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1、2020 年深度行业分析研究报告目录1、靶材:半导体国产化突围的核心材料 .- 4 -1.1 靶材:集成电路的核心材料 .- 4 -1.2 技术与认证两大壁垒,决定市场格局 .- 6 -1.3 美日企业垄断全球靶材市场,国内龙头寻求细分领域突破.- 10 -1.4 靶材下游应用空间广阔:半导体、显示面板、光伏等领域增速可期.- 13 -2、政策持续加码,拉开靶材国产化大幕 .- 13 -3、成长点一:半导体或将重回高增速,靶材迎接高光时刻 .- 19 -4、成长点二:显示面板升级换代,需求集中释放利好靶材 .- 23 -5、成长点三:太阳能电池技术革新,靶材或迎高速成长 .- 25 -图表目录
2、表 1、靶材的常见分类 .- 6 -表 2、高纯溅射靶材生产中五大核心技术是获取高端靶材的关键.- 8 - 表 3、认证考核指标 .- 9 - 表 4、集成电路用溅射靶材纯度或杂质要求很高.- 9 -表 5、下游行业对靶材的要求很高,尤其是集成电路(以钛靶为例).- 9 -表 6、四大国际一流的靶材供应商垄断靶材市场.- 11 -表 7、有研新材、江丰电子等国内靶材龙头拥有大量优质客户.- 12 -表 8、靶材的应用领域 .- 13 -表 9、税率倾斜给国产替代打开空间 .- 14 -表 10、国家从产业扶持层面、资金层面多角度助力靶材实现国产替代.- 14 -表 11、国家大基金一期集成电路
3、板扶持项目.- 15 -表 12、大基金二期或将加码上游材料,靶材等核心材料或将受益.- 16 -表 13、国内靶材龙头获政策扶持力度显著 .- 16 -表 14、2019 年第一季度全球半导体厂商排名.- 17 -表 15、2019 年第一季度全球封测排名 .- 18 -表 16、国内上市公司靶材扩产计划 .- 18 -表 17、超高纯金属铜靶是未来靶材的核心领域.- 20 -表 18、全球半导体材料市场及靶材市场变化情况.- 21 -表 19、5G 手机芯片成本是 4G 的 1.85 倍,拉动靶材快速成长.- 21 - 表 20、国内 12 寸线统计 .- 22 - 表 21、国内近期在建
4、及投产面板统计情况 .- 24 -表 22、预计 2023 年显示面板用靶材的市场空间将达到 35.36 亿美金.- 25 -表 23、近年来国内外 HIT 公司及产能 .- 27 -表 24、海外光伏市场政策驱动市场成长 .- 28 -表 25、预计 2023 年太阳能用靶材市场空间达到 38 亿美元.- 28 -图 1、溅射镀膜是集成电路和显示面板不可或缺的环节之一.- 4 -图 2、靶材的工作原理 .- 5 -图 3、真空镀膜工艺 .- 5 -图 4、溅射靶材技术的发展历程 .- 6 -图 5、金属提纯的常见方法 .- 7 -图 6、靶材制备的常见方法 .- 7 -图 7、靶材合格供应商
5、的管理流程 .- 10 -图 8、全球靶材市场格局 .- 10 -图 9、上游管控制约我国靶材市场发展 . - 11 -图 10、2018 中国半导体市场份额全球占比 34%.- 17 -图 11、半导体用靶材集中于晶圆制造镀膜与封装镀膜.- 19 -图 12、铜工艺互连结构 .- 19 -图 13、2015 年以来中国半导体材料市场规模稳定成长复合增长率为 10.34% - 20 - 图 14、显示面板用靶材主要集中在触控屏面板与 ITO 玻璃镀膜环节.- 23 - 图 15、传统显示面板增速持续下滑,技术革新正当时.- 23 - 图 16、2016-2022 年按技术和外形分类的智能手机面
6、板出货量(单位:百万块).- 24 -图 17、光伏用靶材主要用于形成太阳能薄膜电池的背电极.- 25 -图 18、HIT 电池成本构成 .- 25 -图 19、预计 2019 年太阳能光伏装机容量增速重回上升趋势.- 26 -图 20、国内光伏装机季度拆分(GW) .- 27 -报告正文1、靶材:半导体国产化突围的核心材料1.1 靶材:集成电路的核心材料l靶材集成电路的核心材料:集成电路中单元器件内部是由衬底、绝缘层、 介质层、导体层及保护层等组成,其中,介质层、导体层甚至保护层都要用 到溅射镀膜工艺。因此,靶材是制备集成电路的核心材料之一,同样是产业链的核心环节之一。图 1、溅射镀膜是集成
7、电路和显示面板不可或缺的环节之一金属提纯靶材制造溅射镀膜终端应用上游厂商中游制造厂商下游应用厂商终端电子产品三菱化学(铝、钛)H.C.Starck Inc. (钽)宁夏东方钽业股份有限 公司(钽)霍尼韦尔(美国)日矿金属(日本) 东曹(日本) 普莱克斯(美国) 住友化学(日本) 爱发科(日本) 三井矿业(日本)晶圆代工厂:台积电、格罗方德、联电、电芯 国际存储器厂:索尼、美 光、东芝手机电脑 汽车电子 磁介质存储 显示屏 太阳能电池株洲硬质合金集团有限半导体厂:意法半导公司(钽)体、英飞凌崇义章源钨业股份有限公司(钨)江丰电子(中国)有研亿金(中国) 福建阿石创(中国)面板厂:东京方、华星光电
8、资料来源:江丰电子招股说明书,经济与金融研究院整理靶材主要由靶坯、背板等部分组成:其中,靶坯是通过磁控溅射、多弧 离子镀或其他类型的镀膜系统在适当工艺条件下溅射在基板上形成各种功能薄膜的溅射源,即高速离子束流轰击的目标材料,属于溅射靶材的 核心部分,在溅射镀膜过程中,靶坯被离子撞击后,其表面原子被溅射飞散出来并沉积于基板上,制成电子薄膜;由于高纯度金属强度较低, 而溅射靶材需要安装在专用的机台内完成溅射过程,机台内部为高电压、 高真空环境。因此,超高纯金属的溅射靶坯需要与背板通过不同的焊接 工艺进行接合,背板主要起到固定溅射靶材的作用,需要具备良好的导 电、导热性能。图 2、靶材的工作原理资料
9、来源:阿石创招股说明书,经济与金融研究院整理l常见的镀膜工艺:PVD(物理气象沉淀)工艺:CVD(化学法镀膜)PVD(物理气象沉淀)工艺:是指在真空条件下,采用物理方法,将 材料源表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子,并通过低压气体(或等离子体)过程,在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。 物理气相沉积的主要方法有,真空蒸镀、溅射镀膜、电弧等离子体镀、离子镀膜,及分子束外延等。发展到目前,物理气相沉积技术不仅可沉 积金属膜、合金膜、还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等, 其中显示面板用的铟锡靶 ITO 主要采用真空镀膜。图 3、真空镀膜工艺资料来源:阿石创招股说明书,经济与金融
10、研究院整理CVD(化学法镀膜工艺)技术:该技术是在高温下依靠化学反应、把 含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室,在衬底表面发生化学反应生成薄膜材料的技术其中,真空镀膜具有更好的可重复性、膜厚可控性。会使基板材料上的 镀膜更加均匀,所制备的薄膜纯度更高、致密性更好,更适合高端领域(半导体)的应用。图 4、溅射靶材技术的发展历程21世纪以来1842年19世纪中后20世纪初期20世纪70年代20世纪80年代罗格夫在实验室发现了阴极 溅射现象对溅射机理的认同以及相关 技术发展缓慢只有化学活性极强的材料、 介质材料等采 用溅射技术磁控溅射技术出现,应用于 实验和小型
11、生 产溅射技术进入工业化大量生 产的应用领域新型溅射技术出现,高 纯金属溅射 靶材成为热 点材料资料来源:CNKI,经济与金融研究院整理l靶材的三类划分方法:按材质分靶材可分为金属靶材、高分子陶瓷非金属 靶材和合金靶材等。按外形尺寸可分为圆柱形、长方形、正方形板靶和管靶。按照应用领域可分为半导体用靶材、显示面板用靶材、太阳能电池用 靶材、磁记录用靶材等。表 1、靶材的常见分类分类标准产品类别按形状分类长靶、方靶、圆靶金属靶(高纯铝、铜、钽、钛等)、按材质分类合金靶(铜锰合金、镍铬合金等)、 陶瓷化合物靶(氧化物、硅化物、碳化物、硫化物)按应用领域分类半导体用靶材、显示面板用靶材、太阳能电池用靶
12、材等 资料来源:新材料产业、经济与金融研究院整理靶材回收:常见的靶材多为方靶、圆靶,均为实心靶材。在镀膜作业中, 圆环形的永磁体在靶的表面产生的磁场为环形,会发生不均匀冲蚀现象, 溅射的薄膜厚度均匀性不佳,靶材的使用效率大约只有 20%30%。而 目前被推广的空心管靶可绕固定的条状磁铁组件一定周期旋转运动, 360靶面可被均匀刻蚀,优势明显,将利用率提高到 80%1.2 技术与认证两大壁垒,决定市场格局l靶材行业有两大核心壁垒:技术与认证。其中国产靶材龙头正在从细分领域 突破技术束缚,实现国产替代。但认证层面,供应商份额制约束较为明显。1.2.1 壁垒一:提纯技术与制备工艺难获取、难突破,中短
13、期护城河明显l材料纯化是靶材产业链的首要环节,针对铜、镍、银、钛等金属常采用电解精炼提纯(化学提纯法),其原理是在电解过程中,利用杂质金属和主金属在阴极上析出电位差异从而达到提纯目的。针对金、银、铜、铝等金属及其合 金往往采用真空感应熔炼制备(物理提纯法),其原理是在真空条件下降低气 体分子在金属中溶解度从而实现提纯。但由于先进半导体等高端制造行业所需金属纯度在 6N 及其以上,因此单纯的金属提纯无法满足,而超高纯铜、 超高纯铝等核心技术多掌握在霍尼韦尔、日矿、东曹等美、日企业手中,这 些巨头占据 80%以上超高纯领域的市场份额,并且持有专有技术。图 5、金属提纯的常见方法资料来源:凯欧靶材官
14、网,经济与金融研究院整理l除了纯化技术外,制备技术同样是核心关键。靶材制造环节首先需要根据下 游应用领域的性能、需求进行特有的工艺设计,然后再进行反复的塑性变形、热处理等,过程中需要精确地控制晶粒、晶向等关键指标,再经过焊接、机 械加工、清洗干燥、真空包装等工序。目前制备靶材的方法主要有铸造法和 粉末冶金法。对于难熔金属,也可采用熔炼法。铸锭靶材图 6、靶材制备的常见方法优点:靶材杂质含量(特别是气体杂质含量)低, 密度高,可大型化缺点:对熔点和密度相差较大的两种或两种以上金 属,普通熔炼法难以获得 成分均匀的合金靶材真空感应熔炼铸造法靶材制备真空电子轰击熔炼真空电弧熔炼合金原料 熔炼机械加工
15、浇注模具粉末合金法冷压真空热压 热等静压合金原料 熔炼粉碎浇注模具静压成形高温靶材烧结优点:靶材成分均匀优点:密度低,杂质含量高铸锭粉末资料来源:凯欧靶材官网,经济与金融研究院整理l综合纯化与制备流程的技术来看,能够掌控高端靶材市场的核心技术主要包括:a.超高纯金属控制和提纯技术、b.晶粒晶向控制技术、c.异种金属大面积焊接技术、d.金属的精密加工及特殊处理技术、e.靶材的清洗包装技 术五种,是获取高端靶材的必备技术。表 2、高纯溅射靶材生产中五大核心技术是获取高端靶材的关键技术功能方案产品要求超高纯金属控制 和提纯技术晶粒晶向控制技 术异种金属大面积 焊接技术金属的精密加工 及特殊处理技术靶
16、材的清洗包装 技术减少靶材杂质。提高材料 导电性能是互联线不易 短路或断路使各晶粒的大小和排列方 向相同,保证溅射成膜的均 匀性和溅射速度连接靶胚和背板,起到靶材 的固定作用利用精密机台使靶材的尺 寸和形状与要镀膜的基片 匹配 使靶材洁净程度满足生产 要求两大步骤:纯化(初步提纯)、 超纯化(最终提纯)提高纯 度:化学+物理提纯 通常通过塑形加工再结晶流程(TMP)来控制晶粒晶向:塑 性加工热处理结晶退 火 电子束焊接、钎焊、扩散焊接 等(熔点差距大的金属难以直 接熔融焊接,需用 HIP 加压, 通过扩散作用实现无缝连接)包括微细加工、光整加工和精 整加工等真空、反复、全自动等半导体、显示器等
17、领域对靶材纯度的要求十分严格: 芯片、平板显示器、太阳能电池通常要求靶材纯度分 别达到 99.9995%(5N5)、5N、4N5 以上。溅射时,靶材的原子最容易沿着密排面方向优先溅射 出来,所以需根据靶材的组织结构特点,采用不同的 成型方法和热处理工艺进行靶材的结晶取向控制。多数靶材(铜、钦、铝及其他)在溅射前需与背板绑 定从而确保其溅射时导热导电状况良好,有效焊合率 是评判绑定质量的标准,一般要求大于 95%以上。下游客户用于靶材溅射的机台十分精密,对溅射靶材 的尺寸要求很高,较小的偏差会影响溅射反应过程和 溅射产品的性能。 由于靶材会直接用于晶圆生产,所以对洁净程度要求 极高。资料来源:C
18、NKI,经济与金融研究院整理技术层面来看,靶材行业起源于美国,但随着日本高纯技术的突破,靶材的市场占有、细分领域话语权以及高端产能均不断向日本转移, 逐渐形成核心技术财团私有化,导致海外企业进入困难,技术壁垒强。随着我国靶材企业、国家研究院对细分领域的深化研究,在纯化技术层面,以超纯铜靶为例:有研亿金的超纯铜靶材能够达到 7N 水平,并实 现量产 100 吨/年,比肩世界铜靶龙头日矿(全球铜靶市占率 80%)。 因此,技术层面的制约并非不可突破,只是我国企业靶材领域进入较晚, 前期技术被海外垄断,导致技术壁垒存在,但随着时间推移和细分领域 的逐步攻破,壁垒将逐步淡化。1.2.2 壁垒二:认证周
19、期长、技术要求高、认证模式各异、多采用供货商份额制l 认证周期长:半导体芯片、显示面板、太阳能电池等下游知名企业均具有十 分完善的客户认证体系,该体系包括:技术评审、产品报价、样品检测、小 批量试用、批量试用 5 个阶段,全程耗时 2-3 年。l认证技术要求高:认证体系往往是建立在行业性质量管理体系认证的基础上,针对自身产品特性提出的相应技术要求。通常包括:纯度;致密度; 微观组织;尺寸精度。表 3、认证考核指标纯度是影响镀膜效果的首要因素。靶材中的杂质和气孔中的氧和水分是沉积薄膜的主要污染 源。要提高薄膜的性能,就应尽可能降低靶材中杂质含量,提高纯度,减少污染源,提高沉纯度致密度微观组织尺寸
20、大小积薄膜的均匀性。不同用途靶材对单个杂质含量也有不同的要求。例如,半导体电极布线用 的 W、Mo、Ti 等靶材对 U,Th 等放射性元素的含量要求低于 310-9;光盘反射膜用的 Al 合金靶材则要求 O2 含量低于 210-4 为了减少靶材固体中的气孔,提高薄膜的性能,一般要求溅射靶材具有较高的致密度。通常, 靶材的致密度不仅影响溅射时的沉积速率、溅射膜粒子的密度和放电现象等,还影响着溅射 薄膜的电学和光学性能。高致密度靶材镀膜具有以下特点:靶材使用寿命长,溅射功率小, 成膜速率高,薄膜不易开裂,透光率高,导电、导热性好。 溅射速度直接受晶粒尺寸的影响,晶粒粗大靶材的溅射速率要比晶粒细小的
21、靶材慢很多,晶 粒尺寸变小,薄膜沉积速率增大。而同一块靶材的晶粒尺寸整体差异较小,沉积薄膜的厚度 分布就更为均匀。 溅射靶材在后期装配前要进行一系列机械加工,其加工质量和精度(平面度,直线度,粗糙 度)也会影响到薄膜性能。靶材溅射作业前必须与铝或无氧铜底盘(背板)连接在一起,配 合紧密才能使靶材与背板更好的导电导热。装配完毕后要使用超声波检测,如果两者的空隙 区域小于总接触面的 2%,这样才能在大功率溅射中使用。资料来源:CNKI,经济与金融研究院整理l 应用领域不同对应考核指标的要求也不尽相同,通常情况下对于纯金属纯度 方面,半导体(5N5)显示面板(5N)太阳电池(4N5)。具体来看,应用
22、于 汽 车 电 子 的 半 导 体 厂商普 遍对上 游 靶 材 供应 商的 要 求 是 必 须 先 通 过ISO/TS16949 质量管理体系认证,再结合半导体厂商个性化要求,应用于电 器设备的溅射靶材生产商需要先满足欧盟制定的 ROHS 强制性标准。表 4、集成电路用溅射靶材纯度或杂质要求很高名称金属杂质含量分析的金属元素数量/个 Al,AlSi1,AlCu0.5,lSi1Cu0.5Ti50020Cu1020Ta5001552040来源:集成电路制造用溅射靶材,经济与金融研究院整理表 5、下游行业对靶材的要求很高,尤其是集成电路(以钛靶为例)性能类别性能要求纯度非集成电路用:99.99%;集
23、成电路用 99.9995%、99.9999% 非集成电路用:平均晶粒小于 100m;集成电路用:平均晶粒小于 30微观组织焊接性能m;超细晶平均晶粒小于 10m。非集成电路:钎焊、单体; 集成电路用:单体、钎焊、扩散焊尺寸精度非集成电路用:0.1mm;集成电路用 0.01mm资料来源:磁控溅射钛靶材的发展概述,经济与金融研究院整理l认证模式各异:半导体芯片制造企业对靶材合格供应商的认证模式各不相同。 其中,要进入日、韩等国家芯片制造企业的靶材供应商,则必须通过日、韩 本国的中间商或者商社来间接供应;要进入英特尔的靶材供应商,则必须通 过应用材料(AM)的推荐;要进入全世界最大的晶圆代工企业台积
24、电的靶 材供应商,则需要通过其最终客户(苹果和华为等)的认可。l供应商份额制:半导体芯片制造企业对其所需要的每一种溅射靶材,一般都 会选择三家左右的稳定供应商。并且,从排名第一的供应商处的采购量最大, 从排名第二的供应商处的采购量较小,而排名第三的供应商则基本相当于备 胎。图 7、靶材合格供应商的管理流程资料来源:江丰电子招股说明书,经济与金融研究院整理l 从认证角度来看,核心壁垒在于供应商份额制,该制度造成的最直接影响就 是即使技术层面存在突破,但不能和供应份额第一的同行产生技术层级的差 距也无法占领市场。1.3 美日企业垄断全球靶材市场,国内龙头寻求细分领域突破l 靶材市场格局呈现寡头垄断
25、格局,美、日巨头主导全球市场。目前靶材 市场主要由美日大型化工集团所把控,产业集中度高。其中美国企业: 霍尼韦尔、普莱克斯都是涉及军工的多元化集团,靶材业务均非其核心 业务,而日企:日矿金属、东曹、住友化学、爱发科也多为全产业链集 团,只因终端产品对靶材存在依赖性,进而专注于靶材的生产、纯化、 制备等。但由于行业进入较早多项纯化技术、工艺均为其独有专利。图 8、全球靶材市场格局资料来源:有研新材官网,经济与金融研究院整理表 6、四大国际一流的靶材供应商垄断靶材市场企业靶材业务简介市场占有率靶材产品覆盖半导体(主要集中在 8 英寸、12 英寸靶材),磁记录,平板日矿金属霍尼韦尔 东曹 普莱克斯显
26、示和光存储,半导体业靶材中铜、钴、钽等 12 英寸线占优。上游原材料 除铝之外基本实现自给。产品主要集中在 8 英寸、12 英寸靶材,技术领先,产品质量优异,原材料 除铝之外基本实现自给。原材料全部外购。产品覆盖全部型号靶材,在 8 英寸、12 英寸靶材市场上占有率较小,6 英寸靶材占有 70,产品覆盖全部型号靶材,在 6 英寸、8 英寸、12 英寸靶材市场上占有率较 小,原材料除铝之外均需要外购。全球市场占有率 30%,其中铜靶约占市场的 80%;全球最大的集成电路靶材供应商 约占全球市场的 20%约占全球市场的 20%约占全球市场的 10%来源:公司公告,经济与金融研究院整理l 寡头把控上
27、游,严防中国核心材料成长。从溅射靶材的成本结构来看,高纯 金属原材料占比超过 70%,尽管全球市场有色金属供应较为充裕,但是溅射 镀膜材料中的部分产品对金属材料纯度的要求较高,上游供应商集中度相对较高。美国、日本的高纯金属生产商依托先进的提纯技术在整个产业链中居 于有利的地位,具有较强的议价能力,同时,霍尼韦尔、日矿金属等全球靶 材制造龙头为实现全产业链布局,摆脱材料端束缚,也积极向上游延伸,把 控上游高纯金属生产制造环节。目前,以超高纯钛为例,长期以来只有美国 霍尼韦尔、日本东邦和大阪钛业 3 家公司能生产,并对我国严格限制出口。图 9、上游管控制约我国靶材市场发展资料来源:有研新材官网,经
28、济与金融研究院整理l国内厂商寻求细分领域突围,有研新材、江丰电子打破国际垄断。l 江丰电子在半导体领域的金属溅射靶材产品(铝靶、钽靶)已成为台积电、 海力士、中芯国际、联华电子等客户的主要供应商,打破美、日垄断,在 16纳米技术节点实现批量供货,同时还满足了国内厂商 28 纳米技术节点的量产需求,在 7 纳米技术节点实现批量供货,钽靶材及环件在台积电 7 纳米芯片 中已量产。l 有研新材旗下有研亿金是国内唯一的能够生产半导体用 6N 级别的超高纯铜 靶生产商,是国内唯一在该领域掌握核心纯化技术的企业。其中,公司超高 纯铜产品纯度稳定达到 6N,最高纯度为 7N,产能达到年产 100 吨以上,成
29、 为我国屈指可数实现 6N 超高纯铜靶原料工业化批量稳定生产的企业,产品 率先应用于国产高性能溅射靶材和蒸发材料的生产,打破了国外对电子信息 用超高纯原材料的垄断。5N 高纯钴在分析至少 40 个杂质元素的基础上,化 学纯度可稳定达到 99.999%以上;目前本公司已建成年产 5 吨的高纯钴生产 线,打破了国外对电子信息用高纯钴靶原材料的垄断。表 7、有研新材、江丰电子等国内靶材龙头拥有大量优质客户公司下游客户主要应用领域国内企业:台积电、台联电、ASE、Xintec、苏州晶有研方、长电科技、昆山西泰、天水华天等新材国外企业:Amkor 等国内企业:台积电、联华电子、中芯国际、华虹宏覆盖半导体
30、、面板显示、太阳能等领域,先进封装 材料领域综合实力全球第三,主要应用于半导体封 装领域江丰力、京东方、华星光电等覆盖半导体、面板显示、太阳能等领域,主要应用电子国外企业:格罗方德、索尼、东芝、瑞萨、美光、 海力士、德法半导体、英飞凌、SunPower 等阿石国内企业:京东方、群创广电、蓝思科技、伯恩光 创学、水晶光电等于半导体制造领域,包括铝、钛、钽靶材覆盖半导体、面板显示、太阳能、光学器件等领域, 主要应用于平面显示(手机)、航空航天与通信网国外企业:爱普生等络等领域的光学器件行业国内企业:京东方、华星光电、信利半导体、ADV隆华覆盖半导体、面板显示、太阳能等领域,主要应用等科技于高端显示
31、面板行业,主要为钼及 ITO 靶材国外企业:三星、LG、TOSOH、爱发科、飞利浦等资料来源:公司公告,经济与金融研究院整理1.4 靶材下游应用空间广阔:半导体、显示面板、光伏等领域增速可期l应用领域相对集中,不同领域对靶材提出不同的属性需求。应用领域主要包 括:半导体(占比 11%)、显示面板(35%)、太阳能电池(21%)、磁记录(30%)、 电子元器等。半导体靶材要求超高纯度金属、高精密尺寸、高级程度等,往往选取高 纯铜(6N)、高纯铝(6N)、高纯钛、高纯钽、铜锰合金等显示面板用靶材往往需要高纯度、面积大、均匀性程度高等特点,主要应用于电视、电脑的屏幕,往往选取高纯铜、高纯铝、高纯钼、
32、ITO(掺 锡氧化铟)等。太阳能用靶材主要用于太阳能电池镀膜,往往选取高纯度铝、铜、钼、 铬等。磁记录用靶材,要求具备高存储密度、高传输速度的特性,往往选取铬 基合金、钴基合金等材料,主要应用于光驱、光盘、机械硬盘、磁带等电子元器用靶材主要应用于薄膜电阻、薄膜电容,主要选取高纯度钛、 铬、镍等,用于装饰、节能和防护作用。表 8、靶材的应用领域应用领域金属材料主要用途性能要求半导体芯片超高纯度铝、钛、铜、钽等高纯度铝、铜、钼等,掺锡氧化制备集成电路的关键 原材料 高清晰电视、笔记本电技术要求最高、超高纯度金属、高精度 尺寸、高集成度 技术要求高、高纯度材料、材料面积大、平面显示器铟(ITO)脑均
33、匀程度高太阳能电池高纯度铝、铜、钼、铬等,ITO薄膜太阳能电池技术要求高、应用范围大 信息存储铬基、钴基合金等光驱、光盘等高储存密度、高传输速度 工具改性纯金属铬、铬铝合金等工具、模具等表面强化性能要求较高、使用寿命延长要求电子器件尺寸小、稳定性好、电阻电子器件镍铬合金、铬硅合金等薄膜电阻、薄膜电容温度系数小其他领域纯金属铬、钛、镍等装饰镀膜、玻璃镀膜等技术要求一般、主要用于装饰、节能等 资料来源:CNKI,经济与金融研究院整理2、政策持续加码,拉开靶材国产化大幕l进口靶材免税结束,国内靶材龙头国产替代空间广阔。2018 年底进口靶材免税期结束,打开国内靶材国产替代可能。2015 年 11 月
34、多部委联合发布关 于调整集成电路生产企业进口自用生产性原料、消耗品、免税商品清单的通 知,该通知规定:进口靶材的免税期到 2018 年年底结束。意味着从 2019 年开始,日、美靶材需要缴纳 5-8%关税,但从具体实施来看,带背板的溅射 靶材组件进口普通税率为 17%,而国内靶材生产企业的出口退税为 13%,为 国内靶材企业创造生存、发展机遇。表 9、税率倾斜给国产替代打开空间商品名称带背板的溅射靶材组件税率更新时间2020/1/4出口退税税率13%增值税率13%进口普通税率17%进口优惠税率0%资料来源:海关总署、经济与金融研究院整理l 产业政策持续续力,多部委联合出台国产核心材料发展规划。
35、国务院、发改 委、工信部、财政部、税务总局、科技部等多部委自 2014 年之间,联合发文 力挺科技制造国产替代,从海关税收免税解除打开国产替代可能,到国内多 部委政策、资金、技术扶持,给予靶材等国产替代行业长期的成长扶持。表 10、国家从产业扶持层面、资金层面多角度助力靶材实现国产替代发布时间发布单位政策名称关于组织实施新型平板显示和宽带网络设备研发及产业化专项有关事项的通2014 年 4 月发改委、工信部知2014 年 10 月发改委、工信部2014-2016 年新型显示产业创新发展行动计划2014 年 10 月发改委、财政部、工信部关键材料升级换代工程实施方案2015 年 5 月国务院中国
36、制造 20252016 年 9 月工信部有色金属工业发展规划(2016-2020 年)2016 年 10 月工信部产业技术创新能力发展规划(2016-2020 年)2016 年 12 月发改委、工信部、财政部新材料产业发展指南2016 年 12 月国务院“十三五”国家战略性新兴产业发展规划2017 年 9 月工信部重点新材料首批次应用示范指导目录(2017 年版)2018 年 3 月财政部、税务总局、发改委、工信部关于集成电路生产企业有关企业所得税政策问题的通知2018 年 5 月财政部、税务总局、科技部关于科技人员取得职务科技成果转化现金奖励有关个人所得税政策的通知2018 年 7 月发改委、工信部扩大和升级信息消费三年行动计划(2018-2020 年)2018 年 8 月中国电子信息产业发展研究院、工信部中国集成电路产业人才白皮书(2017-2018)2018 年 9 月财政部、税务总局关于提高机电文化等产品出口退税率的通知2019 年 5