1、 识别风险,发现价值 请务必阅读末页的免责声明 1 1 3535 TablePage 行业专题研究半导体 2020 年 6 月 1 日 证券研究报告 半导体半导体国产替代十国产替代十三三 中国大陆半导体产业国产边际提速,迎来穿越周期的成长新。

2、1 研究创造价值 功率半导体研究框架总论功率半导体研究框架总论 方正证券研究所证券研究报告方正证券研究所证券研究报告 行业深度报告 行业研究 半导体行业半导体行业 2020.01.23推荐 分析师:分析师: 陈杭 执业证书编号: S1220。

3、半导体设备投资地图半导体设备投资地图 证券分析师: 贺茂飞 EMAIL: SAC执业证书编号: S0020520060001 证券研究报告证券研究报告 20202020年年7 7月月7 7日日 请务必阅读正文之后的免责条款部分请务必阅读正文。

4、半导体大硅片研究框架 深度报告 首席分析师: 陇杭 执业证书编号:S08 证券研究报告 半导体行业 2020年 6月 25日 行业需求:全球范围内逡辑 ,功率和模拟电路的収展促迚晶囿厂的建设,中国大陆主要来自 半导体国。

5、分析师:分析师: 张文琦S01 于明明S03 报告发布日期:报告发布日期:20202172020217 国泰国泰CESCES半导体半导体ETFETF简析简析 证券研究报告 风险提示:本内容为客观数。

6、 请务必阅读正文之后的免责条款部分 全球视野全球视野 本土智慧本土智慧 海外市场研究海外市场研究 Page 1 证券研究报告证券研究报告海外市场研究海外市场研究 港股港股电子元器件电子元器件 半导体半导体产业链产业链系列系列研究研究之之十十。

7、0 美金上升至 300 美金功率半导体正加速向国内转移,国内电子企业有望享受这一轮市场增长市场转移带来的高业绩增长预期. 我们假设 20162020 年全球燃油车年产量由 6963 万辆增长至 7478 万辆,年均增速 2;新能源汽车包括纯。

8、 请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明 TableMainInfo 行业研究汽车与零配件 证券研究报告 行业专题报告行业专题报告 2020 年 03 月 15 日 TableInvestInfo 投资评级 优于 优于大市大市 维持维持 市。

9、仍有较大的国产提升空间.贸易战对我国半导体核心技术卡脖子半导体产业链中,上游半导体设备和中游制造对美依存度极高,核心芯片的国产化比率极低,存在受技术限制的可能性;相比之下,中游封测和下游终端市场领域对美依存度小,受到影响较小.贸易战背景下。

10、1 1 行 业 及 产 业 行 业 研 究 行 业 深 度 证 券 研 究 报 告 电子 半导体 2020 年 09 月 24 日 半导体硅片行业全攻略 看好 半导体行业深度 相关研究 集成电路全产业链迎新政策红利新 时期促进集成电路产业和。

11、构成资本支出研发策略需求预测供应链路线生产决策,以及期权成员和收购.两种复苏情景都表明,2020年,大多数半导体业务的收入将出现负增长.然而,展望2021年,我们预计情况会随着大多数终端市场的复苏而改善,主要因为2020年的起点将比前几年低。

12、 2020 年深度行业分析研究报告 目录 1.汽车功率器件:电动化核心增量10 1.1功率半导体:高壁垒强盈利大市值11 1.2电动化拉动需求倍增12 2.低压 MOS:市场高度成熟,面临电动化冲击14 2.1低压 MOS:汽油车应用的主要。

13、配器电动汽车充电桩通信电源等.屏蔽橱功率MOSFET的具体内容是30v300V屏蔽榭功率MOSFET,其具体使用邻域是电子雾化器无人机移动电源多口uSB充电器逆变器适配器手机快充UPS电源等.IGBT具体内容有两个,分别是高密度场截止型绝缘。

14、IGBT功率半导体研究框架 深度报告 证券研究报告 半导体行业 2020年 12月 2日 需求:节能环俅 .传统癿功率半导体损耗非帯大 ,需要多个器件才能达到电能转换癿效果 . IGBT通过调节电机癿转速来达到节能癿作用 . 行业增长:最主。

15、2.4.1 BMS 芯片:动力电池装机驱动,市场稳步增长ppBMS电池管理系统是新能源车的电源管理芯片主要增量.电动汽车的动力电池由几千个小电芯组成,而电池包主要由电芯模块电气系统热管理系统箱体和 BMS 组成.BMS 是一个保护动力锂离。

16、2021年4月,台积电将其2021年资本开支提高至300亿美金2020年Q4指引是250280亿美pp金,其中80投在3nm5nm7nm等先进制程, 10投在先进封装,10投在成熟制程.台积电未来三年资本开支合计为1000亿美金.pp台积。

17、复盘半导体第一次跨越:估值提升主导,国产替代全面提速大方向确 立.20192020H1,电子板块涨幅为 117.4,半导体板块实现大涨, 涨幅为 226.4.从 PE 与归母净利润对指数的相对贡献来看,PE 贡 献程度大于归母净利润贡献度。

18、北斱华创:硅刻蚀领军者 北方华创自 2001年成立后便开始组建团队研发刻蚀技术 ,并于 2004年第一台设备成功起辉, 2005年第一台8英寸ICP刻蚀机上线,是我国自主研发的第一台干法刻蚀机 .凭借在等离子体控制反应腔室设计刻蚀工艺技术 。

19、涨价反应8及12成熟制程的长期缺口我们归因于造成未来半导体行业通膨涨价这里指的是 812成熟制程产品的第三个主要原因是 8及 12成熟制程的晶圆代工缺口长期缩窄不易.就 8而言,我们归纳出五个主要原因造成 8晶圆代工业者扩产不容易,未来几年。

20、GaN 作为第三代半导体具有宽带隙3.4 eV击穿场强大3.3 MW cm电子饱和漂移速度高2.7 107 cm s等物理结构优势.在以往的半导体材料中,Si 是目前集成电路及半导体器件的主要材料,但其带隙窄,击穿电压低,在高频高功率器件的。

21、SiC MOSFET 具备一定优势,但成本较高.就器件类型而言,SiC MOSFET 与 Si MOSFET 相似.但是,SiC 是一种宽带隙WBG材料,其特性允许这些器件在与 IGBT相同的高功率水平下运行,同时仍然能够以高频率进行开关。

22、 1 敬请参阅最后一页特别声明 市场数据市场数据 人民币人民币 市场优化平均市盈率 18.90 国金半导体指数 7027 沪深 300 指数 4922 上证指数 3619 深证成指 14796 中小板综指 14427 相关报告相关报告 1。

23、请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容证券研究报告证券研究报告 20222022年年0303月月0808日日超配超配半导体系列报告之四:半导体硅片半导体系列报告之四:半导体硅片摩尔定律演进,半导体硅材料历久弥新摩尔定律演进,半导体硅材。

24、 I 目 录 前前 言言 . II 一国际第三代半导体产业进展国际第三代半导体产业进展 . 1 一各经济体以前所未有的力度扶持半导体产业 . 1 二技术和产品商业化加速 . 3 三龙头企业不断完善全产业链布局 . 11 四市场规模持续增长 。