GaN晶体生长方法对比 原图定位 目前 GaN 单晶衬底以 2-4 英寸为主,4 英寸已实现商用,6 英寸样本正开发。GaN 体单晶衬底的主要方法有氢化物气相外延法(HVPE)、氨热法,以及助熔剂法,上述三种方法对应的生长条件、生长速率和优劣比较如表 4 所示。