1、请务必阅读正文之后的请务必阅读正文之后的重要声明重要声明部分部分 评级:评级:无无首次首次 市场价格:市场价格:无无 分析师:江琦分析师:江琦 执业证书编号:执业证书编号:S0740517010002 电话:02120315150 Emai。

2、 1 市场价格人民币: 18.95 元 目标价格人民币:23.8023.80 元 王华君王华君 分析师分析师 SAC 执业编号:执业编号:S02 第三代第三代半导体半导体国际国际领先者领先者,氮化镓芯片空间大氮化镓芯片。

3、 识别风险,发现价值 请务必阅读末页的免责声明 1 1 4444 TablePage 行业专题研究医药生物 2020 年 6 月 14 日 证券研究报告 本报告联系人: 李安飞 02160750612 医药生物行业医药生物行业 第三代第三代。

4、 电子制造 从从新基建与消费电子看第三代半导体材料新基建与消费电子看第三代半导体材料 2020 年年 5 月月 29 日日 电子电子行业行业深度深度报告报告 公司具备证券投资咨询业务资格公司具备证券投资咨询业务资格 相关报告: 半导体行业深。

5、敬请参阅末页重要声明及评级说明 证券研究报告 电子电子 行业研究深度报告 主要观点: SIC 功率器件:性能优异,功率器件:性能优异,10 年年 20 倍增长倍增长 功率半导体的技术和材料创新都致力于提高能量转化效率理想转化率 100,基于。

6、 2020 年深度行业分析研究报告 目 录 一为什么推荐投资第三代半导体材料4 1功率半导体下游细分领域带动需求爆发式增长,将带动第三代半导体材料应用4 2贸易摩擦加剧与摩尔定律见顶双重背景下,底层材料提供了弯道超车的可能性4 3新基建与消。

7、 2020 年深度行业分析研究报告 目录 一第三代半导体 GaN:射频电源光电子广泛运用1 1.1 5G 时代,第三代半导体优势明显1 1.2 GaN 优势明显,5G 时代拥有丰富的应用场景2 二射频:5G 基站雷达GaN 射频器件大有可为。

8、配给风险投资,这些风险敞口会得到更高的回报.此外,更富有的人享受纯粹的财富回报.具体来说,对于给定的投资组合配置,那些更富有的人更有可能获得更高的风险调整回报,可能是因为他们有机会获得独家投资机会或更好的财富管理者如图.最后,个人特征如财务。

9、华润微公司作为特色工艺超级平台,目前已实现国内首条 6 英寸 SiC 生产线的量产,有望全 面布局包括 SiC 和 GaN 在内的第三代半导体产业链,构筑第二增长曲线.特色工艺平台持续加深布局,驱动 SiC 等第三代半导体领域lt。

10、化工化工化学制品化学制品 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 1 39 三美股份三美股份603379.SH 2020 年 12 月 30 日 投资评级:投资评级:买入买入首次首次 日期20201229 当前股价元19.01 一年最高最低。

11、nbsp;折叠屏带来产业链升级,推荐 TCL 科技nbsp;pp从以上折叠屏手机与全面屏曲面屏手机的成本对比来看,折叠屏技术的难点主要来源于显示模组光学模组机械机电结构件及电池.我们梳理了折叠屏手机产业链中主要工艺变化方向,包括可折叠 A。

12、预计未来第三代半导体市场规模稳步增长,潜在市场空间巨大.在 5G 通信新能源汽车快充绿色照明等新兴需求崛起和国家政策大力支持的双重驱动下,预计我国第三代化合物半导体市场规模有望实现快速增长.2020新基建风口下第三代半导体应用发展与投资价。

13、氮化镓产业链分为衬底外延片和器件环节.尽管碳化硅被更多地作为衬底材料相较于氮化镓,国内仍有 从事氮化镓单晶生长的企业,主要有苏州纳维东莞中镓上海镓特和芯元基等;从事氮化镓外延片的国内厂 商主要有三安光电赛微电子海陆重工晶湛半导体江苏能华英诺。

14、氮化镓产业链分为衬底外延片和器件环节.尽管碳化硅被更多地作为衬底材料相较于氮化镓,国内仍有 从事氮化镓单晶生长的企业,主要有苏州纳维东莞中镓上海镓特和芯元基等;从事氮化镓外延片的国内厂 商主要有三安光电赛微电子海陆重工晶湛半导体江苏能华英诺。

15、在供应紧缺的条件下,六氟磷酸锂的价格强势走高,截至9月7日,六氟磷酸锂参考价格43.5万元吨,较去年同期上涨了491.84.同时由于六氟磷酸锂在电解液中占据较高的成本比重,六氟磷酸锂价格的走高带动了电解液价格同步宽幅上涨,截至9月7日,电解。

16、新能源汽车应用将推动SiC渗透率快速上升SiC材料凭借其在高温高压高频等条件下的优异性能表现,成为当今最受关注的新型半导体材料之一.为了扶持我国SiC行业的快速发展,国家中长期科学和技术发展规划纲要20062020年中明确将碳化硅列为新一代。

17、基于 M310,消化吸收再创新的 ACPR1000.2005 年,中广核以法国引进的百万千瓦级堆型M310 型为基础,率先推出中国改进型百万千瓦级1000 MW压水堆核电技术方案 CPR1000.2010 年,中广核在充分利用我国近 30 。

18、GaN 作为第三代半导体具有宽带隙3.4 eV击穿场强大3.3 MW cm电子饱和漂移速度高2.7 107 cm s等物理结构优势.在以往的半导体材料中,Si 是目前集成电路及半导体器件的主要材料,但其带隙窄,击穿电压低,在高频高功率器件的。

19、SiC 助力汽车降低 5 倍能力损耗.以第三代半导体的典型应用场景新能源汽车为例,根据福特汽车公开的信息,相比于传统硅芯片如 IGBT驱动的新能源汽车,由第三代半导体材料制成芯片驱动的新能源汽车,可以将能量损耗降低 5 倍左右.SiC 提高。

20、科技先锋系列科技先锋系列报告报告237 Wolfspeed:全球第三代半导体材料及器件提供商全球第三代半导体材料及器件提供商 中信证券研究部中信证券研究部 前瞻研究前瞻研究 2021.12.10 功率产品功率产品 射频产品射频产品 SiCG。

21、行业行业报告报告 行业专题研究行业专题研究 请务必阅读正文之后的信息披露和免责申明 1 电子电子 证券证券研究报告研究报告 2021 年年 12 月月 30 日日 投资投资评级评级 行业行业评级评级 强于大市维持评级。

22、请阅读最后一页的免责声明 1 2022 年年 03 月月 17 日日 证券研究报告证券研究报告行业深行业深度度报告报告 第三代第三代半导体半导体行业行业 下游需求驱动,国产替代先行,下游需求驱动,国产替代先行,SiSiC C 迎迎政策发展政。