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1、下游产品的这种差异与各自主要的产线制程有关。早在 2005 年时,中芯国际与台积电在制程上的差距并不大,90nm 工艺的推出时间只比台积电晚 1 年多。后来因为受到与台积电之间的专利诉讼案等一些列事件的影响,65nm 工艺中芯国际的推出时间落后了 2 年多,45nm 落后了 3 年,28nm 则落后了 4 年。4 年的时间也使得台积电建立了绝对优势,在台积电的价格压制之下,中芯国际自 2016 年推出的 28nm 工艺未能出现营收的大规模替代。由于 28nm 的营收难以放量,2017 年之后公司的净利润明显下滑。但这种情况随着美国对中国企业的制裁发生改变,2019 年以来部分国内客户转单中芯国
2、际,使得公司的 28nm 产线营收开始提升,盈利性得以好转。2017 年随着梁孟松的加入,中芯国际开始加速先进制程研发的的进程。2019 年公司的第一代 FinFET 产线14nm 产线正式量产,这一代产线中也将包括由 14nm 工艺改进的 12nm 工艺。同时,公司也在研发第二代FinFET 工艺,其中包括 N+1 和 N+2 工艺,业界一般认为这将相当于 10nm-7nm 的水准。此前公司曾公开表示,中芯国际 N+1 工艺相比于 14nm 工艺性能将提升 20%,功耗降低 57%,逻辑面积缩小 63%,SoC 面积缩小 55%,N+2 工艺的性能将更高。但是 2020 年底美国商务部将中芯国际加入“实体清单”,限制美国设备企业对中芯国际 10nm 及以下制程设备的出口,这使得公司在先进制程追赶方面再次遇到重大障碍。虽然利用现有设备,在没有 EUV 光刻机的情况下可以通过多重曝光和刻蚀的方式实现 7nm 工艺的生产(台积电的初代 7nm 工艺即采供 DUV 光刻机完成),但其经济性存在问题。且由于后续设备的采购将变得困难重重,第二代 FinFET 产线在短期内不容易实现大规模的量产。尽管公司表示第二代 FinFET 产线已经处于风险量产阶段,但何时能实现盈利还要关注后续的进展。