GaN射频器件不断占领LDMOS市场空间 原图定位 5G 时代高速增长的数据流量使得调制解调难度不断增加,需要的频段越来越多,对射频前端器件的性能要求也越来越高。目前在射频前端应用中,硅基 LDMOS器件和 GaAs 仍是主流器件。通常来说,LDMOS 适用于 3.5GHz 以下的应用,GaAs 适用于 40GHz 以下的场景,但器件尺寸较大。GaN 在高频环境下能够保持高功率输出,可以有效减少晶体管的数量,从而缩小器件尺寸。从电压角度来看,LDMOS 的工作电压约为 6V,GaAs 为 10V,GaN 可以工作于 28V 或更高的电压,工作性能优于 LDMOS 与 GaAs,潜在市场空间巨大。据 Yole Development 数据,2015 年射频功率放大器市场中,LDMOS 市场有率为第一,占比约为 50%,GaN 射频器件约占 20%,预计到 2025 年,GaN 射频器件将以55%的占有率取代 LDMOS 第一的市场地位,LDMOS 市场占有率则下降至11.8%。GaN 发展势头良好,5G 时代中 GaN 射频器件的市场占比将进一步上升。