存储芯片市场以DRAM和NAND Flash 为主,2021 年 DRAM 和 NAND Flash 分别占比 56%和 40%,两者合计占比达到 96%。2021 年 NOR Flash 市场规模占比约为 2%;EEPROM 和其他产品市场规模占比约为 0.8%;SRAM/FRAM、新兴非易失性存储的市场规模均不足 10 亿美元,占比均低于 0.5%。-40%-20%0%2
53、0%40%60%80%2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022全球半导体市场规模YoY全球存储芯片市场规模YoY-40%-20%0%20%40%60%80%02040608001802014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022全球存储芯片市场规模(十亿美元)YoY-20%-10%0%10%20%30%40%50%60%05001,0001,5002,0002,5003,0003,5004,0002014 2015 2016 2017
54、 2018 2019 2020 2021 2022中国存储芯片市场规模(亿元)YoY 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 16/31 东芯股份东芯股份/公司深度公司深度 图图 30:2021 年全球存储芯片市场产品结构年全球存储芯片市场产品结构 数据来源:Yole,东北证券 数据中心、汽车及物联网等多种下游拉动,存储需求持续增长。数据中心、汽车及物联网等多种下游拉动,存储需求持续增长。受益于人工智能、物联网和云计算的迅速发展,我国数据中心市场规模增速迅猛。2017-2022 年数据中心市场规模由 354 亿元增长至 1720 亿元,预计 2027 年增长至 5000 亿元
55、,2023-2027 年间复合增长率为达到 24%。数据中心将较大拉动数据存储的需求规模,根据IDC 预测,2025 年中国数据存储容量将达到 48.6ZB,占全球 27.8%。随着汽车电动化向智能化转型,车载智能芯片数量提升,同时对汽车本地存储要求提高,预计 2030年汽车存储市场规模超过 200 亿美元。此外,在元宇宙、AI、物联网等技术带动下,AR、VR 及 MR 等消费设备逐渐放量,衍生出大量存储需求。图图 31:我国数据中心市场规模我国数据中心市场规模 图图 32:全球汽车存储市场规模全球汽车存储市场规模 数据来源:头豹研究院,东北证券 数据来源:美光、CFM 闪存市场,东北证券 2
56、.2.存储下游需求不振,有望迎来改善 2022 年年存储市场容量增速放缓,存储市场容量增速放缓,有望有望迎来改善。迎来改善。2022 年全球宏观经济环境恶化,全球部分地区性因素影响下,大部分市场需求锐减,企业库存由上游传导到下游,存储芯片需求受到抑制。根据 CFM 闪存市场预测,2022 年 NAND Flash 市场容量规模增长 6%达到 610 B GB,DRAM 市场容量规模增长 4%达到 194 B GB,增速处于历史低位,预计 2023 年 NAND 和 DRAM 市场规模将回到 20%和 10%增速。56.2%40.1%2.1%0.8%0.4%0.4%DRAMNANDNOREEPR
57、OM和其他SRAM/FRAM新兴非易失性存储0%5%10%15%20%25%30%35%40%45%50%01,0002,0003,0004,0005,0006,000我国数据中心市场规模(亿元)YoY050020222024E2026E2028E2030E全球汽车存储市场规模(亿美元)请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 17/31 东芯股份东芯股份/公司深度公司深度 图图 33:DRAM 与与 NAND 市场容量市场容量规模同比规模同比 数据来源:CFM 闪存市场,东北证券 库存逐渐出清库存逐渐出清,23Q2 全球全球 NAND 营收营收环比跌幅有
58、望收窄环比跌幅有望收窄。NAND Flash 自 2022 年下半年起需求下滑,供应链去库存,2022 年全球 NAND Flash 行业规模约为 600 亿美元。下游 PC、服务器、笔记本电脑和智能手机等需求不景气,2023 年 Q1 全球NAND 平均售价下滑 15%,整体销售额约为 86 亿美元,同比下滑 52%。2023 年 Q2三星加入减产行列,同时 OEM 厂商为代表的主要买家采购意愿提高,二季度 NAND出货量或迎来环比增长,但全产品 ASP 持续下滑,营收将持续下跌。根据集邦资讯预测,2023 年 Q2 全球 NAND 闪存营收为 79 亿美元,环比下滑 8%,环比跌幅收窄。图
59、图 34:全球全球 NAND Flash 季度销售额季度销售额 数据来源:DRAMeXchange、TrendForce,东北证券 NAND 主要下游为手机、主要下游为手机、PC 和服务器市场,和服务器市场,SLC NAND 占比较小占比较小但不可或缺但不可或缺。2021年,NAND Flash 主要应用于手机市场的嵌入式存储产品、应用于服务器市场的 eSSD产品以及应用于 PC 的 cSSD,分别占比为 34%、26%和 22%。从 NAND 下游细分类别来看,全球SLC/MLC/TLC/QLC出货量占比分别为0.19%/10.17%/80.34%/9.30%。SLC NAND 读写速度更快
60、,性能、可靠性更出色,寿命更久,因此在汽车、物联网和新兴嵌入式的需求中仍不可或缺。0%5%10%15%20%25%30%35%40%45%50%200022E2023ENAND市场容量规模YoYDRAM市场容量规模YoY-60%-40%-20%0%20%40%60%80%024680Q110Q310Q111Q311Q112Q312Q113Q313Q114Q314Q315Q116Q316Q117Q317Q118Q318Q119Q319Q120Q320Q121Q321Q122Q322Q123NAND Flash季度销售额(十亿美元)
61、YoY 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 18/31 东芯股份东芯股份/公司深度公司深度 图图 35:2021 年全球年全球 NAND Flash 细分细分市场应用占比市场应用占比 图图 36:2021 年年全球全球 NAND 细分类别细分类别出货量出货量占比占比 数据来源:CFM 闪存市场,东北证券 数据来源:联芸科技,东北证券 汽车电子及物联网有望拉动汽车电子及物联网有望拉动 NOR Flash 市场规模持续增长。市场规模持续增长。NOR Flash 在代码存储和低端嵌入式应用中广泛使用,2016 年以来随着智能手机销量上升,同时 TWS 耳机等下游需求带动,202
62、1 年全球 NOR Flash 市场规模达到 28.8 亿美元。2021 年通讯、消费电子、车载电子、电脑和工业控制在 NOR Flash 应用中的占比分别为 30%、26%、18%、14%和 12%。汽车电子、物联网等市场对读取速度要求较高,随着产业需求持续扩张,NOR Flash 市场规模有望持续增长。图图 37:全球全球 NOR Flash 市场规模市场规模 图图 38:2021 年全球年全球 NOR Flash 应用占比应用占比 数据来源:华经产业研究院,东北证券 数据来源:Maia Research,东北证券 DRAM 销售额销售额随全球半导体周期同步波动随全球半导体周期同步波动,2
63、023 下半年价格跌幅有望收窄。下半年价格跌幅有望收窄。DRAM行业销售额随全球半导体周期同步波动,2022 年下半年,下游客户需求萎缩,DRAM厂商为降低库存,纷纷降价,2022 年全球 DRAM 销售额为 801 亿美元,同比下滑16%。2023 年 Q1 全球 DRAM 营收约 96.6 亿美元,同比下滑 60%,环比下滑 21%,连续下跌三个季度。DRAM 营收持续下滑的原因主要是下游需求不振,销售均价下跌,随着原厂陆续减产,DRAM 下半年价格跌幅有望逐季收敛。34%26%22%9%9%MobileeSSDcSSD存储卡/UFD其他0.19%10.17%80.34%9.30%SLCM
64、LCTLCQLC-10%-5%0%5%10%15%20%25%055200021市场规模(亿美元)YoY30%26%18%14%12%通讯消费电子车载电子电脑工业控制 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 19/31 东芯股份东芯股份/公司深度公司深度 图图 39:全球全球 DRAM 季度销售额季度销售额 数据来源:Statista、TrendForce,东北证券 AI 拉动数据中心服务器拉动数据中心服务器数量增长数量增长,DRAM 行业行业规模有望规模有望受益受益。DRAM 的三大下游市场为智能手机、服务器
65、和 PC,2021 年占全球 DRAM 市场的比例分别为 35%、33%和 16%,占中国 DRAM 市场的比例分别为 38%、34%和 13%。未来 AI 将长期驱动数据中心服务器市场增长,同时汽车电子、物联网等应用领域保持增长,有望带动DRAM 市场规模稳定增长。图图 40:2021 年全球年全球 DRAM 细分市场应用占比细分市场应用占比 图图 41:2021 年年中国中国 DRAM 细分市场应用占比细分市场应用占比 数据来源:CFM 闪存市场,东北证券 数据来源:研观天下,东北证券 -80%-60%-40%-20%0%20%40%60%80%100%051015202530Q210Q4
66、10Q211Q411Q212Q412Q213Q413Q214Q414Q215Q415Q216Q416Q217Q417Q218Q418Q219Q419Q220Q420Q221Q421Q222Q422DRAM季度销售额(十亿美元)YoY35%33%16%16%MobileServerPC其他38%34%13%9%7%智能手机服务器PC其他消费电子其他 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 20/31 东芯股份东芯股份/公司深度公司深度 3.供给:供给:海外厂商寡头垄断海外厂商寡头垄断,国内厂商逐步突破国内厂商逐步突破 3.1.海外厂商主导存储市场,我国厂商奋力追赶 海外厂商寡头
67、垄断,国内厂商奋力追赶。海外厂商寡头垄断,国内厂商奋力追赶。国外存储芯片厂商凭借先发优势和在终端市场的品牌优势,占据大部分市场份额。海外行业头部厂商包括三星电子、美光科技、海力士、铠侠和西部数据等,各自在专注的大容量存储产品领域形成了寡头垄断的竞争格局。我国存储芯片行业起步较晚,本土存储芯片厂商处于投产初期,技术基础较为薄弱。近年来,国内厂商奋力追赶,在部分领域实现突破,逐步缩小与国外原厂的差距。图图 42:全球存储器主要生产基地全球存储器主要生产基地 数据来源:CFM 闪存市场,东北证券 海外巨头垄断大容量海外巨头垄断大容量 NAND Flash 市场市场,SLC NAND 我国我国厂商厂商
68、受益于国产化契机受益于国产化契机。海外存储巨头专注于大容量 NAND Flash,2023 年第一季度三星电子、铠侠、西部数据、海力士、美光的份额占比分别为 34%、22%、15%、15%、10%,前五大厂商占比达到 96%。目前 SLC NAND 供应商主要是中国台湾和大陆厂商,包括华邦电子、旺宏电子、兆易创新等企业,其中华邦电子和旺宏电子占据较高的市场份额。相较于海外厂商,我国本土厂商更加贴近市场,国产化需求有望给中国企业带来良好的发展契机。图图 43:全球全球 NAND Flash 厂商份额占比厂商份额占比 数据来源:DRAMeXchange、TrendForce,东北证券 0%10%2
69、0%30%40%50%60%70%80%90%100%SamsungKioxiaWDCSK HynixMicronIntelOthers 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 21/31 东芯股份东芯股份/公司深度公司深度 我国台湾及中国大陆主导我国台湾及中国大陆主导 NOR Flash 市场。市场。NOR Flash 市场由中国台湾的华邦电、旺宏以及我国大陆的兆易创新三家厂商主导,2021 年市占率分别为 35%、33%和23%,合计达到 91%。各家厂商的产品特点各有侧重,比如华邦电子、旺宏电子侧重于工业控制领域,赛普拉斯布局工业市场、航天市场以及车用电子市场。图图 4
70、4:2021 年全球厂商年全球厂商 NOR Flash 营收营收 图图 45:2021 年年 NOR Flash 厂商市占率厂商市占率 数据来源:IC Insights,东北证券 数据来源:IC Insights,东北证券 DRAM 市场高度集中,竞争格局较为稳定市场高度集中,竞争格局较为稳定。全球 DRAM 产品的主要供应商为韩国三星电子、韩国海力士和美国美光科技,2023 年 Q1 各自份额占比分别为 43%、24%和 28%,合计占比达到 95%。对于东芯股份所处的中小容量 DRAM 市场,主要参与者为南亚科技、芯成半导体等。图图 46:全球全球 DRAM 厂商份额占比厂商份额占比 数据
71、来源:DRAMeXchange、HIS、TrendFocus、TrendForce,东北证券 3.2.多年经验积累,东芯股份产品可靠性强 东芯东芯产品性能优异产品性能优异,功耗功耗低低、可靠性、可靠性高高。东芯股份进入行业较晚,仍处于成长阶段,在销售规模、品牌知名度、供应链整合能力等方面与国际巨头存在一定的差距。凭借自主清晰的知识产权、成熟完善的研发体系及持续创新的研发设计能力,公司进行了多年的经验积累和技术升级。目前公司已经构建了以低功耗、高可靠性为特点的多品类存储芯片产品体系,在工艺制程和性能等方面表现出色。024681012华邦电旺宏兆易创新其他2021年NOR Flash营收(亿美元)
72、35%33%23%9%华邦电旺宏兆易创新其他0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%Q111Q311Q112Q312Q113Q313Q114Q314Q115Q315Q116Q316Q117Q317Q118Q318Q119Q319Q120Q320Q121Q321Q122Q322Q123SamsungSK HynixMicron GroupNanyaWinbondPowerchipElpidaOthers 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 22/31 东芯股份东芯股份/公司深度公司深度 图图 47:公司与同行业可比公司比较公司与同行业可比公司比较
73、数据来源:公司招股说明书,东北证券 东芯股份东芯股份 SLC NAND、NOR Flash 制程国内领先制程国内领先。目前国内自主研发设计并投片量产 SLC NAND Flash 的厂商为兆易创新和东芯股份,兆易创新在中芯国际实现 38nm SLC NAND Flash 的量产,东芯股份在中芯国际投片生产的 SLC NAND Flash 产品制程达到 24nm。国内自主研发设计并投片量产 NOR Flash 的企业较多,产品制程大多覆盖 50-65nm,东芯股份制程达到 48nm。合肥长鑫是国内推出首颗 DDR4 内存芯片的公司,在 DRAM 的设计能力较为突出。表表 4:国内存储芯片企业对比
74、国内存储芯片企业对比 产品名称产品名称 NAND NOR DRAM 兆易创新兆易创新 量产 38nm SLC NAND 中芯国际工厂代工 量产 1Mb512Mb 65nm50nm ETOX工艺,中芯国际工厂代工 DDR3 研发中 长江存储长江存储 量产 3D NAND 不涉及 不涉及 合肥长鑫合肥长鑫 不涉及 不涉及 量产 DDR4 4Gb8Gb,Low Power DDR4 1xnm 4Gb8Gb 恒烁半导恒烁半导体体 不涉及 量产 65nm50nm ETOX 工艺,武汉新芯工厂代工 不涉及 武汉新芯武汉新芯 不涉及 量产 65nm50nm 1Mb256Mb ETOX工艺 不涉及 珠海博雅珠
75、海博雅 不涉及 量产 65nm50nm ETOX 工艺,武汉新芯工厂代工 不涉及 芯天下芯天下 目前没有形成自主开发能力,采用购买海外 SLC NAND 晶圆自行封装的产品策略 量产 65nm55nm ETOX 工艺,武汉新芯,上海华立微工厂代工 不涉及 紫光国芯紫光国芯 不涉及 不涉及 量产 38nm25nm DDR3 1Gb4Gb,DDR4 4Gb8Gb,Low Power DDR4 1Gb4Gb 台湾力晶代工 上海普冉上海普冉 不涉及 量产 65nm40nm SONOS 工艺,上海华立微工厂代工 不涉及 东芯股份东芯股份 量产 38nm/28nm SLC NAND 中芯国际,台湾力晶代工
76、,24nm NAND中芯国际代工接近量产水平,1xnm SLC NAND 开发中 量产 65nm48nm 2Mb256Mb ETOX工艺,中芯国际,台湾力晶工厂代工 量产 DDR3 1Gb4Gb,Low Power DDR1/2 256Mb2Gb 38nm/25nm 台湾力晶工厂代工,25nm Low Power DDR4 开发中 数据来源:公司招股说明书,东北证券 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 23/31 东芯股份东芯股份/公司深度公司深度 我国我国 NAND、DRAM 技术水平与国际仍有代差技术水平与国际仍有代差,NOR Flash 中国台湾技术领先中国台湾技术
77、领先。SLC NAND 的龙头企业三星电子和铠侠采用 IDM 模式,技术产线成熟,其中三星电子产品制程已达到 16nm。NOR Flash 产品市场上,华邦、宏旺覆盖 512Kb-2Gb 的完整产品线,下游领域包括消费电子、汽车电子和工业等领域。国外主流 DRAM 产品是 DDR5 和 LPDDR5,利基型 DRAM 中,龙头是中国台湾的南亚科技,其专注于研发消费性和低功率等利基型产品,产品种类齐全,覆盖 DDR2-DDR4 和 LPDDR-LPDDR4/4x。表表 5:东芯股份主要产品技术水平对比:东芯股份主要产品技术水平对比 项目项目 东芯股份东芯股份技术水平技术水平 国际主流技术水平国际
78、主流技术水平 国内其他技术水平国内其他技术水平 SLC NAND Flash 产品类型 SLC NAND Flash SLC NAND Flash SLC NAND Flash 制程范围 24-38nm 16-24nm 38nm 产品性能 1、工作温度:-40至 105 2、存储容量:512Mb8Gb 1、工作温度:-40至 105 2、存储容量:1Gb16Gb 1、工作温度:-40至 85 2、1Gb4Gb NOR Flash 制程范围 48-90nm 45-55nm 50-65nm 产品性能 1、工作温度:-40至 85 2、存储容量:2Mb256Mb 1、工作温度:-40至 125 2、
79、存储容量:512Kb1Gb 1、工作温度:-40至 85 2、存储容量:1Mb256Mb DRAM 产品类型 1 DDR3 DDR5 DDR3,DDR4 制程范围 25nm 17nm 25nm,20nm 产品性能 1、工作电压:1.35v/1.5v 2、传输速率:1600Mbps 1、工作电压:1.2v 2、传输速率:4800Mbps 1、工作电压:1.2v 2、传输速率:3200Mbps 产品类型 2 LPDDR2 LPDDR5 LPDDR4 制程范围 38nm 17nm 20nm 产品性能 传输速率:1066Mbps 传输速率:4800Mbps 传输速率:3200Mbps 数据来源:公司招
80、股说明书,东北证券 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 24/31 东芯股份东芯股份/公司深度公司深度 4.增增长点长点:核心技术积累深厚,存储芯片核心技术积累深厚,存储芯片迎迎周期拐点周期拐点 自主研发核心技术,未来增长自主研发核心技术,未来增长动能充足动能充足。经过多年研发投入,公司在 NAND Flash、NOR Flash、DRAM 等存储芯片的设计核心环节拥有较强的自主研发能力与核心技术。公司研发团队在电路设计、工艺制造、封装测试等环节拥有多年的从业经历和经验积累。在以客户需求为导向下,公司持续完善研究开发的系统化平台,为产品迅速迭代及平台工艺演进打下坚实基础。
81、凭借持续的技术创新能力,公司先后被评为上海市高新技术企业、国家级“专精特新”小巨人企业等。未来随着产品线不断拓展,公司经营业绩有望迎来长足发展。表表 6:公司核心技术公司核心技术 核心技术名称 用途 所处阶段 NAND Flash 局部自电位升压操作方法 能有效降低在编写操作时的干扰,提高产品可靠性。已进行产品应用 步进式、多次式编写/擦除操作方法 可有效控制阈值电压分布,提高产品可靠性。内置 8 比特 ECC 技术 通过先进的 ECC 技术,提高产品可靠性。针对提高测试效率的芯片设计方法 通过复用引脚和并行测试等方法实现同时测试超 1,000 颗裸片。内置高速 SPI 接口技术 通过闪存工艺
82、,实现 SPI 接口的集成。缩减布局区域的闪存装置 通过共用有源区的方法,缩减芯片面积。预充电电路技术 减少电容负载对存储器装置的影响,提升可靠性 内置安全代码技术 通过内置安全代码,保护存储器免受异常访问 NOR Flash 提高擦除可靠性技术 通过优化擦除操作算法,提高产品可靠性。已进行产品应用 数据自动刷新技术 通过优化刷新操作算法,提高产品可靠性。提高擦除效率的技术 有效减少擦除区域间的互相干扰,并提高擦除效率 过擦除修复技术 DRAM DRAM 单元 2D/3D 制造方法 通过优化 DRAM 单元布局,减少DRAM 单元面积 已完成技术开发 具有垂直沟道晶体管的存储器制造方法 通过优
83、化制造方法,提高可靠性 已完成技术开发 自对准控制电路技术 可实现时序控制信号的自对准,从而节省电路面积,减少功耗,提升性能 已进行产品应用 高精度信号时序延迟技术 通过优化的时序转换装置等方式,以简单的结构和较低的功耗高精度地实现信号时序延迟的功能 已完成技术开发 数据来源:公司年报,东北证券 存储芯片或迎来周期拐点,公司有望充分受益。存储芯片或迎来周期拐点,公司有望充分受益。2021 年下半年以来,智能手机等消费电子需求低迷,存储厂商持续去库存。2022 年 11 月,美光率先宣布将 DRAM 和NAND 晶圆产量减少约 20%,同时 2023 年资本开支削减超过 30%。随后各家存储器大
84、厂纷纷大幅减产,存储芯片供给端过剩现象有望得到改善。另一方面,AI 大模型拥有庞大的数据集,拉动服务器所需的 DRAM 和 NAND 量大幅增长。随着供给端各大厂的减产已有所成效,同时 AI 服务器拉动存储芯片需求增长,我们认为,请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 25/31 东芯股份东芯股份/公司深度公司深度 2023 年下半年存储芯片市场或迎来需求拐点,东芯股份业绩有望充分受益于行业景气度向上周期。海外大厂淡出海外大厂淡出 SLC NAND,东芯东芯依托依托国内市场充分发力。国内市场充分发力。在中小容量 SLC NAND领域,国内外主流厂商的工艺节点差距较小,国际大厂
85、工艺先进的优势减弱。目前海外存储芯片巨头逐步转向工控和汽车领域,陆续退出 4Gb 以下中低容量 NAND市场,因此 SLC NAND 主要厂商转向中国大陆和我国台湾企业。东芯股份自成立之初聚焦 SLC NAND 市场,24nm 制程已实现量产,同时先进制程的 1xnm NAND Flash产品已完成流片,并通过功能性验证。依托于我国广阔的下游市场,公司 SLC NAND Flash 业务有望持续贡献营收增长。请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 26/31 东芯股份东芯股份/公司深度公司深度 5.盈利预测与投资建议盈利预测与投资建议 5.1.盈利预测 公司产品涵盖 NAND
86、 Flash、NOR Flash、DRAM 等主流存储芯片,产品性能可靠、能耗节省,多款核心产品获得国内外多家知名企业的认可。在工艺制程方面,公司NAND Flash 已具备 2xnm 制程的量产能力,并向 1xnm 迈进;NOR Flash 可实现48nm 制程量产;DRAM 可实现 25nm 工艺节点量产。随着制程工艺的不断推进,同时下游应用不断向工业、物联网等领域拓展,公司有望实现长远发展。预计公司2023-2025 年营业收入分别为 13.04、16.84、22.06 亿元,对应增速分别为 14%、29%、31%。表表 7:公司分业务收入预测(百万元):公司分业务收入预测(百万元)20
87、22A 2023E 2024E 2025E 总营业收入总营业收入 1,146.00 1,304.06 1,683.74 2,206.18 YoY 1.03%13.79%29.11%31.03%毛利率毛利率 40.58%35.46%42.09%43.42%NAND 707.67 794.71 1,049.02 1,395.19 YoY 7.27%12.30%32.00%33.00%毛利率毛利率 46.93%38.00%48.60%50.50%MCP 225.34 250.12 312.65 406.45 YoY 26.38%11.00%25.00%30.00%毛利率毛利率 22.14%21.00
88、%20.50%20.00%NOR 72.26 93.93 120.23 155.10 YoY-61.47%30.00%28.00%29.00%毛利率毛利率 20.35%25.00%27.00%30.00%DRAM 81.63 94.36 123.61 163.16 YoY 3.22%15.60%31.00%32.00%毛利率毛利率 33.98%37.00%38.50%40.00%其他其他 59.12 70.94 78.22 86.27 YoY 99.30%20.00%10.26%10.29%毛利率毛利率 68.66%69.87%69.86%69.84%数据来源:Wind,东北证券 5.2.投资
89、建议 预计公司 2023-2025 年归母净利润分别为 2.21、3.64、5.22 亿元,对应 PE 分别为72、44、30 倍。选取兆易创新、聚辰股份、普冉股份等从事存储芯片的厂商进行估值对比,东芯股份作为国内 SLC NAND Flash 的先行厂商,不断推进先进制程工艺,并向工业、物联网等下游应用领域拓展,首次覆盖,给予“增持”评级。请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 27/31 东芯股份东芯股份/公司深度公司深度 表表 8:可比公司:可比公司 PE 估值(估值(截至截至 2023/6/29 收盘收盘股价)股价)市值市值(亿元)(亿元)归母净利润(亿元)归母净利润
90、(亿元)PE 2023E 2024E 2025E 2023E 2024E 2025E 603986.SH 兆易创新 702.78 13.31 19.10 25.29 53 37 28 688123.SH 聚辰股份 83.06 5.20 6.99 8.14 16 12 10 688766.SH 普冉股份 80.09 1.26 1.86 2.64 63 43 30 可比公司平均可比公司平均-44 31 23 688110.SH 东芯股份 158.28 2.21 3.64 5.22 72 44 30 40 27 数据来源:Wind,东北证券(注:除东芯股份,盈利预测来自 Wind 一致预期)请务必阅
91、读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 28/31 东芯股份东芯股份/公司深度公司深度 6.风险提示风险提示 1)下游市场需求不及预期 2)新产品研发进度不及预期 3)产品竞争力不及预期 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 29/31 东芯股份东芯股份/公司深度公司深度 附表:财务报表预测摘要及指标附表:财务报表预测摘要及指标 Table_Forcast 资产负债表(百万元)资产负债表(百万元)2022A 2023E 2024E 2025E 现金流量表(百万元)现金流量表(百万元)2022A 2023E 2024E 2025E 货币资金 2,530 2,766
92、2,920 3,282 净利润净利润 217 249 418 595 交易性金融资产 0 0 0 0 资产减值准备 146-1 0-1 应收款项 138 225 247 352 折旧及摊销 34 23 45 41 存货 668 637 847 1,014 公允价值变动损失 0 0 0 0 其他流动资产 24 24 24 24 财务费用 2 0 0 0 流动资产合计流动资产合计 3,513 3,785 4,200 4,843 投资损失-19-1-14-10 可供出售金融资产 运营资本变动-634 17-244-217 长期投资净额 0 0 0 0 其他-8 0 0 0 固定资产 97 117 1
93、29 138 经营活动经营活动净净现金流现金流量量-261 287 203 408 无形资产 4 5 5 6 投资活动投资活动净净现金流现金流量量-547-1-68-64 商誉 0 0 0 0 融资活动融资活动净净现金流现金流量量-66-47 19 18 非非流动资产合计流动资产合计 811 792 830 864 企业自由现金流企业自由现金流-299 216 135 344 资产总计资产总计 4,324 4,577 5,031 5,707 短期借款 47 63 82 100 应付款项 91 117 133 172 财务与估值指标财务与估值指标 2022A 2023E 2024E 2025E
94、预收款项 0 0 0 0 每股指标每股指标 一年内到期的非流动负债 12 6 6 6 每股收益(元)0.42 0.50 0.82 1.18 流动负债合计流动负债合计 184 246 282 365 每股净资产(元)8.89 9.25 10.07 11.25 长期借款 5 5 5 5 每股经营性现金流量(元)-0.59 0.65 0.46 0.92 其他长期负债 18 20 20 20 成长性指标成长性指标 长期负债合计长期负债合计 23 25 25 25 营业收入增长率 1.0%13.8%29.1%31.0%负债合计负债合计 207 272 308 390 净利润增长率-29.2%18.9%6
95、4.9%43.7%归属于母公司股东权益合计 3,931 4,091 4,455 4,977 盈利能力指标盈利能力指标 少数股东权益 186 214 268 340 毛利率 40.6%35.5%42.1%43.4%负债和股东权益总计负债和股东权益总计 4,324 4,577 5,031 5,707 净利润率 16.2%16.9%21.6%23.7%运营效率指标运营效率指标 利润表(百万元)利润表(百万元)2022A 2023E 2024E 2025E 应收账款周转天数 61.77 50.19 50.49 48.91 营业收入营业收入 1,146 1,304 1,684 2,206 存货周转天数
96、268.90 279.10 273.93 268.47 营业成本 681 842 975 1,248 偿债能力指标偿债能力指标 营业税金及附加 1 2 2 3 资产负债率 4.8%5.9%6.1%6.8%资产减值损失-123 1 0 1 流动比率 19.08 15.36 14.87 13.28 销售费用 15 14 23 26 速动比率 14.78 12.26 11.42 10.14 管理费用 59 67 95 122 费用率指标费用率指标 财务费用-80 0 0 0 销售费用率 1.3%1.1%1.4%1.2%公允价值变动净收益 0 0 0 0 管理费用率 5.1%5.1%5.6%5.6%投
97、资净收益 19 1 14 10 财务费用率-6.9%0.0%0.0%0.0%营业利润营业利润 238 267 452 641 分红指标分红指标 营业外收支净额-1 0 0 0 股息收益率 0.4%0.0%0.0%0.0%利润总额利润总额 237 267 452 641 估值指标估值指标 所得税 20 19 34 47 P/E(倍)62.31 71.78 43.53 30.30 净利润 217 249 418 595 P/B(倍)2.94 3.87 3.55 3.18 归属于母公司净利润归属于母公司净利润 185 221 364 522 P/S(倍)10.10 12.14 9.40 7.17 少
98、数股东损益 32 28 54 72 净资产收益率 4.7%5.4%8.2%10.5%资料来源:东北证券 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 30/31 东芯股份东芯股份/公司深度公司深度 研究团队简介:研究团队简介:Table_Introduction 李玖:北京大学光学博士,北京大学国家发展研究院经济学学士(双学位),电子科技大学本科,曾任华为海思高级工程师、光峰科技博士后研究员,具有三年产业经验,2019 年加入东北证券,现任电子行业首席分析师。武芃睿:英国南安普顿大学光电研究中心硕士,华中科技大学光电信息本科,武汉大学工商管理学士(双学位)。曾任华为和上海微电子光电
99、工程师,具有三年产业经验,2020 年加入东北证券,现任电子行业高级分析师。孟爽:上海财经大学金融硕士,上海财经大学信息管理与信息系统学士。2022 年加入东北证券,现任电子组研究助理。分析师声明分析师声明 作者具有中国证券业协会授予的证券投资咨询执业资格,并在中国证券业协会注册登记为证券分析师。本报告遵循合规、客观、专业、审慎的制作原则,所采用数据、资料的来源合法合规,文字阐述反映了作者的真实观点,报告结论未受任何第三方的授意或影响,特此声明。投资投资评级说明评级说明 股票 投资 评级 说明 买入 未来 6 个月内,股价涨幅超越市场基准 15%以上。投资评级中所涉及的市场基准:A 股市场以沪
100、深 300 指数为市场基准,新三板市场以三板成指(针对协议转让标的)或三板做市指数(针对做市转让标的)为市场基准;香港市场以摩根士丹利中国指数为市场基准;美国市场以纳斯达克综合指数或标普 500指数为市场基准。增持 未来 6 个月内,股价涨幅超越市场基准 5%至 15%之间。中性 未来 6 个月内,股价涨幅介于市场基准-5%至 5%之间。减持 未来 6 个月内,股价涨幅落后市场基准 5%至 15%之间。卖出 未来 6 个月内,股价涨幅落后市场基准 15%以上。行业 投资 评级 说明 优于大势 未来 6 个月内,行业指数的收益超越市场基准。同步大势 未来 6 个月内,行业指数的收益与市场基准持平
101、。落后大势 未来 6 个月内,行业指数的收益落后于市场基准。请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 31/31 东芯股份东芯股份/公司深度公司深度 重要声明重要声明 本报告由东北证券股份有限公司(以下称“本公司”)制作并仅向本公司客户发布,本公司不会因任何机构或个人接收到本报告而视其为本公司的当然客户。本公司具有中国证监会核准的证券投资咨询业务资格。本报告中的信息均来源于公开资料,本公司对这些信息的准确性和完整性不作任何保证。报告中的内容和意见仅反映本公司于发布本报告当日的判断,不保证所包含的内容和意见不发生变化。本报告仅供参考,并不构成对所述证券买卖的出价或征价。在任何情况
102、下,本报告中的信息或所表述的意见均不构成对任何人的证券买卖建议。本公司及其雇员不承诺投资者一定获利,不与投资者分享投资收益,在任何情况下,我公司及其雇员对任何人使用本报告及其内容所引发的任何直接或间接损失概不负责。本公司或其关联机构可能会持有本报告中涉及到的公司所发行的证券头寸并进行交易,并在法律许可的情况下不进行披露;可能为这些公司提供或争取提供投资银行业务、财务顾问等相关服务。本报告版权归本公司所有。未经本公司书面许可,任何机构和个人不得以任何形式翻版、复制、发表或引用。如征得本公司同意进行引用、刊发的,须在本公司允许的范围内使用,并注明本报告的发布人和发布日期,提示使用本报告的风险。若本公司客户(以下称“该客户”)向第三方发送本报告,则由该客户独自为此发送行为负责。提醒通过此途径获得本报告的投资者注意,本公司不对通过此种途径获得本报告所引起的任何损失承担任何责任。地址地址 邮编邮编 中国吉林省长春市生态大街 6666 号 130119 中国北京市西城区锦什坊街 28 号恒奥中心 D 座 100033 中国上海市浦东新区杨高南路 799 号 200127 中国深圳市福田区福中三路 1006 号诺德中心 34D 518038 中国广东省广州市天河区冼村街道黄埔大道西 122 号之二星辉中心 15 楼 510630