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半导体产业研究报告

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半导体产业研究报告Tag内容描述:

1、上市公司总家数上市公司总家数 50 总股本总股本 亿亿股股 263.21 销售收入销售收入 亿元亿元 905.27 利润总额利润总额 亿元亿元 71.28 行业平均行业平均 PEPE 340.55 平均股价平均股价 元元 69.86 行业相。

2、8寸晶囿 的涨价幅度更加显著. 产品趋势:目前主流晶囿厂都采用 12寸的硅片大小,而国内的功率半导体扩产建设主要采 用8寸规格硅片. 行业壁垒:前道晶体生长设备的资本开支投入,生长环节参数的控制,技术难度高. 行业竞争:目前硅片行业主要被。

3、国企业未来机遇8中压领域:新能源汽车释放海量空间10新能源汽车:蓬勃发展与迭代风口10充电桩:配套新能源汽车高增,直流桩孕育千亿需求17光伏:伴随全球装机稳健增长,预计到 2030 年累计新增需求超 400 亿元18高压领域:稳定而决定国家。

4、等行业趋势92.2 3D 深度相机商用全面开启,GaAs 光电子未来可期113.GaN:5G 关键器件,射频电力电子领域优势显著133.1 GaN:适合高频高功率低压应用领域133.2 射频需求旺盛快充快速起量,GaN 未来前景广阔144。

5、导体全面国产化蕴藏机遇14二设计厂商OEM:以华为为代表,需求潜力已逐步显现16三制造环节:存储器厂与代工厂双重扩产红利18四封测环节:封测行业景气回暖,有望促使资本开支回升23三产能与工艺驱动,深挖细分领域市场机遇25一ATE 多个细分领。

6、1.2云计算和数据中心高速化驱动,高多层板和 CCL 需求旺盛. 5 1.3高频高速 PCBCCL 技术壁垒高,行业龙头充分受益 . 10 2半导体:国产替代加速,核心供应链自主可控势在必行. 13 2.1设计:多个细分领域实现突破,但整体。

7、14三光刻机:半导体制程工艺核心环节,将掩膜板图形缩小16四涂胶显影:与光刻机配合,实现图形转移19五刻蚀设备:等离子刻蚀复杂程度高,且步骤逐渐增加23六薄膜设备:用于沉积物质,在设备市场占比较高28七清洗设备:去除晶圆片表面杂质,各制程前。

8、 6 1.1.2中国已成为全球最大的半导体市场 . 7 1.2半导体行业发展带动上游设备和材料市场快速增长. 7 1.3海外企业主导半导体材料产业,国内进口替代空间巨大. 9 1.3.1半导体材料具有子行业多资金密集技术密集等特点. 9 。

9、全球市场格局日系占据主导地位92.3. 大基金二期已起航,卡脖子设备环节有望获得重点投资93. 国内重点公司113.1. 盛美股份国内清洗设备领先企业,子公司将回归科创板113.2. 北方华创综合实力强劲的半导体设备供应商133.3. 至纯。

10、机已来,国内晶圆制造崛起,将重塑国产半导体产业链15替代开启,抛光垫国产化开启主成长周期17CMP 半导体材料国产替代公司梳理19鼎龙股份:CMP 抛光垫打破国外垄断,迎来 1N 跨越式发展19安集科技:CMP 抛光液处于国内领先地位20江。

11、亮眼9四IC 制造:先进制程尚有差距,存储制造成长迅速10一先进工艺节点:技术和产能同领先公司存在较大差距11二存储芯片制造:国内追赶步伐迅速,长存与长鑫成长亮眼12三成熟工艺制程:国内布局较为齐全,未来产能逐渐爬升14五半导体设备:下游需。

12、进程加速251高端设备依赖进口,本土企业有望逐步突破262材料自给率低,本土企业任重道远303IPEDA 国产化率低且替代难度大,国内企业已有布局33三国内两大代工龙头专注发展,有望贡献主要力量35一中芯国际:引领国产进程,大陆制造绝对龙头。

13、92.1 国际半导体市场缺乏复苏动力,下半年市场有望回升92.2 国内晶圆厂投资加速,产业链供需不匹配112.2.1 集成电路产品供需不匹配,晶圆厂扩大投资助力 IC 国产化112.2.2 晶圆制造设备供需不匹配,半导体产业受制于人143政。

14、1.3 中国市场:全球性产业转移赋能行业高速增长101.3.1 历次产业转移均造就一批巨头企业101.3.2 全球集成电路产业向中国加速转移111.3.3 大基金二期募集完成152 半导体设备行业:硅片晶圆产能兴建 国产替代遇良机182.1。

15、内资龙头效应显著231.8 电子特气:需求空间大,拉开进口替代序幕24二显示材料:面板行业转移升级,看好新型显示材料进口替代空间282.1 OLED 持续渗透,下游需求强势支撑282.1.1 OLED 对比 LCD 性能优282.1.2 。

16、最大宗产品,我国加快先进产品研发导入133.光掩模:衔接光刻关键工艺环节,半导体制程受海外垄断164.光刻胶及配套材料:半导体材料之冠,国产化持续加大研发投入195.电子特气:普通气体国产化具有较高份额,特殊气体国产化率仍较低216.CMP。

17、快速发展131.4. 中国半导体制造材料行业处于起步阶段,国产替代空间大,国家政策支持将推动 产业发展 172. 硅片:12 英寸硅片国产发展空间大,8 英寸硅片将受益于终端市场需求上行202.1. 大硅片:半导体制造基础材料,以 8 英寸。

18、外资重心转向高压,国内车规有望突破263.电动车功率器件:高压高频高价值283.1IGBT高压 MOS:电动车应用的主要功率器件283.2IGBT 模块:电机逆变器核心部件303.3IGBT 分立器件:中等功率电机驱动开关403.4超级结。

19、1半导体清洗高质量半导体器件的保障112技术路线干法湿法各有所长123技术路线单晶圆清洗有望逐渐取代槽式清洗14四半导体清洗设备市场及行业格局161清洗设备市场:呈寡头垄断格局,国内企业水平与国际仍有较大差距162市场空间,国产清洗设备厂商。

20、 52.3. 53.73.1. 73.2.14nm202058 . 93.3.28nm. 123.4.643128. 134.1N144.1。

21、纪 90 年代高效率批量生产8半导体制造五大难点8集成众多子系统的大系统8第一,集成度越来越高9第二,对精度要求越来越高10第三,单点技术突破难11第四,需要将多个技术集成13第五,批量生产技术13半导体制造的三大指标14一是先进制程达到多。

22、131.1A股电子增速引领全球,半导体实现靓丽增长.131.2研发转换加速,科技企业之本.151.3国产化加速,步入深水区.161.4产业好于市场预期,最悲观时期已经过去.171.5创新不止,龙头资本开支不减。

23、术和壁垒极高,产品重经验,品牌重积累91.6 IGBT 行业驱动因素清晰,天花板上移驱动力强101.7 IGBT 竞争格局:欧美日基本垄断,国产份额极低132 确定高增:未来五年 IGBT 高景气驱动因素142.1 IGBT 占新能源车成本。

24、1.1. CZ直拉法132.1.2. FZ区熔法142.2. 硅片制造成本分析152.2.1. 新能源硅片制造成本152.2.2. 半导体硅片制造成本162.3. 硅片制造主要壁垒173. 硅材:仍将是未来主流材料193.1. 目前:硅是。

25、功率二极管6图表 5.主要功率二极管结构及特性6图表 6.半导体产品分类7图表 7.LDMOS MOSFET 结构图7图表 8.Planer MOSFET 结构8图表 9.Trench MOSFET 结构8图表 10.第六代 IGBT 结构。

26、代大风起,迎来穿越周期的成长机遇20一IC 设计:把握国产替代主旋律,拥抱行业新趋势21二半导体设备:下游需求高速放量,国产设备成长山雨欲来34三半导体材料:多领域以日美厂商为主,但本土企业下游晶圆产线验证边际提速. 37四半导体封测:国内。

27、 5 半导体硅片分类 . 6 硅片制作工艺. 8 下游应用带动硅片市场不断增长 . 10 硅片终端应用逐渐多元化 . 10 芯片产能投放拉动硅片需求. 11 大硅片市场规模持续发展 。

28、环肥燕瘦,细分市场竞争步步为营16三指引作用:春江水暖鸭先知19四投资再论:投资时钟中晶圆代工节奏23一台积电的标杆指引:美股与 A 股的节奏23二时钟再论:结合观察存储器及晶圆代工的指导价值28五附录341晶圆加工的主要工序342主要工。

29、半导体硅片规模化销售123.2. 深入核心业务:专注半导体硅片业务,200mm 及以下半导体硅片为主要收入来源 . 133.2.1. 主要业务:以 200mm 及以下半导体硅片为主,积极扩张 300mm 硅片业务 . 133.2.1.1. 。

30、入封测龙头企业 102.2.测试设备:分散与集中并存,国内厂商技术持续突破133.封测企业积极扩充先进封装产能,加速拉动国产设备需求151. 先进封装技术渗透,封测设备市场边际需求改善半导体制造产业主要分为设计,制造和封测三大环节.上游支撑。

31、18半导体需求三驾马车共振,国产替代迎来机遇22数据中心:数据中心回暖,受益于 5G 持续发展23手机:5G 放量前夜,单机硅含量提升27通讯:5G 基站建设进入放量期31国产替代:历史性机遇开启,晶圆代工订单转移33行业近况:景气上行,新。

32、173. 半导体制造行业竞争逻辑204. 制造行业长期成长逻辑未来增量空间234.1. 长期成长逻辑234.2. 近年来的主线,5GIoT车用半导体AI 提供大增量315. 中国半导体制造业的机会在哪里356. 半导体制造厂商376.1. 。

33、61.1欧美及日本疫情加剧半导体材料供给或将受限.61.2大基金二期即将开启投资半导体材料必将受益.71.3半导体材料领域我们看好哪些标的.82.半导体材料:半导体产业基石。

34、代工增速超半导体行业整体增速9芯片设计供给受制于美国11美国主导芯片供应11行业前十主要在美国13芯片制造高度垄断13制造是半导体产业的重点13五大硅片厂垄断市场14全球代工被台积电垄断14卡脖子的短板,投资价值最大15半导体制造五大难点1。

35、213.4 硅片:半导体材料重中之重,国内逐步实现突破223.5 光刻胶:逐步突破,任重而道远26四下游投建如火如荼,设备替代正当其时274.1 全球设备市场回暖,受益于制程进步产能投放274.2 前道设备占主要部分,测试需求增速最快314。

36、大基金资金驱动产业链做大做强14关注国内功率半导体和存储器产业链17功率半导体走向高端,有望弯道超车17IGBT 为功率器件皇冠明珠,进口替代空间巨大17化合物半导体电力电子性能优势明显,前景光明20存储器:价格企稳回升,国内存储器现突围曙。

37、10亿美元.虽然在2019年全球 半导体销售额的略微下滑主要由 于全球贸易环境的紧张,以及半 导体最主要的下游消费电子市场 自17H2的疲软,但是在19H2我们 也看到了半导体市场随着5G时代 到来的重现生机. 从2018年12月开始,半导。

38、 靶材 CMP材料 光刻胶 湿电子化学 品 电子特种气 体,光罩,掩膜板制造 掩膜板投入 设备投入 制造设备 设备投入,电路设计公司,台湾台积电 美国格罗方德 台湾联华电子 韩国三星 上海中芯国际 台湾力晶科技 TowerJazz 台湾Va。

39、遍布整个汽车电子系统,推劢汽车 功率半导体需求增加. 电力:柔性输电技术都需要大量使用IGBT等功率器件. 风电:可再生清洁能源提供功率半导体新市场. 高铁:随着变流器需求增加,行业得到持续稳定的发展,功率半导体波动周期,去库存,复产,产能。

40、国 16.9,中国 16.7,日本 14.8,北美 10.8,欧洲 7.5,其他 11.6,1,10,5,0,5,10,0,10,20,30,40,50,6015,2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 201。

41、动 ,汽车电子对功率半导体需求的拉动等使得需要消耗更加多的晶圆,从而推动硅片 行业的增长. 晶圆代工市场规模扩大 :20162019年,全球晶圆代工市场规模为 500548577 532亿美元,年均复合增长率7.5,未来规模将会进一步扩大 。

42、或改变 都意味着相应大量单一工艺和整体工艺的再研发,三者发展需齐头并进.例如,半导体制造中 的基底材料硅片,2010年前后Intel主推的450mm大硅片在制备技术方面已经日趋成熟,但是受 制造工艺配套设备及晶圆厂开支制约,何时正式投入商用。

43、3,90 70 50 30 10 10 30 50,300 250 200 150 100 50 0,200201 200206 200211 200304 200309 200402 200407 200412 200505 20051。

44、对比分析 第六部分:国产设备企业介绍,请务必阅读正文之后的免责条款部分,资料来源:wind,1.1新一轮半导体行业上行周期有望拉动设备需求,30,20,10,0,10,20,30,40,0,50,000,100,000,150,000,20。

45、也包括生产半导体原材料所需的机器设备.在整个芯片制造和封测过程中,会 经过上千道加工工序,涉及到的设备种类大体有九大类,细分又可以划出百种不同的机台,占比较大市场份额的主要有:光刻机刻蚀机薄膜沉 积设备离子注入机测试机分选机探针台等. IC。

46、业趋势:从对材料癿利用效率上目前已经走到第七代 IGBT,硅极陉后往模块以及系统整 合斱向収展 . 行业壁垒:相对二传统功率半导体,IGBT工艺流程长达2.53个月,只要有一个参数収生偏 差,就需要工艺流程重新迒工 ,1年时间养没有几次试错。

47、新台币,同比大幅增长55,环比增长12,下游需求改善明显.nbsp;从半导体设计厂商库存看,整体而言,20Q4 的库存周转天数环比继续减少,即存货周转不断加快,反映下游需求持续改善;海外公司库存水位有略有抬升,而国内公司20Q3库存水位有所。

48、技术,算法优化AI应用整机应用技术等方式实现LCD极致画质;长期规划上,将聚焦打印OLED的开发,实现印刷QLED产品化,并对大尺寸MicroLed技术预研跟踪.机制赋能: TCL收购中环后,新体制机制下优势初步显现,市场反应更加敏捷,整体。

49、的刻蚀能力. 公司在国产ICP刻蚀技术方面具备领先地位 ,ICP刻蚀设备主要用于硅刻蚀和金属刻蚀 .应用于集成电路领域较先进的硅刻蚀机已突破 14nm技术,进入主流芯片代工厂 .中微公司:专注刻蚀设备中微公司成立于 2004年,主要从事半导。

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    北斱华创,硅刻蚀领军者北方华创自2001年成立后便开始组建团队研发刻蚀技术,并于2004年第一台设备成功起辉,2005年第一台8英寸ICP刻蚀机上线,是我国自主研发的第一台干法刻蚀机,凭借在等离子体控制反应腔室设计刻蚀工艺技术

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