国内GaN下游应用份额分布(2017年) 原图定位 GaN器件 1990年开始用于发光二极管中,开启了其商业化大门。作为一种宽禁带半导体,其具有禁带宽度大、击穿场强高、饱和电子迁移速率高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强等特性,适合制作高频、大功率、高密度集成和抗辐射的电子器件,广泛应用智能电网、高速轨道交通等电力电子领域及 5G基站、雷达等微波射频领域。根据金智创新的数据,2017年,国内 GaN下游中LED、微波射频、电力电子(功率器件)应用占比分别为 70%,17%和 11%。