LPCVD和PECVD镀膜优劣势对比 原图定位 PECVD制备 poly硅的工艺属于新技术,优点在于沉积速率快,且可实现原位掺杂。但其缺点在于制备的膜中氢含量较高,在后期高温退火过程中容易析出气泡,造成钝化膜破损。