1、 识别风险,发现价值 请务必阅读末页的免责声明 1 1 2323 TablePage 跟踪研究电源设备 证券研究报告 晶盛机电晶盛机电300316.SZ 下游下游硅片硅片密集密集扩产,扩产,设备设备需求集中释放需求集中释放 核心观点核心观点。

2、 识别风险,发现价值 请务必阅读末页的免责声明 1 1 1616 TablePage 跟踪研究电源设备 证券研究报告 晶盛机电晶盛机电300316.SZ 设备设备国产国产化化迫切度甚于迫切度甚于晶圆晶圆,半导体半导体上游上游设备设备迎迎来来。

3、 公司公司报告报告 公司深度研究公司深度研究 1 晶盛机电晶盛机电300316 证券证券研究报告研究报告 2020 年年 02 月月 26 日日 投资投资评级评级 行业行业 电气设备电源设备 6 个月评级个月评级 买入维持评级 当前当前价格。

4、 1210 号 未经许可,禁止转载未经许可,禁止转载 证 券 研 究证 券 研 究 报 告报 告 晶盛机电300316深度研究报告 推荐推荐维持维持 扩产扩产风云起,设备龙头享盛宴风云起,设备龙头享盛宴 目标价:目标价:24.61 元元 当。

5、万联证券 请阅读正文后的免责声明 证券研究报告证券研究报告 电气设备电气设备 硅片制造加工设备龙头,受益于下游扩产潮硅片制造加工设备龙头,受益于下游扩产潮 买入买入首次 晶盛机电晶盛机电300316300316深度报告深度报告 日期:202。

6、ASIAN DEVELOPMENT BANK Training Facility Norms and Standard Equipment Lists VoLumE 2 Mechatronics technology NoVEmBER 20。

7、半导体与半导体生产设备半导体与半导体生产设备 投资评级 买入维持 晶盛机电晶盛机电300316: 硅片扩产,设备先行硅片扩产,设备先行 证券研究报告证券研究报告 2020年年12月月9日日 请务必阅读正文之后的免责条款部分请务必阅读正文之后。

8、 请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明 TableMainInfo 公司研究机械工业其他专用机械 证券研究报告 昊志机电昊志机电300503公司研究报告公司研究报告 2020 年 12 月 19 日 TableInvestInfo 投资评。

9、HITACHI ABB POWER GRIDS Hitachi ABB Power Grids 2020. All rights reserved POWERING GOOD FOR SUSTAINABLE ENERGY 1 66kV大型海。

10、 大尺寸蓝宝石生产技术不断突破,推动量产成本不断降低.根据公司测算,相比传统 150kg 蓝宝石,300kg 级蓝宝石预计量产单位成本可下降 20左右.2020 年 12 月22 日,公司 700kg 级超大尺寸首颗蓝宝石晶体成功出炉.在。

11、SiC碳化硅是制作高温高频大功率高压器件的理想材料之一:由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料.相比传统的硅材料Si,碳化硅SiC的禁带宽度是硅的 3 倍;导热率为硅的 45 倍;击穿电压为硅的 8 倍;电子饱和漂移速率为硅的 2 倍。

12、汽车零部件的生产需要根据其提供配套的整车制造商或上级供应商的定制要求 进行模具开发制定工艺路线并组织生产,因此汽车零部件供应商的经营模式大 多是订单式生产. 不同整车制造商或上级供应商都有其自有的供应商目录.通常,该供应商目录比较封闭,外。

13、资料来源:各公司公告,国元证券研究所pp注:取自 2019 年销量确认收入的台数数据,未区分半导体级与光伏级单晶炉pp根据我们测算,晶盛在2021 至2023 年有望获得约336 亿元光伏设备订单.当前公司几乎覆盖了所有公开外购晶体生长设。

14、根据我们测算,晶盛在2021 至2023 年有望获得约336 亿元光伏设备订单.当前公司几乎覆盖了所有公开外购晶体生长设备的光伏硅片企业,我们按照公司单晶炉在其潜在客户中市场占有率 80至 90,加工设备潜在客户市场占有率 30进行测算。

15、半导体产业架构工艺方案与光伏类似,半导体硅片的材料工艺标准更高.无 论是产业架构,还是具体的工艺方案,半导体与光伏有诸多相似之处,光伏技术 亦被归为泛半导体技术之列.将光伏和半导体各产业环节对比来看:半导体硅片 与光伏硅片工艺原理步骤相近。

16、收入端:锂电设备行业2020年收入维持高增长 2020年锂电设备行业收入合计167.64亿元,同比23;2021Q1实现收入37.5亿元,同比52;核心设备商收入较稳定增长. 2020年,在国内外疫情爆发导致电池厂验收扩产和招标暂缓的情况下。

17、 晶体生长过程中对氧含量指对晶体硅碳化硅真空度等指标的严格要求.指标不能在线测量,在单晶生长中需要复杂的外部工艺配合. 晶体的等径控制技术和液面控制.单晶直径在生长过程中受到温度提拉速度与转速坩埚跟踪速度与转速保护气体的流速与温度等因素影响。

18、根据大直径区熔硅单晶的研究与制备,单晶硅生长炉分为:直拉法磁控直拉法区熔法三种工艺方案,其中直拉法是光伏硅片的主流工艺.直拉法CZ是单晶硅棒的主流工艺.直拉法是在坩埚中将多晶料熔化,然后利用装有籽晶的提拉装置向上提拉生长单晶硅的方法.其主要。

19、 上市公司 公司研究 公司深度 证券研究报告 电力设备 2022 年 03 月 31 日 晶盛机电 300316 晶体生长设备龙头,碳化硅培育增长新曲线 报告原因:首次覆盖 买入首次评级 投资要点: 国内长晶设备龙头,半导体业务快速卡位.晶。